演示文稿變頻器功率器件損耗計算

（優(yōu)選）變頻器功率器件損耗計算目前一頁\總數(shù)七十九頁\編于十六點目錄整流二極管損耗計算IGBT模塊損耗計算電解電容損耗計算電抗器損耗計算反激電源主開關管損耗計算反激電源變壓器損耗計算反激電源整流二極管損耗計算目前二頁\總數(shù)七十九頁\編于十六點變頻器主電路目前三頁\總數(shù)七十九頁\編于十六點整流二極管損耗計算整流二極管主要是通態(tài)損耗，一個二極管的損耗表達式電流較大時，二極管壓降與電流近似成為線性關系，而二極管一般工作在此區(qū)域，線性近似二極管輸出特性目前四頁\總數(shù)七十九頁\編于十六點整流二極管損耗計算整流二極管的平均電流計算

直流電流平均值

整流二極管的電流有效值計算PFin為輸入功率因數(shù)目前五頁\總數(shù)七十九頁\編于十六點整流二極管損耗計算輸入功率因數(shù)計算帶直流電抗器，且直流側電流連續(xù)，電容的紋波電流為Uin為輸入線電壓的有效值，L為直流電抗器的電感量，C為母線電容量直流側電流不連續(xù)，通過實測或仿真得到輸入功率因數(shù)。

目前六頁\總數(shù)七十九頁\編于十六點整流二極管損耗計算整流二極管起始電壓VF0和通態(tài)電阻rF計算整流二極管VI特性曲線

目前七頁\總數(shù)七十九頁\編于十六點整流二極管損耗計算整流二極管起始電壓VF0和通態(tài)電阻rF計算

在VI特性曲線上尋找2個點(一般選擇Tvj=150℃或125℃的曲線)，器件額定點(VF1,IF1)和實際應用平均電流對應的點(VF2,IF2)，由此可得

進一步求得

目前八頁\總數(shù)七十九頁\編于十六點IGBT模塊損耗計算目前九頁\總數(shù)七十九頁\編于十六點IGBT模塊損耗計算IGBT模塊損耗構成

IGBT通態(tài)損耗：IGBT開關損耗：

二極管通態(tài)損耗：

二極管關斷損耗：

目前十頁\總數(shù)七十九頁\編于十六點IGBT模塊損耗計算(兩電平)正弦電流輸出兩電平電壓型PWM逆變器或整流器的IGBT模塊損耗

目前十一頁\總數(shù)七十九頁\編于十六點IGBT模塊損耗計算(兩電平)SPWM調(diào)制時電壓電流波形紅色：輸出對母線中點電壓青色：輸出電流藍色：IGBTQ1電流

目前十二頁\總數(shù)七十九頁\編于十六點IGBT模塊損耗計算(兩電平)IGBT通態(tài)損耗計算

IGBT兩端壓降與流過IGBT的電流近似為線性關系

IGBT工作在開關狀態(tài)，電流不連續(xù)，且一個電流周期中只有一半時間有電流流過，設IGBT的占空比為

dIGBT，因為開關頻率遠大于輸出電壓、電流周期，IGBT通態(tài)損耗可以表示為

目前十三頁\總數(shù)七十九頁\編于十六點IGBT模塊損耗計算(兩電平)IGBT占空比dIGBT計算

輸出電流采用SPWM調(diào)制，輸出對母線中點電壓為

以上管IGBT為例，有如下關系式

目前十四頁\總數(shù)七十九頁\編于十六點IGBT模塊損耗計算(兩電平)IGBT通態(tài)損耗計算

Vce0和rCE的獲取方法與整流二極管VF0和rF的獲取方法相同上下管IGBT互補工作，通態(tài)損耗相同。

目前十五頁\總數(shù)七十九頁\編于十六點IGBT模塊損耗計算(兩電平)IGBT開關損耗計算

IGBT開關能量與電流近似成線性關系，當母線電壓在IGBT額定工作電壓（600VIGBT為300V，1200VIGBT為600V，1700VIGBT為900V，3300VIGBT為1800V）的±20%范圍內(nèi)時，IGBT開關能量與母線電壓近似成線性關系，母線電壓一般在這個范圍內(nèi)。IGBT開通能量還與驅動電阻有關，驅動電阻越大，開通能量越大，而驅動電阻對關斷能量的影響很小。IGBT開關能量還與芯片結溫有關，結溫越高，開關能量越大，一般取125℃結溫的數(shù)值進行計算。

目前十六頁\總數(shù)七十九頁\編于十六點IGBT模塊損耗計算(兩電平)IGBT開關損耗計算

實際計算時，通過查一定結溫下驅動電阻與開關能量的關系曲線獲得額定工作電壓、電流下的開關能量，然后通過下式計算實際工作電壓、電流下的開關能量

Ic用IGBT電流在一個電源周期內(nèi)的平均值代替

目前十七頁\總數(shù)七十九頁\編于十六點IGBT模塊損耗計算(兩電平)IGBT開關損耗計算

上下管IGBT互補工作，開關損耗相同。目前十八頁\總數(shù)七十九頁\編于十六點IGBT模塊損耗計算(兩電平)二極管通態(tài)損耗計算

二極管兩端壓降與流過二極管的電流近似為線性關系

與IGBT一樣，二極管也工作在開關狀態(tài)，電流不連續(xù)，且一個電流周期中只有一半時間有電流流過，設二極管的占空比為

dDIODE，二極管通態(tài)損耗可以表示為

目前十九頁\總數(shù)七十九頁\編于十六點IGBT模塊損耗計算(兩電平)二極管占空比dDIODE計算二極管通態(tài)損耗VF0和rF的獲取方法與整流二極管相同

上下二極管互補工作，通態(tài)損耗相同。目前二十頁\總數(shù)七十九頁\編于十六點IGBT模塊損耗計算(兩電平)二極管關斷損耗計算

二極管關斷損耗與電壓、結溫的關系與IGBT一致，但與驅動電阻成反比，驅動電阻越大，關斷能量越小。二極管關斷能量與電流不是線性關系。

目前二十一頁\總數(shù)七十九頁\編于十六點IGBT模塊損耗計算(兩電平)二極管關斷損耗計算

因二極管關斷能量與電流不是線性關系，通過查一定結溫下驅動電阻與關斷能量的關系曲線獲得額定工作電壓、電流下的開關能量，然后通過下式計算實際工作電壓、電流下的關斷能量

關斷損耗

上下二極管互補工作，關斷損耗相同。目前二十二頁\總數(shù)七十九頁\編于十六點IGBT模塊損耗計算(兩電平)采用SVPWM調(diào)制時輸出對母線中點電壓波形

目前二十三頁\總數(shù)七十九頁\編于十六點IGBT模塊損耗計算(兩電平)采用SVPWM調(diào)制時的損耗SVPWM調(diào)制相當于基波SPWM調(diào)制加20%3次諧波調(diào)制，即輸出電壓為

目前二十四頁\總數(shù)七十九頁\編于十六點IGBT模塊損耗計算(兩電平)采用SVPWM調(diào)制時的損耗IGBT通態(tài)損耗二極管通態(tài)損耗

IGBT和二極管的開關損耗與SPWM調(diào)制相同。

目前二十五頁\總數(shù)七十九頁\編于十六點IGBT模塊損耗計算(兩電平)IGBT模塊總損耗n為模塊中封裝的IGBT數(shù)量

目前二十六頁\總數(shù)七十九頁\編于十六點IGBT模塊損耗計算(兩電平)計算實例

結論SPWM調(diào)制與SVPWM調(diào)制損耗差異很??；

帶電抗器測試的損耗比帶電機測試的損耗小。

目前二十七頁\總數(shù)七十九頁\編于十六點IGBT模塊損耗計算(三電平)正弦電流輸出三電平電壓型PWM逆變器或整流器的IGBT模塊損耗

目前二十八頁\總數(shù)七十九頁\編于十六點IGBT模塊損耗計算(三電平)工作方式1（io>0且vo>0）

目前二十九頁\總數(shù)七十九頁\編于十六點IGBT模塊損耗計算(三電平)工作方式2（io>0且vo<0）

目前三十頁\總數(shù)七十九頁\編于十六點IGBT模塊損耗計算(三電平)工作方式3（io<0且vo<0）

目前三十一頁\總數(shù)七十九頁\編于十六點IGBT模塊損耗計算(三電平)工作方式4（io<0且vo>0）

目前三十二頁\總數(shù)七十九頁\編于十六點IGBT模塊損耗計算(三電平)IGBTT1電流波形

紅色：輸出對母線中點電壓青色：輸出電流藍色：IGBTT1電流目前三十三頁\總數(shù)七十九頁\編于十六點IGBT模塊損耗計算(三電平)IGBTT2電流波形

紅色：輸出對母線中點電壓青色：輸出電流藍色：IGBTT2電流目前三十四頁\總數(shù)七十九頁\編于十六點IGBT模塊損耗計算(三電平)IGBTT3電流波形

紅色：輸出對母線中點電壓青色：輸出電流藍色：IGBTT3電流目前三十五頁\總數(shù)七十九頁\編于十六點IGBT模塊損耗計算(三電平)IGBTT4電流波形

紅色：輸出對母線中點電壓青色：輸出電流藍色：IGBTT4電流目前三十六頁\總數(shù)七十九頁\編于十六點IGBT模塊損耗計算(三電平)二極管D1、D2電流波形

紅色：輸出對母線中點電壓青色：輸出電流藍色：二極管D1、D2電流目前三十七頁\總數(shù)七十九頁\編于十六點IGBT模塊損耗計算(三電平)二極管D3、D4電流波形

紅色：輸出對母線中點電壓青色：輸出電流綠色：二極管D3、D4電流目前三十八頁\總數(shù)七十九頁\編于十六點IGBT模塊損耗計算(三電平)二極管D5電流波形

紅色：輸出對母線中點電壓青色：輸出電流藍色：二極管D5電流目前三十九頁\總數(shù)七十九頁\編于十六點IGBT模塊損耗計算(三電平)二極管D6電流波形

紅色：輸出對母線中點電壓青色：輸出電流藍色：二極管D6電流目前四十頁\總數(shù)七十九頁\編于十六點IGBT模塊損耗計算(三電平)IGBTT1占空比計算

IGBTT1只在io>0且vo>0時有電流流過，設IGBTT1的占空比為

dT1，有如下占空比關式系二極管D1、D2占空比計算二極管D1、D2只在io<0且vo>0時有電流流過，占空比計算公式與IGBTT1相同，即

目前四十一頁\總數(shù)七十九頁\編于十六點IGBT模塊損耗計算(三電平)IGBTT4占空比計算

IGBTT4只在io<0且vo<0時有電流流過，設IGBTT4的占空比為

dT4，有如下占空比關式系二極管D3、D4占空比計算二極管D3、D4只在io>0且vo<0時有電流流過，占空比計算公式與IGBTT4相同，即

目前四十二頁\總數(shù)七十九頁\編于十六點IGBT模塊損耗計算(三電平)二極管D5占空比計算

二極管D5在io>0時一直開關工作，在vo>0時與IGBTT1互補工作，在vo<0時與二極管D3、D4互補工作，因此占空比為二極管D6占空比計算

二極管D6在io<0時一直開關工作，在vo<0時與IGBTT4互補工作，在vo>0時與二極管D1、D2互補工作，因此占空比為

目前四十三頁\總數(shù)七十九頁\編于十六點IGBT模塊損耗計算(三電平)IGBTT2占空比計算IGBTT2在IGBTT1工作時一直導通，在二極管D3、D4工作時與D3、D4互補導通，占空比為IGBTT3占空比計算

IGBTT3在IGBTT4工作時一直導通，在二極管D1、D2工作時與D1、D2互補導通，占空比為

目前四十四頁\總數(shù)七十九頁\編于十六點IGBT模塊損耗計算(三電平)IGBTT1、T4通態(tài)損耗計算

目前四十五頁\總數(shù)七十九頁\編于十六點IGBT模塊損耗計算(三電平)IGBTT2、T3通態(tài)損耗計算

目前四十六頁\總數(shù)七十九頁\編于十六點IGBT模塊損耗計算(三電平)二極管D1、D2、D3、D4的通態(tài)損耗

目前四十七頁\總數(shù)七十九頁\編于十六點IGBT模塊損耗計算(三電平)二極管D5、D6的通態(tài)損耗

目前四十八頁\總數(shù)七十九頁\編于十六點IGBT模塊損耗計算(三電平)開關損耗

IGBTT1、T4在半個電源周期中的開關工作的時間較長，二極管D5、D6在半個電源周期中一直開關工作，其他管子的開關工作時間很短，為簡化計算，可假設T1、T2、D5、D6在半個電源周期中一直開關工作，其他管子不開關工作，開關損耗計算公式與兩電平逆變器相似，只是管子兩端電壓是母線電壓的一半，計算公式如下

目前四十九頁\總數(shù)七十九頁\編于十六點IGBT模塊損耗計算(三電平)SVPWM調(diào)制時的損耗SVPWM調(diào)制時輸出對母線中點電壓波形

與兩電平相同，SVPWM調(diào)制與SPWM調(diào)制損耗差異很小。

目前五十頁\總數(shù)七十九頁\編于十六點IGBT模塊損耗計算(三電平)一個橋臂的總損耗

目前五十一頁\總數(shù)七十九頁\編于十六點IGBT模塊損耗計算(三電平)計算實例結論

三電平拓撲開關器件總損耗比兩電平少，使用三電平拓撲可以提升系統(tǒng)的效率；

目前五十二頁\總數(shù)七十九頁\編于十六點電解電容損耗計算目前五十三頁\總數(shù)七十九頁\編于十六點電解電容損耗計算損耗計算公式

ESR：額定頻率（100Hz或120Hz）和一定溫度（20℃或25℃）下電容等效串聯(lián)阻抗，ESR隨溫度升高而降低，使用20℃或25℃下的值計算的損耗偏大。

IC：電容紋波電流折算到額定頻率下的有效值紋波電流折算系數(shù)（舉例）

頻率(Hz)50/601203001k≥10k系數(shù)kf0.711.11.31.4目前五十四頁\總數(shù)七十九頁\編于十六點電解電容損耗計算紋波電流換算方法

將紋波電流進行傅里葉分解，得到不同頻率下正弦分量的有效值IC(f)，IC(n)為頻率紋波電流換算后的有效值，有如下關系式

目前五十五頁\總數(shù)七十九頁\編于十六點電解電容損耗計算二極管整流濾波電容紋波電流計算帶直流電抗器，且直流側電流連續(xù)，電容的紋波電流為Uin為輸入線電壓的有效值，L為直流電抗器的電感量，C為母線電容量，此時IC的主要頻率成分是6倍和12倍的電源頻率。

直流側電流不連續(xù)，電容紋波電流通過仿真或實測得到，此時IC的頻率成分比較豐富，為6*n（n=1,…,10）倍的電源頻率。

目前五十六頁\總數(shù)七十九頁\編于十六點電解電容損耗計算計算實例380V55kW機型使用5600uF400V電容四個，兩串兩并，該電容在120Hz，25℃下的ESR為26m?。不帶直流電抗器，仿真得到一個電容的電流波形如下

目前五十七頁\總數(shù)七十九頁\編于十六點電解電容損耗計算計算實例

各頻率成分電流有效值及折算折算后總紋波電流有效值

電容損耗

f(Hz)30060090012001500180021002400IC(f)(A)5723128.75.44.432.6kf1.11.11.31.31.31.31.31.3IC(n)(A)51.820.99.26.74.23.42.32目前五十八頁\總數(shù)七十九頁\編于十六點電解電容損耗計算計算實例帶200uH直流電抗器，仿真得到一個電容的電流波形如下

目前五十九頁\總數(shù)七十九頁\編于十六點電解電容損耗計算計算實例

各頻率成分電流有效值及折算折算后總紋波電流有效值

電容損耗

f(Hz)300600IC(f)(A)363.6kf1.11.1IC(n)(A)32.73.3目前六十頁\總數(shù)七十九頁\編于十六點電抗器損耗計算目前六十一頁\總數(shù)七十九頁\編于十六點電抗器損耗計算電抗器損耗包含銅損和鐵損，即線包損耗和鐵心損耗銅損RL(DC)：線包的直流阻抗IL：流過線包的電流有效值鐵損

W/kg：鐵芯的每公斤損耗WFe：鐵芯重量

目前六十二頁\總數(shù)七十九頁\編于十六點電抗器損耗計算W/kg的獲取方法W/kg與頻率f以及磁感應強度變化量?B有關，在已知f和?B的情況下，可以查鐵芯的損耗曲線獲得W/kg，也可以通過下式近似計算

Ptest：鐵芯數(shù)據(jù)手冊中給出的在測試磁感應強度和頻率下的每公斤損耗值

α，β：損耗隨頻率和磁感應強度變化的系數(shù)，與鐵芯材料有關

鐵芯中磁通的頻率成分不止一種時，鐵芯損耗是各頻率鐵芯損耗之和

目前六十三頁\總數(shù)七十九頁\編于十六點電抗器損耗計算硅鋼片的Ptest、

α、βPtest可以從硅鋼片的牌號中獲得舉例：

類型牌號測試頻率測試磁感應強度無取向硅鋼片新：厚度值的100倍+代號+鐵損值的100倍舊：代號+鐵損值的100倍-厚度值的100倍50/60Hz1.5T取向硅鋼片50/60Hz1.7T類型牌號W/kg厚度無取向硅鋼片50W470（DW470-50）4.7W/kg0.5mm取向硅鋼片30Q130（DQ130-30）1.3W/kg0.3mm目前六十四頁\總數(shù)七十九頁\編于十六點電抗器損耗計算硅鋼片的Ptest、

α、β

正弦波條件下，硅鋼片的磁滯損耗與頻率成正比，與磁感應強度的平方成正比，渦流損耗與頻率的平方成正比，與磁感應強度的平方成正比。磁滯損耗和渦流損耗所占比重隨頻率變化，下圖是渦流損耗所占百分比與頻率的關系曲線，可見低頻下主要是磁滯損耗，高頻下主要是渦流損耗。

α、β是綜合系數(shù)，在低頻下取α=1.2，β=2，高頻下取α=β=2

目前六十五頁\總數(shù)七十九頁\編于十六點電抗器損耗計算磁感應強度變化量的計算

L：電感量，單位mH；?Bf：頻率為f的電流引起的磁感應強度變化量，單位T；IL(f)：頻率為f的電流峰值，單位A；N：線圈匝數(shù)；Ae：鐵芯截面積，單位mm2。鐵芯重量計算

VFe：鐵芯體積，m3；

ρFe：鐵芯密度，硅鋼片一般為7650kg/m3

目前六十六頁\總數(shù)七十九頁\編于十六點電抗器損耗計算計算實例380V37kW變頻器輸入電抗器的電感量為0.16mH，線包直流電阻為12m?，鐵芯截面積900mm2，匝數(shù)20，鐵芯體積5.274×10-4m3，使用硅鋼片型號DW470-50。滿載時電流波形如下

目前六十七頁\總數(shù)七十九頁\編于十六點電抗器損耗計算計算實例

目前六十八頁\總數(shù)七十九頁\編于十六點反激電源主電路目前六十九頁\總數(shù)七十九頁\編于十六點反激電源MOS管損耗計算MOS管損耗構成

通態(tài)損耗、開關損耗、驅動損耗Vdc：輸入直流電壓Vo(1)：主反饋輸出電壓Rdson：MOS管通態(tài)電阻fs：開關頻率Ids：MOS管電流有效值Ipk：原邊電流峰值Po：總輸出功率Ib：MOS管導通時原邊電流最小值

δ：電源效率Vds：MOS管兩端電壓Lm：原邊電感量Np：原邊匝數(shù)D：占空比Vf(1)：主反饋整流二極管正向壓降Ns(1)：主反饋副邊匝數(shù)目前七十頁\總數(shù)七十九頁\編于十六點反激電源MOS管損耗計算MOS管通態(tài)損耗

斷續(xù)模式：連續(xù)模式：

目前七十一頁\總數(shù)七十九頁\編于十六點反激電源MOS管損耗計算MOS管開關損耗

目前七十二頁\總數(shù)七十九頁\編于十六點反激電源MOS管損耗計算MOS管開關損耗開通損耗：包括開通過程中電壓電流重疊引起的損耗和MOS管輸出電容Coss能量通過MOS管泄放引起的損耗。由于開通時MOS管的電流較小(斷續(xù)模式時電流為0)，一般只計算Coss能量泄放損耗。關斷損耗：只計算密勒平臺期間的損耗，設密勒電容電荷為Qgd，MOS管驅動電阻為Rg。

目前七十三頁\總數(shù)七十九頁\編