常見存儲(chǔ)器辨析

常見存儲(chǔ)器辨析常見存儲(chǔ)器辨析/NUMPAGES36常見存儲(chǔ)器辨析常見存儲(chǔ)器辨析有關(guān)各種存儲(chǔ)器速度性能的資料大收集，RAM、SRAM、SDRAM、ROM、EPROM、FRAM

最后面重點(diǎn)搜集了NORFLASH存儲(chǔ)器的資料。

＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝

常見存儲(chǔ)器概念辨析：RAM、SRAM、SDRAM、ROM、EPROM、

常見存儲(chǔ)器概念辨析：RAM、SRAM、SDRAM、ROM、EPROM、EEPROM、Flash存儲(chǔ)器可以分為很多種類，其中根據(jù)掉電數(shù)據(jù)是否丟失可以分為RAM（隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）和ROM（只讀存儲(chǔ)器），其中RAM的訪問速度比較快，但掉電后數(shù)據(jù)會(huì)丟失，而ROM掉電后數(shù)據(jù)不會(huì)丟失。

ROM和RAM指的都是半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，ROM是ReadOnlyMemory的縮寫，RAM是RandomAccessMemory的縮寫。ROM在系統(tǒng)停止供電的時(shí)候仍然可以保持?jǐn)?shù)據(jù)，而RAM通常都是在掉電之后就丟失數(shù)據(jù)，典型的RAM就是計(jì)算機(jī)的內(nèi)存。RAM又可分為SRAM（StaticRAM/靜態(tài)存儲(chǔ)器）和DRAM（DynamicRAM/動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器）。SRAM是利用雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器來保存信息的，只要不掉電，信息是不會(huì)丟失的。DRAM是利用MOS（金屬氧化物半導(dǎo)體）電容存儲(chǔ)電荷來儲(chǔ)存信息，因此必須通過不停的給電容充電來維持信息，所以DRAM的成本、集成度、功耗等明顯優(yōu)于SRAM。SRAM速度非?？?，是目前讀寫最快的存儲(chǔ)設(shè)備了，但是它也非常昂貴，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一級(jí)緩沖，二級(jí)緩沖。DRAM保留數(shù)據(jù)的時(shí)間很短，速度也比SRAM慢，不過它還是比任何的ROM都要快，但從價(jià)格上來說DRAM相比SRAM要便宜很多，計(jì)算機(jī)內(nèi)存就是DRAM的。而通常人們所說的SDRAM是DRAM的一種，它是同步動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器，利用一個(gè)單一的系統(tǒng)時(shí)鐘同步所有的地址數(shù)據(jù)和控制信號(hào)。使用SDRAM不但能提高系統(tǒng)表現(xiàn)，還能簡化設(shè)計(jì)、提供高速的數(shù)據(jù)傳輸。在嵌入式系統(tǒng)中經(jīng)常使用。ROM也有很多種，PROM是可編程的ROM，PROM和EPROM（可擦除可編程ROM）兩者區(qū)別是，PROM是一次性的，也就是軟件灌入后，就無法修改了，這種是早期的產(chǎn)品，現(xiàn)在已經(jīng)不可能使用了，而EPROM是通過紫外光的照射擦出原先的程序，是一種通用的存儲(chǔ)器。另外一種EEPROM是通過電子擦出，價(jià)格很高，寫入時(shí)間很長，寫入很慢。Flash也是一種非易失性存儲(chǔ)器（掉電不會(huì)丟失），它擦寫方便，訪問速度快，已大大取代了傳統(tǒng)的EPROM的地位。由于它具有和ROM一樣掉電不會(huì)丟失的特性，因此很多人稱其為FlashROM。FLASH存儲(chǔ)器又稱閃存，它結(jié)合了ROM和RAM的長處，不僅具備電子可擦出可編程（EEPROM）的性能，還不會(huì)斷電丟失數(shù)據(jù)同時(shí)可以快速讀取數(shù)據(jù)（NVRAM的優(yōu)勢），U盤和MP3里用的就是這種存儲(chǔ)器。在過去的20年里，嵌入式系統(tǒng)一直使用ROM（EPROM）作為它們的存儲(chǔ)設(shè)備，然而近年來Flash全面代替了ROM（EPROM）在嵌入式系統(tǒng)中的地位，用作存儲(chǔ)bootloader以及操作系統(tǒng)或者程序代碼或者直接當(dāng)硬盤使用（U盤）。目前Flash主要有兩種NORFlash和NADNFlash。NORFlash的讀取和我們常見的SDRAM的讀取是一樣，用戶可以直接運(yùn)行裝載在NORFLASH里面的代碼，這樣可以減少SRAM的容量從而節(jié)約了成本。NANDFlash沒有采取內(nèi)存的隨機(jī)讀取技術(shù)，它的讀取是以一次讀取一快的形式來進(jìn)行的，通常是一次讀取512個(gè)字節(jié)，采用這種技術(shù)的Flash比較廉價(jià)。用戶不能直接運(yùn)行NANDFlash上的代碼，因此好多使用NANDFlash的開發(fā)板除了使用NANDFlah以外，還作上了一塊小的NORFlash來運(yùn)行啟動(dòng)代碼。一般小容量的用NORFlash，因?yàn)槠渥x取速度快，多用來存儲(chǔ)操作系統(tǒng)等重要信息，而大容量的用NANDFLASH，最常見的NANDFLASH應(yīng)用是嵌入式系統(tǒng)采用的DOC（DiskOnChip）和我們通常用的“閃盤”，可以在線擦除。目前市面上的FLASH主要來自Intel，AMD，F(xiàn)ujitsu和Toshiba，而生產(chǎn)NANDFlash的主要廠家有Samsung和Toshiba。

＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝轉(zhuǎn)自：FLASH存儲(chǔ)器和EEPROM存儲(chǔ)器的區(qū)別1、首先從IO引腳占用方面比較，EEPROM只需占用兩個(gè)IO引腳，時(shí)鐘（clk）和數(shù)據(jù)（data）引腳，外加電源三個(gè)引腳即可，符合I2C通訊協(xié)議。而FLASH需要占用更多IO引腳，有并行和串行的，串行的需要一個(gè)片選（cs）引腳（可用作節(jié)電功耗控制），一個(gè)時(shí)鐘（clk）引腳，F(xiàn)LASH讀出和寫入引腳各一個(gè)，也就是四個(gè)。并行的需要8個(gè)數(shù)據(jù)引腳，當(dāng)然比串行的讀寫速度要快。

2、從功能方面比較，EEPROM可以單字節(jié)讀寫，F(xiàn)LASH部分芯片只能以塊方式擦除(整片擦除),部分芯片可以單字節(jié)寫入(編程),一般需要采用塊寫入方式；FLASH比EEPROM讀寫速度更快，可靠性更高。但比單片機(jī)片內(nèi)RAM的讀寫還要慢。

3、價(jià)格方面比較，F(xiàn)LASH應(yīng)該要比EEPROM貴。

另供參考：EEPROM,EPROM,FLASH都是基于一種浮柵管單元(Floatinggatetransister)的結(jié)構(gòu)。EPROM的浮柵處于絕緣的二氧化硅層中，充入的電子只能用紫外線的能量來激出，EEPROM的單元是由FLOTOX(Floating-gatetunelingoxidetransister)及一個(gè)附加的Transister組成，由于FLOTOX的特性及兩管結(jié)構(gòu)，所以可以單元讀/寫。技術(shù)上，F(xiàn)LASH是結(jié)合EPROM和EEPROM技術(shù)達(dá)到的，很多FLASH使用雪崩熱電子注入方式來編程，擦除和EEPROM一樣用Fowler-Nordheimtuneling。但主要的不同是，F(xiàn)LASH對芯片提供大塊或整塊的擦除，這就降低了設(shè)計(jì)的復(fù)雜性，它可以不要EEPROM單元里那個(gè)多余的Tansister，所以可以做到高集成度，大容量，另FLASH的浮柵工藝上也不同，寫入速度更快。其實(shí)對于用戶來說，\o"EEPROMPDF資料和全國供應(yīng)商"EEPROM和FLASH的最主要的區(qū)別就是1。\o"EEPROMPDF資料和全國供應(yīng)商"EEPROM可以按“位”擦寫，而FLASH只能一大片一大片的擦。2。\o"EEPROMPDF資料和全國供應(yīng)商"EEPROM一般容量都不大，如果大的話，\o"EEPROMPDF資料和全國供應(yīng)商"EEPROM相對與FLASH就沒有價(jià)格上的優(yōu)勢了。市面上賣的standalone的EERPOM一般都是在64KBIT以下，而FLASH一般都是8MEGBIT以上（NOR型）。3。讀的速度的話，應(yīng)該不是兩者的差別，只是EERPOM一般用于低端產(chǎn)品，讀的速度不需要那么快，真要做的話，其實(shí)也是可以做的和FLASH差不多。4。因?yàn)閈o"EEPROMPDF資料和全國供應(yīng)商"EEPROM的存儲(chǔ)單元是兩個(gè)管子而FLASH是一個(gè)（SST的除外，類似于兩管），所以CYCLING的話，\o"EEPROMPDF資料和全國供應(yīng)商"EEPROM比FLASH要好一些，到1000K次也沒有問題的。總的來說，對與用戶來說，\o"EEPROMPDF資料和全國供應(yīng)商"EEPROM和FLASH沒有大的區(qū)別，只是\o"EEPROMPDF資料和全國供應(yīng)商"EEPROM是低端產(chǎn)品，容量低，價(jià)格便宜，但是穩(wěn)定性較FLASH要好一些。但對于\o"EEPROMPDF資料和全國供應(yīng)商"EEPROM和FLASH的設(shè)計(jì)來說，F(xiàn)LASH則要難的多，不論是從工藝上的還是從外圍電路設(shè)計(jì)上來說。Flashmemory指的是“閃存”，所謂“閃存”，它也是一種非易失性的內(nèi)存，屬于EEPROM的改進(jìn)產(chǎn)品。它的最大特點(diǎn)是必須按塊(Block)擦除(每個(gè)區(qū)塊的大小不定，不同廠家的產(chǎn)品有不同的規(guī)格)，而EEPROM則可以一次只擦除一個(gè)字節(jié)(Byte)。目前“閃存”被廣泛用在PC機(jī)的主板上，用來保存BIOS程序，便于進(jìn)行程序的升級(jí)。其另外一大應(yīng)用領(lǐng)域是用來作為硬盤的替代品，具有抗震、速度快、無噪聲、耗電低的優(yōu)點(diǎn)，但是將其用來取代RAM就顯得不合適，因?yàn)镽AM需要能夠按字節(jié)改寫，而FlashROM做不到。ROM和RAM指的都是半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，ROM是ReadOnlyMemory的縮寫，RAM是RandomAccessMemory的縮寫。ROM在系統(tǒng)停止供電的時(shí)候仍然可以保持?jǐn)?shù)據(jù)，而RAM通常都是在掉電之后就丟失數(shù)據(jù)，典型的RAM就是計(jì)算機(jī)的內(nèi)存。

RAM有兩大類，一種稱為靜態(tài)RAM(StaticRAM/SRAM)，SRAM速度非?？?，是目前讀寫最快的存儲(chǔ)設(shè)備了，但是它也非常昂貴，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一級(jí)緩沖，二級(jí)緩沖。另一種稱為動(dòng)態(tài)RAM(DynamicRAM/DRAM)，DRAM保留數(shù)據(jù)的時(shí)間很短，速度也比SRAM慢，不過它還是比任何的ROM都要快，但從價(jià)格上來說DRAM相比SRAM要便宜很多，計(jì)算機(jī)內(nèi)存就是DRAM的。

DRAM分為很多種，常見的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDRRAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等，這里介紹其中的一種DDRRAM。DDRRAM(Date-RateRAM)也稱作DDRSDRAM，這種改進(jìn)型的RAM和SDRAM是基本一樣的，不同之處在于它可以在一個(gè)時(shí)鐘讀寫兩次數(shù)據(jù)，這樣就使得數(shù)據(jù)傳輸速度加倍了。這是目前電腦中用得最多的內(nèi)存，而且它有著成本優(yōu)勢，事實(shí)上擊敗了Intel的另外一種內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)-RambusDRAM。在很多高端的顯卡上，也配備了高速DDRRAM來提高帶寬，這可以大幅度提高3D加速卡的像素渲染能力。

ROM也有很多種，PROM是可編程的ROM，PROM和EPROM(可擦除可編程ROM)兩者區(qū)別是，PROM是一次性的，也就是軟件灌入后，就無法修改了，這種是早期的產(chǎn)品，現(xiàn)在已經(jīng)不可能使用了，而EPROM是通過紫外光的照射擦出原先的程序，是一種通用的存儲(chǔ)器。另外一種EEPROM是通過電子擦出，價(jià)格很高，寫入時(shí)間很長，寫入很慢。

舉個(gè)例子，手機(jī)軟件一般放在EEPROM中，我們打電話，有些最后撥打的號(hào)碼，暫時(shí)是存在SRAM中的，不是馬上寫入通過記錄(通話記錄保存在EEPROM中)，因?yàn)楫?dāng)時(shí)有很重要工作(通話)要做，如果寫入，漫長的等待是讓用戶忍無可忍的。

FLASH存儲(chǔ)器又稱閃存，它結(jié)合了ROM和RAM的長處，不僅具備電子可擦出可編程(EEPROM)的性能，還不會(huì)斷電丟失數(shù)據(jù)同時(shí)可以快速讀取數(shù)據(jù)(NVRAM的優(yōu)勢)，U盤和MP3里用的就是這種存儲(chǔ)器。在過去的20年里，嵌入式系統(tǒng)一直使用ROM(EPROM)作為它們的存儲(chǔ)設(shè)備，然而近年來Flash全面代替了ROM(EPROM)在嵌入式系統(tǒng)中的地位，用作存儲(chǔ)Bootloader以及操作系統(tǒng)或者程序代碼或者直接當(dāng)硬盤使用(U盤)。

目前Flash主要有兩種NORFlash和NADNFlash。NORFlash的讀取和我們常見的SDRAM的讀取是一樣，用戶可以直接運(yùn)行裝載在NORFLASH里面的代碼，這樣可以減少SRAM的容量從而節(jié)約了成本。NANDFlash沒有采取內(nèi)存的隨機(jī)讀取技術(shù)，它的讀取是以一次讀取一快的形式來進(jìn)行的，通常是一次讀取512個(gè)字節(jié)，采用這種技術(shù)的Flash比較廉價(jià)。用戶不能直接運(yùn)行NANDFlash上的代碼，因此好多使用NANDFlash的開發(fā)板除了使用NANDFlah以外，還作上了一塊小的NORFlash來運(yùn)行啟動(dòng)代碼。

一般小容量的用NORFlash，因?yàn)槠渥x取速度快，多用來存儲(chǔ)操作系統(tǒng)等重要信息，而大容量的用NANDFLASH，最常見的NANDFLASH應(yīng)用是嵌入式系統(tǒng)采用的DOC(DiskOnChip)和我們通常用的"閃盤"，可以在線擦除。目前市面上的FLASH主要來自Intel，AMD，F(xiàn)ujitsu和Toshiba，而生產(chǎn)NANDFlash的主要廠家有Samsung和Toshiba。SRAM是StaticRandomAccessMemory的縮寫，中文含義為靜態(tài)隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器，它是一種類型的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。"靜態(tài)"是指只要不掉電，存儲(chǔ)在SRAM中的數(shù)據(jù)就不會(huì)丟失。這一點(diǎn)與動(dòng)態(tài)RAM(DRAM)不同，DRAM需要進(jìn)行周期性的刷新操作。然后，我們不應(yīng)將SRAM與只讀存儲(chǔ)器(ROM)和FlashMemory相混淆，因?yàn)镾RAM是一種易失性存儲(chǔ)器，它只有在電源保持連續(xù)供應(yīng)的情況下才能夠保持?jǐn)?shù)據(jù)。"隨機(jī)訪問"是指存儲(chǔ)器的內(nèi)容可以以任何順序訪問，而不管前一次訪問的是哪一個(gè)位置。

SRAM中的每一位均存儲(chǔ)在四個(gè)晶體管當(dāng)中，這四個(gè)晶體管組成了兩個(gè)交叉耦合反向器。這個(gè)存儲(chǔ)單元具有兩個(gè)穩(wěn)定狀態(tài)，通常表示為0和1。另外還需要兩個(gè)訪問晶體管用于控制讀或?qū)懖僮鬟^程中存儲(chǔ)單元的訪問。因此，一個(gè)存儲(chǔ)位通常需要六個(gè)MOSFET。對稱的電路結(jié)構(gòu)使得SRAM的訪問速度要快于DRAM。SRAM比DRAM訪問速度快的另外一個(gè)原因是SRAM可以一次接收所有的地址位，而DRAM則使用行地址和列地址復(fù)用的結(jié)構(gòu)。

SRAM不應(yīng)該與SDRAM相混淆，SDRAM代表的是同步DRAM(SynchronousDRAM)，這與SRAM是完全不同的。SRAM也不應(yīng)該與PSRAM相混淆，PSRAM是一種偽裝成SRAM的DRAM。

從晶體管的類型分，SRAM可以分為雙極性與CMOS兩種。從功能上分，SRAM可以分為異步SRAM和同步SRAM(SSRAM)。異步SRAM的訪問獨(dú)立于時(shí)鐘，數(shù)據(jù)輸入和輸出都由地址的變化控制。同步SRAM的所有訪問都在時(shí)鐘的上升/下降沿啟動(dòng)。地址、數(shù)據(jù)輸入和其它控制信號(hào)均于時(shí)鐘信號(hào)相關(guān)。＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝

HYPER并行NORFlash存儲(chǔ)器概述NORFlash是一種非易失性的存儲(chǔ)器，具有存儲(chǔ)容量大，數(shù)據(jù)保存時(shí)間長的特點(diǎn)，其擦寫次數(shù)多達(dá)10萬次，數(shù)據(jù)更新速度比EEPROM要快很多，在斷電的情況下也能保存數(shù)據(jù)，常用來保存一些重要的配置信息。應(yīng)用程序可以直接在NORFlash內(nèi)運(yùn)行，用戶不必把代碼再讀到RAM中運(yùn)行。NORFlash的傳輸效率很高，在小容量時(shí)具有很高的成本效益。

NORFlash根據(jù)數(shù)據(jù)傳輸?shù)奈粩?shù)可以分為并行NORFlash和串行NORFlash，并行NORFlash每次傳輸多個(gè)bit位的數(shù)據(jù)；而串行NORFlash每次傳輸一個(gè)bit位的數(shù)據(jù)。并行NORFlash比串行NORFlash具有更快的傳輸速度。

旺宏電子提供了低價(jià)格、高性能、高可靠性的NORFlash產(chǎn)品。包括很多3V的并行NORFlash產(chǎn)品，其容量從4Mb到512Mb不等。此外，針對4Mb和8Mb的產(chǎn)品，旺宏電子還提供了4mm×6mm的BGA封裝，非常適合于用在空間要求嚴(yán)格的場所。并行NORFlash分類標(biāo)準(zhǔn)讀訪問系列

標(biāo)準(zhǔn)讀訪問系列并行NORFlash有MX29F、MX29LV和MX29SL。它提供8位、16位、8位/16位可選的數(shù)據(jù)傳輸方式。電源電壓有5V，3V和1.8V。

頁面模式讀訪問系列

MX29GL系列產(chǎn)品提供先進(jìn)的頁模式接口，在讀訪問和編程操作上都進(jìn)行了優(yōu)化，用戶可以使用頁模式連續(xù)讀取多個(gè)數(shù)據(jù)。應(yīng)用命名規(guī)則選型表標(biāo)準(zhǔn)讀訪問系列名稱存儲(chǔ)密度組織訪問時(shí)間（ns）封裝電壓特性5V系列MX29F200CT/B2Mb×8/×1670/9044-SOP,48-TSOP5V裝載扇區(qū)MX29F040C4Mb×870/9032-TSOP,32-PLCC5V引導(dǎo)扇區(qū)MX29F400CT/B4Mb×8/×1670/9048-TSOP,44-SOP5V裝載扇區(qū)MX29F800CT/B8Mb×8/×1670/9044-SOP,48-TSOP，48-TFBGA5V裝載扇區(qū)3V系列MX29LV004CT/B4Mb×855R/70/9032-TSOP,32-PLCC3V裝載扇區(qū)MX29LV040C4Mb×855R/70/9032-TSOP,32-PLCC3V引導(dǎo)扇區(qū)MX29LV400CT/B4Mb×8/×1655R/70/9048-SOP,48-TSOP,48-WFBGA,

48-TFBGA,48-LFBGA,48-XFLGA3V裝載扇區(qū)MX29LV800CT/B8Mb×8/×1655R/70/9048-SOP,48-TSOP,48-WFBGA,

48-TFBGA,48-LFBGA,48-XFLGA3V裝載扇區(qū)MX29LV160DT/B16Mb×8/×1655R/70/9048-SOP,48-TSOP,48-WFBGA,

48-TFBGA,48-LFBGA,48-XFLGA3V裝載扇區(qū)MX29LV161DT/B16Mb×169048-TSOP,48-WFBGA,48-TFBGA,48-XFLGA3V裝載扇區(qū)I/O口電壓1.8~3.6VMX29LV320ET/B32Mb×8/×167048-TSOP,48-TFBGA,48-LFBGA,44-SOP3V裝載扇區(qū)MX29LV321DT/B32Mb×169048-TSOP,48-TFBGA3V裝載扇區(qū)I/O口電壓1.8~3.6VMX29LV640ET/B64Mb×8/×167048-TSOP,48-LFBGA3V裝載扇區(qū)MX29LV128DT/B128Mb×8/×1690/12048-TSOP,56-TSOP,70-SSOP3V裝載扇區(qū)1.8V系列MX29SL402CT/B4Mb×8/×169048-TSOP,48-WFBGA,48-TFBGA,48-LFBGA1.8V裝載扇區(qū)MX29SL800CT/B8Mb×8/×169048-TSOP,48-WFBGA,48-TFBGA,48-LFBGA1.8V裝載扇區(qū)

頁模式讀訪問系列名稱存儲(chǔ)密度組織訪問時(shí)間（ns）封裝電壓特性MX29GL320EH/L32Mb×8/×167056-TSOP,64-FBGA3V引導(dǎo)扇區(qū)MX29GL320ET/B32Mb×8/×167048-TSOP,48-LFBGA3V裝載扇區(qū)MX29GL640EH/L64Mb×8/×169056-TSOP,64-FBGA3V引導(dǎo)扇區(qū)MX29GL640ET/B64Mb×8/×169048-TSOP,48-LFBGA3V裝載扇區(qū)MX29GL128EH/L128Mb×8/×169056-TSOP,64-FBGA,70-SSOP3V引導(dǎo)扇區(qū)MX29GL128EU/D128Mb×8/×1611056-TSOP,64-FBGA3VI/O口電壓1.8VMX29GL256EH/L256Mb×8/×1690R56-TSOP,64-FBGA,70-SSOP3V引導(dǎo)扇區(qū)MX29GL256EU/D256Mb×8/×1611056-TSOP,64-FBGA3VI/O口電壓1.8VMX29GL512EH/L**512Mb×8/×16110R56-TSOP,64-FBGA,70-SSOP3V引導(dǎo)扇區(qū)資料下載

\o"旺宏并行/串行NORFlash對比參考指南(英)"旺宏并行/串行NORFlash對比參考指南(英)[694KPDF2009-12-8:2889次]

\o"旺宏并行NORFlash簡介"旺宏并行NORFlash簡介[415KPDF2009-11-27:1711次]聯(lián)系方式銷售電話售郵箱：mxic.marketing@技術(shù)支持電話術(shù)支持郵箱：NXPARM.support@技術(shù)支持論壇：

＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝

MX(旺宏)SPI(串口)NORFLASH

型號(hào)

容量

頻率

封裝

溫度MX25L512

512K

85MHZ

SOP-8

-40Cto+85CMX25L1005

1M

85MHZ

SOP-8

-40Cto+85CMX25L2005

2M

85MHZ

SOP-8

-40Cto+85CMX25L4005

4M

85MHZ

SOP-8

-40Cto+85CMX25L8005

8M

85MHZ

SOP-8

-40Cto+85C

MX25L1605

16M

86MHZ

SOP-8

-40Cto+85CMX25L3205

32M

86MHZ

SOP-8

-40Cto+85CMX25L6405

64M

86MHZ

SOP-8

-40Cto+85C

MX(旺宏)Parallel(并口)NORFLASH

型號(hào)

容量

讀取速度

封裝

溫度MX29LV002C

2M

70ns

TSOP

-40Cto+85CMX29LV400C、MX29LV040C

4M

70ns

TSOP

-40Cto+85CMX29LV800C、MX29SL800C

8M

70ns

TSOP

-40Cto+85CMX29LV160D

16M

70ns

TSOP

-40Cto+85CMX29LV320D

32M

70ns

TSOP

-40Cto+85CMX29LV640D/E

64M

110ns

TSOP

-40Cto+85CMX29LV128D/E

128M

130ns

TSOP

-40Cto+85CMX29LV256EH/LT2I

256M

150ns

TSOP

-40Cto+85C

ST(意法)SPI(并口)NORFLASH

型號(hào)

容量

頻率

封裝

溫度M25P05A

512K

33MHZ

SOP-8

-40Cto+85CM25P10、M25PE10、M45PE10

1M

33MHZ

SOP-8

-40Cto+85CM25P20、M25PE20、M45PE20

2M

33MHZ

SOP-8

-40Cto+85CM25P40、M25PE40、M45PE40

4M

50MHZ

SOP-8

-40Cto+85CM25P80、M25PE80、M45PE80

8M

50MHZ

SOP-8

-40Cto+85CM25P16、M25PE16、M45PE16

16M

50MHZ

SOP-8

-40Cto+85CM25P32、M25PE32、M45PE32

32M

66MHZ

SOP-8

-40Cto+85C

M25P64

64M

80MHZ

SOP-8

-40Cto+85C

SST(超捷)SPI(串口)NORFLASH型號(hào)容量頻率封裝溫度SST25VF512A512K33MHZSOP-8-40Cto+85CSST25LF010A、SST25VF010A1M33MHZSOP-8-40Cto+85CSST25LF020A、SST25VF020B2M40MHZSOP-8-40Cto+85CSST25LF040A、SST25VF040B4M50MHZSOP-8-40Cto+85CSST25LF080A、SST25VF080B8M50MHZSOP-8-40Cto+85CSST25VF016B16M50MHZSOP-8-40Cto+85CSST25VF032B32M66MHZSOP-8-40Cto+85CSST(超捷)Parallel(并口)NORFLASH型號(hào)容量讀取速度封裝溫度SST39VF0101M70nsTSOP-40Cto+85CSST39VF0202M70nsTSOP-40Cto+85CSST39VF0404M70nsTSOP-40Cto+85CSST39VF1601、SST39VF160216M70nsTSOP-40Cto+85CSST39VF1681、SST39VF168216M70nsTSOP-40Cto+85CSST39VF3201、SST39VF320232M70nsTSOP-40Cto+85CSST39VF6401B、SST39VF6402B64M70nsTSOP-40Cto+85C

Spansion(飛索)Parallel(并口)NORFLASH

型號(hào)

容量

讀取速度

封裝

溫度S29AL008D70TFI020

8M

70ns

TSOP-48

-40Cto+85C

S29AL016D70TFI020

16M

70ns

TSOP-48

-40Cto+85C

S29GL032N90TFI040

32M

90ns

TSOP-48

-40Cto+85C

S29GL064N90TFI040

64M

110ns

TSOP-48

-40Cto+85C

S29GL128P10TFI010

128M

130ns

TSOP-56

-40Cto+85C

Winbond(華邦)SPI(串口)NORFLASH

型號(hào)

容量

頻率

封裝

溫度

W25P10、W25X10、W25Q10

1M

33MHZ

SOP8

-40Cto+85C

W25P20、W25X20、W25Q20

2M

40MHZ

SOP-8

-40Cto+85CW25P40、W25X40、W25Q40

4M

50MHZ

SOP-8

-40Cto+85CW25P80、W25X80、W25Q80

8M

50MHZ

SOP-8

-40Cto+85CW25P16、W25X16、W25Q16

16M

50MHZ

SOP-8

-40Cto+85CW25P32、W25X32、W25Q32

32M

66MHZ

SOP-8

-40Cto+85CW25P64、W25X64、W25Q64

64M

80MHZ

SOP-8

-40Cto+85C

===========================================================================================并行NORFlash在SOPC開發(fā)中的應(yīng)用類別：嵌入式系統(tǒng)

隨著FPGA技術(shù)的發(fā)展，出現(xiàn)了一種新概念的嵌入式系統(tǒng)，即SOPC（SystemOnProgrammableChip）。SOPC技術(shù)融合了SoC和FPGA的優(yōu)點(diǎn)，將處理器、片上總線、片上存儲(chǔ)器、內(nèi)部外設(shè)、I/O接口以及自定義邏輯集成在同一片F(xiàn)PGA中，而且軟硬件可裁剪、可升級(jí)、可修改，具有軟硬件在系統(tǒng)編程能力，在保證高性能的同時(shí)具有非常高的靈活性。由于大部分功能部件在FPGA內(nèi)實(shí)現(xiàn)，外部只需要很少的器件，如大容量的RAM、Flash、DAC、ADC等。在系統(tǒng)需要脫離計(jì)算機(jī)獨(dú)立運(yùn)行時(shí)（絕大部分情況如此），非易失的存儲(chǔ)器件Flash是必不可少的。Flash可以用來存儲(chǔ)配置比特流、代碼、數(shù)據(jù)或參數(shù)等重要信息。本文以IntelStrataFlash3VMemory系列的JS28F128J3D75并行NORFlash（簡稱“J3D”）和XilinxFPGASpartan3E系列的XC3S1600E（簡稱“1600E”）為背景，在結(jié)合項(xiàng)目開發(fā)經(jīng)驗(yàn)和參閱相關(guān)文獻(xiàn)的基礎(chǔ)上，介紹了并行NORFlash在SOPC開發(fā)中的4種不同應(yīng)用。1存儲(chǔ)FPGA配置比特流1600E工作在BPI（BytewidePeripheralInteRFace）配置模式時(shí)，通過專門的引腳與J3D連接，這些引腳在配置完成后可以作為用戶I/O使用。連接時(shí)，大部分引腳參考1600E的數(shù)據(jù)手冊直接連接即可，但有些引腳需要特別注意。J3D有×8（數(shù)據(jù)總線寬度為8位）和×16（數(shù)據(jù)總線寬度為16位）兩種工作模式。配置時(shí)應(yīng)工作在×8模式，配置完成后，根據(jù)需要可以設(shè)置為×8或×16模式。圖1為1600E與J3D引腳連接示意圖。圖11600E與J3D引腳連接示意圖若配置后需要切換至×16模式，則需綜合考慮1600E的HSWAP腳。HSWAP接高電平時(shí)，1600E所有用戶I/O的內(nèi)部上拉電阻禁用，HDC通過4.7kΩ電阻接高電平，LDC2通過4.7kΩ電阻接地，LDC1和LDC0通過4.7kΩ電阻接高電平，同時(shí)這3個(gè)信號(hào)應(yīng)分別連到J3D的BYTE#、OE#、CE0腳。這樣上電后的瞬間，J3D工作在×8模式，且因CE0腳被拉高而處于非選中狀態(tài)，不會(huì)導(dǎo)致對J3D的誤操作；然后在1600E的控制下進(jìn)入配置狀態(tài)，配置結(jié)束可通過控制LDC2輸出高電平而將J3D切換為×16模式。HSWAP接低電平時(shí)，1600E所有用戶I/O的內(nèi)部上拉電阻使能，LDC1、LDC0和HDC無需外接上拉電阻；而LDC2應(yīng)接340Ω的下拉電阻，以使上電后J3D工作在×8模式，從而順利進(jìn)入配置狀態(tài)，配置結(jié)束后可將J3D切換為×16模式。若配置后工作在×8模式，則J3D的BYTE#腳接低電平，1600E的LDC2懸空。當(dāng)HSWAP接高電平時(shí)，LCD1和LCD0分別連至OE#、CE0腳，同時(shí)應(yīng)通過4.7kΩ電阻上拉；HSWAP接低電平時(shí)，LCD1和LCD0不用上拉。配置比特流文件首先通過iMPCT轉(zhuǎn)換成MCS文件，再通過PicoBlazeNORFlashProgrammer（/products/boards/s3estarter/files/s3esk_picoblaze_nor_flash_programmer.zip）下載到J3D中。J3D可以同時(shí)配置多塊FPGA,也可對同一塊FPGA進(jìn)行多比特流配置。例如先配置一個(gè)診斷測試比特流，測試成功后，再重新配置應(yīng)用比特流。2存儲(chǔ)可引導(dǎo)的軟處理器代碼首先利用Xilinx嵌入式開發(fā)工具箱EDK創(chuàng)建一個(gè)嵌入式工程，包括MicroBlaze硬件平臺(tái)和相應(yīng)的軟件工程。在EDK界面下，用鼠標(biāo)選中創(chuàng)建的軟件工程，右擊并在彈出的菜單中選擇GenerateLinkerScript...項(xiàng)，進(jìn)入GenerateLinkerScript對話框。將Sections、Heap和Stack指定到BRAM或外部RAM（一般將Heap和Stack指定到BRAM，代碼和數(shù)據(jù)段指定到外部RAM），并指定輸出腳本文件名及路徑，如圖2所示。圖2GenerateLinkerScript對話框雙擊相應(yīng)軟件工程下的CompilerOptions選項(xiàng)，進(jìn)入SetCompilerOptions對話框，設(shè)定LinkScript項(xiàng)為剛才產(chǎn)生的腳本文件，并指定OutputELFFile項(xiàng)的路徑與名稱?，F(xiàn)在可以編譯相應(yīng)的軟件工程，產(chǎn)生相應(yīng)的可執(zhí)行ELF文件，設(shè)為Bootable.elf。在EDK主界面下，用鼠標(biāo)選擇DeviceConfiguration→ProgramFlashMemory,進(jìn)入ProgramFlashMemory對話框，并按圖3進(jìn)行設(shè)置。單擊OK按鈕，會(huì)把Bootable.elf文件自動(dòng)轉(zhuǎn)為SREC格式，并下載到J3D的指定地址處，同時(shí)產(chǎn)生名為bootloadr_0的軟件工程。bootloadr_0工程編譯后產(chǎn)生的可執(zhí)行文件executable.elf用來執(zhí)行引導(dǎo)裝載功能，應(yīng)將其合并到系統(tǒng)比特流syst