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2022高考立體設(shè)計化學(xué)蘇教版選修
3第
5
單元②課時作業(yè)1以下對于晶體的說法中正確的選項(xiàng)是(
)晶體根據(jù)構(gòu)造和性質(zhì)只可分為分子晶體、原子晶體、離子晶體和金屬晶體四大類任何晶體中都含有化學(xué)鍵,如離子鍵、共價鍵、金屬鍵、氫鍵等含有陽離子的晶體一定屬于離子晶體干冰和冰都屬于分子晶體【解析】A項(xiàng),還有混淆晶體,如石墨;B項(xiàng),由罕有氣體組成的分子晶體中不含任何化學(xué)鍵,只有范德華力,且氫鍵不屬于化學(xué)鍵;C項(xiàng),金屬晶體中含有陽離子。【答案】D2(2022·四川卷)下列說法中正確的選項(xiàng)是()A離子晶體中每個離子周圍均吸引著6個帶相反電荷的離子金屬導(dǎo)電的原因是在外電場作用下金屬產(chǎn)生自由電子,電子定向運(yùn)動分子晶體的熔、沸點(diǎn)很低,常溫下都呈液態(tài)或氣態(tài)原子晶體中的各相鄰原子都以共價鍵相聯(lián)合【解析】離子晶體的構(gòu)造不同,每個離子周圍吸引的帶相反電荷的離子數(shù)目不同,A錯誤;金屬是由金屬陽離子和自由電子組成的,但自由電子并不是在外加電場的作用下產(chǎn)生的,B錯誤;分子晶體在常溫下也有呈固態(tài)的,如硫、白磷等,C錯誤;組成原子晶體的元素是非金屬元素,非金屬元素間以共價鍵聯(lián)合,D正確?!敬鸢浮緿的晶胞如圖,每個
NaC晶胞中含有的
Na和
C-的數(shù)目分別是(
),13
,1,4
,6【解析】在NaC晶胞中有8個C-位于極點(diǎn),6個C-位于面心,所以一個NaC晶胞中含有×6×=4個);每個晶胞中有12個Na位于棱的中點(diǎn),1個Na位于體心,所以一個晶胞中含有Na:12×1=4個)。C項(xiàng)正確?!敬鸢浮緾
-C:8NaC4(2022·海南卷)下列表達(dá)正確的選項(xiàng)是()分子晶體中的每個分子內(nèi)一定含有共價鍵原子晶體中的相鄰原子間只存在非極性共價鍵離子晶體中可能含有共價鍵金屬晶體的熔點(diǎn)和沸點(diǎn)都很高【解析】單原子分子內(nèi)不存在共價鍵,如He、Ar等,A項(xiàng)錯誤;某些原子晶體,如二氧化硅晶體中原子間存在極性共價鍵,B項(xiàng)錯誤;離子晶體中一定含有離子鍵,還可能含共價鍵,如NaOH是由
Na和
-OH聯(lián)合而成的離子晶體,如
-OH中含
O—H共價鍵,
C項(xiàng)正確;金屬晶體的熔、沸點(diǎn)一般較高,但也有部分金屬的熔、沸點(diǎn)較低,如常溫下汞為液態(tài),【答案】C5有下列離子晶體立體構(gòu)造示意圖:
D項(xiàng)錯誤。若以M代表陽離子,以N代表陰離子,則各離子晶體的組成表達(dá)式完全正確的組合是(A①M(fèi)N②MN2③MN2④MN
)B①M(fèi)N②MN2③MN3④MN4C①M(fèi)N2②MN2③MN2④MND①M(fèi)N②MN③MN2
④MN2【解析】①中M的個數(shù)為8×1=2個),N的個數(shù)為
4×4×
=2=4
個),N的個數(shù)為4×個);③中M的個數(shù)為
=4×
個);②中M的個數(shù)為=個),N有1個;④中
M的個數(shù)為
8×
=1
個),N有
1個。【答案】
A6下列對于晶格能的說法中正確的選項(xiàng)是(
)A晶格能指形成1mo離子鍵所放出的能量B晶格能指損壞1mo離子鍵所吸收的能量C晶格能指1mo離子化合物中的陰、陽離子由相互遠(yuǎn)離的氣態(tài)離子聯(lián)合成離子晶體時所放出的能量晶格能的大小與晶體的熔點(diǎn)、硬度都無關(guān)【解析】晶格能指1mo離子化合物中陰、陽離子由相互遠(yuǎn)離的氣態(tài)離子聯(lián)合成離子晶體時放出的能量。【答案】C7下列性質(zhì)中,能夠較充分說明某晶體是離子晶體的是()擁有較高的熔點(diǎn)固態(tài)不導(dǎo)電,水溶液能導(dǎo)電可溶于水固態(tài)不導(dǎo)電,熔融狀態(tài)能導(dǎo)電【解析】A選項(xiàng),原子晶體熔點(diǎn)也較高;B選項(xiàng),有些分子晶體如HC的水溶液也能導(dǎo)電;項(xiàng),有些分子晶體也溶于水;D選項(xiàng),離子晶體固態(tài)不導(dǎo)電,在熔融時可導(dǎo)電。
C選【答案】
D8干冰和二氧化硅晶體同屬ⅣA元素的最高價氧化物,它們的熔沸點(diǎn)差別很大的原因是()二氧化硅分子量大于二氧化碳分子量—O鍵鍵能比Si—O鍵鍵能小干冰為分子晶體,二氧化硅為原子晶體干冰易升華,二氧化硅不能【解析】干冰和SiO2所屬晶體種類不同,干冰為分子晶體,熔化時損壞分子間作使勁,SiO2為原子晶體,熔化時損壞化學(xué)鍵,所以熔點(diǎn)較高?!敬鸢浮緾若不斷地升高溫度,實(shí)現(xiàn)“雪花水水蒸氣氧氣和氫氣”的變化。在變化的各階段被損壞的粒子間的主要相互作用依次是()氫鍵;分子間作使勁;非極性鍵氫鍵;氫鍵;極性鍵氫鍵;極性鍵;分子間作使勁分子間作使勁;氫鍵;非極性鍵【解析】因?yàn)镺的電負(fù)性較大,在雪花、水中存在O—HO氫鍵,故在實(shí)驗(yàn)雪花水水蒸氣的變化階段主要損壞水分子間的氫鍵,而由水蒸氣氧氣和氫氣則損壞了O—H極性共價鍵?!敬鸢浮?/p>
B10下列表達(dá)不正確的選項(xiàng)是(
)在水中的溶解度比
N2大,因?yàn)?/p>
O2與水分子之間的作使勁比
N2與水分子之間的作使勁大罕有氣體原子序數(shù)越大沸點(diǎn)越高分子間作使勁越弱,分子晶體的熔點(diǎn)越低原子晶體的熔點(diǎn)一定比金屬晶體高【解析】分子間作使勁決定了分子晶體的熔、沸點(diǎn)高低,且組成和構(gòu)造相像的分子晶體,相對分子質(zhì)量越大,分子間作使勁就越大,熔、沸點(diǎn)越高。有些金屬的熔點(diǎn)較高,如鎢?!敬鸢浮緿聯(lián)合金屬晶體的構(gòu)造和性質(zhì),回答以下問題:(1)已知下列金屬晶體:Na、42nnCCm;③R原子核外L層電子數(shù)為奇數(shù);④Q、X原子軌道的電子數(shù)分別為2和4。請回答下列問題:(1)Z2的核外電子排布式是。(2)在[ZNH]離子中,Z的空軌道接受NH分子提供的形成配位鍵。34223(3)Q與Y形成的最簡單氣態(tài)氫化物分別為甲、乙,下列判斷正確的選項(xiàng)是。a穩(wěn)定性:甲>乙,沸點(diǎn):甲>乙b穩(wěn)定性:甲>乙,沸點(diǎn):甲乙4Q、R、Y三種元素的第一電離能數(shù)值由小到大的次序?yàn)?/p>
(用元素符號作答)。(5)Q的一種氫化物相對分子質(zhì)量為
26,其中分子中σ鍵與π鍵的鍵數(shù)之比為
。(6)五種元素中,電負(fù)性最大與最小的兩種非金屬元素形成的晶體屬于
(填晶體類型)?!窘馕觥看祟}考察原子構(gòu)造、分子構(gòu)造、晶體構(gòu)造。由①能夠判斷
Z為
Cu;由②能夠判斷
Y為Si;由④能夠判斷
Q、X分別為
C、O;聯(lián)合④的結(jié)論,由③能夠判斷
R為
N。(1)Z2即
Cu2,其核外電子數(shù)為:
29-2=27,因此其核外電子排布式為
為配合物,其中Z(即Cu)提供空軌道,而NH3提供孤對電子。(3)Q、Y形成的簡單氫化物分別為CH4和SiH4,由于C的非金屬性大于Si的非金屬性,所以穩(wěn)定性:CH4>SiH4,而二者結(jié)構(gòu)相像,后者相對分子質(zhì)量大于前者,故沸點(diǎn):CH4<SiH4。(4)同周期中第一電離能漸漸增大,故第一電離能
C<N,同主族中第一電離能漸漸減小,故
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