武漢大學(xué)數(shù)電課件第八章半導(dǎo)體存儲(chǔ)器詳解

武漢大學(xué)數(shù)電課件第八章半導(dǎo)體存儲(chǔ)器詳解演示文稿1目前一頁(yè)\總數(shù)三十四頁(yè)\編于十一點(diǎn)（優(yōu)選）武漢大學(xué)數(shù)電課件第八章半導(dǎo)體存儲(chǔ)器2目前二頁(yè)\總數(shù)三十四頁(yè)\編于十一點(diǎn)存儲(chǔ)器是用來(lái)存儲(chǔ)二值數(shù)字信息的大規(guī)模集成電路，是進(jìn)一步完善數(shù)字系統(tǒng)功能的重要部件。它實(shí)際上是將大量寄存器按一定規(guī)律結(jié)合起來(lái)的整體，可以被比喻為一個(gè)由許多房間組成的大旅館。每個(gè)房間有一個(gè)號(hào)碼（地址碼），每個(gè)房間內(nèi)有一定內(nèi)容（一個(gè)二進(jìn)制數(shù)碼，又稱為一個(gè)“字”）?！?.1概述3目前三頁(yè)\總數(shù)三十四頁(yè)\編于十一點(diǎn)大規(guī)模集成電路在一塊硅半導(dǎo)體的基片上集成了1000個(gè)以上的元件(等效100門)的集成電路.分類:從應(yīng)用的角度分:通用型:存貯器MEMORY．微處理器CPU．單片計(jì)算機(jī)MCU。專用型：針對(duì)特殊用途而專門設(shè)計(jì)的ASIC。從電路結(jié)構(gòu)分：TTL：雙極型，I2L；MOS：?jiǎn)螛O型，NMOS，CMOS4目前四頁(yè)\總數(shù)三十四頁(yè)\編于十一點(diǎn)存貯器在計(jì)算機(jī)中用來(lái)存放數(shù)據(jù)．指令．中間結(jié)果及各種資料的存貯裝置。存貯器容量：把存貯的二進(jìn)制位數(shù)的總數(shù)稱為其容量。容量＝字?jǐn)?shù)＊字長(zhǎng)分類：工作方式：(1)只讀存儲(chǔ)器(ROM)(2)讀寫存儲(chǔ)器(RAM)存貯方式：內(nèi)存貯器外存貯器5目前五頁(yè)\總數(shù)三十四頁(yè)\編于十一點(diǎn)存貯器：對(duì)存貯器的要求容量大速度快功耗小可靠性高集成度高6目前六頁(yè)\總數(shù)三十四頁(yè)\編于十一點(diǎn)特點(diǎn)：信息只能讀出，不能寫入分類：從電路結(jié)構(gòu)：二極管ROM，雙極型ROM，單極型ROM從編程方式：固定ROM，可編程ROM（PROM），可擦可編ROM，EPROM,PAROM§8.2只讀存儲(chǔ)器(ROM)ReadOnlyMemory只讀存儲(chǔ)器，工作時(shí)其存儲(chǔ)的內(nèi)容固定不變。因此，只能讀出，不能隨時(shí)寫入，所以稱為只讀存儲(chǔ)器。7目前七頁(yè)\總數(shù)三十四頁(yè)\編于十一點(diǎn)8.2.1ROM的基本結(jié)構(gòu)及工作原理ROM主要由地址譯碼器、存儲(chǔ)矩陣和輸出電路三部分組成。下圖是由二極管構(gòu)成的ROM電路：地址譯碼器存貯矩陣M＊N輸出電路A1A2W0W1W2W38目前八頁(yè)\總數(shù)三十四頁(yè)\編于十一點(diǎn)ROM功能及結(jié)構(gòu)地址譯碼器：選擇所需要的單元：尋址存貯陣列：由很多重復(fù)排列的結(jié)構(gòu)完全相同的存貯單元構(gòu)成，每一個(gè)存貯單元存貯一位二進(jìn)制數(shù)據(jù)，存貯單元的數(shù)目決定了存貯器的容量。9目前九頁(yè)\總數(shù)三十四頁(yè)\編于十一點(diǎn)輸出電路存儲(chǔ)矩陣字線位線A1A0A1A0A1A0A1A0A1A0D3D2D1D0-VCC譯碼器K:輸出控制端W3W0W2W110目前十頁(yè)\總數(shù)三十四頁(yè)\編于十一點(diǎn)ROM的基本結(jié)構(gòu)它由二極管構(gòu)成（NMOS）它是一個(gè)4（字）＊4（位）的存貯器。A1A0A1A0A1A0A1A0A1A0D3D2D1D0-VCC譯碼器K:輸出控制端W3字線位線W2W0W111目前十一頁(yè)\總數(shù)三十四頁(yè)\編于十一點(diǎn)ROM的基本結(jié)構(gòu)存貯信息：1．字線與地址碼的關(guān)系是“與“的關(guān)系。W0=A1A0W1＝A1A0

W2＝A1A0W3＝A1A0．字線與位線之間的關(guān)系（或關(guān)系）。D3=W3D2＝W2＋W1D1＝W3＋W0D0＝W0＋W1＋W2A1A0A1A0A1A0A1A0A1A0D3D2D1D0-VCC譯碼器K:輸出控制端字線位線W2W0W1W312目前十二頁(yè)\總數(shù)三十四頁(yè)\編于十一點(diǎn)000101111100110011001001地址A1A0D3D2D1D0內(nèi)容A1A0A1A0A1A0A1A0A1A0D3D2D1D0-VCC譯碼器K:輸出控制端給出任意一個(gè)地址碼，譯碼器與之對(duì)應(yīng)的字線變?yōu)楦唠娖?，進(jìn)而從位線上便可輸出四位數(shù)字量。字線位線圖中存儲(chǔ)器的內(nèi)容如右表W2W0W1W313目前十三頁(yè)\總數(shù)三十四頁(yè)\編于十一點(diǎn)+VCCW3W0W1W2D0D1D2D3左圖是使用MOS管的ROM矩陣：字線和位線間有MOS管的單元存儲(chǔ)“0”，無(wú)MOS管的單元存儲(chǔ)“1”。14目前十四頁(yè)\總數(shù)三十四頁(yè)\編于十一點(diǎn)在前面介紹的兩種存儲(chǔ)器中，其存儲(chǔ)單元中的內(nèi)容在出廠時(shí)已被完全固定下來(lái)，使用時(shí)不能變動(dòng)，稱為固定ROM。有一種可編程序的ROM，在出廠時(shí)全部存儲(chǔ)“1”，用戶可根據(jù)需要將某些單元改寫為“0”,然而只能改寫一次，稱其為PROM。字線位線熔斷絲若將熔絲燒斷，該單元?jiǎng)t變成“0”。顯然，一旦燒斷后不能再恢復(fù)。15目前十五頁(yè)\總數(shù)三十四頁(yè)\編于十一點(diǎn)PROM中的內(nèi)容只能寫一次，有時(shí)仍嫌不方便，于是又發(fā)展了一種可以改寫多次的ROM，簡(jiǎn)稱EPROM。它所存儲(chǔ)的信息可以用紫外線或X射線照射擦去，然后又可以重新編制信息。ROM的主要技術(shù)指標(biāo)是存儲(chǔ)容量。它一般用[存儲(chǔ)字?jǐn)?shù)：2N][輸出位數(shù)：M]來(lái)表示(其中N為存儲(chǔ)器的地址線數(shù))。例如：128字8位、1024字8位等。16目前十六頁(yè)\總數(shù)三十四頁(yè)\編于十一點(diǎn)8.2.2ROM的應(yīng)用舉例1.用于存儲(chǔ)固定的專用程序2.利用ROM可實(shí)現(xiàn)查表或碼制變換等功能

查表功能－－查某個(gè)角度的三角函數(shù)把變量值（角度）作為地址碼，其對(duì)應(yīng)的函數(shù)值作為存放在該地址內(nèi)的數(shù)據(jù)，這稱為“造表”。使用時(shí)，根據(jù)輸入的地址(角度)，就可在輸出端得到所需的函數(shù)值，這就稱為“查表”。

碼制變換－－把欲變換的編碼作為地址，把最終的目的編碼作為相應(yīng)存儲(chǔ)單元中的內(nèi)容即可。17目前十七頁(yè)\總數(shù)三十四頁(yè)\編于十一點(diǎn)3.ROM在波形發(fā)生器中的應(yīng)用ROMD/A計(jì)數(shù)器CP計(jì)數(shù)脈沖送示波器34A1A2A0D3D2D1D0D/A0100000000000111111111110000000000000000000000111111111112481296318目前十八頁(yè)\總數(shù)三十四頁(yè)\編于十一點(diǎn)ROMD/A計(jì)數(shù)器CP計(jì)數(shù)脈沖送示波器34uoA1A2A0D3D2D1D0D/A01000000000001111111111100000000000000000000001111111111124812963tuo019目前十九頁(yè)\總數(shù)三十四頁(yè)\編于十一點(diǎn)ROM陣列結(jié)構(gòu)在存貯矩陣中，字線W與位線D的交叉處，若有二極管，則存貯的內(nèi)容為1，無(wú)二極管則存貯的信號(hào)為0。ROM的陣列結(jié)構(gòu)由兩部分構(gòu)成：與陣列：表示字線W和地址碼AiAj之間的邏輯關(guān)系，水平表示地址碼，垂直線表示字線，在圖中用圓點(diǎn)來(lái)表示與邏輯關(guān)系?；蜿嚵校罕硎疚痪€和字線之間的或邏輯關(guān)系，在圖中用圓點(diǎn)來(lái)表示。水平線表示位線D，垂直線表示字線W20目前二十頁(yè)\總數(shù)三十四頁(yè)\編于十一點(diǎn)可編程邏輯陣列（PLA）對(duì)譯碼矩陣和存貯矩陣都能進(jìn)行編程的邏輯電路特點(diǎn)：能提高器件的利用率，節(jié)省硅片面積。能實(shí)現(xiàn)各種組合邏輯函數(shù)和時(shí)序邏輯函數(shù)21目前二十一頁(yè)\總數(shù)三十四頁(yè)\編于十一點(diǎn)可編程邏輯陣列（PLA）“與“ROM陣列“或“ROM陣列輸入輸出實(shí)現(xiàn)組合邏輯電路的電路結(jié)構(gòu)22目前二十二頁(yè)\總數(shù)三十四頁(yè)\編于十一點(diǎn)應(yīng)用：用PLA來(lái)實(shí)現(xiàn)組合邏輯函數(shù)：

F1＝m（3，4，6，7）

F2=m(0,2,3,4,7)設(shè)計(jì)步驟：對(duì)F1．F2進(jìn)行化簡(jiǎn)（圖形法）。得到F1＝AC＋BCF2＝BC＋BC＋AB根據(jù)化簡(jiǎn)后的F1和F2的與項(xiàng)和或項(xiàng)進(jìn)行編程23目前二十三頁(yè)\總數(shù)三十四頁(yè)\編于十一點(diǎn)應(yīng)用：用PLA來(lái)實(shí)現(xiàn)組合邏輯函數(shù)：

F1＝m（3，4，6，7）

F2=m(0,2,3,4,7)ABCY1Y2Y3Y4F1F2ABC24目前二十四頁(yè)\總數(shù)三十四頁(yè)\編于十一點(diǎn)讀寫存儲(chǔ)器又稱隨機(jī)存儲(chǔ)器。讀寫存儲(chǔ)器的特點(diǎn)是：在工作過(guò)程中，既可從存儲(chǔ)器的任意單元讀出信息，又可以把外界信息寫入任意單元，因此它被稱為隨機(jī)存儲(chǔ)器，簡(jiǎn)稱RAM。RandomAccessMemory...RAM按功能可分為靜態(tài)、動(dòng)態(tài)兩類；RAM按所用器件又可分為雙極型和MOS型兩種?！?.3讀寫存儲(chǔ)器(RAM)

25目前二十五頁(yè)\總數(shù)三十四頁(yè)\編于十一點(diǎn)RAM結(jié)構(gòu)地址譯碼器存貯陣列讀／寫控制電路I／O電路讀寫（R／W）片選（CS）傳輸通道用來(lái)控制選中單元的讀出或?qū)懭脒x擇所需要的單元：尋址由重復(fù)排列的結(jié)構(gòu)完全相同的存貯單元構(gòu)成，每一個(gè)存貯單元存貯一位數(shù)據(jù)26目前二十六頁(yè)\總數(shù)三十四頁(yè)\編于十一點(diǎn)8.3.1基本存儲(chǔ)單元WiDD符號(hào)VCCWiDDI/OR/W123T2T3T4T5T6QQT1字線數(shù)據(jù)線數(shù)據(jù)線27目前二十七頁(yè)\總數(shù)三十四頁(yè)\編于十一點(diǎn)介紹基本存儲(chǔ)單元的工作原理:VCCWiDDI/OR/W123T2T3T4T5T6QQT1字線數(shù)據(jù)線．位線數(shù)據(jù)線．位線VCCT2T1T3T4由增強(qiáng)型NMOS管T1、

T2、T3和T4

構(gòu)成一個(gè)基本R-S觸發(fā)器，它是存儲(chǔ)信息的基本單元。而T5和T6是門控管，由字線Wi控制其導(dǎo)通或截止：Wi＝1則導(dǎo)通，否則截止。28目前二十八頁(yè)\總數(shù)三十四頁(yè)\編于十一點(diǎn)門控管T5和T6導(dǎo)通時(shí)，“讀”、“寫”操作由讀寫控制端R/W控制：R/W=0時(shí)，1、3門打開(kāi)，數(shù)據(jù)由I/O端送入存儲(chǔ)器，完成寫操作；反之，R/W=1時(shí)，1、3門關(guān)閉，2門打開(kāi)，數(shù)據(jù)由I/O線讀出。VCCWiDDI/OR/W123T2T3T4T5T6QQT1VCCT2T1T3T4數(shù)據(jù)線數(shù)據(jù)線字線12329目前二十九頁(yè)\總數(shù)三十四頁(yè)\編于十一點(diǎn)D1W3W2W1W0地址譯碼器讀寫及輸入/輸出控制I/O1I/O0CSR/WA0A1D1D0D0存儲(chǔ)矩陣8.3.2存儲(chǔ)器的整體結(jié)構(gòu)30目前三十頁(yè)\總數(shù)三十四頁(yè)\編于十一點(diǎn)8.3.3RAM組件及其連接常用RAM組件的類型很多，以下介紹兩種：RAM2114和RAM6116。

RAM2114共有10根地址線，4根數(shù)據(jù)線。故其容量為：1024字×4位（又稱為1K×4）RAM6116的容量為：2048字×8位（又稱為2K×8）31目前三十一頁(yè)\總數(shù)三十四頁(yè)\編于十一點(diǎn)RAM2114、2116的管腳圖123456789181716151413121110A2A1A0A3A4A5A6A7A8A9CSGNDVCCD3D2D1D0R/WRAM2114管腳圖2345678910232221201918171615A0A1D0A3A4A5A6A9A10CSGNDVCCD3D2D1D4RAM6116管腳圖A2A711112141324A8D5D6D7RDWR32目前三十二頁(yè)\總數(shù)三十四頁(yè)\編于十一點(diǎn)D7A9A0R/WCSD1D3D2D0A9A0R/WCSD1D3D2D0......D6D5D4D1D3D2D0...CSR/WA0A92114(1)2114(2)用兩片2114將位數(shù)由4位擴(kuò)展到8位RAM容量的擴(kuò)