高中物理滬科版高二上冊第三篇電場和磁場洛倫茲力的應(yīng)用 微課_第1頁
高中物理滬科版高二上冊第三篇電場和磁場洛倫茲力的應(yīng)用 微課_第2頁
高中物理滬科版高二上冊第三篇電場和磁場洛倫茲力的應(yīng)用 微課_第3頁
高中物理滬科版高二上冊第三篇電場和磁場洛倫茲力的應(yīng)用 微課_第4頁
高中物理滬科版高二上冊第三篇電場和磁場洛倫茲力的應(yīng)用 微課_第5頁
已閱讀5頁,還剩13頁未讀, 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡介

風(fēng)力發(fā)電水力發(fā)電光伏發(fā)電核力發(fā)電11月23日8時(shí)55分,我國在西昌衛(wèi)星發(fā)射中心用長征三號乙運(yùn)載火箭(及配套遠(yuǎn)征一號上面級),以“一箭雙星”方式成功發(fā)射第50、51顆北斗導(dǎo)航衛(wèi)星磁流體發(fā)電機(jī)×××××××××××××××一、×××××××××××××××等離子體束:++--

使上極板帶

電,下極板帶

電,電場方向

。上下正負(fù)向下等離子體(不計(jì)重力)以速度V射入,受洛倫茲力偏轉(zhuǎn)

正離子向

偏轉(zhuǎn)電子向

偏轉(zhuǎn),磁流體發(fā)電機(jī)氣體被電離而產(chǎn)生的大量自由電子和正離子×××××××××××××××一、×××××××××××××××等離子體束:++--磁流體發(fā)電機(jī)氣體被電離而產(chǎn)生的大量自由電子和正離子+-EB少量等離子體進(jìn)入使兩極板產(chǎn)生了較弱的電場,請畫出后續(xù)少量進(jìn)來的等離子體的受力分析圖,比較力的大小關(guān)系,判斷粒子的偏轉(zhuǎn)情況。F洛=F電即qvB=EqE=U/d所以U=Bdv磁流體發(fā)電機(jī)兩極板的間距為d練習(xí)1、將一束等離子體沿圖中所示方向噴射入磁場,磁場中有兩塊金屬板A、B,這時(shí)金屬板上就聚集了電荷.在磁極配置如圖中所示的情況下,下述說法正確的是()A.A板帶正電B.有電流從b經(jīng)用電器流向aC.金屬板A、B間的電場方向向下D.等離子體發(fā)生偏轉(zhuǎn)的原因是離子所受洛倫茲力大于所受電場力BD+

VF電F洛+-×××××××××××××××二、帶電量為+q(不計(jì)重力)粒子做直線運(yùn)動洛倫茲力與電場力的大小關(guān)系:若在上述裝置的左右兩側(cè)分別加上開有狹縫S1、S2的擋板,且S1S2在同一水平線上。若帶電粒子要想通過此裝置,則粒子的速度

。V=E/BABBEE=BV+-+

VF電F洛×××××××××××××××3、若+q的粒子V’>E/B,粒子的偏轉(zhuǎn)情況?1、若為+2q的電荷以E/B速度進(jìn)入,粒子的運(yùn)動情況

5若+q電荷以E/B的速度從相反的方向進(jìn)入,粒子的偏轉(zhuǎn)情況?粒子向負(fù)極偏轉(zhuǎn)粒子向正極偏轉(zhuǎn)討論:直線運(yùn)動2、若為-q的電荷以E/B的速度進(jìn)入,粒子的運(yùn)動情況

直線運(yùn)動粒子向負(fù)極偏轉(zhuǎn)帶電量為+q(不計(jì)重力)粒子以E/B的速度做直線運(yùn)動4、若+q的粒子V’<E/B,粒子的偏轉(zhuǎn)情況?速度選擇器+

VF電F洛AB+-×××××××××××××××結(jié)論:速度選擇器只選擇速度(大小和方向),不選擇粒子的帶電性質(zhì)、電荷量及質(zhì)量。S1S2E-+B1V一粒子束從粒子源進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B、電場強(qiáng)度為E的速度選擇器V=E/B1×××××××××××××××B21感光片2R設(shè)計(jì)裝置,分析粒子的電性、荷質(zhì)比E-+B1二、一粒子束從粒子源進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B、電場強(qiáng)度為E的速度選擇器V=E/B1×××××××××××××××·12圖像上出現(xiàn)了三條運(yùn)動軌跡,分別對比2、3軌跡和1、2軌跡,同學(xué)們能分析這三個(gè)粒子的哪些物理量?感光片分析比荷3偏轉(zhuǎn)方向:分析電性B2小組活動:+

VF電F洛AB+-×××××××××××××××××××××××××××××××××感光片讓氫的三種同位素氕、氘、氚的原子核以相同的速度經(jīng)過速度選擇器后進(jìn)入勻強(qiáng)磁場,則速度V=

,請畫出各粒子的軌跡圖氕氘氚根據(jù)打在底片的不同位置,根據(jù)半徑分析同位素EB2B1V=E/B1控制變量法質(zhì)譜儀測量帶電粒子比荷和分析同位素的重要工具發(fā)明者:阿斯頓質(zhì)譜儀下一頁例、如圖帶電粒子被加速電場加速后,進(jìn)入速度選擇器。速度選擇器內(nèi)相互正交的勻強(qiáng)磁場和勻強(qiáng)電場的強(qiáng)度分別為B和E。平板S上有可讓粒子通過的狹縫P和記錄粒子位置的膠片A1A2。平板S下方有強(qiáng)度為B0的勻強(qiáng)磁場。下列表述不正確的是(

)A.質(zhì)譜儀是分析同位素的重要工具B.打在A1的粒子帶負(fù)電C.能通過狹

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 人人文庫網(wǎng)僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

最新文檔

評論

0/150

提交評論