現(xiàn)代半導(dǎo)體器件及先進(jìn)制造知到章節(jié)答案智慧樹2023年浙江大學(xué)

現(xiàn)代半導(dǎo)體器件及先進(jìn)制造知到章節(jié)測(cè)試答案智慧樹2023年最新浙江大學(xué)第一章測(cè)試

本征硅的費(fèi)米能級(jí)位于：（）

參考答案:

略偏向

硼摻雜的硅中，下列說法正確的是：（）

參考答案:

空穴濃度大于電子濃度

抑制離子注入工藝中溝道效應(yīng)的方法有（）。

參考答案:

襯底表面沉積非晶薄膜

;傾斜襯底

;升高襯底溫度

制造單晶硅襯底的方法包括（）。

參考答案:

直拉法

;區(qū)域熔融法

當(dāng)硅中摻雜濃度越小時(shí)，費(fèi)米能級(jí)越靠近Ei。（）

參考答案:

對(duì)

第二章測(cè)試

對(duì)于長(zhǎng)溝道MOSFET器件，發(fā)生夾斷后，下面說法中正確的是（）。

參考答案:

Vg≥Vd+Vth

;溝道中漏極一側(cè)的電位為0

;Vg繼續(xù)增加，Id不會(huì)繼續(xù)增大

溝道長(zhǎng)度縮短有可能對(duì)MOSFET器件產(chǎn)生哪些影響（）。

參考答案:

器件的漏極電流增大

;器件的集成度增加

;器件的可靠性劣化

有關(guān)MOSFET器件亞閾值擺幅（S）的說法錯(cuò)誤的是（）

參考答案:

亞閾值擺幅的單位是mV

有關(guān)MOSFET器件特征長(zhǎng)度的說法正確的是（）

參考答案:

溝道長(zhǎng)度相等的器件，特征長(zhǎng)度越小，DIBL越小

MOSFET器件的閾值電壓實(shí)際上是柵極MOS電容強(qiáng)反型區(qū)的起點(diǎn)。（）

參考答案:

對(duì)

第三章測(cè)試

下面有關(guān)浸沒式光刻技術(shù)的說法，正確的是（）

參考答案:

能夠減小光的波長(zhǎng)

;能夠增大物鏡的數(shù)值孔徑

;由臺(tái)積電的工程師林本堅(jiān)發(fā)明

相移光刻技術(shù)中，使光產(chǎn)生相位差的方法包括：（）

參考答案:

在掩膜板上的透光區(qū)域中添加移相器

;減小未沉積鉻區(qū)域的石英板厚度

;利用整面透光的石英板，改變局部區(qū)域的厚度

根據(jù)瑞利判據(jù)得到的光刻分辨率極限，表達(dá)式為（）

參考答案:

正光刻膠和負(fù)光刻膠中，光敏劑的作用分別是（）

參考答案:

提供自由基，交聯(lián)催化劑

光刻是集成電路制造過程中總成本最高的工藝。（）

參考答案:

對(duì)

第四章測(cè)試

有關(guān)半導(dǎo)體中載流子有效質(zhì)量的說法正確的是（）

參考答案:

受到半導(dǎo)體晶格周期性勢(shì)場(chǎng)的影響

;電子和空穴可能具有不同的有效質(zhì)量

張應(yīng)變和壓應(yīng)變影響硅溝道中載流子遷移率的共同原因有（）

參考答案:

減小載流子有效質(zhì)量

;增加能級(jí)分裂，抑制能谷散射

在硅溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件中，埋入式源漏技術(shù)能夠產(chǎn)生何種應(yīng)變（）

參考答案:

既有可能產(chǎn)生張應(yīng)變，又有可能產(chǎn)生壓應(yīng)變

對(duì)于高集成密度的n型溝道的SiFinFET器件，合適的產(chǎn)生應(yīng)變的技術(shù)是（）

參考答案:

SiGe虛擬襯底技術(shù)

應(yīng)變硅技術(shù)從90納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)開始進(jìn)入量產(chǎn)。（）

參考答案:

對(duì)

第五章測(cè)試

有關(guān)High-k/metalgate技術(shù)的說法正確的是（）

參考答案:

能夠減小柵氧化層中的電場(chǎng)強(qiáng)度

;從45納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)開始進(jìn)入量產(chǎn)

作為High-k柵氧化層的材料，需要具備下面哪些特點(diǎn)（）

參考答案:

需要具有較好的穩(wěn)定性

;需要具有合適的能帶結(jié)構(gòu)

;需要具有較高的k值

下面哪種方法能夠減小Si柵極堆垛的EOT（）

參考答案:

利用high-k材料替代二氧化硅柵絕緣層

;利用金屬柵替代多晶硅柵

;應(yīng)用Scavenging技術(shù)

;減薄柵絕緣層的厚度

幾種薄膜沉積方法中，三維表面包覆能力由強(qiáng)到弱依次為：ALD、PECVD、電子束蒸鍍。（）

參考答案:

對(duì)

Scavenging技術(shù)實(shí)質(zhì)上是氧化還原反應(yīng)。（）

參考答案:

對(duì)

第六章測(cè)試

根據(jù)傳輸線模型，有關(guān)場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件源漏接觸電阻的說法正確的是（）

參考答案:

源漏接觸金屬下方的電流密度不均勻

;分為長(zhǎng)接觸極限和短接觸極限兩種特例

當(dāng)互聯(lián)的最小特征尺寸減小時(shí)，下面說法錯(cuò)誤的是（）

參考答案:

互聯(lián)延時(shí)增大

;互聯(lián)寄生電阻增大

Al互聯(lián)中不包含下面那個(gè)結(jié)構(gòu)（）

參考答案