MOS管緩啟動(dòng)電路分析

MOS管緩啟動(dòng)電路原理分析Version1.0在電信工業(yè)和微波電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域，普遍使用MOS管控制沖擊電流的方達(dá)到電流緩啟動(dòng)的目的。MOS管有導(dǎo)通阻抗Rds_on低和驅(qū)動(dòng)簡單的特點(diǎn)，在周圍加上少量元器件就可以構(gòu)成緩慢啟動(dòng)電路。雖然電路比較簡單，但只有吃透MOS管的相關(guān)開關(guān)特性后才能對(duì)這個(gè)電路有深入的理解。本文首先從MOSFET的開通過程進(jìn)行敘述：盡管MOSFET在開關(guān)電源、電機(jī)控制等一些電子系統(tǒng)中得到廣泛的應(yīng)用，但是許多電子工程師并沒有十分清楚的理解MOSFET開關(guān)過程，以及MOSFET在開關(guān)過程中所處的狀態(tài)一般來說，電子工程師通?；跂艠O電荷理解MOSFET的開通的過程，如圖1所示此圖在MOSFET數(shù)據(jù)表中可以査到40圖1AOT460柵極電荷特性MOSFET的D和S極加電丿玉為VDD,當(dāng)駆動(dòng)開通脈沖加到MOSFET的G和S極時(shí)，輸入電容Ciss充電，G和S極電壓V質(zhì)線性上升并到達(dá)門檻電壓VGS(th),Vgs上升到VGS(th)之前漏極電流Id=0A,沒有漏極電流流過，Vds的電壓保持VDD不變當(dāng)Vgs到達(dá)VGS(th)時(shí)，漏極開始流過電流Id,然后Vgs繼續(xù)上升，Id也逐漸卜.升，Vds仍然保持VDD當(dāng)Vgs到達(dá)米勒平分電庶VGS(pl)時(shí)，Id也E升到負(fù)載電流最大值ID.Vds的電圧開始從VDD下降米勒平臺(tái)期間，Id電流維持ID?Vds電壓不斷降低米勒平臺(tái)結(jié)束時(shí)刻，Id電流仍然維持ID.Vds電壓降低到一個(gè)較低的值米勒平臺(tái)結(jié)束后，Id電流仍然維持ID,Vds電壓繼續(xù)降低，但此時(shí)降低的斜率很小，因此降低的幅度也很小，最后穩(wěn)定在Vds-IdxRds(on)因此通?？梢哉J(rèn)為米勒平臺(tái)結(jié)束后MOSFET基本上已經(jīng)導(dǎo)通對(duì)于上述的過程，理解難點(diǎn)在于為什么在米勒平臺(tái)區(qū)，Vgs的電壓恒定？驅(qū)動(dòng)電路仍然對(duì)柵極提供驅(qū)動(dòng)電流，仍然對(duì)柵極電容充電，為什么冊(cè)極的電壓不上升？而旦柵極電荷特性對(duì)丁形象的理解MOSFET的開通過程并不直觀因此，下面將基于漏極導(dǎo)通特性理解MOSFET開通過程MOSFET的漏極導(dǎo)通特性與開關(guān)過程MOSFET的漏極導(dǎo)通特性如圖2所示MOSFET與三極管一樣，當(dāng)MOSFET應(yīng)用丁?放大電路時(shí)，通常要使用此曲線研究其放大特性只是三極管使用的基極電流、集電極電流和放大倍數(shù)，而MOSFET使用柵極電壓、漏極電流和跨導(dǎo)可變電阻區(qū)2 3Vg(Volts)圖2AOT460的漏極導(dǎo)通特性三極管有三個(gè)匸作區(qū)：俄止區(qū)、放大區(qū)和飽和區(qū)，MOSFET對(duì)應(yīng)是關(guān)斷區(qū)、恒流區(qū)和可變電阻區(qū)注意：MOSFET恒流區(qū)冇時(shí)也稱飽和［乂?或放大區(qū)當(dāng)駆動(dòng)開通脈沖加到MOSFET的G和S極時(shí)，Vgs的電壓逐漸升高時(shí)，MOSFET的開通軌跡A-B-C-D如圖3中的路線所示圖3AOT460的開通軌跡開通前，MOSFET起始丄作點(diǎn)位于圖3的右下角A點(diǎn)，AOT460的VDD電床為48V,Vgs的電圧逐漸升高，Id電流為0,Vgs的電壓達(dá)到VGS(th).Id電流從0開始逐漸增大A-B就是Vgs的電圧從VGS(th)増加到VGS(pl)的過程從A到B點(diǎn)的過程中，可以非常再觀的發(fā)現(xiàn)，此過程工作于MOSFET的恒流區(qū)，也就是Vgs電壓和Id電流自動(dòng)找平衡的過程，即Vgs電斥的變化伴隨若Id電流相應(yīng)的變化，其變化關(guān)系就是MOSFET的跨導(dǎo)：Gfs=Id/Vgs,跨導(dǎo)可以在MOSFET數(shù)據(jù)表中査到當(dāng)Id電流達(dá)到負(fù)我的最大允許電流ID時(shí)，此時(shí)對(duì)應(yīng)的柵級(jí)電壓Vgs(pl)-Id-gFS由于此時(shí)Id電流恒定，因此柵極Vgs電壓也恒定不變，見圖3中的B-C,此時(shí)MOSFET處于相對(duì)穩(wěn)定的恒流區(qū)，工作于放大器的狀態(tài)幵通前.，Vgd的電壓為Vgs-Vds,為負(fù)壓，進(jìn)入米勒平臺(tái)，Vgd的負(fù)電圧絕對(duì)值不斷卜降，過0后轉(zhuǎn)為正電壓驅(qū)動(dòng)電路的電流絕大部分流過CGD.以掃除米勒電容的電荷，因此冊(cè)極的電田基本維持不變Vds電壓降低到很低的偵后，米勒電容的電荷基本上被掃除，即圖3中的C點(diǎn)，T是，柵極的電壓在驅(qū)動(dòng)電流的充電下乂開始升高，如圖3中的C-D,使MOSFET進(jìn)一步完全導(dǎo)通C-D為可變電阻區(qū)，相應(yīng)的Vgs電壓對(duì)應(yīng)著一定的Vds電壓Vgs電壓達(dá)到最大值，Vds電壓達(dá)到最小值，由于Id電流為ID恒定，因此Vds的電壓即為ID和MOSFET的導(dǎo)通電阻的乘積基于MOSFET的漏極導(dǎo)通特性仙線可以直觀的理解MOSFET開通時(shí),跨越美斷區(qū)、恒流區(qū)和可變電阻區(qū)的過程米勒平臺(tái)即為恒流區(qū)，MOSFET工作于放大狀態(tài)，Id電流為Vgs電壓和跨導(dǎo)乘積電路原理詳細(xì)說明：MOS管是電壓控制器件，其極間電容等效電路如圖4所示。圖4.帶外接電容C2的N型MOS管極間電容等效電路MOS管的極間電容柵漏電容Cgd、柵源電容Cgs、漏源電容Cds可以由以下公式確定:公式中MOS管的反饋電容Crss.輸入電容Ciss和輸出電容Coss的數(shù)值在MOS管的手冊(cè)上可以查到。電容充放電快慢決定MOS管開通和關(guān)斷的快慢，Vgs育先給Cgs充電，隨者Vgs的上升，使得MOS管從截止區(qū)進(jìn)入可變電阻區(qū)。進(jìn)入可變電阻區(qū)后，Ids電流增大，但是Vds電斥不變。隨看Vgs的持續(xù)増大，MOS管進(jìn)入米勒平臺(tái)區(qū)，在米勒平臺(tái)區(qū)，Vgs維持不變，電荷都給Cgd充電，Ids不變.Vds持續(xù)降低。在米勒平臺(tái)后期，MOS管Vds非常小，MOS進(jìn)入了飽和導(dǎo)通期。為確保MOS管狀態(tài)間轉(zhuǎn)換是線性的和可預(yù)知的，外接電容C2并聯(lián)在CgdE.如果外接電容C2比MOS管部柵漏電容Cgd大很名，就會(huì)減小MOS管部非絞性柵湘電容Cgd在狀態(tài)間轉(zhuǎn)換時(shí)的作用，另外可以達(dá)到増大米勒平臺(tái)時(shí)間，減緩電壓下降的速度的冃的。外接電容C2被用來作為枳分器對(duì)MOS管的升關(guān)特性進(jìn)行精確控制?？刂屏寺O電壓線性度就能精確捽制沖擊電流。電路描述:圖5所示為基于MOS管的自啟動(dòng)有源沖擊電流限制法電路。MOS管Q1放在DCDC電源模塊的負(fù)電壓輸入端，在上電瞬間，DCQC電源模塊的第1腳電平和第4腳一樣，然后控制電路按一定的速率將它降到負(fù)電壓，電壓下降的速度由時(shí)間常數(shù)C2-R2決定，這個(gè)斜率決定了最大沖擊電流。C2可以按以下公式選定：R2由允許沖擊電流決定:其中Vmax為最大輸入電壓，Cload為C3和DCDC電源模塊部電容的總和.Iinnish為允許沖擊電流的幅度。DCDC*電源模塊?圖5DCDC*電源模塊?R3為阻尼電阻，可按以下公式選定：?R3?R1D1是一個(gè)穩(wěn)壓二極管，用來限制MOS管Q1的柵源電壓。元器件RLC1和D2用來保證MOS管Q1在剛上電時(shí)保持關(guān)斷狀態(tài)。具體情況是：上電后，MOS管的柵極電壓要慢慢上升，當(dāng)柵源電慶Vgs高到一定程度后，二極管D2導(dǎo)通，這樣所有的電荷都給電容C1以時(shí)間常數(shù)RlxC1充電，柵源電壓Vgs以相同的速度上升，直到MOS管Q1導(dǎo)通產(chǎn)生沖擊電流。以下是計(jì)算C1和R1的公式:Cl.以‘（丄■，十匕2）M>CVS庭ln(l-%_*)其中Vth為MOS管Q1的最小門檻電壓，VD2為二極管D2的正向?qū)▔航?，Vplt為產(chǎn)生Iinmsh沖擊電流時(shí)的柵源電床。Vplt可以在MOS管供應(yīng)商所提供的產(chǎn)品資料里找到。MOS管選擇以下參數(shù)對(duì)于有源沖擊電流限制電路的MOS管選擇非常重要：1漏極擊穿電壓Vds必須選擇Vds比最大輸入電圧Vmax和最大輸入瞬態(tài)電壓還要高的MOS管，對(duì)于通訊系統(tǒng)中用的MOS管，一般選擇VcyiOOV。1柵源電壓Vgs穩(wěn)壓管D1是用來保護(hù)MOS管Q1的柵極以防止其過壓擊穿，顯然MOS管Q1的柵源電壓Vgs必須高于穩(wěn)壓管D1的最大反向擊穿電床。一般MOS管的柵源電壓Vgs為20V,推吞12V的穩(wěn)壓二極管。1導(dǎo)通電阻Rds_on.MOS管必須能夠耗散導(dǎo)通電阻Rds_on所引起的熱量，熱耗計(jì)算公式為：其中Ide為DC/DC電源的最大輸入電流，Ide由以下公式確定:其中Pout為DC.DC電源的最大輸出功率，Vmm為最小輸入電壓，門為DCDC電源在輸入電壓為Vnun輸出功率為Pout時(shí)的效率.u可以在DCDC電源供應(yīng)商所提供的數(shù)據(jù)手冊(cè)里査到。MOS管的Rds.on必須很小，它所引起的壓降和輸入電壓相比才可以忽略。圖6.有源沖擊電流限制電路在75V輸入，DCDC輸岀空載時(shí)的波形設(shè)計(jì)舉例己知：Vmax?72VIinnish=3A選擇MOS管Q1為IRF