安大《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程各章復(fù)習(xí)題

模擬電子技術(shù)第1章習(xí)題1、本征半導(dǎo)體是一種_完全純凈的、結(jié)構(gòu)完整的半導(dǎo)體晶體，在雜質(zhì)半導(dǎo)體中，多數(shù)載流子的濃度主要取決于_摻雜濃度_，而少數(shù)載流子的濃度則與_本征激發(fā)有很大關(guān)系。2、半導(dǎo)體的電荷載流子的濃度越高，其電導(dǎo)率就越高。本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電率隨溫度的增加而增加。3、根據(jù)本征半導(dǎo)體中摻入雜質(zhì)性質(zhì)的不同可分為P（或空穴）型半導(dǎo)體和N（或電子）型半導(dǎo)體。4、在N型半導(dǎo)體中如果摻入足夠量的三價元素，可將其改型為P型半導(dǎo)體。5、在本征半導(dǎo)體中加入少量五價元素可形成N型半導(dǎo)體，加入三價元素可形成P型半導(dǎo)體。6、在P型半導(dǎo)體中，空穴是多數(shù)載流子7、在N型半導(dǎo)體中，自由電子是多數(shù)載流子，空穴是少數(shù)載流子。8、在半導(dǎo)體中由于電場作用而導(dǎo)致載流子的運(yùn)動稱為漂移9、半導(dǎo)體中有自由電子和空穴兩種載流子參與導(dǎo)電，其中空穴帶正電，而自由電子帶負(fù)電。10、PN結(jié)加正向電壓時，空間電荷區(qū)將變窄PN結(jié)加反向電壓時，空間電荷區(qū)將變寬，自由電子是少數(shù)載流子。11、12、13、14、15、PN結(jié)在無光照、無外加電壓時，結(jié)電流為零。PN結(jié)的基本特點(diǎn)是單向?qū)щ娦浴．?dāng)外加電壓使PN結(jié)的P區(qū)電位高于N區(qū)電位時，稱為PN結(jié)_正向_偏置。PN結(jié)正向偏置時產(chǎn)生的電流主要是擴(kuò)散電流，PN結(jié)反向偏置時產(chǎn)生的電流主要是漂移電流。16、17、PN結(jié)的反向擊穿有雪崩擊穿和齊納擊穿。PN結(jié)的電其結(jié)構(gòu)的不同大致分為面接觸型和點(diǎn)接觸型兩類，點(diǎn)接觸型適用于高頻、小電流的場合，面接觸型二極管適用于低頻、大電流的場合容效應(yīng)有擴(kuò)散電容和勢壘電容18、半導(dǎo)體二極管按二極管19、20、21、硅管二極管的正向?qū)▔航导s為0.7V，鍺管二極管的正向?qū)▔航导s為0.2V當(dāng)溫度升高時，二極管的反向飽和電流將增大。當(dāng)溫度升高時，由于二極管內(nèi)部少數(shù)載流子濃度增加，因而少子漂移而形成的反向電流增加，二極管反向伏安特性曲線下移。22、硅管的導(dǎo)通電壓比鍺管的高，反向飽和電流比鍺管的小設(shè)二極管的端電壓為U，則二極管的電流方程是I(eUU－1)23、24、ST二極管具有單向?qū)щ娦?，穩(wěn)壓二極管正常工作時是利用二極管的反向偏置特性。第1頁共29頁25、硅穩(wěn)壓二極管在穩(wěn)壓電路中穩(wěn)壓時，工作于反向擊穿狀態(tài)。26、二極管反向擊穿分電擊穿和熱擊穿兩種情況，其中電擊穿是可逆的，而熱擊穿會損壞二極管.27、在PN結(jié)外加正向電壓時，擴(kuò)散電流大于漂移電流，當(dāng)PN外加反向電壓時，擴(kuò)散電流小于漂移電流28、光電二極管能將光信號轉(zhuǎn)換為電信號，它工作時需加正向偏置電壓1、寫出圖所示各電路的輸出電壓值，設(shè)二極管導(dǎo)通電壓U＝0.7V。D圖1U≈1.3V，UO2＝0，UO3≈－1.3V，UO4≈2V，UO5≈1.3V，UO6≈－解：2V。O12、已知穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓值U＝6V，穩(wěn)定電流的最小值I＝5mA。求圖所示電路中U和ZZminO1UO2各為多少伏。解：U＝6V，UO2＝5V。O1u＝10sinωt(v)，試畫出3、電路如圖P1所示，已知u與uO的波形。設(shè)二極管正向?qū)奿i壓可忽略不計(jì)。圖P1第2頁共29頁解圖P1解：u和uo的波形如解圖P1所示。i4、電路如圖P1.4所示，已知u＝5sinωt(V)，二極管導(dǎo)通電壓U＝0.7V。試畫出u與uiDiO的波形，并標(biāo)出幅值。圖P1.4解圖P1.4解：波形如解圖P1.4所示。5、電路如圖P1.6所示，二極管導(dǎo)通電壓U＝0.7V，常溫下U≈26mV，電容C對交流信DT號可視為短路；ui為正弦波，有效值為10mV。試問二極管中流過的交流電流有效值為多少？rD≈UT/ID＝10Ω故動態(tài)電流有效值Id＝Ui/rD≈1mA圖P1.66、現(xiàn)有兩只穩(wěn)壓管，它們的穩(wěn)定電壓分別為6V和8V，正向?qū)妷簽?.7V。試問：（1）若將它們串聯(lián)相接，（2）若將它們并1）兩只穩(wěn)壓管（2）兩只穩(wěn)壓管并得0.7V和6V等兩種穩(wěn)壓值。則可得到幾種穩(wěn)壓值？各為多少？聯(lián)相接，則又可得到幾種穩(wěn)壓值？各為多少？解：（串聯(lián)時可得1.4V、6.7V、8.7V和14V等四種穩(wěn)壓值。聯(lián)時可7、已知圖P1.9所示電路中穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電壓U＝6V，最小穩(wěn)定電流I＝5mA，最大穩(wěn)ZZmin定電流IZmax＝25mA。（1）分別計(jì)算UI為10V、15V、35V三種情況下輸出電壓U的值；O（2）若UI＝35V時負(fù)載開路，現(xiàn)什么現(xiàn)象?為什么？1）當(dāng)UI＝10V時，若U＝UZ＝6V，則穩(wěn)壓管的電流則會出解：（O為4mA，小于其最小穩(wěn)定電流，所以穩(wěn)壓管未擊穿。故RURRU3.33VILOL當(dāng)UI＝15V時，穩(wěn)壓管中的電流大于最圖P1.9第3頁共29頁小穩(wěn)定電流IZmin，所以UO＝UZ＝6V同理，當(dāng)UI＝35V時，UO＝UZ＝6V。（2）I(UU)R29mA＞I＝25mA，穩(wěn)壓管將因功耗過大而損壞。DIZZMZ模擬電子技術(shù)第2-4章習(xí)題29、30、雙極結(jié)型三極管可分為NPN型和PNP型，三個極分別叫基極b，發(fā)射極e，集電極c；雙極結(jié)型三極管的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)是：基區(qū)很薄且摻雜濃度很低；發(fā)射區(qū)和集電區(qū)是同類型的雜質(zhì)半導(dǎo)體，發(fā)射區(qū)摻雜濃度比集電區(qū)高很多，同時集電區(qū)的面積比發(fā)射區(qū)大。31、32、當(dāng)晶體管工作在放大區(qū)時，發(fā)射結(jié)電壓和集電結(jié)電壓應(yīng)為前者正偏、后者反偏；工作在放大區(qū)的某三極管，如果當(dāng)IB從12μA增大到22μA時，IC從1mA變?yōu)?mA，那么它的β約為10033、雙極結(jié)型三極管共射連接時輸出特性區(qū)域可分為放大區(qū)、截止區(qū)、飽和區(qū)當(dāng)晶體管工作在截止區(qū)時，發(fā)射結(jié)電壓和集電結(jié)電壓應(yīng)為前者反偏、后者反偏當(dāng)晶體管工作在飽和區(qū)時，發(fā)射結(jié)電壓和集電結(jié)電壓應(yīng)為前者正偏、后者正偏34、35、放大區(qū)：Ube>Uon且Uce>Ube截止區(qū)：Ube<Uon且Uce>Ube飽和區(qū)：Ube>Uon且Uce<Ube36、都增加，也增加。37、雙極型晶體管是一種電流控制器件38、靜態(tài)工作點(diǎn)的設(shè)置引起的波形失真有截止失真和飽和失真低，引起截止失真；靜態(tài)工作點(diǎn)過高，引起飽和失真39、輸入和輸出回路公路、共集電極放大電路、共基極放大電路。40、共集電極放大電路只有出電阻最?。还不鶚O放大電路只有電壓放大作用，也有電流放大作用。在圖T2.3所示電路中，已知V＝12V，晶體管當(dāng)溫度升高時，集電極和基極間反向飽和電流以及集電極和發(fā)射極間反向飽和電流兩種；靜態(tài)工作點(diǎn)過。根據(jù)共端的不同，放大電路可分為3種基本組態(tài)共射極放大電電流放大作用，沒有電壓放大作用，輸入電阻最高，輸電壓放大作用，沒有電流放大作用；共射放大電路既有41、CC的＝100，R'＝100kΩ。填空：要求先填文字表達(dá)式b后填得數(shù)iU（1）當(dāng)＝0V時，測得UBEQ＝0.7V，若要基極電流IBQ＝20μA，則R'和RW之和Rb＝≈≈kkbΩ；而若測得UCEQ＝6V，則Rc＝第4頁共29頁Ω。（2）若測得輸入電壓有效值U=5mV時，輸出電壓有效值Ui'o＝0.6V，則電壓放大倍數(shù)A＝u≈。若負(fù)載電阻RL值與RC相等，則帶上負(fù)載后輸出電壓有效值U＝V。＝圖T2.3oBQ解：（1）(VU)I，565；(VU)I，3。CCBEQBQCCCEQR（2）UU－120；U'o0.3。LRR＋CoiL42、已知圖T2.3所示電路中VCC＝12V，RC＝3kΩ，靜態(tài)管壓降UCEQ＝6V；并在輸出端加負(fù)載電阻RL，其阻值為3kΩ。（1）該電路的最大不失真輸出電壓有效值Uom≈2V；（2）當(dāng)U＝1mV時，若在不失真的條件下，減小RW，則輸出電壓的幅值將增大i（3）在U＝1mV時，將Rw調(diào)到輸出電壓最大且剛好不失真，若此時增大輸入電壓，則輸i出電壓波形將___底部失真（4）若發(fā)現(xiàn)電路出現(xiàn)飽和失真，則為消除失真，可將Rc減小。43、共發(fā)射極接法，__發(fā)射極___極作為公共電極，用CE表示；共集電極接法，_集電極_極作為公共電極，用CC表示；共基極接法，_基_極作為公共電極，用CB表示。三種接法中既有電壓放大能力，又有電流放大能力的接法是__共發(fā)射極接法___。44、雙極型三極管輸出特性曲線可以分為__放大區(qū)____，_截止區(qū)_，_飽和區(qū)_三個區(qū)域。45、兩個三極管復(fù)合，其β值約為_兩個管的β值乘積__，其管型決定于前一個的管型。46、復(fù)合管的組成原則是：同一類型的BJT三極管構(gòu)成的復(fù)合管時，應(yīng)將前一個管子的發(fā)射極接至后一只管子的基極；不同類型的BJT三極管構(gòu)成的復(fù)合管時，應(yīng)將前一個管子的集電極接至后一只管子的基極；同時必須保證兩只BJT三極管均工作在放大狀態(tài)。47、射極輸出器具有__電壓__增益恒小于1且接近于1、_輸出電壓___與___輸入電壓____同相、__輸入阻抗__高和__輸出阻抗__低的特點(diǎn)。48、將兩個β值分別為β1和β2的三極管復(fù)合，所得復(fù)合管的β值約為__β1*β2___。49、在分析放大電路的頻率響應(yīng)時，可將信號頻率劃分為三個區(qū)域：低頻區(qū)、中頻區(qū)和高頻區(qū)。50、頻率響應(yīng)包括幅頻響應(yīng)和相頻響應(yīng)。第5頁共29頁某晶體管的極限參數(shù)PCM=150mW，ICM=100mA，U(BR)CEO=30V，若其工作電壓UCE=10V，則工作電流不得超過_15__mA；若工作電壓UCE=1V，則工作電流不得超過__100__mA；若工作電流IC=1mA，則工作電壓UCE不得超過_30_V。放大電路中，測得三極管三個電極電位為U1=6.5V,U2=7.2V,U3=15V，則該管是_NPN__類型管子，其中_U3__極為集電極。51、52、NPN：Vb>Ve;Vc>Vb硅|Vbe|=0.7V即Vc>Vb>VePNP：Ve>Vb;Vb>Vc鍺|Vbe|=0.2V硅|Vbe|=0.7V即Ve>Vb>Vc鍺|Vbe|=0.2V放大電路中，測得三極管三個電極A,B,C電位為UA=-9V,UB=-6V,UC=-6.2V，則該管是_PNP__類型管子，其中_C__極為基極；_A__極為集電極；_B_極為發(fā)射極。53、54、場效應(yīng)管按基本結(jié)構(gòu)可分為MOSFET(MOS場效應(yīng)管)和JFET(結(jié)型場效應(yīng)管)；按導(dǎo)電載流子的帶電極性可分為N溝道MOSFET和P溝道MOSFET；按導(dǎo)電溝道形成的機(jī)理不同可分為N溝道增強(qiáng)型MOSFET，P溝道增強(qiáng)型MOSFET，N溝道耗盡型MOSFET，P溝道耗盡型MOSFET。55、N溝道增強(qiáng)型MOSFET的三個電極是柵極、源極和漏極。其輸出特性曲線可分為可變電阻區(qū)、飽和區(qū)、截止區(qū)。特點(diǎn)是只有在柵源間有一定的電壓作用才能產(chǎn)生感生溝道。56、N溝道增強(qiáng)型MOSFET的VGS<VT時，d、s之間沒有形成導(dǎo)電溝道，此時iD=0，場效應(yīng)管工作于輸出特性曲線的截止區(qū)。57、N溝道增強(qiáng)型MOSFET，當(dāng)VGS>VT，并且VDS>VGS-VT時，當(dāng)d、s之間形成導(dǎo)電溝道，此時iD基本保持不變，場效應(yīng)管工作于輸出特性曲線的飽和區(qū)。58、N溝道增強(qiáng)型MOSFET是電壓控制器件，是指iD的大小受柵源電壓VGS控制當(dāng)N溝道耗盡型MOSFET的VGS>0時，溝道變寬，但不會產(chǎn)生柵極電流iG，在的。59、VDS作用下，iD會很大。60、N溝道耗盡型MOSFET的夾斷電壓VP<0，即當(dāng)VGS<VP時溝道完全夾斷進(jìn)入截止區(qū)。61、P溝道增強(qiáng)型MOSFET溝道產(chǎn)生的條件是VGS<=VT，在可變電阻區(qū)還有VDS>=VGS-VT；在飽和區(qū)有VDS<=VGS-VT；62、MOS管的直流輸入電阻RGS是在漏源之間短路的條件下，柵源之間加一定電壓時的柵源直流電阻。63、64、65、MOS管的輸出電阻rds=dVDS/diD是反映VDS對iD的影響。當(dāng)VDS一定時，互導(dǎo)gm=diD/dVGS反映了柵源電壓對漏極電流的控制能力。根據(jù)輸入和輸出回路公共端的不同，場效應(yīng)管放大電路可分為3種基本組態(tài)共源極放大電路、共漏極放大電路、共柵極放大電路。66、結(jié)型場效應(yīng)管外加的柵-源電壓應(yīng)使柵-源間的耗盡層承受反向電壓，才能保證其第6頁共29頁RGS大的特點(diǎn)；67、若耗盡型N溝道MOS管的U大于零，則其輸入電阻會明顯變大。GS68、UGS＝0V時，能夠工作在恒流區(qū)的場效應(yīng)管有結(jié)型管和耗盡型MOS管；漏極直流電流ID從2mA變?yōu)?mA時，它的低頻跨導(dǎo)gm將增加場效應(yīng)管屬于__電壓控制型有源器件69、當(dāng)場效應(yīng)管的70、71、場效應(yīng)管是一種利用電場效應(yīng)來控制其電流大小的半導(dǎo)體器件。72、場效應(yīng)晶體管是用_柵源電壓_控制漏極電流的。73、結(jié)型場效應(yīng)管發(fā)生預(yù)夾斷后，管子進(jìn)入恒流區(qū)。74、場效應(yīng)管靠__一種載流子_導(dǎo)電。75、增強(qiáng)型PMOS管的開啟電壓小于零；增強(qiáng)型NMOS管的開啟電壓大于零。76、只有__耗盡型和結(jié)型_場效應(yīng)管才能采取自偏壓電路。77、分壓式電路中的柵極電阻RG一般阻值很大78、源極跟隨器（共器）的輸出電阻與管子跨導(dǎo)gm和源極電阻RS有關(guān)。79、某場效應(yīng)管的IDSS為6mA，而IDQ自漏極流出，大小為8mA，則該管是_耗盡型NMOS管。，目的是提高電路的輸入電阻。漏極放大1、如圖所示的分壓式工作點(diǎn)穩(wěn)定電路中，已知Rb1=10kΩ，Rb2=30kΩ，Rc=2kΩ，RL=2kΩ，Vcc=12V，三極管的β=100，U0.7V，r200。試求BEQbb（1）畫出電路的直流通路（2）估算放大電路的靜態(tài)工作點(diǎn)IBQ,ICQ,VCEQ（3）畫出電路的交流通路（4）求出交流電壓放大倍數(shù)Av、輸入電阻Ri和輸出電阻Ro2、放大電路如圖所示，已知Rb，Rb1，Rb2，Rc，RL，Vcc，三極管的β，Ur200。試求bb0.7V，BEQ第7頁共29頁（1）畫出電路的直流通路（2）估算放大電路的靜態(tài)工作點(diǎn)I,I,VCEQBQCQ（3）畫出電路的交流通路（4）求出交流電壓放大倍數(shù)A、輸入電阻Ri和輸出電阻Rov圖1圖2圖3圖43、共集電極放大電路如圖所示，已知Rb，Rb1，Rb2，Rc，RL，Vcc，三極管的β，U0.7V，r200。試求BEQbb（1）畫出電路的直流通路（2）估算放大電路的靜態(tài)工作點(diǎn)I,I,VCEQBQCQ（3）畫出電路的交流通路（4）求出交流電壓放大倍數(shù)A、輸入電阻Ri和輸出電阻Rov第8頁共29頁RL，Vcc，三極管的β，U0.7V，r200。bb（4）求出交流電壓放大倍數(shù)Av、輸入電阻Ri和輸出電阻Ro模擬電子技術(shù)第6-7章習(xí)題80、集成電路按其功能來分，有數(shù)字集成電路和模擬集成電路。81、模擬集成電路中普遍使用直流偏置技術(shù)，電流源除可以為電路提供穩(wěn)定的直流偏置外，還可以作放大電路的有源負(fù)載以獲得高增益。82、為提高工作點(diǎn)的穩(wěn)定性，集成電路中普遍采用恒流源偏置。83、集成運(yùn)放中采用有源負(fù)載是為了提高系統(tǒng)的共模抑制比84、差動放大電路具有電路結(jié)構(gòu)_參數(shù)對稱_的特點(diǎn)，因此具有很強(qiáng)的__抑制零點(diǎn)漂移的能力。它能放大_差_模信號，而抑制__共__模信號。85、雙端輸入、雙端輸出的差分放大電路的電壓增益與單邊電路的電壓增益相等，該電路是用成倍的元器件以換取抑制共86、雙端輸入、單端輸出的差模電壓增益只有雙端輸出的一半。87、雙端輸入、雙端輸出的差分放大電路的高頻響應(yīng)與共射放大電路相同，但由于采用直接耦合方式，因此具有極好的低頻響應(yīng)模信號的能力。。88、直接耦合放大電路存在零點(diǎn)漂移的原因是晶體管參數(shù)受溫度影響89、集成放大電路采用直接耦合方式的原因是不易制作大容量電容第9頁共29頁90、91、選用差分放大電路的原因是克服溫漂差分放大電路的差模信號是兩個輸入端信號的差；共模信號是兩個輸入端信號的平均值。92、用恒流源取代長尾式差分放大電路中的發(fā)射極電阻Re，將使電路的抑制共模信號能力增強(qiáng)93、94、95、96、97、98、99、互補(bǔ)輸出級采用共集形式是為了使帶負(fù)載能力強(qiáng)集成運(yùn)放電路采用直接耦合方式是因?yàn)榧晒に囯y于制造大容量電容通用型集成運(yùn)放適用于放大低頻信號集成運(yùn)放制造工藝使得同類半導(dǎo)體管的參數(shù)一致性好集成運(yùn)放的輸入級采用差分放大電路是因?yàn)榭梢詼p小溫漂，對共模信號進(jìn)行抑制。為增大電壓放大倍數(shù)，集成運(yùn)放的中間級多采用共射放大電路根據(jù)下列要求，將應(yīng)優(yōu)先考慮使用的集成運(yùn)放填入空內(nèi)。已知現(xiàn)有集成運(yùn)致的類型是：①通用型②高阻型③高速型④低功耗型⑤高壓型⑥大功率型⑦高精度型（1）作低頻放大器，應(yīng)選用①。（2）作寬頻帶放大器，應(yīng)選用③。（3）作幅值為1μV以下微弱信號的量測放大器，應(yīng)選用⑦。（4）作內(nèi)阻為100kΩ信號源的放大器，應(yīng)選用②。（5）負(fù)載需5A電流驅(qū)動的放大器，應(yīng)選用⑥。（6）要求輸出電壓幅值為±80的放大器，應(yīng)選用⑤。（7）宇航儀器中所用的放大器，應(yīng)選用④。100、基本放大電路：A.共射電路共漏電路B.共集電路C.共基電路D.共源電路E.根據(jù)要求選擇合適電路組成兩級放大電路。（1）要求輸入電阻為1kΩ至2kΩ，電壓放大倍數(shù)大于3000，第一級應(yīng)采用，第二級應(yīng)采用。（2）要求輸入電阻大于10MΩ，電壓放大倍數(shù)大于300，第一級應(yīng)采用，第二級應(yīng)采用。（3）要求輸入電阻為100kΩ～200kΩ，電壓放大倍數(shù)數(shù)值大于100，第一級應(yīng)采，第二級應(yīng)采用（4）要求電壓放大倍數(shù)的數(shù)值大于10，輸入電阻大于10MΩ，輸出電阻小于100Ω，，第二級應(yīng)采用（5）設(shè)信號源為內(nèi)阻很大的電壓源，要求將輸入電流轉(zhuǎn)換成輸出電壓，且用。第一級應(yīng)采用。AUI＞1000，輸出電阻R＜100，第一級應(yīng)采用，第二級應(yīng)采用。ouioi解：（1）A，A（2）D，A（3）B，A（4）D，B（5）C，B101、通用型集成運(yùn)放一般由幾部分電路組成，每一部分常采用哪種基本電路？通常對每一部分性能的要求分別是什么？解：通用型集成運(yùn)放由輸入級、中間級、輸出級和偏置電路等四個部分組成。通常，輸入級為差分放大電路，中間級為共射放大電路，輸出級為互補(bǔ)電路，偏置電路為電流源電路。第10頁共29頁對輸入級的要求：輸入電阻大，溫漂小，放大倍數(shù)盡可能大。對中間級的要求：放大倍數(shù)大，一切措施幾乎都是為了增大放大倍數(shù)。對輸出級的要求：帶負(fù)載能力強(qiáng)，最大不失真輸出電壓盡可能大。對偏置電路的要求：提供的靜態(tài)電流穩(wěn)定。102、共模抑制比定義為放大電路差模信號的電壓增益與共模信號的電壓增益之比的絕對值。共模抑制比數(shù)值越大，放大電路的性能越優(yōu)良。103、雙端輸入雙端輸出差分放大器的差模電壓增益是雙端輸入單端輸出差分放大器的差模電壓增益的2倍。104、源極耦合差分式放大電路的差模輸入阻抗比射極耦合差分式放大電路大得多。105、輸入失調(diào)電壓是指在室溫及標(biāo)準(zhǔn)電源電壓下，輸入電壓為零時，為使集成運(yùn)放的輸出電壓為零，在輸入端加的補(bǔ)償電壓。106、對BJT集成電路運(yùn)放，其輸入失調(diào)電流是指當(dāng)輸入電壓為零時流入放大器兩輸入端的靜態(tài)基極電流之差。107、對于理想集成運(yùn)算放大器，其開環(huán)差模電壓放大倍數(shù)A可視為無窮大，輸入Vo阻抗R可視為無窮大，輸出阻抗R可視為____零_______。電路的K越大，表明電CMRido路___抑制零漂___的能力越強(qiáng)。108、對于放大電路，所謂開環(huán)是指無反饋通路1.如圖1-2所示的電路中，A點(diǎn)電位為多少？20kΩ10kΩAuo10kΩ+6V圖1-2U12Vopp2圖示3-2電路中，運(yùn)算放大器的最大輸出電壓，穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電壓U6V，其正向壓降DU0.7V，參考電壓UR2V，輸入電壓U1V，則輸出電ZiUO2VU1ViU，則輸出電壓U6V；參考電壓R壓，輸入電壓—O0.7V。第11頁共29頁R1R3UiUoR2DURZ圖3-2U2VU3.某運(yùn)算放大電路如圖3-1所示，已知輸入電壓，則輸出電壓o=3V，iUo1=—6V9kΩ5kΩ3kΩU10kΩiUo1UoR3.3kΩ圖3-1U2VU1V，各相關(guān)電阻大4.某運(yùn)算放大器構(gòu)成的電路如圖所示，已知輸入電壓、i1i2小已經(jīng)標(biāo)出，試求：U（1）求A點(diǎn)的電壓值；AU（2）求輸出電壓o的大小。10kΩ20kΩAUi210kΩ10kΩUi1UoRU0I0UI1i110AUU2V，所以，Ai1102解：（1）。第12頁共29頁I0UIUUIUUi2A0A102034III0A102(2)234,,,,0UAUUAUUA0i2010所以，1020，代入數(shù)值得，U12V0UU5.某運(yùn)算放大器構(gòu)成的電路如圖4-2所示，已知輸入電壓、i2，那么i1U（1）求A點(diǎn)的電壓值A(chǔ)；(2分)UUU（2）求輸出電壓和輸入電壓、i2的關(guān)系式；(5分)o1i1（3）若R0RRUo，求和UU、i1，56i2的關(guān)系式。(3分)2R4Ui2R6R2R3AR1UoUi1R5Uo1R圖4-2UR2Ui1……（2分）1Ui10I20UAR1解：（1）IA，所以，R2R10UUUUUAIIIAo1Ai2III0RRR2，3，4，（2）234234，U32(111)U3URRRo1聯(lián)立方程可得，RRRR13i1Ri2……..（5分）244UR3U3Ui2…….（1分）R（3）若R0o1R1i1R，24RR5UUo1…….（1分）若6，則o第13頁共29頁RRRUUUi1U334o所以，o1R1i2……（1分）6．集成運(yùn)放組成如圖所示電路，已知R=10KΩ，R=100KΩ，v=0．6V，求輸出電壓vO1fi和平衡電阻R的大小及電壓放大倍數(shù)A2VF（1）（2）7．計(jì)算圖示電路（1）已知v和電壓放大倍數(shù)A的輸出電壓某減法電路如圖所示，R=R=R=R=5KΩ，v=10mV，v=30mV，求輸出電壓123fi1i2OVF（2）已知某加法電路如圖所示，R=R=R=10KΩ，R=10KΩ，v=0．6V，v=－0．8V，123fi1i2v=1．2V，求輸出電壓vi3O8．畫出能實(shí)現(xiàn)v=－20v關(guān)系的運(yùn)放電路，R選用100KΩ，要求計(jì)算出R1和R2的具體數(shù)fOi并畫出電路圖。值，9．說明運(yùn)放電路的類型，并求出輸出電壓Vo？第14頁共29頁10．圖7中：A1、A2、A3均為理想運(yùn)效，U1，U2，U3為已知電壓，試求（1）Uo1（2）Uo2（3）Uo5RR∞RRA+R/21U+U1o1∞+RRA∞+2U+A3UUoo22+U3R圖711．求圖8中運(yùn)放電路的輸出電壓V?O30K10K3VVO10K30K2V2V圖812．求圖9中運(yùn)放電路的輸出電壓Vo1、Vo2和V?O第15頁共29頁圖913．試畫出符合下列關(guān)系式的集成運(yùn)放電路，其中R選100KΩ，并在圖上標(biāo)出其他電阻的f參數(shù)。（1）vo=5vi（2）vo=-vi（3）vo=vi1+2v-5vi2i3模擬電子技術(shù)第8-10章習(xí)題109、對于放大電路，所謂開環(huán)是指無反饋通路；而所謂閉環(huán)是指存在反饋通路。110、在輸入量不變的情況下，若引入反饋后凈輸入量減小，則說明引入的反饋是負(fù)反饋。111、直流負(fù)反饋是指在直流通路中的負(fù)反饋；交流負(fù)反饋是指在交流通路中的負(fù)反饋。112、一個由電流源產(chǎn)生的電流信號經(jīng)放大電路放大后，希望得到一個穩(wěn)定的輸出電壓信號，這放大電路113、為了將輸入電114、為了將輸入電115、負(fù)反饋能抑制反饋環(huán)內(nèi)的噪聲與干擾。應(yīng)選電壓并聯(lián)負(fù)反饋.流轉(zhuǎn)換成與之成比例的輸出電壓，應(yīng)引入深度電壓并聯(lián)負(fù)反饋。壓轉(zhuǎn)換成與之成比例的輸出電流，應(yīng)引入深度電流串聯(lián)負(fù)反饋。1116、負(fù)反饋反饋深度為1+AF，深度負(fù)反饋滿足：1AF1，即AfF1AF11AF1時反饋為正反饋；當(dāng)大電路可產(chǎn)生自激振蕩。1AF0時，117、A，放f118、在放大電路中減小非線性失真所指的是反饋環(huán)內(nèi)的失真；大電路產(chǎn)生自激振蕩的條件是環(huán)路增益AF1。引入負(fù)反饋，會使閉環(huán)增益下降，但會提高增益的穩(wěn)定性。負(fù)反饋119、負(fù)反饋放第16頁共29頁120、為了實(shí)現(xiàn)下列目的，應(yīng)引入：A．直流負(fù)反饋B．交流負(fù)反饋a)b)c)d)e)為了穩(wěn)定靜態(tài)工作點(diǎn)，應(yīng)引入A；為了穩(wěn)定放大倍數(shù)，應(yīng)引入B；為了改變輸入電阻和輸出電阻，應(yīng)引入B為了抑制溫漂，應(yīng)引入A為了展寬頻帶，應(yīng)引入B121、選擇合適答案填入空內(nèi)。A．電壓B．電流C．串聯(lián)D．并聯(lián)（1）為了穩(wěn)定放大電路的輸出電壓，應(yīng)引入A負(fù)反饋；（2）為了穩(wěn)定放大電路的輸出電流，應(yīng)引入B負(fù)反饋；（3）為了增大放大電路的輸入電阻，應(yīng)引入C負(fù)反饋；（4）為了減小放大電路的輸入電阻，應(yīng)引入D負(fù)反饋；（5）為了增大放大電路的輸出電阻，應(yīng)引入B負(fù)反饋；（6）為了減小放大電路的輸出電阻，應(yīng)引入A負(fù)反饋。122、電路如圖所示，已知集成運(yùn)放的開環(huán)差模增益和差模輸入電阻均近于無窮大，最大輸出電壓幅值為±14V。填空:電路引入了電壓串聯(lián)負(fù)反饋（填入反饋組態(tài)）交流負(fù)反饋，電路的輸入電阻趨近于無窮大，電壓放大倍數(shù)A＝△uO/△uI≈11。設(shè)uI＝1V，則uO≈uf11V；若R1開路，則u變?yōu)?V；若R1短路，O則uO變?yōu)?4V；若R2開路，則u變?yōu)?4V；O若R2短路，則u變?yōu)?V。O123、現(xiàn)有電路：A.反相比例運(yùn)D.微分運(yùn)一個合適的答案填入空內(nèi)。（1）欲將正弦波電壓移相＋90O，應(yīng)選。（2）欲將正弦波電壓轉(zhuǎn)換成二倍頻電壓，應(yīng)選（3）欲將正弦波電壓疊加上一個直流量，應(yīng)選（4）欲實(shí)現(xiàn)A＝－100的放大電路，應(yīng)選用A算電路B.同相比例運(yùn)算電路C.積分運(yùn)算電路算電路E.加法運(yùn)算電路F.乘方運(yùn)算電路選擇用C用F。用E。。u（5）欲將方波電壓（6）欲將方波電壓轉(zhuǎn)換成尖頂波波電壓，應(yīng)選124、為了避免50Hz電網(wǎng)電壓的干擾進(jìn)入放大器，應(yīng)選用帶阻濾波電路。125、已知輸入信號的頻率為10kHz～12kHz，為了防止干擾信號的混入，應(yīng)選用帶通濾轉(zhuǎn)換成三角波電壓，應(yīng)選用C。用D。波電路。126、為了獲得輸入電壓中的低頻信號，應(yīng)選用低通濾波電路127、為了使濾波電路的輸出電阻足夠小，保證負(fù)載電阻變化時濾波特性不變，應(yīng)選用有源濾波電路。128、反相比例運(yùn)算電路中集成運(yùn)放反相輸入端為虛地，而同相比例運(yùn)算電路中集成兩個輸入端的電位等于輸入電壓。129、同相比例運(yùn)而反相比例運(yùn)運(yùn)放算電路的輸入電阻大，算電路的輸入電阻小。第17頁共29頁130、同相比例運(yùn)算電路的輸入電流等于零，而反相比例運(yùn)算電路的輸入電流等于流過反饋電阻中的電流。131、同相比例運(yùn)算電路的比例系數(shù)大于1，而反相比例運(yùn)算電路的比例系數(shù)小于零。132、同相比例運(yùn)算電路可實(shí)現(xiàn)Au＞1的放大器。133、反相比例運(yùn)算電路可實(shí)現(xiàn)Au＜0的放大器。134、微分運(yùn)算電路可將三角波電壓轉(zhuǎn)換成方波電壓。135、同相求和運(yùn)算電路可實(shí)現(xiàn)函數(shù)Y＝aX1＋bX2＋cX3，a、b和c均大于零。136、反相求和運(yùn)算電路可實(shí)現(xiàn)函數(shù)Y＝aX1＋bX2＋cX3，a、b和c均小于零。137、乘方運(yùn)算電路可實(shí)現(xiàn)函數(shù)Y＝aX2。138、139、甲類功率放大器的缺點(diǎn)是效率最低，乙類功率放大器的缺點(diǎn)是存在交越失真；乙類功率放大器的靜態(tài)工作點(diǎn)IBQ=0；故一般采用甲乙類放大器。140、功率放大電路的最大輸出功率是在輸入電壓為正弦波時，輸出基本不失真情況下，負(fù)載上可能獲得的最大交流功率。141、功率放大電路的轉(zhuǎn)換效率是指最大輸出功率與電源提供的平均功率之比。142、在OCL乙類功放電路中，若最大輸出功率為1W，則電路中功放管的集電極最大功耗約為0.2W。143、在選擇功放電路中的晶體管時，應(yīng)當(dāng)特別注意的參數(shù)有ICMBUCEOPCM。144、分析下列說法是否正確，凡對者在括號內(nèi)打“√”，凡錯者在括號內(nèi)打“×”。（1）在功率放大電路中，輸出功率愈大，功放管的功耗愈大。（）（2）功率放大電路的最大輸出功率是指在基本不失真情況下，負(fù)載上可能獲得的最大交流功率。（）（3）當(dāng)OCL電路的最大輸出功率為1W時，功放管的集電極最大耗散功率應(yīng)大于1W。（）（4）功率放大電路與電壓放大電路、電流放大電路的共同點(diǎn)是1）都使輸出電壓大于輸入電壓；（）2）都使輸出電流大于輸入電流；（）3）都使輸出功率大于信號（5）功率放大電路與電壓放大電路的區(qū)別是1）前者比后者電源電壓高；（）2）前者比后者電壓放大倍數(shù)數(shù)值大；（）3）前者比后者效率高；（）4）在電源電壓相同的情況下，前者（6）功率放大電路與電流放大電路的區(qū)別是1）前者比后者電流放大倍數(shù)大；（）2）前者比后者效率高；（）3）在電源電壓相同的情況下，前者解：（1）×（2）√（3）×（4）××√（5）××√√（6）×√√源提供的輸入功率。（）比后者的最大不失真輸出電壓大；（）比后者的輸出功率大。（）145、直流電源是一種能量轉(zhuǎn)換電路，它將交流能量轉(zhuǎn)換為直流能量。第18頁共29頁146、在變壓器副邊電壓和負(fù)載電阻相同的情況下，橋式整流電路的輸出電流是半波整流電路輸出電流的2倍147、若U2為電源變壓器副邊電壓的有效值，則半波整流電容濾波電路和全波整流電容2U2。濾波電路在空載時的輸出電壓均為148、整流電路可將正弦電壓變?yōu)槊}動的直流電壓。149、電容濾波電路適用于小負(fù)載電流，而電感濾波電路適用于大負(fù)載電流。150、線性直流電源中的調(diào)整管工作在放大狀態(tài)，開關(guān)型直流電源中的調(diào)整管工作在開關(guān)狀態(tài)。151、因?yàn)榇?lián)型穩(wěn)壓電路中引入了深度負(fù)反饋，因此也可能產(chǎn)生自激振蕩。152、整流的目的是將交流變?yōu)橹绷?53、在單相橋式整流電路中，若有一只整流管接反，則整流管將因電流過大而燒壞。154、直流穩(wěn)壓電源中濾波電路的目的是將交、直流混合量中的交流成分濾掉。155、直流穩(wěn)壓電源中濾波電路應(yīng)選用低通濾波電路156、若要組成輸出電壓可調(diào)、最大輸出電流為3A的直流穩(wěn)壓電源，則應(yīng)采用電感濾波串聯(lián)型穩(wěn)壓電路157、串聯(lián)型穩(wěn)壓電路中的放大環(huán)節(jié)所放大的對象是基準(zhǔn)電壓與采樣電壓之差158、開關(guān)型直流電源線比性直流電源效率高的原因是調(diào)整管工作在開關(guān)狀態(tài)159、在脈寬調(diào)制式串聯(lián)型開關(guān)穩(wěn)壓電路中，為使輸出電壓增大，對調(diào)整管基極控制信號的要求是周期不變，占空比增大160、正弦波振蕩電路一般由_放大電路、正反饋網(wǎng)絡(luò)、選頻網(wǎng)絡(luò)和穩(wěn)幅環(huán)節(jié)_這四個部分組成。161、振蕩器的輸出信號最初由干擾或噪聲信號而來的。162、振蕩器之所以能獲得單一頻率的正弦波輸出電壓是依靠了振蕩器中的選頻環(huán)節(jié)。AF1163、正弦波振蕩電路利用正反饋產(chǎn)生振蕩條件是，其中相位平衡條件是2，幅值平衡條件是AF=1,為使振蕩電路起振，其條件是|AF|1n。AF164、產(chǎn)生低頻正弦波一般可用RC振蕩電路，產(chǎn)生高頻正弦波可用LC振蕩電路，要求頻率穩(wěn)定性很高，則可用石英晶體振蕩電路。165、穩(wěn)壓電源主要是要求在_電源電壓___和__負(fù)載__發(fā)生變化的情況下，其輸出電壓基本不變。166、78M05為輸出電壓固定的三端集成穩(wěn)壓器，它的三個引出端分別是輸入端、輸出端、公共端，輸出電壓值為5V。167、低電壓穩(wěn)壓電路一般由電源變壓器、整流、濾波、穩(wěn)壓等單元電路組成。168、單相整流電路用來將交流電壓變換為單相脈動的直流電壓。第19頁共29頁169、單相橋式整流電路的輸入電壓u2102sintV時則輸出電壓平均值為9V。170、電容濾波電路適用于小負(fù)載電流，而電感濾波電路適用于大負(fù)載電流。171、在脈寬調(diào)制式串聯(lián)型開關(guān)穩(wěn)壓電路中，為使輸出電壓增大，對調(diào)整管基極控制信號的要求是周期不變，占空比增大。172、串聯(lián)反饋式穩(wěn)壓電路的調(diào)整管是工作在線性放大區(qū)，利用控制調(diào)整管的管壓降來調(diào)整輸出電壓。開關(guān)穩(wěn)壓電源的調(diào)整管是工作在開關(guān)狀態(tài)，利用控制調(diào)整管的導(dǎo)通與截止時間的比例來穩(wěn)定輸出電壓。173、在下圖電路中，調(diào)整管為T，采樣電路由RRR組成，基準(zhǔn)電壓電路由1123R、Dz組成，比較放大電路由TR組成，保護(hù)電路由TRo組成。輸出電壓最2、c3、RRRRRR3V。12小值的表達(dá)式為3V，最大值的表達(dá)式為Z12RRRZ233T3vovIDZ174、第20頁共29頁1、電路如圖所示，求解電路的運(yùn)算關(guān)系R2C0.05F20kR1ui20kAu0R32、3、某電路如圖所示，集成運(yùn)放A具有理想的特性，R=16kΩ,C=0.01F，R=1k2第21頁共29頁Ω，試回答：（1）該電路是什么名稱？輸出什么波形的振蕩電路？（2）由哪些元件組成選頻網(wǎng)絡(luò)？f（3）振蕩頻率=?o（4）為滿足起振的幅值條件，應(yīng)如何選擇的大??？R1RR1CACRuoR2解、（1）該電路是RC正弦波橋式振蕩電路，輸出正弦波（2）電阻R和電容C串并聯(lián)組成選頻網(wǎng)絡(luò)（3）1RZR1Z1RCSCS2ZZZRCS(RCS)23RCS1F2V1211Fff2RC01v3j(RCw)RCw1/3FV（4）RA11R2由AF1知道，RA131R2RR124、已知電路參數(shù)如圖所示，F(xiàn)ET工作點(diǎn)上的互導(dǎo)gm=1ms，設(shè)rd>>Rd（1）畫出電路的中頻小信號模型等效電路；.（2）求電壓增益A；V（3）求放大器的輸入電阻Ri和Ro；第22頁共29頁解、（1）小信號模型等效電路如下（2）求電壓增益A.VvgRmd111**1023.31gR1mAovvi（3）求Ri和R0kR(R//R)2075Rig3g1g210KR0Rd5、如圖所示的分壓式工作點(diǎn)穩(wěn)定電路中，已知Rb1=10kΩ，Rb2=30kΩ，Rc=2kΩ，RL=2kΩ，Vcc=12V，三極管的β=100，U0.7V，r200。試估算BEQbb放大電路的靜態(tài)工作點(diǎn)以及電壓放大倍數(shù)Av、輸入電阻Ri和輸出電阻Ro。第23頁共29頁RRRb1解：(1)VBQV4Vccb2b2V－V≈76.7μA=(1+β)RBEIBQBQeI=β?I=2.3mACQBQV=V－(R+R)×I=5.1VCEQccCe(2)小信號等效電路：CQARR(3)求解、和：vioARL66.726mV450.3Irr(1)rbebbvfEQRR//R//r0.81kR2kbeib1b2beo6、圖示電路中已知場效應(yīng)管的低頻跨導(dǎo)為gm，設(shè)rd>>Rd，電容的交流阻抗可忽略：(1)畫出小信號等效電路；(2)試求中頻電壓增益A、輸入電阻R和輸出電阻Ro。iVm第24頁共29頁解：(1)小信號等效電路：RR(2)A、和的表達(dá)式分別為：iouV=V+gVR=V(1+gR)igsmgsgsmV=－gVRomgsdgRA=－md1+gRVmmR=