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1.盡可能縮短高頻元器件之間的連線,設(shè)法減少它們的分布參數(shù)和相互間的電磁干擾。1),則在它們之間就會(huì)產(chǎn)生寄生電容。這樣,由于該電容而形成了輸出返回到輸入的正短路。帶高壓的元器件應(yīng)盡量布置在調(diào)試時(shí)手不易觸及的地方。如同放大器的輸入輸出那40dB3A(50Hz)1Vp-p,BlmVp-p100060dB)由于頻率低,靜電耦合是沒(méi)有問(wèn)題的。但由于電磁耦合,AB。情況嚴(yán)重44(b)4(a)那樣的麻煩。如果考慮到電流環(huán)路的面積要盡可能的小。對(duì)于電源線和信號(hào)線來(lái)講都是如此5(a)是不好的例子,由5(b)所示。由于這樣做,使環(huán)路變小,故而對(duì)其他電路的影響也就 可能,接100μF以上的原則上每個(gè)集成電路都應(yīng)布置一個(gè)0.01pF的瓷片電容。如遇印刷板空隙不夠,可每(4個(gè)~8個(gè))布置一個(gè)1pF~10pF的鉭電容。對(duì)于抗噪聲能力弱、關(guān)斷時(shí)電源變化大的器件,如RAM、ROM器件,應(yīng)在RCR1kΩ~2kΩ,C2.2μF~47μF。CMOS的敏感性,它能產(chǎn)生很短的時(shí)鐘周期,因而最好選晶體或陶瓷諧振器.另外,石英晶體的外 0.02mm~0.3mm導(dǎo)線寬度。當(dāng)然,只要允許,還是盡可能用寬線,尤其是電源線和地線。導(dǎo)線的最小間距主要由情況下的線間絕緣電阻和擊穿電壓決定。對(duì)0.1mm~0.2mm。3D(d+1.2)mm,d的數(shù)字電路,焊盤(pán)最小直徑可取(d+1.0)mm。 .在小信號(hào)電路與大電流電路做在一起的電路中,必須GND。布線號(hào)線與大電流線完全分離,再將匯總的小信號(hào)GNDGND.正確選擇單點(diǎn)接地與多點(diǎn)接地。1MHz,它的10MHz1MHz~10MHz1/20,否則應(yīng)采用多點(diǎn)接地法。.?dāng)?shù)字地與模擬地分開(kāi)。電路板上既有高速邏輯電路,又有線性電路,應(yīng)使它們盡量.若接地線用很細(xì)的線條,則接地電位會(huì)隨電流的變化而變化,致使倍于印刷電路板的允許電流??赡?接地線的寬度應(yīng)大于3mm。.接地線構(gòu)成閉環(huán)路。設(shè)計(jì)只由數(shù)

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