硅單晶電阻率的測(cè)試

硅單晶電阻率的測(cè)試第一頁(yè)，共十一頁(yè)，編輯于2023年，星期一目錄：一、采樣及樣品處理二、檢測(cè)依據(jù)及設(shè)備三、檢測(cè)原理及作業(yè)指導(dǎo)書四、檢測(cè)環(huán)境及影響因素五、檢測(cè)數(shù)據(jù)分析六、檢測(cè)報(bào)告書第二頁(yè)，共十一頁(yè)，編輯于2023年，星期一一、采樣及樣品處理1、采樣:單晶片：取單晶棒頭部、中部、尾部各三片，要具有代表性。2、樣品處理：（1）、試樣待測(cè)面用320#（28~42μm）或W28(20~28μm)金剛砂研磨或噴砂。（2）、對(duì)圓片試樣，用5~14μm氧化鋁或金剛砂研磨上下表面。第三頁(yè)，共十一頁(yè)，編輯于2023年，星期一二、檢測(cè)依據(jù)及設(shè)備1、檢測(cè)依據(jù)：第四頁(yè)，共十一頁(yè)，編輯于2023年，星期一2、檢測(cè)設(shè)備：第五頁(yè)，共十一頁(yè)，編輯于2023年，星期一三、檢測(cè)原理及作業(yè)指導(dǎo)書1、工作原理：樣品內(nèi)部的電位分布為：式中Φ為距離點(diǎn)電流半徑為r的半球面上任何一點(diǎn)的電位，I是電流大小，ρ是樣品的電阻率。電流流入，Φ取正號(hào)；電流流出，Φ取負(fù)號(hào)。經(jīng)計(jì)算推導(dǎo)得：第六頁(yè)，共十一頁(yè)，編輯于2023年，星期一2、作業(yè)指導(dǎo)書：（一）方法原理：四探針?lè)ǎǘ﹥x器設(shè)備1.7075（7071）型數(shù)字電壓表2.四探針測(cè)試儀3.樣品檢測(cè)工作臺(tái)（二）操作步驟1.接通7075或7071數(shù)字電壓表2.測(cè)試電流選擇：根據(jù)樣品電阻率范圍選擇測(cè)量電流檔位：3.校樣用已知電阻率樣塊檢查測(cè)量系統(tǒng)并作好記錄。若測(cè)量數(shù)據(jù)落在樣塊標(biāo)稱數(shù)據(jù)范圍之內(nèi)，則該系統(tǒng)可以投入使用。如有出入，應(yīng)請(qǐng)有關(guān)人員檢查。4.電阻率的測(cè)試5.硅單晶電阻率測(cè)試的規(guī)定第七頁(yè)，共十一頁(yè)，編輯于2023年，星期一四、檢測(cè)環(huán)境及影響因素檢測(cè)環(huán)境：常溫即可影響因素：1、測(cè)試樣品的探針到邊緣及厚度的距離大于三倍針距以上，樣品的幾何尺寸必須近似滿足半無(wú)限大。

2、四探針與試樣應(yīng)有良好的歐姆接觸，針尖比較尖，與樣品接觸點(diǎn)為半球形，四探針應(yīng)處于同一條直線上且間距相等。

3、電流I在測(cè)量期間應(yīng)保持恒定，特別是壓力不夠時(shí)，接觸電阻很大并且不穩(wěn)定，造成測(cè)試電阻率值不斷波動(dòng)。（以不壓壞晶體為前提）。第八頁(yè)，共十一頁(yè)，編輯于2023年，星期一五、檢測(cè)數(shù)據(jù)分析編號(hào)12345平均值電阻率0.650.610.610.630.6編號(hào)678910電阻率0.60.620.620.60.610.615第九頁(yè)，共十一頁(yè)，編輯于2023年，星期一六、檢測(cè)報(bào)告書檢驗(yàn)報(bào)告檢測(cè)項(xiàng)目直拉單晶片電阻率的檢測(cè)規(guī)格型號(hào)直徑：50mm厚度：8.1mm單晶片委托單位及地址樂(lè)山職業(yè)技術(shù)學(xué)院產(chǎn)品等級(jí)優(yōu)等品樂(lè)山市市中區(qū)肖壩路108號(hào)抽樣基數(shù)單晶棒頭中尾各三片生產(chǎn)單位樂(lè)山嘉源有限公司樣品數(shù)量3片抽/送樣日期2013-9-14檢驗(yàn)狀態(tài)符合檢驗(yàn)要求檢驗(yàn)日期2013-9-16檢驗(yàn)類別委托檢驗(yàn)檢驗(yàn)依據(jù)國(guó)標(biāo)GB/T1552-1995檢驗(yàn)結(jié)果平均電阻率為0.615Ω-cm檢驗(yàn)結(jié)論符合合同要求主檢人員：陳莉、何霞質(zhì)檢機(jī)構(gòu)（公章）審核人員：徐航、趙仕海批準(zhǔn)人員：