單一高檔普采工藝操作規(guī)范

PAGEPAGE1單一高檔普采工藝操作規(guī)范1.簡(jiǎn)介本操作規(guī)范適用于單一高檔普采工藝，旨在保證生產(chǎn)過(guò)程中的安全性、穩(wěn)定性和高質(zhì)量的生產(chǎn)效果。本規(guī)范包括了設(shè)備的選擇、生產(chǎn)流程、品質(zhì)控制和安全操作。2.設(shè)備選擇2.1爐子選用3000W高功率爐子或以上的爐子，能夠達(dá)到1000℃的高溫加熱。必須選擇不泄漏、有防護(hù)殼的爐子。2.2器具選擇質(zhì)量好，尺寸準(zhǔn)確，經(jīng)得起高溫試驗(yàn)的SiC舟子或者碳化硅材質(zhì)的器具。2.3其他設(shè)備選擇準(zhǔn)確和可靠的溫度計(jì)，電壓表，電流表等，確保實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性。3.生產(chǎn)流程3.1前期準(zhǔn)備3.1.1安裝好設(shè)備和儀器，檢查所有的電器，固定所有設(shè)備并檢查無(wú)松動(dòng)。3.1.2充水：用純凈水加入到舟子中，高度應(yīng)為SiC舟子的1/3-1/2。3.1.3將SiC舟子通過(guò)石墨蓋封死，確保沒(méi)有外部污染。3.2操作流程3.2.1打開爐門，并將已經(jīng)裝好樣品的SiC舟子放入爐子中心。3.2.2舟子放入爐后，關(guān)上爐門并啟動(dòng)加熱程序。時(shí)間調(diào)至45分鐘（時(shí)間可手動(dòng)調(diào)整，加熱速度應(yīng)控制在1℃/min）。3.2.3控制爐子加熱，讓溫度從室溫升至1000℃，再保持1000℃恒溫20分鐘，是否達(dá)到時(shí)間可通過(guò)電腦監(jiān)控系統(tǒng)查看。3.2.4加熱后，關(guān)掉電爐并打開爐門，用純凈水冷卻舟子，將晶體樣品取出后，在實(shí)驗(yàn)臺(tái)上自然冷卻。3.2.5取出晶體樣品并進(jìn)行質(zhì)量檢查，符合標(biāo)準(zhǔn)后，進(jìn)行后續(xù)處理。4.品質(zhì)控制4.1SiC舟子舟子的質(zhì)量是保證樣品質(zhì)量的關(guān)鍵。必須檢查舟子是否有疵點(diǎn)或者損傷。必須為每個(gè)試驗(yàn)選擇新的SiC舟子。如果出現(xiàn)舟子表面有裂紋或者其他不正?，F(xiàn)象應(yīng)立刻更換。4.2樣品的質(zhì)量在生產(chǎn)前進(jìn)行樣品的選擇、制備，要求樣品的材質(zhì)、大小、厚度均滿足要求，出現(xiàn)質(zhì)量問(wèn)題會(huì)影響晶體的生長(zhǎng)和質(zhì)量。4.3溫度和時(shí)間控制加熱速率控制在1℃/min以下，保持溫度和保持時(shí)間應(yīng)嚴(yán)格控制，可以通過(guò)電腦監(jiān)控系統(tǒng)來(lái)進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)控。5.安全操作5.1爐子操作爐子需要在專業(yè)人員的指導(dǎo)下進(jìn)行操作。在開放和關(guān)閉爐門時(shí)，需要在適當(dāng)?shù)木嚯x遠(yuǎn)離爐子，同時(shí)佩戴好安全眼鏡，手套等防護(hù)設(shè)備。5.2廢氣處理廢氣輸出口應(yīng)連接于防護(hù)裝置，進(jìn)一步處理廢氣。5.3廢液處理使用廢液時(shí)應(yīng)采取必要的保護(hù)措施，廢物應(yīng)統(tǒng)一存儲(chǔ)，然后交給專業(yè)部門處理。6.結(jié)論本規(guī)范涵蓋了SiC單一高檔普采工藝的設(shè)備和器具選擇、生