材料科學(xué)現(xiàn)代分析題

習(xí)題1（1）

1、材料科學(xué)的四個基本要素是指［成分］、［結(jié)構(gòu)］、［加工］和［性能］。

2、材料分析方法分可以分為［形貌分析］、［物相分析］、［成分與價鍵分析］與［分

子結(jié)構(gòu)分析］四大類方法。

3、分子結(jié)構(gòu)分析是利用［電磁波］與［分子鍵］和［原子核］的作用，獲得分子結(jié)構(gòu)信

息。

4、材料分析的理論依據(jù)

除了個別研究手段（如SPM）以外，材料分析基本上是利用入射電磁波或物質(zhì)波

（X射線、電子束、可見光、紅外光）與材料作用，產(chǎn)生攜帶樣品信息的各種

出射電磁波或物質(zhì)波（X射線、電子束、可見光、紅外光），探測這些出射的信

號，進行分析處理，即可獲得材料的組織、結(jié)構(gòu)、成分、價鍵信息。

現(xiàn)代分析測試技術(shù)習(xí)題2

1、電磁波譜的中間部分，包括［紫外線］、［可見光］和［紅外線］,統(tǒng)稱為光學(xué)光

譜。

2、短波部分（高能部分），包括X射線和y射線（以及宇宙射線），此部分可稱［射

線譜］,是能量高的譜域。

3、根據(jù)量子理論，電磁波具有［波粒二象性］。

4、原子中電子受激向［高能級］躍遷或由高能級向［低能級］躍遷均稱為電子躍遷

或能級躍遷。

5、電子由高能級向低能級的躍遷可分為兩種方式：［輻射躍遷］和［無輻射躍遷］。

6、如果加速電壓為10kV,則電子波（運動電子束）波長為［0.01225/0.01子nm

7、名詞解釋

光譜項：用n（主量子數(shù)）、S、L、J、等量子數(shù)表征原子能態(tài)，則原子能級由

符號n%,表示，稱為光譜項。

激發(fā)：

現(xiàn)代分析測試技術(shù)習(xí)題3

1、分子能級由［電子（運動）能級］、［振動能級］和［轉(zhuǎn)動能級］構(gòu)成。

2、絕對零度時固體中電子占據(jù)的最高能級稱為［費米能級］，其能量稱［費米能］

3、絕緣體禁帶的能隙范圍約為［3—6eV］。

現(xiàn)代分析測試技術(shù)習(xí)題4

1、布拉菲通過數(shù)學(xué)方法推算出可能存在的陣胞只有［14］種，歸納為［7］大晶系。

2、畫出立方晶系中的“110”的晶面和晶相

3、確定下圖中晶面的晶面指數(shù)，寫出具體步驟

確定下圖中晶面的晶面指數(shù).

寫出具體步驟。

首先選定坐標(biāo)系，如圖所示。

然后求出待標(biāo)晶面在a,b,

c軸上的截距，分別為3,2,

2。

取倒數(shù)后得到1/3,1/2,

1/2。

再將"化成最簡整數(shù)比，得

到2,3,3三個數(shù)。

于是該面的晶面指數(shù)為（233）。

習(xí)題5

1、輻射（能量）被吸收的程度（一般用吸光度）與v或入的關(guān)系（曲線），即輻射被

吸收程度對v或入的分布稱為［吸收光譜］0

2、輻射的發(fā)射是指物質(zhì)吸收能量后產(chǎn)生［電磁輻射］的現(xiàn)象。發(fā)射的［電磁輻射頻

率］取決于輻射前后兩個能級的能量（Ez與E）［之差］。

3、電磁輻射激發(fā)又稱為［光致發(fā)光］,作為激發(fā)源的輻射光子稱［一次光子］,而

物質(zhì)微粒受激后輻射躍遷發(fā)射的光子稱為［熒光］或［磷光］0

4、按輻射與物質(zhì)相互作用的性質(zhì)，光譜分為［吸收光譜］、［發(fā)射光譜］與［散射光

譜（拉曼散射譜）］。

5、物質(zhì)在光照射下釋放電子（稱光電子）的現(xiàn)象又稱［（外）光電效應(yīng)］。光電子產(chǎn)

額隨入射光子能量的變化關(guān)系稱為物質(zhì)的［光電子能譜］。

6、［紫外、可見光譜］是物質(zhì)在紫外、可見輻射作用下分子外層電子在電子能級

間躍遷而產(chǎn)生的，故又稱為［電子光譜］。

7、激發(fā)態(tài)電子能量衰減方式一般包括［振動弛豫］、［內(nèi)部轉(zhuǎn)變］、［系間竄躍］、

［熒光］和［磷光］。

習(xí)題6

1、光電子發(fā)射過程由光電子的［產(chǎn)生］（入射光子與物質(zhì)相互作用，光致電離產(chǎn)生

光電子）、［輸運］（光電子自產(chǎn)生之處輸運至物質(zhì)表面）和［逸出］3步組成。

2、標(biāo)識KL2L3俄歇電子，其中K表示［俄歇過程初態(tài)空位所在能級］、L?表示［向

空位作無輻射躍遷電子原在能級］、L表示［所發(fā)射電子原在能級］

3、俄歇電子能譜以［俄歇電子強度］（密度（電子數(shù)）N（E）或其微分dN（E）/dE）為

縱坐標(biāo)，以［電子能量（E）］為橫坐標(biāo)，即俄歇能譜是［俄歇電子產(chǎn)額］對其［能量］

的分布。

第三章粒子（束）與材料的相互作用

1、入射電子照射固體時與固體中粒子的相互作用包括：［入射電子的散射］、［入

射電子對固體的激發(fā)］和［受激發(fā)粒子在固體中的傳播］。

2、電子吸收主要指由于電子能量［衰減］而引起的強度（電子數(shù)）［衰減］。電子被

吸收時所達到的深度稱為［最大穿入深度（R）］o

3、依據(jù)二次電子建立的分析方法是［掃描電子顯微鏡］;依據(jù)透射電子、彈性散射

電子建立的分析方法［透射電鏡］;依據(jù)俄歇電子建立的分析方法是［俄歇電子能

譜］

4、電子與固體作用產(chǎn)生的信號中，哪些對應(yīng)入射電子？哪些是由電子激發(fā)產(chǎn)生

的？

5、［動量］和［能量轉(zhuǎn)移］是離子與固體相互作用的重要特征。

6、當(dāng)表面原子獲得足夠的［動量］和［能量］背離表面運動時，就引起表面粒子（原

子、離子、原子團等）的［發(fā)射］,這種現(xiàn)象稱為濺射

第四章材料現(xiàn)代分析方法概述

1、X射線衍射儀的Cu靶K。波長是［1.54］Ao

2、獲得x射線必須具備的基本條件：ABD

A、產(chǎn)生自由電子

B、使電子作定向高速運動

C、讓電子一直高速運動

D、突然止住電子

3、x射線管中，陰極的作用是［發(fā)射電子］;陽極的作用是使［電子突然減速］和

［發(fā)射X射線］,陽極需要［循環(huán)水冷卻］,防止靶熔化。

4、［衍射方向］和［衍射強度］是據(jù)以實現(xiàn)材料結(jié)構(gòu)分析等工作的兩個基本特征。

5、K層電子被擊出，L?層電子跳入K層空位，多余能量傳遞L3層電子。B

A、KL3L3

B、KL2L3

c、KL,L2

D、K"

第二篇衍射分析

1、物相分析的理論基礎(chǔ)是(C)

A、散射理論

B、干涉理論

C、衍射理論

D、折射理論

2、X射線衍射儀中，X射線照射過程中，記錄裝置與樣品臺以［2:1］的角速度同

步轉(zhuǎn)動，以保證記錄裝置始終處于接收反射線的位置上。

3、衍射產(chǎn)生的必要條件是(AC)

A、“選擇反射”

B、衍射

C、反射定律+布拉格方程

D、干涉

4、布拉格方程中，n稱［反射級數(shù)］,d為［晶面間距］,0稱為［布拉格角］

5、德拜相機結(jié)構(gòu)簡單，主要由［圓筒］、［光欄］、［承光管］和位于圓筒中心的［試

樣架］構(gòu)成。

6、光欄的作用是限制照射到樣品光束的［大?。莺停郯l(fā)散度］o

7、承光管有兩個作用，其一可以檢查X射線對樣品的［照準(zhǔn)］情況，其二可以將

透過試樣后入射線在管內(nèi)產(chǎn)生的［衍射］和［散射］吸收，避免這些射線混入樣品的

衍射花樣，給分析帶來困難。

8、X射線衍射儀的主要組成部分有［X射線衍射發(fā)生裝置］、［測角儀］、［輻射探

測器］和［測量系統(tǒng)］。

9、若希望提高分辨率則應(yīng)選擇［?。莸莫M縫寬度。

10、掃描速度是指探測器在測角儀圓周上均勻轉(zhuǎn)動的［角速度］。掃描速度對衍射

結(jié)果的影響與時間常數(shù)類似，掃描速度越［快］,衍射線強度下降。

11、單晶體X射線衍射分析的基本方法為［勞埃法］與［周轉(zhuǎn)晶體法］。

第二篇習(xí)題主觀題

用CuKcqX射線(A=0.15405nm)解：

作為入射光時，某種氧化鋁的樣根據(jù)布拉格方程：

品的XRD圖譜如下，譜線上標(biāo)注的

2dsin9=nX,

是2。的角度值，通過計算、譜圖

和PDF卡片判斷該氧化鋁的類型。d=k/(2sin6)

(圖上標(biāo)注的2。值從左到右依次三強峰的2。值為：43.239,

為：25.467,35.037.37.672.

43.239,52.436,57.392,62.131,57.392,35.037

66.401,68.11,76.79,80.602,

95.162)通過計算得:d］=0.2090nm,

d,=0.1604nm,

d3=0.2588nin,

與卡片10-0173(X-AIQ3符

合，進一步比對其他衍射峰

的結(jié)果可以確定是a-A12()3。

第三篇電子顯微分析

1、透射電子顯微鏡是以波長很短的［電子束］做照明源，用［電磁透鏡］聚焦成像

的一種具有［高分辨本領(lǐng)］、［高放大倍數(shù)］的電子光學(xué)儀器。

2、200kV加速電壓下電子束的波長為(A)nm。

A、0.00251

B、0.0251

C、0.251

3、1、［陰極］、［陽極］和［控制極］決定著電子發(fā)射的數(shù)目及其動能，習(xí)慣通稱為

“電子槍”。

電子槍的重要性僅次于［物鏡］,它決定［像的亮度］、［圖像穩(wěn)定度］和［穿透樣品

的能力］。

4、聚光鏡多為磁透鏡，調(diào)節(jié)其電流可以［控制照明亮度］、［照明孔徑角］和［束

斑大?。荨?/p>

5、透射電鏡的成像系統(tǒng)由［物鏡］、［中間鏡］和［投影鏡］與［樣品室］構(gòu)成，作用

是［安置樣品］、［放大成像］。

6、［分辨率］是TEM的最主要性能指標(biāo)，一般包括［點分辨率］和［線分辨率］。

7、人眼分辨本領(lǐng)約［0.2］mm,OM約［眼2］um。OM的有效放大倍數(shù)是［1000］倍。

8、普通TEM的的加速電壓一般為［100］kV和［200］kV。

9、常用的支持膜材料包括(ABCD)。

A、火棉膠

B、碳

C、氧化鋁

D、聚乙酸甲基乙烯酯

10、支持膜上的粉末試樣要求［高度分散］,分散方法一般包括［懸浮法］和［散布

法］。

11、在TEM樣品制備中，塊狀材料采用［晶體薄膜法］。

12、復(fù)型法是用對電子束透明的［薄膜］把材料表面或斷口的形貌［復(fù)制］下來的一

種［間接］樣品制備方法。

第十章掃描電子顯微鏡

1、目前掃描電子顯微鏡的分辨率達到了(B)nm左右。

A、20

B、2

C、0.2

D、200

2、掃描隧道顯微鏡依靠所謂的［隧道效應(yīng)］工作。

3、掃描電子顯微鏡是將［電子槍］發(fā)射出來的電子聚焦成很細的電子束，用此電

子束在樣品表面進行逐行掃描，電子束激發(fā)樣品表面發(fā)射［二次電子］，［二次電

子］被收集并轉(zhuǎn)換成電信號，在熒光屏上同步掃描成像。

4、數(shù)值孔徑(NA)是物鏡前［透鏡］與被檢物體之間介質(zhì)的［折射率］和［半孔徑角］

的正弦之乘積。

5、分辨本領(lǐng)是由物鏡的NA值與照明光源的波長兩個因素決定，［NA值］越大，

照明光線［波長］越短，［分辨率］就越高。

6、現(xiàn)代先進的描電鏡的分辨率已經(jīng)達到［1］納米左右，且有較高的放大倍數(shù)，在

［20-20萬倍］之間連續(xù)可調(diào)。

7、掃描電鏡的工作原理可以簡單地歸納為［光柵掃描,逐點成像］o

8、SEM中三種主要信號是指［背散射電子］、［二次電子］、［X射線］。

9、SEM的電子光學(xué)系統(tǒng)是由［電子槍］、［電磁透鏡］、［掃描線圈］、［樣品室］等

組成。

10、背散射電子既可以用來顯示［形貌襯度］,也可以用來顯示［成分襯度］。樣品

中重元素區(qū)域在圖像上是［亮區(qū)］,而輕元素在圖像上是［暗區(qū)］。利用［原子序數(shù)］

造成的襯度變化可以對各種合金進行定性分析。

11、二次電子像的分辨率約為［5T0］nm,背反射電子像的分辨率約為［50-200］nm。

12、掃描電鏡的最大優(yōu)點是樣品制備方法簡單，對于非導(dǎo)電樣品在觀察前要噴鍍

［導(dǎo)電層］進行處理，通常采用二次電子發(fā)射系數(shù)較高的［金銀］或［碳膜］做導(dǎo)電層,

膜厚控制在［20］nm左右。

13、掃描隧道顯微鏡的基本工作原理是利用［探針］與［樣品］在近距離（VO.1納米）

時，由于二者存在［電位差］而產(chǎn)生隧道電流，隧道電流對［距離］非常敏感;如果

把距離減?。?.1］nm,電流將增加一個［數(shù)量級］。

14、STM的另一個重要器件是［壓電陶瓷］。當(dāng)在［壓電陶瓷］對稱的兩個端面加上

電壓時，它會按特定的方向伸長或縮短。而伸長或縮短的尺寸與所加的電壓的大

小呈線形關(guān)系。也就是說，可以通過改變［電壓］來控制［壓電陶瓷］的微小伸縮。

15、每一種元素的原子及離子激發(fā)以后，都能輻射出一組表征該元素的［特征光

譜線］。譜線的產(chǎn)生是由于電子叢［高能級］向［低能級］躍遷的結(jié)果。其中有一條

或數(shù)條輻射的強度最強，最容易被檢出，所以也常稱做［最靈敏線］。一般根據(jù)元

素［靈敏線］的出現(xiàn)與否就可以確定樣品中是否有這些元素存在，這就是光譜定性

分析的基本原理。

16、譜線強度與激發(fā)電位成［負指數(shù)］關(guān)系，所以激發(fā)電位越高，譜線強度就［越

?。?。

17、躍遷幾率是指電子在某兩個能級之間［每秒躍遷的可能性的大?。?躍遷幾率

是與激發(fā)態(tài)壽命成［反比］的，即原子處于激發(fā)態(tài)的時間越長，躍遷幾率就［越?。?

產(chǎn)生的譜線強度就［弱］,

18、光譜分析儀器主要由［光源］、［光譜儀］及［檢測器］所組成

19、進行分析時所使用的譜線稱為［分析線］。當(dāng)樣品中某元素的含量逐漸減少時,

最后仍能觀察到的幾條譜線，稱為［最后線］,它也是該元素的［最靈敏線］。

第四篇光譜、電子能譜分析

1、分子的紫外-可見吸收光譜呈帶狀光譜，其原因是(D)

A、分子中價電子運動的離域性質(zhì)；

B、分子振動能級的躍遷伴隨著轉(zhuǎn)動能級的躍遷；

C、分子中價電子能級的相互作用；

D、分子電子能級的躍遷伴隨著振動、轉(zhuǎn)動能級的躍遷

2、紫外-可見光光度計法合適的檢測波長范圍是(B)nm

A、400-800

B、200-800

C、200-400

D、10-1000

3、符合朗伯-比耳定律的有色溶液稀釋時，摩爾吸光系數(shù)的數(shù)值(C)。

A、增大

B、減小

C、不變

D、無法確定變化值

4、紫外吸收光譜研究的是分子的［電子］能級躍遷，它還包括了［振動］和［轉(zhuǎn)動］

能級躍遷。

5、紫外-可見光光譜中［吸光度最大處］所對應(yīng)的波長稱最大吸收波長。

6、測量某種物質(zhì)對不同波長［單色光］的吸收程度，以［波長］為橫坐標(biāo)，［吸光度］

為縱坐標(biāo)作圖，可得到一條曲線，稱為吸收光譜曲線或光吸收曲線。

7、主觀題

0.176mg三價鐵離子，用硫氟酸鹽顯色后，在容量瓶中用水稀釋到100mL,用

1cm比色皿在波長480nm處測得T=0.182,求摩爾吸光系數(shù)。

解：

c=(0.176X10-3)/(56*0.1)

=3.14XlO-hnolL-1

A=-lgT=-lgO.182=0.74

e=A/bc

=2.35X104LmoBcm1

8、下面哪一種電子能級躍遷需要的能量最高？(A)

A、Of。*

B、nf。*

C、BfJl*

D>B—o*

9、區(qū)別n-n*和無一d躍遷類型，可以用吸收峰的(C)。

A、最大波長；

B、形狀；

C、摩爾吸光系數(shù)

D、面積

一化合?物溶解在己烷中，共壯;305run.而在乙醇中時,

Q307nm.弓|起該吸收的電子跳遼類型足()

回答正確

你的答案：C

正確答案：C

11、某化合物的一個吸收帶在正己烷中測得人則=327nm;在水中測得Xma=

305nm,請指出該吸收是由下述哪一種躍遷類型所引起的？A

A、nf冗*

B、nf。*

C、JifIT*

D、o—o*

第十二章分子吸收光譜

1、當(dāng)生色基團共胡時，吸收峰發(fā)生［紅移］,且隨著多烯分子中共平面的共胡雙

鍵數(shù)目的增多，吸收光譜的入max逐步移向［長波方向］,inax值也逐漸［增

大］。

2、苯的三個吸收帶波長大小順序為B>E2>E”而emax大小順序為

3、在紫外-可見光吸收光譜中，助色團對譜帶的影響是使譜帶(B)。

A、波長變短

B、波長變長

C、波長不變

D、譜帶藍移

4、下列基團不屬于紫外-可見光光譜中助色團的是(C)

A、-0H

B、-NH2

C、>C=02

D、-Cl

5、下列基團中，“助色”效應(yīng)最強的是(D)。

A、-F

B、-CH3

C、-OH

D、-NH2

6、某些無機鹽陰離子由于可以發(fā)生(B)躍遷而有紫外光譜吸收峰。

A、o->o*

B、nf兀*

C、冗一Ji*

D、nf。*

7、d-d躍遷所需的能量較少，因而配位體場吸收譜帶常發(fā)生在(C)。

A、紫外區(qū)

B、近紅外區(qū)

C、可見光區(qū)

D、真空紫外區(qū)

8、下列哪個化合物不適合作為紫外吸收光譜的溶劑？(D)

A、環(huán)己烷

B、甲醇

C、乙晴

D、甲苯

9、某化合物在220-400nm范圍內(nèi)沒有紫外吸收，該化合物可能屬于以下化合

物中的哪一類(D)o

A、芳香化合物

B、含共胡雙鍵化合物

C、醛類

D、正己烷

10、紅外光可引起物質(zhì)的能級躍遷是(C)。

A、分子的電子能級的躍遷，振動能級的躍遷，轉(zhuǎn)動能級的躍遷

B、分子內(nèi)層電子能級的躍遷

C、分子振動能級及轉(zhuǎn)動能級的躍遷

D、分子轉(zhuǎn)動能級的躍遷

11、C-H的k=5,求C-H的伸縮振動頻率?|

v=J303

=13035*172+1廣3。28"

12、H?0在紅外光譜中出現(xiàn)的吸收峰數(shù)目為(A)。

A、3

B、4

C、5

D、2

13、在下列分子中，不能產(chǎn)生紅外吸收的是(D)。

A、C0

B、H20

C、SO2

D、H2

13、同核雙原子分子心心CI-CKH-H等無紅外活性。A

A、正確

B、錯誤

14、紅外光譜圖中，不同化合物中相同基因的特征頻率峰總是在特定波長范圍內(nèi)

出現(xiàn)，故可以根據(jù)紅外光譜圖中的特征頻率峰來確定化合物中該基團的存在。A

A、正確

B、錯誤

15、在紅外光譜中，C=0的伸縮振動吸收峰出現(xiàn)的波數(shù)(cm-)范圍(A)

A、1900-1600

B、2400-2100

C、1600-1500

D、1000-650

16、表示紅外光譜法通常是(C)。

A、HPLC

B、GC

C、IR

D、TLC

下圖是只含碳、氫、制的有機化介物的紅外光譜，根據(jù)此

0含?；?/p>

0爵

?烷姓B

第二節(jié)分子熒光光譜法

1、在醇類化合物中，O-H伸縮振動頻率隨溶液濃度增加而向低波數(shù)移動，原因

是(B)。

A、溶液極性變大

B、分子間氫鍵增強

C、誘導(dǎo)效應(yīng)變大

D、易產(chǎn)生振動耦合

2、芳香酮類化合物C=0伸縮振動頻率向低波數(shù)位移的原因為(A)。

A、共枕效應(yīng)

B、氫鍵效應(yīng)

C、誘導(dǎo)效應(yīng)

D、空間效應(yīng)

3、酰胺類化合物C=0振動頻率多出現(xiàn)在1680T650cm—范圍內(nèi)，比醛酮C=O伸

縮振動頻率低的原因為(B)。

A、共扼效應(yīng)和形成分子間氫鍵

B、中介效應(yīng)和形成分子間氫鍵

C、誘導(dǎo)效應(yīng)和形成分子內(nèi)氫鍵

D、中介效應(yīng)和形成分子內(nèi)氫鍵

4、紅外光譜是(A)。

A、吸收光譜

B、發(fā)射光譜

C、電子光譜

D、線光譜

5、Fermi共振是一個基頻振動與倍頻(泛頻)或組頻之間產(chǎn)生耦合作用。A

A、正確

B、錯誤

6、在CO?的四種振動自由度中，屬于紅外非活性振動的是(B)。

A、不對稱伸縮振動

B、對稱伸縮振動

C、面內(nèi)變形振動

D、面外變形振動

7、譜帶強度可以分為［強吸收］、［中等吸收］、［弱和可變］三種類型。譜帶強度

的表示方法包括［透光度法］和［吸光度法］o

8、醛、酮、酸酸等的粉基的伸縮振動在紅外光譜中的吸收峰頻率相同。B

A、正確

B、錯誤

9、某化合物，其紅外光譜上3000-2800cm:1450cm\1375cml和720cmi等處

有主要吸收帶，該化合物可能是(A)。

A、烷燒

B、烯妙

C、煥燒

D、芳一

10、酯類化合物的兩個特征譜帶是(A)。

A、1760T700cmT和1300T000cmT

B、1760-1700cm1和900-650cm1

C、3300-2500cm’和1760T700cmT

D、3000-2700cmT和1760-1700cm'

11、確定烯烽類型的兩個特征譜帶是(B)。

A、1680T630cmi和1300T000cm?

B、1680T630cm'和1000-700cm'

C、2300-2100cm'和lOOO-TOOcm1

D、3000-2700cm’和1680T630cmT

12、在紅外光譜中，固體樣品一般采用的制樣方法是(B)。

A、直接研磨壓片測定

B、與KBr混合研磨壓片測定

C、配成有機液測定

D、配成水溶液測定

第十三章熱分析

1、熱分析是在［程序控制溫度］下，測量物質(zhì)的［物理性質(zhì)］與［溫度］關(guān)系的類技

術(shù)。目前應(yīng)用的最為廣泛熱分析技術(shù)為［熱重法］、［差熱分析］和［差示掃描量熱

法］。

2、熱天平可分為［下皿式］，［上皿式］與［水平式］三種。

3、影響TG曲線的重要因素包括［儀器因素］和［試樣因素］。

4、升溫速率越大，所產(chǎn)生的［熱滯后］現(xiàn)象越嚴重，往往導(dǎo)致熱重曲線上的起始

溫度Ti和終止溫度Tf［偏高］

5、粒度越小，［反應(yīng)速率］越快，使TG曲線上的Ti和Tf溫度［降低］,反應(yīng)區(qū)

間［變窄］。粒度減小不僅使熱分解溫度［下降］,而且也使分解反應(yīng)進行的很［完

全］。

差熱分析法（DTA）

1、差熱分析是在［程序控制溫度］下