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VG=VP(夾斷電壓VG>VP， 由-VG產(chǎn)生從SfiD的縱向電場(chǎng)分量EA；由VD產(chǎn)生從DfiS的電場(chǎng)EB電子從SfiD

=ID=

)=I0exp( +V*/m*

III

*Vp-j0 =

h*

V*本征漏壓（V、V幾何結(jié)構(gòu)綜合作用)DDG雜濃度f(wàn)l），為有電力線從源區(qū)fi柵區(qū)，縱向電場(chǎng)分量EA?（SfiD）fi勢(shì)壘高度?，對(duì)VD?若VD?fi勢(shì)壘fl（并移向源區(qū)） ID? EA?fi勢(shì)壘ID結(jié)果，使ID?變緩慢（偏離小電流時(shí)的指數(shù)關(guān)系），I-+i+lni=u VG?fi 如JFET、SIT等，當(dāng)結(jié)構(gòu)參數(shù)和偏置條件改變時(shí)， 若兩柵區(qū)間距很小、摻雜濃度很低，-V很高， 相反，則不易出現(xiàn)整個(gè)溝道的夾斷，而可能因在。n<<NDI-V特性呈指數(shù)關(guān)系。 一、類(lèi)(真空）三極管特性

1當(dāng)G-S極間加IB（即G極對(duì)地加正電壓，相當(dāng)于發(fā)射 V V當(dāng)VG<<VT(負(fù)柵壓）時(shí)，形成（N），fi

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