GB/T 42706.5-2023電子元器件半導體器件長期貯存第5部分：芯片和晶圓

ICS31080

CCSL.40

中華人民共和國國家標準

GB/T427065—2023/IEC62435-52017

.:

電子元器件半導體器件長期貯存

第5部分芯片和晶圓

:

Electroniccomponents—Long-termstorageofelectronicsemiconductordevices—

Part5Dieandwaferdevices

:

IEC62435-52017IDT

(:,)

2023-05-23發(fā)布2023-09-01實施

國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布

國家標準化管理委員會

GB/T427065—2023/IEC62435-52017

.:

目次

前言

…………………………Ⅲ

引言

…………………………Ⅳ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術語定義和縮略語

3、………………………1

術語和定義

3.1…………………………1

縮略語

3.2………………1

貯存要求

4…………………2

通則

4.1…………………2

裝配數(shù)據(jù)

4.2……………2

貯存的必備條件

4.3……………………2

長期貯存過程中芯片產(chǎn)品的損壞

4.4…………………2

貯存中的機械防護

4.5…………………2

長期貯存環(huán)境

4.6………………………3

推薦的惰性氣體純度

4.7………………3

化學污染

4.8……………3

真空包裝

4.9……………3

正壓包裝

4.10……………4

犧牲性包裝材料的使用

4.11……………4

可降解材料的使用

4.12…………………4

等離子清洗

4.13…………………………4

靜電影響

4.14……………4

輻照防護

4.15……………4

貯存芯片產(chǎn)品的周期性檢驗

4.16………………………5

長期貯存失效機理

5………………………5

長期貯存的注意事項方法驗證和限制

6、、………………5

通則

6.1…………………5

晶圓

6.2…………………5

芯片

6.3…………………6

芯片和晶圓特有的失效機理

7……………7

引線鍵合強度

7.1………………………7

污漬

7.2…………………7

表層剝落

7.3……………7

Ⅰ

GB/T427065—2023/IEC62435-52017

.:

具體操作中遇到的問題

8…………………8

薄膜框上的芯片

8.1……………………8

芯片盒或穿孔帶貯存

8.2………………8

操作損傷

8.3……………8

附錄資料性審查檢查表

A()……………9

參考文獻

……………………11

Ⅱ

GB/T427065—2023/IEC62435-52017

.:

前言

本文件按照標準化工作導則第部分標準化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件是電子元器件半導體器件長期貯存的第部分已經(jīng)發(fā)布

GB/T42706《》5。GB/T42706

了以下部分

:

第部分總則

———1:;

第部分退化機理

———2:;

第部分芯片和晶圓

———5:。

本文件等同采用電子元器件半導體器件長期貯存第部分芯片和晶圓

IEC62435-5:2017《5:》。

本文件做了下列最小限度的編輯性改動

:

中刪除了縮略語

a)3.2RH。

表和表腳注中根據(jù)原文理解更正為

b)12c“IEC60749-20-1”“IEC60749-21”。

刪除了表中的注

c)2“2”。

請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機構(gòu)不承擔識別專利的責任

。。

本文件由中華人民共和國工業(yè)和信息化部提出

。

本文件由全國半導體器件標準化技術委員會歸口

(SAC/TC78)。

本文件起草單位中國電子科技集團公司第十三研究所河北北芯半導體科技有限公司安徽安芯

:、、

電子科技股份有限公司河北中電科航檢測技術服務有限公司北京賽迪君信電子產(chǎn)品檢測實驗室有限

、、

公司深圳市標準技術研究院綿陽邁可微檢測技術有限公司武漢格物芯科技有限公司山東省中智科

、、、、

標準化研究院有限公司廣東偉照業(yè)光電節(jié)能有限公司

、。

本文件主要起草人閆萌彭浩晉李華汪良恩石東升張鑫劉瑋魏兵趙鵬楊洋徐昕麥日容

:、、、、、、、、、、、、

高瑞鑫米村艷何黎于洋董鴻亮

、、、、。

Ⅲ

GB/T427065—2023/IEC62435-52017

.:

引言

本文件描述了一種長期貯存實施方法長期貯存是指電子元器件預計貯存時間超過個月的

。12

貯存

。

近年來電子元器件尤其是集成電路的淘汰越來越嚴重隨著科技的發(fā)展與用于航空鐵路或能

,,。,、

源領域的工業(yè)設備相比元器件的生命周期非常短因此對元器件進行系統(tǒng)的貯存是解決淘汰問題的

,。,

主要方法

。

長期貯存需要很好地執(zhí)行貯存程序尤其是貯存環(huán)境建議依據(jù)最新工藝水平執(zhí)行所有的運輸維

,。、

護貯存和測試操作

、。

本文件提出了一種最大程度上延緩淘汰的方法但并不能保證貯存結(jié)束后的元器件處于完美的工

,

作狀態(tài)

。

由于一些系統(tǒng)的使用時間很長有的情況下長達年或更久因此如何進行維修和獲得備件成為

,40,

了用戶和維修機構(gòu)需要解決的問題例如維修這些系統(tǒng)所需的一些元器件在系統(tǒng)的生命周期內(nèi)不能

。,

從原始供應商處獲得又或者用于裝配的備件在生產(chǎn)初期就生產(chǎn)出來但需要進行長期貯存本文件的

,,。

目的就是為元器件的長期貯存提供指導

。

電子元器件半導體器件長期貯存旨在確保元器件長期貯存后在使用中有足夠的

GB/T42706《》,

可靠性鼓勵用戶要求供貨商提供相關產(chǎn)品的技術參數(shù)以論證出滿足用戶需求的貯存過程這些標

。,。

準旨在為需要長期貯存的電子元器件提供相關指導

。

電子元器件半導體器件長期貯存共分為個部分第部分第部分適用于

GB/T42706《》9。1~4

所有長期貯存并包含了總體要求和指導第部分第部分適用于幾種特定產(chǎn)品類型的貯存在

,。5~9。

滿足第部分第部分的總體要求的同時還要滿足特定產(chǎn)品類型的要求

1~4,。

從第部分開始涉及需要不同貯存條件的電子元器件

5。

電子元器件半導體器件長期貯存與系列標準相對應擬分為以下

GB/T42706《》IEC62435,

部分

:

第部分總則目的在于規(guī)定長期貯存的相關術語定義和原理提供有效進行元器件長期

———1:。、,

貯存的理念良好工作習慣和一般方法

、。

第部分退化機理目的在于規(guī)定電子元器件在實際貯存條件下隨時間推移的退化機理和

———2:。

退化方式以及評估一般退化機理的試驗方法指南

,。

第部分數(shù)據(jù)目的在于規(guī)定電子元器件長期貯存過程中數(shù)據(jù)存儲的各方面要求保持可追

———3:。,

溯性或數(shù)據(jù)鏈完整性

。

第部分貯存目的在于規(guī)定電子元器件長期貯存方法以及相關的推薦條件包括運輸控

———4:。,,、

制以及貯存設施安全

。

第部分芯片和晶圓目的在于規(guī)定單個芯片部分晶圓或整個晶圓以及帶金屬結(jié)構(gòu)引入

———5:。、,(

金屬層植球植柱等芯片的貯存條件和規(guī)則同時為含有芯片或晶圓的通用和專用封裝產(chǎn)品

、),

提供操作指導

。

第部分封裝或涂覆元器件目的在于規(guī)定封裝或涂覆元器件長期貯存方法和推薦條件包

———6:。,

括運輸控制以及貯存設施安全

、。

第部分目的在于規(guī)定長期貯存時需要注意的事項及基本要求

———7:MEMS。MEMS。

Ⅳ

GB/T427065—2023/IEC62435-52017

.:

第部分無源電子器件目的在于規(guī)定無源電子器件產(chǎn)品長期貯存時需要注意的事項及基

———8:。

本要求

。

第部分特殊情況目的在于規(guī)定特殊器件的貯存方法包括所有類型的硅器件和半導體

———9:。,

器件

。

Ⅴ

GB/T427065—2023/IEC62435-52017

.:

電子元器件半導體器件長期貯存

第5部分芯片和晶圓

:

1范圍

本文件規(guī)定了單個芯片部分晶圓或整個晶圓以及帶金屬結(jié)構(gòu)引入金屬層植球植柱等芯片的

、,(、)

貯存條件和規(guī)則同時為含有芯片或晶圓的通用和專用封裝產(chǎn)品提供了操作指導

,。

本文件適用于預計貯存時間超過個月的芯片和晶圓的長期貯存

12。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文