會切場約束ICP增強(qiáng)非平衡磁控濺射放電及應(yīng)用研究的開題報(bào)告

會切場約束ICP增強(qiáng)非平衡磁控濺射放電及應(yīng)用研究的開題報(bào)告開題報(bào)告題目：會切場約束ICP增強(qiáng)非平衡磁控濺射放電及應(yīng)用研究一、研究背景隨著微電子、信息技術(shù)領(lǐng)域的飛速發(fā)展，對高性能、高精度材料的需求日益增加，其中高品質(zhì)金屬膜是制造半導(dǎo)體器件、光電器件的基礎(chǔ)材料，而非平衡磁控濺射技術(shù)作為一種革命性的薄膜制備方法，具有無污染、簡單易懂、適用于多種材料等優(yōu)點(diǎn)，在微電子、光電、化學(xué)、生物和醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。雖然目前的濺射技術(shù)已經(jīng)很成熟，但在一些高靈敏度光電器件制備過程中，常常需要高精度薄膜，而一般濺射技術(shù)制備的膜層表面平整度較差，影響器件的光電性能。為此，研究如何改善濺射技術(shù)制備的膜層質(zhì)量已成為當(dāng)前磁控濺射技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)的關(guān)鍵問題之一。二、研究目的本課題的研究目的是通過會切場約束的形式，探究一種新型非平衡ICP(inductivelycoupledplasma)增強(qiáng)磁控濺射技術(shù)，以提高薄膜的平整度和成膜速率。具體研究內(nèi)容如下：1、分析探究ICP等離子體和磁控濺射過程的特點(diǎn)和原理。2、實(shí)現(xiàn)會切場的約束作用，改善等離子體氣氛，進(jìn)而提高薄膜的成膜速率和平整度。3、根據(jù)實(shí)驗(yàn)結(jié)果，研究優(yōu)化這種新型非平衡ICP增強(qiáng)磁控濺射技術(shù)，探索其在金屬膜等方面的應(yīng)用價(jià)值。三、主要研究內(nèi)容1、ICP等離子體和磁控濺射的特點(diǎn)和原理-ICP等離子體技術(shù)的原理和特點(diǎn)-磁控濺射技術(shù)的原理和特點(diǎn)-ICP增強(qiáng)磁控濺射的特點(diǎn)和優(yōu)勢分析2、會切場的約束作用和膜層表面改善-會切場構(gòu)成和作用機(jī)理分析-會切場的約束作用如何改善等離子體氣氛-會切場的約束作用如何提高薄膜的平整度和成膜速率3、非平衡ICP增強(qiáng)磁控濺射技術(shù)的應(yīng)用價(jià)值分析-對比分析新型非平衡ICP增強(qiáng)磁控濺射技術(shù)與傳統(tǒng)技術(shù)-研究應(yīng)用價(jià)值，探索優(yōu)化新型非平衡ICP增強(qiáng)磁控濺射技術(shù)的技術(shù)路線四、研究意義通過研究新型非平衡ICP增強(qiáng)磁控濺射技術(shù)，探索會切場約束技術(shù)對制備高精度金屬膜層的改善效果，將對制造半導(dǎo)體、光電器件等高精度器件的研究和開發(fā)具有重要意義。同時，優(yōu)化改進(jìn)后的技術(shù)可進(jìn)一步提高該技術(shù)在各個領(lǐng)域的應(yīng)用效率和成本效益。五、研究方法在磁控濺射裝置中加入會切場，探索會切場在ICP增強(qiáng)非平衡磁控濺射中的作用機(jī)理。1、實(shí)驗(yàn)條件使用金屬膜濺射工藝設(shè)備，選擇銅、鋁等金屬樣品作為實(shí)驗(yàn)材料進(jìn)行濺射，探究地襯材料、高電壓、輝光放電參數(shù)等對薄膜性能的影響。2、實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)和步驟2.1設(shè)計(jì)會切場布置方案，對其進(jìn)行模擬和優(yōu)化2.2制備基底材料和薄膜樣品2.3裝置實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)，采集薄膜制備過程中濺射功率、離子能量、氣體壓力等參數(shù)信息2.4對實(shí)驗(yàn)結(jié)果進(jìn)行分析及評估，設(shè)計(jì)并優(yōu)化金屬膜制備過程參數(shù)2.5對金屬膜的性能進(jìn)行測試，檢測膜層厚度、表面形貌、耐腐蝕性能、機(jī)械性能等六、預(yù)期效果通過對新型非平衡ICP增強(qiáng)磁控濺射技術(shù)的實(shí)驗(yàn)研究，預(yù)計(jì)能夠得出以下結(jié)論：1、會切場的約束作用能夠改善等離子體氣氛和提高薄膜的平整度和成膜速率。2、新型非平衡ICP增強(qiáng)磁控濺射技術(shù)相對于傳