高二物理競賽課件MOSFET基本共源極放大電路

MOSFET基本共源極放大電路MOSFET基本共源極放大電路基本共源極放大電路的組成基本共源放大電路的工作原理放大電路的習(xí)慣畫法和主要分析法基本共源極放大電路的組成1.如何讓MOS管工作在飽和區(qū)？元件作用VGG：提供柵源電壓使vGS>

VTNVDD和Rd：

提供合適的漏源電壓，使

vDS>

vGS

-

VTNRd還兼有將電流轉(zhuǎn)換成電壓的作用（VGG

>>vi）通常稱VGG和VDD為三極管的工作電源，vi為信號。P溝道MOSFET#

襯底是什么類型的半導(dǎo)體材料？#

哪個符號是增強(qiáng)型的？#

在增強(qiáng)型的P溝道MOSFET中，vGS應(yīng)加什么極性的電壓才能工作在飽和區(qū)（線性放大區(qū)）？P溝道MOSFET#

是增強(qiáng)型還是耗盡型特性曲線？#

耗盡型特性曲線是怎樣的？vGS加什么極性的電壓能使管子工作在飽和區(qū)（線性放大區(qū)）？電流均以流入漏極的方向?yàn)檎系篱L度調(diào)制等幾種效應(yīng)實(shí)際上飽和區(qū)的曲線并不是平坦的（N溝道為例）（調(diào)制參數(shù)）L的單位為m當(dāng)不考慮溝道調(diào)制效應(yīng)時，＝0，曲線是平坦的。

修正后VA稱為厄雷（Early）電壓1.溝道長度調(diào)制效應(yīng)溝道長度調(diào)制等幾種效應(yīng)

襯底未與源極并接時，襯底與源極間的偏壓vBS將影響實(shí)際的開啟（夾斷）電壓和轉(zhuǎn)移特性。2.襯底調(diào)制效應(yīng)（體效應(yīng)）3.溫度效應(yīng)4.擊穿效應(yīng)4.1.5MOSFET的主要參數(shù)（N溝道增強(qiáng)和耗盡介紹）一、直流參數(shù)1.開啟電壓VT

（增強(qiáng)型參數(shù)）2.夾斷電壓VP

（耗盡型參數(shù)）柵源電壓小于開啟電壓的絕對值,場效應(yīng)管不能導(dǎo)通。當(dāng)VGS=VP時,漏極電流為零。4.1.5MOSFET的主要參數(shù)一、直流參數(shù)3.飽和漏電流IDSS

（耗盡型參數(shù)）4.直流輸入電阻RGS

（109Ω～1015Ω

）耗盡型場效應(yīng)三極管,當(dāng)VGS=0時所對應(yīng)的漏極電流。結(jié)型場效應(yīng)三極管，反偏時RGS約大于107Ω；絕緣柵型場效應(yīng)三極管,RGS約是109～1015Ω。4.1.5MOSFET的主要參數(shù)所以1.輸出電阻rds

當(dāng)不考慮溝道調(diào)制效應(yīng)時，＝0，rds→∞

實(shí)際中，rds一般在幾十千歐到幾百千歐之間。二、交流參數(shù)對于增強(qiáng)型NMOS管有4.1.5MOSFET的主要參數(shù)2.低頻互導(dǎo)gm

二、交流參數(shù)則其中又因?yàn)樗訬MOS增強(qiáng)型4.1.5MOSFET的主要參數(shù)三、極限參數(shù)1.最大漏極電流IDM

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