高二物理競賽課件PN結(jié)的電容效應(yīng)

PN結(jié)的電容效應(yīng)

當(dāng)外加反向電壓發(fā)生變化時，耗盡層的寬度要相應(yīng)地隨之改變，即PN結(jié)中存儲的電荷量要隨之變化，就像電容充放電一樣。PN結(jié)的電容效應(yīng)

(1)勢壘電容CB當(dāng)外加正向電壓不同時，PN結(jié)兩側(cè)堆積的少子(稱非平衡少數(shù)載流子)的數(shù)量及濃度梯度也不同，這就相當(dāng)電容的充放電過程。電容效應(yīng)在交流信號作用下才會明顯表現(xiàn)出來！極間電容（結(jié)電容）CjCj＝CB＋CD(2)擴(kuò)散電容CD2.3二極管2.3.1基本結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu)：二極管(Diode)

＝PN結(jié)＋管殼＋引線符號：分類：按材料分硅二極管鍺二極管按結(jié)構(gòu)分點接觸型面接觸型平面型陽極（正極）

陰極（負(fù)極）二極管常見的幾種結(jié)構(gòu)1.點接觸型二極管PN結(jié)面積小，結(jié)電容小，不能承受高的反向電壓和大的電流，往往用來作小電流整流、高頻檢波和及開關(guān)作用2.面接觸型二極管PN結(jié)面積大，但工作頻率低，用于工頻大電流整流電路。3.平面型二極管用于集成電路制造工藝中。PN結(jié)面積可大可小，用于高頻整流和開關(guān)電路中。常見的半導(dǎo)體二極管半導(dǎo)體二極管的型號國家標(biāo)準(zhǔn)對半導(dǎo)體器件型號的命名舉例如下：代表器件的類型，P為普通管，Z為整流管，K為開關(guān)管。2AP9用數(shù)字代表同類器件的不同規(guī)格。代表器件的材料，A為N型Ge，B為P型Ge，C為N型Si，D為P型Si。2代表二極管，3代表三極管。2.3.2伏安特性1.正向特性實驗曲線uEiVmA2.反向特性uEiVuA硅：0.5V鍺：

0.1V導(dǎo)通壓降開啟電壓擊穿電壓UBR鍺硅：0.7V鍺：反向飽和電流二極管的特性對溫度很敏感，環(huán)境溫度升高時，二極管正向特性曲線左移，反向特性曲線下移。2.3.3主要參數(shù)1.

最大整流電流

IF二極管長期使用時，允許流過二極管的最大正向平均電流。2.

反向工作峰值電壓UBRM是保證二極管不被擊穿而給出的反向峰值電壓，一般是二極管反向擊穿電壓的一半或三分之二。二極管擊穿后單向?qū)щ娦员黄茐模踔吝^熱而燒壞。3.

反向峰值電流IS指二極管加最高反向工作電壓時的反向電流。反向電流大，說明管子的單向?qū)щ娦圆?，IS受溫度的影響，溫度越高反向電流越大。硅管的反向電流較小，鍺管的反向電流較大，為硅管的幾十到幾百倍。符號規(guī)定UA大寫字母、大寫下標(biāo)，表示直流量，如：IB、UBE等。uA小寫字母、大寫下標(biāo)，表示交直流量，如：iB、uBE等。ua小寫字母、小寫下