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文檔簡介
5b-6a主編5b-6a5.3模式匹配5.4力反饋5.5實驗樣機5.6總結(jié)第6章基于CMOS工藝的DNA生物芯片5b-6a第6章基于CMOS工藝的DNA生物芯片6.1引言6.2DNA芯片的基本工作原理和應用6.3芯片修飾6.4CMOS集成6.5電化學讀出技術(shù)5b-6a第6章基于CMOS工藝的DNA生物芯片6.1引言近年來,用于檢測生物分子(如DNA片斷或蛋白
質(zhì)分子)的電子器件芯片,尤其是基于CMOS工藝
的芯片引起了廣泛的關(guān)注。與目前采用最先進
技術(shù)的商用檢測技術(shù),如基于光讀出原理的技術(shù)
手段相比,CMOS生物芯片技術(shù)表現(xiàn)出更大的潛5b-6a第6章基于CMOS工藝的DNA生物芯片在優(yōu)勢。將傳感器與信號處理電路集成在一個
固態(tài)芯片上,保證了信號完整性的同時實現(xiàn)了系
統(tǒng)高可靠性工作,并可以使得信號在相同的電學
形態(tài)下進行傳輸和后處理。同時,考慮到不同的
應用場景,為進一步降低系統(tǒng)總成本、增加其靈
活性開辟了新的途徑。本章從工程師的視角介
紹基于CMOS技術(shù)的生物芯片,包括芯片的基本5b-6a第6章基于CMOS工藝的DNA生物芯片工作原理、功能化技術(shù)以及不同的探測原理。
重點闡述了CMOS集成技術(shù)及其相關(guān)工藝技術(shù),
以及CMOS電路設(shè)計需求。在最后部分,將介紹
一系列公開發(fā)表文獻中所涉及的具體案例。6.2DNA芯片的基本工作原理和應用在集中討論DNA芯片之前,我們首先回顧幾個5b-6a第6章基于CMOS工藝的DNA生物芯片非常重要的微生物術(shù)語和定義。5b-6a第6章基于CMOS工藝的DNA生物芯片圖6.1a)DNA雙螺旋結(jié)構(gòu)的幾何圖形參數(shù)示意圖b)骨架(單個鏈)的化學結(jié)構(gòu)c)4個DNA堿基的化學結(jié)構(gòu):腺嘌呤、鳥嘌呤、胸腺嘧啶、胞嘧啶5b-6a第6章基于CMOS工藝的DNA生物芯片圖6.2DNA芯片的基本工作原理示意圖a)帶有一定數(shù)量測試位置區(qū)域的生物芯片,每個測試位置點包含不同種類的測試示蹤分子
b')和b″)帶有不同示蹤分子的測試位置點。為簡單起見,這里顯示的示蹤分子只有5個堿
基。不同的堿基也以不同的特征符號區(qū)別強調(diào)表示c')和c″)雜交階段,包含靶分子的樣
品溶液應用于整個芯片。在有匹配的DNA鏈(c')的情況下將會發(fā)生雜交。而在分子(c″)失
配的情況下不發(fā)生化學結(jié)合d')和d″)經(jīng)過清洗工藝步驟后的芯片5b-6a第6章基于CMOS工藝的DNA生物芯片圖6.3DNA芯片的整個工作流程5b-6a第6章基于CMOS工藝的DNA生物芯片6.3芯片修飾多種不同的方法被用來對芯片進行修飾。如圖
6.4a所示,介紹了不同的修飾技術(shù)和相關(guān)示蹤分
子分析技術(shù)的關(guān)系,而每個芯片上靶示蹤分子數(shù)
量與敏感程度緊密相連。采用了與圖6.4a相對應
的水平坐標圖、圖6.4b中顯示了不同示蹤點密5b-6a第6章基于CMOS工藝的DNA生物芯片度對應的相關(guān)DNA芯片應用領(lǐng)域。就圖6.4中提
到的修飾技術(shù)而言,當今,兩種最主流的技術(shù)是采
用片外合成示蹤分子[15,16]的微標定技術(shù)和光控機
理下芯片上原位生長示蹤分子技術(shù)[17,18]。5b-6a第6章基于CMOS工藝的DNA生物芯片圖6.4a)概況圖顯示了不同的芯片修飾技術(shù)和相關(guān)示蹤分子分析技術(shù)之間的關(guān)系,而每個
芯片上靶示蹤分子數(shù)量反映了此關(guān)聯(lián)緊密程度b)采用密度表征關(guān)聯(lián)程度的DNA芯片應
用領(lǐng)域圖(a)和b)采用相同的水平坐標軸)5b-6a第6章基于CMOS工藝的DNA生物芯片6.4CMOS集成固態(tài)CMOS芯片需要與生物液體環(huán)境之間交互
作用,常常要求在標準的CMOS工藝之外,通過采
取特殊的工藝,以制備出傳感器、相關(guān)材料和生
物兼容性鈍化層。例如,工作在CMOS電路上的
電化學原理芯片或之前所討論過的使用電子控5b-6a第6章基于CMOS工藝的DNA生物芯片制修飾的芯片,都需要使用貴金屬電極。特別是,
在一種知名的、并且經(jīng)常使用的電化學系統(tǒng)中
需要經(jīng)常采用金(Au)材料,但在CMOS量產(chǎn)生產(chǎn)
線上直接加工此類材料是不可行的,因為這會導
致工藝污染問題,從而對CMOS器件的性能和產(chǎn)
量產(chǎn)生重大影響。5b-6a第6章基于CMOS工藝的DNA生物芯片圖6.5在CMOS晶圓上制作提供叉指金電極的CMOS后處理工藝流程示意圖5b-6a第6章基于CMOS工藝的DNA生物芯片圖6.6本章參考文獻[23]中采用擴展CMOS技術(shù)的掃描電鏡照片a)全部制作工藝完成后,傳感器金電極和CMOS單元的截面掃描電鏡照片(注意傳感器上層
的氮化硅層只是用于保護目的)b)互相叉指金電極傳感器的俯視圖(傳感器電極的寬度和
間距是1μm)5b-6a第6章基于CMOS工藝的DNA生物芯片圖6.7金制作加工后,在不同退火條件下,插圖電路的電流增益偏差隨輸入測試電流的變化關(guān)系,測試電流在1nA時的結(jié)果做了歸一化處理5b-6a第6章基于CMOS工藝的DNA生物芯片表6.1金加工后在不同溫度退火條件下,金和鋁-2導線的方塊電阻、通孔電阻和晶體管的柵氧化層界面態(tài)密度5b-6a第6章基于CMOS工藝的DNA生物芯片圖6.8給出了金加工工藝后,傳感器金電極在沒有退火和不同的溫度退火后的SEM照片[2
3]6.5電化學讀出技術(shù)如今,大多數(shù)廣泛使用的、采用最新技術(shù)商業(yè)化5b-6a第6章基于CMOS工藝的DNA生物芯片可用的DNA芯片讀出技術(shù)都是基于光探測原理[4,
5,18]。如圖6.9所示,在樣品與測試芯片反應前,采
用熒光分子將靶分子進行標記。5b-6a第6章基于CMOS工藝的DNA生物芯片圖6.9光學原理DNA探測示意圖5b-6a第6章基于CMOS工藝的DNA生物芯片6.5.1探測原理現(xiàn)在,各種各樣的電學方法被用來進行DNA探測。本節(jié)和
后續(xù)章節(jié)將選擇其中的一些技術(shù)進行介紹。由于相當數(shù)量
的電讀出技術(shù)采用了電化學技術(shù)[25],本章我們重點就此展開
介紹。接下來的章節(jié)就非電化學原理的方法進行討論介
紹。1.標記探測原理5b-6a第6章基于CMOS工藝的DNA生物芯片DNA靶分子攜帶標記分子,標記分子可以啟動并促進電化學反
應。2.準標記探測原理此種原理仍然利用標記分子,但是省去了直接進行靶分子標記的
步驟。3.無標記探測原理5b-6a第6章基于CMOS工藝的DNA生物芯片此原理完全避免使用標記分子。6.5.1.1庫倫分析法和循環(huán)伏安法這兩種方法的基本裝置原理示意圖如6.10所示。它由一個包括
恒電位儀的三電極系統(tǒng)構(gòu)成,恒電位儀的輸出和輸入分別連接到
一個反向電極和一個參比電極。這個穩(wěn)壓電源的作用是用來控制
電解液的電勢并使之保持在設(shè)定的條件下。5b-6a第6章基于CMOS工藝的DNA生物芯片圖6.10a)采用三電極配置庫倫分析法或循環(huán)伏安法探測系統(tǒng)的基本配置b)適用于陣列工作并行讀出的等效電路圖5b-6a第6章基于CMOS工藝的DNA生物芯片圖6.11電化學激活標記和亥姆霍茲雙層電容共同作用下工作電極電流5b-6a第6章基于CMOS工藝的DNA生物芯片圖6.12a)和b)庫倫分析法為例,積分得到電流隨時間的變化曲線(圖a)、施加在電極上的電壓信號(圖b),從電壓階躍加載開始計算,時間窗口范圍從幾微秒到最大幾毫秒范圍,電壓階躍的施加速率為1V/μs的量級。a)圖中的實線代表了整個信號,而虛線描繪電極-電解液的寄生電容的貢獻(置換電流,沒有縮放)c)和d)伏安循環(huán)分析法為例,測量電流隨電壓的變化曲線(圖c)和應用于電極信號隨時間的曲線(圖d),整個時間軸的典型的時間常數(shù)在幾十毫秒到幾秒。圖c中的粗線代表整體信號,而虛線描繪電極-電解液的寄生電容的貢獻(置換電流)5b-6a第6章基于CMOS工藝的DNA生物芯片6.5.1.2氧化還原反應電化學氧化還原反應理論上需要一個四電極系統(tǒng),如圖6.13所示[27
-30]。由互相交叉的貴金屬(產(chǎn)生和收集器)電極組成一個傳感器(見
圖6.13)。示蹤分子固定在兩個電極上(注意,為簡化起見,圖6.13b的
放大圖只顯示了其上的一條DNA鏈)。樣品中的靶分子通過酶標
記進行了標記(如堿性磷酸酶)。經(jīng)過雜交和沖洗階段,之后,將另一
種化學材料(如帕拉-氨基苯磷酸鈉鹽)添加到電解液樣品中。帶酶
的標記,本身對電化學反應不具活性,可以穿過添加的基底材料,因5b-6a第6章基于CMOS工藝的DNA生物芯片此,會在
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