時(shí)變電磁場(chǎng)的邊界條件

時(shí)變電磁場(chǎng)的邊界條件第1頁(yè)，課件共10頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月時(shí)變電磁場(chǎng)的邊界條件麥克斯韋方程組可應(yīng)用于任何連續(xù)的介質(zhì)內(nèi)部在兩種介質(zhì)分界面上，介質(zhì)性質(zhì)有突變，電磁場(chǎng)將發(fā)生突變電磁場(chǎng)的邊界條件：分界面兩邊電磁場(chǎng)突變所遵循的規(guī)律，稱為電磁場(chǎng)的邊界條件推導(dǎo)邊界條件的依據(jù)：麥克斯韋方程組積分形式切向分量的推導(dǎo)法向分量的推導(dǎo)第2頁(yè)，課件共10頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月一、一般情況☆法向邊界條件◆磁感應(yīng)強(qiáng)度的法向分量結(jié)論：磁感應(yīng)強(qiáng)度在分界面兩側(cè)法向分量連續(xù)◆電位移矢量的法向分量結(jié)論：電位移矢量在分界面兩側(cè)法向分量不連續(xù)第3頁(yè)，課件共10頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月☆切向邊界條件由于h0

結(jié)論：磁場(chǎng)強(qiáng)度的切向分量在分界面兩側(cè)不連續(xù)又⊿l很小，所以⊿l上磁場(chǎng)強(qiáng)度可看成常數(shù)或由◆磁場(chǎng)強(qiáng)度的切向分量構(gòu)造如右圖狹長(zhǎng)回路，由0由電流密度動(dòng)態(tài)演示：第4頁(yè)，課件共10頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月◆電場(chǎng)強(qiáng)度的切向分量結(jié)論：電場(chǎng)強(qiáng)度的切向分量在分界面兩側(cè)連續(xù)第5頁(yè)，課件共10頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月小結(jié)：一般情況下時(shí)變電磁場(chǎng)邊界條件標(biāo)量形式矢量形式分界面上電流連續(xù)性方程在上式中表示對(duì)與分界面平行的坐標(biāo)量求二維散度邊界條件非獨(dú)立第6頁(yè)，課件共10頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月二、特殊情況兩種理想介質(zhì)的邊界理想介質(zhì)是指導(dǎo)電率為零的媒質(zhì)理想介質(zhì)內(nèi)部和表面上，無(wú)自由電荷和傳導(dǎo)電流結(jié)論：在理想介質(zhì)分界面上，E，H矢量切向連續(xù)在理想介質(zhì)分界面上，B，D矢量法向連續(xù)或第7頁(yè)，課件共10頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月理想導(dǎo)體的邊界理想導(dǎo)體是指導(dǎo)電率為無(wú)窮大的導(dǎo)體理想導(dǎo)體內(nèi)部不存在電場(chǎng)和磁場(chǎng)表面上，一般存在自由電荷和傳導(dǎo)電流結(jié)論：電力線垂直于理想導(dǎo)體表面，磁力線平行于理想導(dǎo)體表面設(shè)區(qū)域2為理想導(dǎo)體，區(qū)域1為介質(zhì)，有D2n=E2t=B2n=H2t=0，則或注意：理想介質(zhì)和理想導(dǎo)體只是理論上存在，在實(shí)際應(yīng)用中，某些媒質(zhì)導(dǎo)電率極小或極大，則可視作理想介質(zhì)或理想導(dǎo)體進(jìn)行處理第8頁(yè)，課件共10頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月第9頁(yè)，課件共10頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月例5設(shè)z=0平面為空氣與理想導(dǎo)體的分界面，z<0為理想導(dǎo)體，分界面處解：根據(jù)邊界條件，求得理想導(dǎo)體表面上電流分布為由分界面上電流連續(xù)性方程（5-40）有求：理想導(dǎo)體表面上的電流分布、電荷分布以及