半導(dǎo)體制冷課件

半導(dǎo)體制冷張昆半導(dǎo)體制冷1概述2原理3特點(diǎn)4系統(tǒng)5應(yīng)用00:43:2921概述2原理3特點(diǎn)4系統(tǒng)5應(yīng)用10:49:052概述半導(dǎo)體制冷定義相關(guān)背景知識(shí)發(fā)展歷史與現(xiàn)狀

概述原理特點(diǎn)系統(tǒng)應(yīng)用00:43:293概述半導(dǎo)體制冷定義相關(guān)背景知識(shí)發(fā)展歷史與現(xiàn)狀概述原理特點(diǎn)系

半導(dǎo)體制冷

半導(dǎo)體制冷(亦名熱電制冷、溫差電制冷或電子制冷)是以溫差電現(xiàn)象為基礎(chǔ)的制冷方法，它是利用“珀?duì)柼毙?yīng)的原理達(dá)到制冷目的。

概述原理特點(diǎn)系統(tǒng)應(yīng)用00:43:294半導(dǎo)體制冷半導(dǎo)體制冷(亦名熱電制半導(dǎo)體及其特性為什么選擇半導(dǎo)體

？熱電效應(yīng)背景知識(shí)

概述原理特點(diǎn)系統(tǒng)應(yīng)用00:43:295半導(dǎo)體及其特性為什么選擇半導(dǎo)體？熱電效應(yīng)背景知識(shí)概述原理

一半導(dǎo)體及其特性1、什么是半導(dǎo)體？

物體按導(dǎo)電能力分類絕緣體——導(dǎo)電能力很差的物體（如橡膠、塑料、陶瓷等）導(dǎo)體——具有良好的導(dǎo)電能力的物體（如銅、銀、鋁）半導(dǎo)體——導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物體（如鍺、硅、砷化鎵及許多金屬氧化物）半導(dǎo)體的特性：光敏特性、熱敏特性和摻雜特性

概述原理特點(diǎn)系統(tǒng)應(yīng)用00:43:296一半導(dǎo)體及其特性1、什么是半導(dǎo)體？物體按導(dǎo)電能力分類絕

一半導(dǎo)體及其特性2、典型半導(dǎo)體

典型的半導(dǎo)體是硅Si和鍺Ge，都是4價(jià)元素。硅原子鍺原子硅和鍺最外層軌道上的四個(gè)電子稱為價(jià)電子。

概述原理特點(diǎn)系統(tǒng)應(yīng)用00:43:297一半導(dǎo)體及其特性2、典型半導(dǎo)體硅原子3、半導(dǎo)體的種類

概述原理特點(diǎn)系統(tǒng)應(yīng)用00:43:298本征半導(dǎo)體IP型半導(dǎo)體ⅡN型半導(dǎo)體Ⅲ3、半導(dǎo)體的種類概述原理特點(diǎn)系統(tǒng)應(yīng)用10:49:058本征

這一現(xiàn)象稱為本征激發(fā)，也稱熱激發(fā)。

當(dāng)溫度升高或受到光的照射時(shí)，束縛電子能量增高，有的電子可以掙脫原子核的束縛，而參與導(dǎo)電，成為自由電子。+4+4+4+4+4+4+4+4+4

自由電子產(chǎn)生的同時(shí)，在其原來的共價(jià)鍵中就出現(xiàn)了一個(gè)空位，稱為空穴。

概述原理特點(diǎn)系統(tǒng)應(yīng)用00:43:299這一現(xiàn)象稱為本征激發(fā)，也稱熱激發(fā)。當(dāng)溫度升高

可見本征激發(fā)同時(shí)產(chǎn)生電子空穴對(duì)。

與本征激發(fā)相反的現(xiàn)象——復(fù)合在一定溫度下，本征激發(fā)和復(fù)合同時(shí)進(jìn)行，達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡。電子空穴對(duì)的濃度一定。自由電子+4+4+4+4+4+4+4+4+4空穴電子空穴對(duì)

概述原理特點(diǎn)系統(tǒng)應(yīng)用00:43:2910可見本征激發(fā)同時(shí)產(chǎn)生電子空穴對(duì)。與本征激發(fā)相反的現(xiàn)象——復(fù)導(dǎo)電機(jī)制

概述原理特點(diǎn)系統(tǒng)應(yīng)用00:43:2911導(dǎo)電機(jī)制概述原理特點(diǎn)系統(tǒng)應(yīng)用10:49:0511N型半導(dǎo)體多余電子磷原子硅原子多數(shù)載流子——自由電子少數(shù)載流子——空穴++++++++++++N型半導(dǎo)體施主離子自由電子電子空穴對(duì)

概述原理特點(diǎn)系統(tǒng)應(yīng)用00:43:2912N型半導(dǎo)體多余電子磷原子硅原子多數(shù)載流子——自由電子少數(shù)載流空穴硼原子硅原子多數(shù)載流子——空穴少數(shù)載流子——自由電子－－－－－－－－－－－－P型半導(dǎo)體受主離子空穴電子空穴對(duì)P型半導(dǎo)體

概述原理特點(diǎn)系統(tǒng)應(yīng)用00:43:2913空穴硼原子硅原子多數(shù)載流子——空穴少數(shù)載流子——自由電雜質(zhì)半導(dǎo)體的示意圖++++++++++++N型半導(dǎo)體多子—電子少子—空穴－－－－－－－－－－－－P型半導(dǎo)體多子—空穴少子—電子少子濃度——與溫度有關(guān)多子濃度——與溫度無關(guān)

概述原理特點(diǎn)系統(tǒng)應(yīng)用00:43:2914雜質(zhì)半導(dǎo)體的示意圖++++++++++++N型半導(dǎo)體多子—電4、PN結(jié)的形成及其單向?qū)щ娦詳U(kuò)散運(yùn)動(dòng)P區(qū)空穴濃度遠(yuǎn)高于N區(qū)。N區(qū)自由電子濃度遠(yuǎn)高于P區(qū)。

概述原理特點(diǎn)系統(tǒng)應(yīng)用00:43:29154、PN結(jié)的形成及其單向?qū)щ娦詳U(kuò)散運(yùn)動(dòng)P區(qū)空穴濃度遠(yuǎn)高于N區(qū)4.1PN結(jié)的形成漂移運(yùn)動(dòng)

概述原理特點(diǎn)系統(tǒng)應(yīng)用00:43:29164.1PN結(jié)的形成漂移運(yùn)動(dòng)概述原理特點(diǎn)系統(tǒng)應(yīng)用10:49

隨著擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)的進(jìn)行，在界面N區(qū)的一側(cè)，隨著電子向P區(qū)的擴(kuò)散，雜質(zhì)變成正離子；在界面P區(qū)的一側(cè)，隨著空穴向N區(qū)的擴(kuò)散，雜質(zhì)變成負(fù)離子。所以在N型和P型半導(dǎo)體界面的N型區(qū)一側(cè)會(huì)形成正離子薄層；在P型區(qū)一側(cè)會(huì)形成負(fù)離子薄層。

概述原理特點(diǎn)系統(tǒng)應(yīng)用00:43:2917隨著擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)的進(jìn)行，在界面N區(qū)的一側(cè)，隨著電子在半導(dǎo)體中還存在少子，內(nèi)電場(chǎng)的電場(chǎng)力會(huì)對(duì)少子產(chǎn)生作用，促使少數(shù)載流子產(chǎn)生漂移運(yùn)動(dòng)。

概述原理特點(diǎn)系統(tǒng)應(yīng)用00:43:2918在半導(dǎo)體中還存在少子，內(nèi)電場(chǎng)的電場(chǎng)力會(huì)對(duì)少子產(chǎn)生作用，促使少4.2PN結(jié)的單向?qū)щ娦訮N結(jié)加正向電壓導(dǎo)通：耗盡層變窄，擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)加劇，由于外電源的作用，形成擴(kuò)散電流，PN結(jié)處于導(dǎo)通狀態(tài)。

概述原理特點(diǎn)系統(tǒng)應(yīng)用00:43:29194.2PN結(jié)的單向?qū)щ娦訮N結(jié)加正向電壓導(dǎo)通：概述原理特點(diǎn)PN結(jié)加反向電壓截止：耗盡層變寬，阻止擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)，有利于漂移運(yùn)動(dòng)，形成漂移電流。由于電流很小，故可近似認(rèn)為其截止。

概述原理特點(diǎn)系統(tǒng)應(yīng)用00:43:2920PN結(jié)加反向電壓截止：概述原理特點(diǎn)系統(tǒng)應(yīng)用10:49:05

二為什么選擇半導(dǎo)體

普通金屬導(dǎo)體的珀?duì)柼?yīng)微弱,制冷效果不佳。例如當(dāng)時(shí)曾用金屬材料中導(dǎo)熱和導(dǎo)電性能最好的銻-鉍(Sb-Bi)熱電偶做成制冷器,但其制冷效率還不到1%,根本沒有實(shí)用價(jià)值。隨著人們對(duì)半導(dǎo)體材料內(nèi)部結(jié)構(gòu)特點(diǎn)的了解，發(fā)現(xiàn)了它產(chǎn)生的溫差電現(xiàn)象比其他金屬要顯著得多。

概述原理特點(diǎn)系統(tǒng)應(yīng)用00:43:2921二為什么選擇半導(dǎo)體普通金屬導(dǎo)

三熱電效應(yīng)熱電效應(yīng)

1.塞貝爾(seebeck)效應(yīng)

2.珀?duì)柼?peltier)效應(yīng)3.湯姆遜(thomson)效應(yīng)半導(dǎo)體制冷的最基本依據(jù)

概述原理特點(diǎn)系統(tǒng)應(yīng)用00:43:2922三熱電效應(yīng)熱電效應(yīng)塞貝爾（seebeck）效應(yīng)

E=

α.△T（1821年，seebeck）

概述原理特點(diǎn)系統(tǒng)應(yīng)用00:43:2923塞貝爾（seebeck）效應(yīng)E=α.△T概述原珀?duì)柼╬oltier）效應(yīng)其本質(zhì)是塞貝爾效應(yīng)的逆效應(yīng)（1834，poltier）。

概述原理特點(diǎn)系統(tǒng)應(yīng)用00:43:2924珀?duì)柼╬oltier）效應(yīng)其本質(zhì)是塞貝爾效應(yīng)的逆效應(yīng)概述湯姆遜（thomson）效應(yīng)若電流流過有溫度梯度的導(dǎo)體，則在導(dǎo)體和周圍環(huán)境之間將進(jìn)行能量交換。（1855，Thomson）

QT=－τΙΔT

概述原理特點(diǎn)系統(tǒng)應(yīng)用00:43:2925湯姆遜（thomson）效應(yīng)若電流流過有溫度梯度的導(dǎo)體19世紀(jì)30年代~20世紀(jì)50年代20世紀(jì)80年代~至今國外（分為三個(gè)階段）使用的金屬材料的熱電性能較差,能量轉(zhuǎn)換的效率很低,無實(shí)用價(jià)值,熱電效應(yīng)沒有得到實(shí)質(zhì)應(yīng)用半導(dǎo)體材料的廣泛應(yīng)用，熱電效應(yīng)的效率大大提高,熱電發(fā)電和熱電制冷進(jìn)入工程實(shí)踐。.提高半導(dǎo)體的熱電制冷的性能

開發(fā)熱電制冷的應(yīng)用領(lǐng)域歷史現(xiàn)狀20世紀(jì)50年代~20世紀(jì)80年代

概述原理特點(diǎn)系統(tǒng)應(yīng)用00:43:292619世紀(jì)30年代~20世紀(jì)50年代20世紀(jì)80年代~至今20世紀(jì)50~60年代20世紀(jì)90年代國內(nèi)開始對(duì)半導(dǎo)體制冷進(jìn)行了研究研究半導(dǎo)體制冷材料的高優(yōu)值系數(shù),拓寬其應(yīng)用領(lǐng)域,產(chǎn)品以車用小型冷熱箱為主開發(fā)出具有廣泛實(shí)用價(jià)值的民用便攜式冷熱箱、化妝品專用冷藏箱、高低溫測(cè)試設(shè)備以及半導(dǎo)體去濕系列產(chǎn)品歷史現(xiàn)狀20世紀(jì)60年代末至80年代初至2009年半導(dǎo)體制冷組件的主要性能指標(biāo)已達(dá)到國外20世紀(jì)90年代水平

概述原理特點(diǎn)系統(tǒng)應(yīng)用00:43:292720世紀(jì)50~60年代20世紀(jì)90年代國內(nèi)開始對(duì)半導(dǎo)體制冷進(jìn)

概述原理特點(diǎn)系統(tǒng)應(yīng)用結(jié)構(gòu)及材料1工作原理2制冷特性3制冷性能最佳分析4半導(dǎo)體制冷原理、結(jié)構(gòu)及特性分析00:43:2928概述原理特點(diǎn)系統(tǒng)應(yīng)用結(jié)構(gòu)及材料1工作原理2制冷特性3制冷

相關(guān)名詞

熱電偶由2個(gè)金屬電橋(1、2)和一對(duì)電偶臂(由一塊P型半導(dǎo)體和一塊N型半導(dǎo)體構(gòu)成)組成

概述原理特點(diǎn)系統(tǒng)應(yīng)用00:43:2929相關(guān)名詞熱電偶概述原理特點(diǎn)系統(tǒng)應(yīng)用10:49:05半導(dǎo)體制冷片（熱電制冷片），是由上百對(duì)熱電偶聯(lián)成的熱電堆。

概述原理特點(diǎn)系統(tǒng)應(yīng)用00:43:2930半導(dǎo)體制冷片概述原理特點(diǎn)系統(tǒng)應(yīng)用10:49:0530

一對(duì)電偶的制冷量是很小的，如φ6xL7的電偶對(duì),其制冷量僅為3.3～4.2kJ/h（0.92w～1.2w）

為了獲得較大的冷量可將很多對(duì)電偶對(duì)串聯(lián)成熱電堆，稱單級(jí)熱電堆

單級(jí)熱電堆在通常情況下只能得到大約50℃的溫差。為了得到更低的冷端溫度，可用串聯(lián)、并聯(lián)及串并聯(lián)的方法組出多級(jí)熱電堆，圖2-1示出多級(jí)熱電堆的結(jié)構(gòu)型式。

多級(jí)熱電堆

概述原理特點(diǎn)系統(tǒng)應(yīng)用00:43:2931一對(duì)電偶的制冷量是很小的，如φ6xL7的電偶對(duì),其制冷圖2-1

多級(jí)熱電堆的結(jié)構(gòu)型式

a)串聯(lián)二級(jí)熱電堆

b)并聯(lián)二級(jí)熱電堆c)串并聯(lián)三級(jí)熱電堆

概述原理特點(diǎn)系統(tǒng)應(yīng)用00:43:2932圖2-1多級(jí)熱電堆的結(jié)構(gòu)型式概述原理特點(diǎn)系統(tǒng)應(yīng)用10:

1半導(dǎo)體制冷片的結(jié)構(gòu)及材料基板

一般是陶瓷片，主要成分是95％氧化鋁。起電絕緣、導(dǎo)熱和支撐作用。在其表面燒結(jié)有金屬化圖形。導(dǎo)流條

其成分多是無氧銅，起導(dǎo)電和導(dǎo)熱作用。通過錫焊接在陶瓷片的金屬化圖形上。半導(dǎo)體致冷元件

在上下導(dǎo)流條之間，其主要成分是碲化鉍。它是制冷片的主功能部件，分N型元件和P型元件，通過錫焊接在導(dǎo)流條上。

概述原理特點(diǎn)系統(tǒng)應(yīng)用00:43:29331半導(dǎo)體制冷片的結(jié)構(gòu)及材料基板一般是陶瓷片，主要成分半導(dǎo)體不僅需要N型和P型半導(dǎo)體特性還要根據(jù)摻入的雜質(zhì)改變半導(dǎo)體的溫差電動(dòng)勢(shì)率導(dǎo)電率和導(dǎo)熱率使這種特殊半導(dǎo)體能滿足制冷的材料。目前國內(nèi)常用材料是以碲化鉍為基體的三元固溶體合金其中P型是Bi2Te3—Sb2Te3N型是Bi2Te3—Bi2Se3

還有其他如：P型AgTiTeN型Bi2Sb合金半導(dǎo)體制冷材料

概述原理特點(diǎn)系統(tǒng)應(yīng)用00:43:2934半導(dǎo)體不僅需要N型和P型半導(dǎo)體特性還要根據(jù)摻入的雜質(zhì)

2半導(dǎo)體制冷工作原理

概述原理特點(diǎn)系統(tǒng)應(yīng)用00:43:29352半導(dǎo)體制冷工作原理概述原理00:43:2936機(jī)械壓縮式制冷系統(tǒng)和熱點(diǎn)制冷系統(tǒng)間的相似性

概述原理特點(diǎn)系統(tǒng)應(yīng)用10:49:0536機(jī)械壓縮式制冷系統(tǒng)和熱點(diǎn)制冷系統(tǒng)間的相似

3制冷特性1.制冷量2.功率3.制冷系數(shù)4.制熱系數(shù)5.冷熱端溫差

概述原理特點(diǎn)系統(tǒng)應(yīng)用00:43:29373制冷特性1.制冷量2.功率3.制冷系數(shù)4.制

首先討論一對(duì)熱電偶的制冷特性

設(shè)熱結(jié)點(diǎn)的溫度Th，向外界釋放的熱量為Qh；冷結(jié)點(diǎn)溫度Tc，從外界吸收的熱量（制冷量）為Q0，熱電偶輸入電功率為W，回路中電流為I。(2-2)π為peltier系數(shù)，α為塞貝克系數(shù)（溫差電動(dòng)勢(shì)率），二者均與半導(dǎo)體自身的物理化學(xué)性質(zhì)有關(guān)。冷端的珀?duì)柼鼰崃縌π若不考慮各種可能的損失，由熱力學(xué)第一定律：Qh

=

Q0+W(2-1)

概述原理特點(diǎn)系統(tǒng)應(yīng)用00:43:2938首先討論一對(duì)熱電偶的制冷特性(2-2)π為peltie

當(dāng)電流通過電偶對(duì)時(shí)，熱電元件內(nèi)要放出焦耳熱。焦耳熱：(2-3)

式中R為熱電元件的電阻。若電偶臂的長度為L,電阻率為ρ1及ρ2，截面積為s1和s2則(2-4)

由于半導(dǎo)體的導(dǎo)熱，從電堆熱端還要傳給冷端一定的導(dǎo)熱量

：(2-6)式中k——長L的熱電元件總導(dǎo)熱系數(shù)

若兩電偶臂的導(dǎo)熱系數(shù)及截面積分別為λ1和λ2，s1和s2則：(2-5)

概述原理特點(diǎn)系統(tǒng)應(yīng)用00:43:2939當(dāng)電流通過電偶對(duì)時(shí)，熱電元件內(nèi)要放出焦耳熱。焦耳熱：(2-8)(2-9)(2-7)電偶對(duì)工作時(shí)，電源既要對(duì)電阻做功，又要克服熱電勢(shì)做功，故消耗的功率為

冷端從外界吸收的熱量（制冷量）1制冷量2功率3制冷系數(shù)

概述原理特點(diǎn)系統(tǒng)應(yīng)用00:43:2940(2-8)(2-9)(2-7)電偶對(duì)工作時(shí)，電源既要對(duì)電阻做4制熱系數(shù)(2-10)5冷熱端溫差(2-11)

概述原理特點(diǎn)系統(tǒng)應(yīng)用00:43:29414制熱系數(shù)(2-10)5冷熱端溫差(2-11)概述原理特

4制冷性能最佳分析1.最大溫差2.最大制冷量3.最佳經(jīng)濟(jì)性

概述原理特點(diǎn)系統(tǒng)應(yīng)用00:43:29424制冷性能最佳分析1.最大溫差2.最大制冷量3.最佳經(jīng)（1）獲得最大溫差△Tmax的條件

在電流I為某一定值的情況下，令Q0

=0，由式(2-7)得：(2-12)

將上式對(duì)I取偏導(dǎo)數(shù)，并令其等于零，就可以求出最佳電流值與其對(duì)應(yīng)的最大溫降:將式(2-4)及(2-6)代入式(2-12)得:(2-13)(2-14)(2-15)

概述原理特點(diǎn)系統(tǒng)應(yīng)用00:43:2943（1）獲得最大溫差△Tmax的條件在電流I為某一定

若兩電偶臂的幾何尺寸相同，具有相同的導(dǎo)熱系數(shù)(λ1=λ2

)及相同的電阻率（s1=s2)，則式（2-15）變?yōu)?2-16)(2-17)式中 r=1/ρ

——熱電元件材料的電導(dǎo)率由此可見:熱電制冷的最大溫差取決于材料的α、r、λ

組成的一個(gè)綜合參數(shù)。此綜合參數(shù)稱為制造電偶對(duì)材料的優(yōu)值系數(shù)Z，即(2-18)

概述原理特點(diǎn)系統(tǒng)應(yīng)用00:43:2944若兩電偶臂的幾何尺寸相同，具有相同的導(dǎo)熱系數(shù)(λ1優(yōu)值系數(shù)優(yōu)值系數(shù)Z，只與電偶材料的物理性質(zhì)（溫差電動(dòng)勢(shì)、電導(dǎo)率、導(dǎo)熱系數(shù)）有關(guān)。是評(píng)價(jià)電偶熱電性能的綜合參數(shù)。通常，

當(dāng)Th=293K,

TC

=273K時(shí)，可算得εmax

=1.66，而相同工作區(qū)間的逆卡諾制冷系數(shù)若將半導(dǎo)體制冷系數(shù)提高到2.0以上,則其優(yōu)值系數(shù)需提高到

的水平。目前為止室溫下優(yōu)質(zhì)系數(shù)最高的材料是Ag0.58Cu0.29Ti0.29Te四元合金，在300K時(shí)的優(yōu)值系數(shù)可達(dá)

概述原理特點(diǎn)系統(tǒng)應(yīng)用00:43:2945優(yōu)值系數(shù)優(yōu)值系數(shù)Z概述原理特點(diǎn)系統(tǒng)應(yīng)用10:49:054（2）制冷量最大的條件由

可以看出，工作溫度一定時(shí)，制冷量的大小與電流有關(guān)，對(duì)式（2-7）對(duì)電流求偏導(dǎo)數(shù)并令其為零。得到使制冷量Q0取得極值的電流為

(2-7)(2-20)(2-19)

概述原理特點(diǎn)系統(tǒng)應(yīng)用00:43:2946（2）制冷量最大的條件由可見

一定的電偶對(duì)的最大制冷量只和冷端溫度Tc有關(guān)（Th一定時(shí)）；

當(dāng)工作溫度和材料性質(zhì)（α、λ、ρ）一定時(shí)，最大制冷量只和電偶的尺寸有關(guān)，短粗的電偶制冷量大，細(xì)長的電偶制冷量小。

概述原理特點(diǎn)系統(tǒng)應(yīng)用00:43:2947可見概述原理特點(diǎn)系統(tǒng)應(yīng)用10:49:0547（3）制冷系數(shù)最佳的條件(2-21)式中

(2-22)對(duì)式對(duì)電流取偏倒數(shù)，并令其等于零，得到與最大制冷系數(shù)相對(duì)應(yīng)的電流

概述原理特點(diǎn)系統(tǒng)應(yīng)用00:43:2948（3）制冷系數(shù)最佳的條件(2-21)式中(2-22)對(duì)式故制冷系數(shù)ε

與溫差

Th–Tc以及材料優(yōu)值系數(shù)Z有顯著關(guān)系。當(dāng)工作溫度一定時(shí)，熱電偶的優(yōu)值系數(shù)Z越大，則材料的熱點(diǎn)性能越好，制冷效率越高。

概述原理特點(diǎn)系統(tǒng)應(yīng)用00:43:2949故制冷系數(shù)ε與溫差Th–Tc以及材料優(yōu)值系數(shù)Z有半導(dǎo)體制冷特點(diǎn)優(yōu)點(diǎn)缺點(diǎn)熱點(diǎn)及難點(diǎn)

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概述原理特點(diǎn)系統(tǒng)應(yīng)用00:43:2951溫度調(diào)控精度高冷熱轉(zhuǎn)換方便制熱迅速壽命長無制冷劑無運(yùn)動(dòng)部件尺

經(jīng)濟(jì)性差

應(yīng)用范圍有限23缺點(diǎn)制冷效率低1

概述原理特點(diǎn)系統(tǒng)應(yīng)用00:43:2952經(jīng)濟(jì)性差應(yīng)用范圍高優(yōu)質(zhì)系數(shù)的半導(dǎo)體材料1冷熱端散熱的設(shè)計(jì)2半導(dǎo)體制冷新理論及半導(dǎo)體制冷新技術(shù)3當(dāng)前研究的熱點(diǎn)及難點(diǎn)

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