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文檔簡介
手機背光芯片工作原理LiuJun8/11/2023手機背光芯片工作原理LiuJun8/1/20231GeneralDescription
DC/DC分類
ChargePump工作原理技術(shù)指標
實際應(yīng)用8/11/2023GeneralDescription
8/1/20232
DC/DC分類DC/DC是開關(guān)電源芯片。開關(guān)電源,指利用電容、電感的儲能的特性,通過可控開關(guān)(MOSFET等)進行高頻開關(guān)的動作,將輸入的電能儲存在電容(感)里,當(dāng)開關(guān)斷開時,電能再釋放給負載,提供能量。其輸出的功率或電壓的能力與占空比(由開關(guān)導(dǎo)通時間與整個開關(guān)的周期的比值)有關(guān)。開關(guān)電源可以用于升壓和降壓。我們常用的DC-DC產(chǎn)品有兩種。一種為電荷泵(ChargePump),一種為電感儲能DC-DC轉(zhuǎn)換器。本文主要講解電荷泵的工作原理。8/11/2023DC/DC分類DC/DC是開關(guān)電源芯片。8/1/203ChargePump工作原理
電荷泵為容性儲能DC-DC產(chǎn)品,可以進行升壓,也可以作為降壓使用,還可以進行反壓輸出。電荷泵消除了電感器和變壓器所帶有的磁場和電磁干擾。8/11/2023ChargePump工作原理電荷泵為容性儲能DC-DC產(chǎn)品4電荷泵是通過外部一個快速充電電容(FlyingCapacitor),內(nèi)部以一定的頻率進行開關(guān),對電容進行充電,并且和輸入電壓一起,進行升壓(或者降壓)轉(zhuǎn)換。最后以恒壓輸出。在芯片內(nèi)部有負反饋電路,以保證輸出電壓的穩(wěn)定,如上圖Vout,經(jīng)R1,R2分壓得到電壓V2,與基準電壓VREF做比較,經(jīng)過誤差放大器A,來控制充電電容的充電時間和充電電壓,從而達到穩(wěn)定值。電荷泵可以依據(jù)電池電壓輸入不斷改變其輸出電壓。例如,它在1.5X或1X的模式下都可以運行。當(dāng)電池的輸入電壓較低時,電荷泵可以產(chǎn)生一個相當(dāng)于輸入電壓的1.5倍的輸出電壓。而當(dāng)電池的電壓較高時,電荷泵則在1X模式下運行,此時負載電荷泵僅僅是將輸入電壓傳輸?shù)截撦d中。這樣就在輸入電壓較高的時候降低了輸入電流和功率損耗。
8/11/2023電荷泵是通過外部一個快速充電電容(FlyingCapaci5
1.5X倍壓模式在第一階段,C1和C2串聯(lián)。假設(shè)C1=C2,則電容充電直到電容電壓等于輸入電壓的一半
VC1+-VC1-=VC2+-VC2-=VIN/2在第二階段,C1和C2并聯(lián),連接在VIN和VOUT之間。
VOUT=VIN+VIN/2=1.5VIN8/11/20231.5X倍壓模式在第一階段,C1和C2串聯(lián)。假設(shè)C6PAM2701的內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖
8/11/2023PAM2701的內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖
8/1/20237圖中,除了標柱的一只MOS管是NMOS外,其它六只都是PMOS。CLKin的輸入是1M左右的50%占空比的方波信號。C1,C2是ChargePump的電容,C3是輸出端接的電容。8/11/2023圖中,除了標柱的一只MOS管是NMOS外,其它六只都是PMO8技術(shù)指標SC604APAM2701PT4301廠商SEMTECHPAM華潤矽微封裝及尺寸MLPQ164mm*4mmQFN164mm*4mmQFN164mm*4mm輸入電壓范圍2.5~6.5V2.7~6.5V3~5.5V亮度控制方式PWM(3pins),digital3pins3pins工作頻率250K1M1M工作模式1×,1.5,2×1×,1.5×1×,1.5×8/11/2023技術(shù)指標SC604APAM2701PT4301廠商SEMTE9電流設(shè)定方式Iled=487V/Rset驅(qū)動燈的個數(shù)以及電流4LEDsat20mAEachUpto30mAperLed4LEDsat20mAEach關(guān)斷電流(uA)<7<1<1外圍充放電電容容值11uF1uFEMI(對射頻影響以及射頻對其影響)效率92%價格8/11/2023電流設(shè)定方式Iled=487V/Rset驅(qū)動燈的個數(shù)以及電流108/11/20238/1/202311PAM2701TypicalCharacteristics
V=3.6V,EN=Vin,R=24kΩ,C1=C2=1uF8/11/2023PAM2701TypicalCharacteristi12SC604TypicalCharacteristics
VTRANS1X=VF+VILED+[(#ofLEDsused)*ILED*1.2]VTRANS1.5X=【VF+VILED+[(#ofLEDsused)*ILED*16]】/1.5where,VFistheforwardLEDvoltagemeasuredfromanodetocathode,VILEDisthevoltageattheILEDpin,typicallyVILED=100mV,ILEDistheLEDcurrent.8/11/2023SC604TypicalCharacteristics138/11/20238/1/202314PT4301TypicalCharacteristics
8/11/2023PT4301
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