




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模電課件雙極型三極管第1頁,課件共16頁,創(chuàng)作于2023年2月半導(dǎo)體三極管晶體管(transistor)雙極型三極管或簡(jiǎn)稱三極管制作材料:分類:它們通常是組成各種電子電路的核心器件。雙極結(jié)型三極管又稱為:硅或鍺NPN型PNP型下頁上頁首頁2第2頁,課件共16頁,創(chuàng)作于2023年2月一、三極管的結(jié)構(gòu)三個(gè)區(qū)發(fā)射區(qū):雜質(zhì)濃度很高基區(qū):雜質(zhì)濃度低且很薄集電區(qū):無特別要求發(fā)射結(jié)集電結(jié)集電區(qū)基區(qū)發(fā)射區(qū)cbeNPN型三極管的結(jié)構(gòu)和符號(hào)兩個(gè)PN結(jié)發(fā)射結(jié)集電結(jié)三個(gè)電極發(fā)射極
e基極
b集電極
c集電極
ccollector基極
bbase發(fā)射極
eemitterNPN下頁上頁首頁3第3頁,課件共16頁,創(chuàng)作于2023年2月RbRcVBBVCCecb發(fā)射極電流二、三極管中載流子的運(yùn)動(dòng)和電流分配關(guān)系發(fā)射:發(fā)射區(qū)大量電子向基區(qū)發(fā)射。2.復(fù)合和擴(kuò)散:電子在基區(qū)中復(fù)合擴(kuò)散。3.收集:將擴(kuò)散過來的電子收集到集電極。同時(shí)形成反向飽和電流ICBO。IEICIBICNIENIBNICBO集電極電流基極電流下頁上頁首頁動(dòng)畫4第4頁,課件共16頁,創(chuàng)作于2023年2月RbRcVBBVCCecbIEICIBICNIENIBNICBOIC
=
ICn+
ICBOIE
=
ICn+
IBnIC
=αIE+
ICBO當(dāng)ICBO
<<IC時(shí),可得≈ICIEαIEn
=
ICn+
IBnIE
=
IEnIE
=
IC+
IB下頁上頁將代入IC
=
ICn+
ICBO得ICnα=IE通常將定義為共基直流電流放大系數(shù)。首頁5第5頁,課件共16頁,創(chuàng)作于2023年2月β≈ICIBIE
=
IC+
IBIC
=αIE+
ICBO代入得IC
=αα1-
IB+α1-
1ICBOβ=αα1-令可得IC
=βIB+(1+)ICBOβIC
=βIB+ICEO當(dāng)ICEO
<<
IC時(shí),可得β稱為共射直流電流放大系數(shù)。ICEO
=(
1+β)ICBOIE=IC+IBIC
≈βIBIE=(1+β)IBICEO稱為穿透電流。下頁上頁首頁6第6頁,課件共16頁,創(chuàng)作于2023年2月各參數(shù)含義::共基直流電流放大系數(shù)。:共射直流電流放大系數(shù)。α=ICnIEICEO=(1+)ICBOβ:集電極與發(fā)射極間穿透電流。β=ΔiCΔiBα=ΔiCΔiE:共基交流電流放大系數(shù)。:共射交流電流放大系數(shù)。β1+βα
=β=α1-αα
和β滿足或β=IC-
ICEOIB≈ICIB下頁上頁首頁7第7頁,課件共16頁,創(chuàng)作于2023年2月三、三極管的特性曲線1.輸入特性iB=f(uBE)uCE=
常數(shù)uCE=0VuCE=2V當(dāng)uCE大于某一數(shù)值后,各條輸入特性十分密集,通常用uCE
>1時(shí)的一條輸入特性來代表。uBE/ViB/μAO
三極管的輸入特性下頁上頁uBEiB+-uCE=0VBBRbbec
三極管的輸入回路首頁8第8頁,課件共16頁,創(chuàng)作于2023年2月2.輸出特性iC/mAOuCE/ViB=80μА6040200iC=f(uCE)iB=常數(shù)飽和區(qū)放大區(qū)截止區(qū):iB≤0的區(qū)域,iC
≈0,發(fā)射結(jié)和集電結(jié)都反偏。3.
飽和區(qū):發(fā)射結(jié)和集電結(jié)都正偏,uCE較小,iC
基本不隨iB
而變化。當(dāng)uCE=uBE時(shí),為臨界飽和;當(dāng)uCE<uBE
時(shí)過飽和。截止區(qū)下頁上頁首頁動(dòng)畫2.
放大區(qū):發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)反偏ΔiC=βΔiB
9第9頁,課件共16頁,創(chuàng)作于2023年2月發(fā)射結(jié)反向偏置,集電結(jié)反向偏置,三極管工作在截止區(qū),可調(diào)換
VBB極性。發(fā)射結(jié)反向偏置,三極管工作在截止區(qū),可調(diào)換
VCC極性,或?qū)T更換為PNP型。兩PN結(jié)均正偏,三極管工作在飽和區(qū)。[例1.3.1]判斷圖示各電路中三極管的工作狀態(tài)。0.7VVT0.3V下頁上頁RbRcVCCVBBVTRbRcVCCVT首頁10第10頁,課件共16頁,創(chuàng)作于2023年2月VBB=iBRb+uBEiBiCiB
=
46.5
μAβiB
=
2.3mA假設(shè)三極管飽和,UCES=0.3
V則ICS=VCC-UCESRc=4.85
mAβiB
<ICS假設(shè)不成立,三極管工作在放大區(qū)。或者iC=βiB
=
2.3mAuCE=VCC-iCRc=5.4
V發(fā)射結(jié)正偏集電結(jié)反偏,三極管工作在放大區(qū)。下頁上頁RbRcVCCVBBVT2k200k10V10Vβ=50首頁11第11頁,課件共16頁,創(chuàng)作于2023年2月VBB=iBRb+uBEiBiCiB
=
465
μAβiB
=
23mA假設(shè)三極管飽和,UCES=0.3
V則ICS=VCC-UCESRc=4.85
mAβiB
>ICS假設(shè)成立,三極管工作在飽和區(qū)?;蛘遡C=βiB
=
23mAuCE=VCC-iCRc=-36
V發(fā)射結(jié)正偏集電結(jié)正偏,三極管工作在飽和區(qū)。下頁上頁RbRcVCCVBBVT2kΩ20kΩ10V10Vβ=50首頁12第12頁,課件共16頁,創(chuàng)作于2023年2月四、三極管的主要參數(shù)2.反向飽和電流β=ΔiCΔiBβ≈ICIB共基直流電流放大系數(shù)αα=ΔiCΔiE共基電流放大系數(shù)αα=ICIEβ共射直流電流放大系數(shù)集電極和基極之間的反向飽和電流ICBO集電極和發(fā)射極之間的穿透電流
ICEOICEO=(1+)ICBOβ兩者滿足1.電流放大系數(shù)共射電流放大系數(shù)β下頁上頁首頁13第13頁,課件共16頁,創(chuàng)作于2023年2月3.極限參數(shù)a.集電極最大允許電流
ICMiC/mAOuCE/V三極管的安全工作區(qū)過流區(qū)集射反向擊穿電壓U(BR)CEO集基反向擊穿電壓U(BR)CBOiCuCE=PCM過壓區(qū)安全工作區(qū)ICM過損耗區(qū)U(BR)CEOc.極間反向擊穿電壓b.集電極最大允許耗散功率
PCM下頁上頁首頁14第14頁,課件共16頁,創(chuàng)作于2023年2月下頁上頁五、PNP型三極管PNP型三極管的放大原理與NPN型基本相同,但外加電源的極性相反。首頁VBBuiRbRcVT+-uOVCCVBBuiRbRcVT+-uOVCC15第15頁,課件共16頁,創(chuàng)作于2023年2月在由PNP型三極管組成的放大電路中,三極管中各極電流和電壓的實(shí)際方向如圖(a)所示,根據(jù)習(xí)慣三極管中電流和電壓的規(guī)定正方向如圖(b)所示。UCE
UBE
IE
IC
IB
cbe(-)
(+)
(+)
(-)
(a)UCE
UBE
IE
IC
IB
cb
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