DB44-T 1905-2016 超高頻射頻識別(RFID)芯片測試方法

31.200

55備案號：52766-2017

DB44 DB44/T

超高頻射頻識別(RFID)芯片測試方法

廣東省質(zhì)量技術(shù)監(jiān)督局

發(fā)布DB44/T

目 次前言……………………………

4.1

符號………………………4.2

縮略語……………………

5.1

總體要求…………………5.2

測試環(huán)境…………………5.3

默認(rèn)容限…………………5.4

本底噪聲…………………

6.1

標(biāo)簽芯片測試平臺………………………6.2

閱讀器芯片測試平臺……………………

7.1

7.2

標(biāo)簽芯片協(xié)議層功能一致性測試………………………

8.1

閱讀器芯片發(fā)射機(jī)主要性能參數(shù)測試…………………8.2

閱讀器芯片接收機(jī)主要性能參數(shù)測試…………………8.3

…………………DB44/T

前言

本標(biāo)準(zhǔn)由廣東省無線射頻（RFID）標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會（GD/TC1）歸口。DB44/T

超高頻射頻識別(RFID)芯片測試方法

范圍

規(guī)范性引用文件下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，僅注日期的版本適用于本文GB/T

29768-2013

GJB

7377.1-2011

部分：800/900

MHz

參數(shù)

部分：860

MHz

空中通信接口參數(shù)（Information

frequency

item

6:

for

air

interface

860

MHz

960

MHz）ISO/IEC

18047-6：信息技術(shù)

射頻識別設(shè)備一致性測試方法

第6部分：860

MHz960

MHz空中

technology

conformancetest

for

air

interface

860

MHz

to

960

MHz）

術(shù)語和定義 electromagnetic

power

electromagnetic

threshold

electromagnetic

threshold

emissionsDB44/T

spectrum

fc

fd

fd

符號和縮略語

符號fcfdFSFTHRMS11TfTrPLPMAXPSPTXＰTHR-IDPTHR-RPTHR-W

縮略語

概要5.1

總體要求本標(biāo)準(zhǔn)提出一系列對于標(biāo)簽芯片和閱讀器芯片的物理層和協(xié)議層的測試方法。測試結(jié)果應(yīng)與芯片DB44/T

5.2

測試環(huán)境不作特別說明的情況下，正常測試的環(huán)境溫度23℃±3℃，相對濕度40%60%。極端測試條件根據(jù)5.3

默認(rèn)容限5.4

本底噪聲測試前使用頻譜分析儀測量測試地點(diǎn)的本底噪聲，頻譜分析儀的獲取信號時(shí)間不低于1

min。

測試平臺6.1

標(biāo)簽芯片測試平臺6.1.1

測試設(shè)備6.1.2

測試平臺按照ISO/IEC

TR

的信號應(yīng)符合GJB

18000-6等相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定，測試時(shí)應(yīng)注意

6.2

閱讀器芯片測試平臺6.2.1

測試設(shè)備6.2.2

測試平臺PS-PL S11

閱讀器芯片PS-PL S11

閱讀器芯片DB44/T

按照ISO/IEC

TR

信號發(fā)生器頻譜分析儀 圖2

標(biāo)簽芯片測試7.1

標(biāo)簽芯片物理層測試7.1.1

標(biāo)簽芯片識別門限功率7.1.1.1

測試目的7.1.1.2

測試方法在標(biāo)簽芯片工作頻帶內(nèi)，從零開始調(diào)整輸入功率直到標(biāo)簽的返回調(diào)制信號被檢測并且標(biāo)簽產(chǎn)生響應(yīng)。測試中以2.5

a)

FTHR

b)

PTHR-ID

c) d)

e) 數(shù)據(jù)傳輸情況應(yīng)對比相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行驗(yàn)證，以防標(biāo)簽芯片出現(xiàn)錯(cuò)誤響應(yīng)。然后增大閱讀器信號幅度重復(fù)步驟

FS

PS

PLf)

PS-

PL

FS

S11

2g)

2.5MHz

應(yīng)對所有被測標(biāo)簽芯片進(jìn)行測試，將所測標(biāo)簽芯片中門限功率最大的值確定為標(biāo)簽芯片識別的門PS-PS-PL ）×（1-S11

DB44/T

7.1.1.3

測試報(bào)告7.1.2

標(biāo)簽芯片的可讀門限功率7.1.2.1

測試目的7.1.2.2

測試方法在標(biāo)簽芯片工作頻帶內(nèi)，調(diào)整輸入功率從零變化直到能正確讀到標(biāo)簽芯片存儲器中的信息。發(fā)出讀命令后，需能夠讀取到標(biāo)簽芯片消息的首地址和末地址，才能確定成功讀取標(biāo)簽信息。注意在讀取之前寫入標(biāo)簽芯片存儲區(qū)的“1”與“0”的位數(shù)要基本一致。此測試中的存儲器應(yīng)該是用戶存儲區(qū)，a)

FTHR

b)

PTHR-Rc)

d)

由閱讀器不斷向標(biāo)簽芯片發(fā)送讀內(nèi)存首地址的指令，并且每發(fā)出一條指令后逐漸增加信號幅e)

數(shù)據(jù)傳輸應(yīng)對比相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行驗(yàn)證，以防標(biāo)簽芯片出現(xiàn)錯(cuò)誤響應(yīng)，應(yīng)逐漸增大閱讀器發(fā)射信號幅度重復(fù)步驟

FS

PS

PLf)

PS

-

PL

FS

S112g)

閱讀器向內(nèi)存末地址發(fā)送讀標(biāo)簽芯片的指令，重復(fù)步驟

c)f)；h)

將閱讀器的工作頻率分別設(shè)置為

個(gè)不同的工作頻率點(diǎn)，重復(fù)上述步驟

a)g)。應(yīng)對所有標(biāo)簽芯片進(jìn)行測試，最后標(biāo)簽芯片的可讀門限功率確定為所測標(biāo)簽芯片中門限功率最大7.1.2.3

測試報(bào)告7.1.3

標(biāo)簽芯片的可寫門限功率7.1.3.1

測試目的7.1.3.2

測試方法在標(biāo)簽芯片工作頻帶范圍內(nèi)，調(diào)整輸入功率從零變化直到能向標(biāo)簽芯片存儲區(qū)寫入命令。發(fā)出命令后寫操作應(yīng)分別在標(biāo)簽芯片存儲區(qū)首地址和末地址進(jìn)行。注意寫入存儲區(qū)的“1”與“0”的位數(shù)要a)

FTHR

b)

PTHR-R

c)

P SP S-PLS 11

PS-PLS 11

DB44/T

d)

由閱讀器不斷向標(biāo)簽芯片發(fā)送寫內(nèi)存首地址的指令，并且每發(fā)出一條指令后逐漸增加信號幅e)

數(shù)據(jù)傳輸應(yīng)對比相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行驗(yàn)證，以防標(biāo)簽芯片出現(xiàn)錯(cuò)誤響應(yīng)。應(yīng)逐漸增大閱讀器發(fā)射信號幅度重復(fù)步驟

FS

PS

PL

f)

PS

PL

FS

S11

2g)

閱讀器向內(nèi)存末地址發(fā)送寫標(biāo)簽的指令，重復(fù)步驟

c)h)

將閱讀器的工作頻率分別設(shè)置為

個(gè)不同的工作頻率點(diǎn)，重復(fù)上述步驟

a)g)。應(yīng)對所有標(biāo)簽芯片進(jìn)行測試，最后標(biāo)簽芯片的可寫門限功率確定為所測標(biāo)簽芯片中門限功率最大7.1.3.3

測試報(bào)告7.1.4

標(biāo)簽芯片最大工作功率7.1.4.1

測試目的7.1.4.2

測試方法在標(biāo)簽芯片工作頻帶范圍內(nèi)，調(diào)整輸入功率從標(biāo)簽芯片識別門限功率逐漸增大直到無法識別標(biāo)簽a)

FTHRb)

PTHR-IDc) d)

e)數(shù)據(jù)傳輸應(yīng)對比相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行驗(yàn)證。以防標(biāo)簽芯片出現(xiàn)錯(cuò)誤響應(yīng)，應(yīng)增大幅度重復(fù)步驟

d)；f) g) 重復(fù)步驟

d)

~f

FSPS

PLh)

PS

PL

FS

S112i) 將閱讀器工作頻率分別設(shè)置

a)應(yīng)對所有標(biāo)簽芯片進(jìn)行測試，最后標(biāo)簽芯片的最大工作功率確定為所測標(biāo)簽中最大功率中最小那7.1.4.3

測試報(bào)告7.2

標(biāo)簽芯片協(xié)議層功能一致性測試7.2.1

標(biāo)簽芯片的解調(diào)和響應(yīng)時(shí)間DB44/T

7.2.1.1

測試目的7.2.1.2

測試方法測試中閱讀器應(yīng)發(fā)送相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)所規(guī)定的強(qiáng)制性命令，待測標(biāo)簽芯片接受到來自閱讀器的命令后應(yīng)及時(shí)作出正確的響應(yīng)，閱讀器接受到標(biāo)簽芯片的響應(yīng)之后，得到標(biāo)簽芯片的最小響應(yīng)時(shí)間，并發(fā)出新7.2.1.3

測試報(bào)告應(yīng)給出在正常和極端測試條件下標(biāo)簽芯片的解調(diào)能力和響應(yīng)時(shí)間，以及該值是否符合相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的7.2.2

標(biāo)簽的反向散射7.2.2.1

測試目的該測試的目的是為了驗(yàn)證標(biāo)簽芯片是否能提供合適的調(diào)制波形，以及閱讀器能檢測到的最小反向7.2.2.2

測試方法閱讀器在最小功率的情況下發(fā)送相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)所規(guī)定的強(qiáng)制性命令，保證標(biāo)簽芯片的響應(yīng)能被頻譜分7.2.2.3

測試報(bào)告7.2.3

發(fā)送接收轉(zhuǎn)換時(shí)間7.2.3.1

測試目的7.2.3.2

測試方法閱讀器應(yīng)在規(guī)定的載波頻率下以最大功率發(fā)送相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)所規(guī)定的強(qiáng)制性命令。采用示波器測試標(biāo)7.2.3.3

測試報(bào)告應(yīng)給出在正常和極端測試條件下標(biāo)簽芯片和閱讀器之間發(fā)送接收的轉(zhuǎn)換時(shí)間，以及該值是否符合7.2.4

標(biāo)簽芯片的比特率7.2.4.1

測試目的該測試的目的是為了根據(jù)相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)中鏈路速率的規(guī)定，驗(yàn)證標(biāo)簽芯片的比特率，也即反向鏈路的DB44/T

7.2.4.2

測試方法閱讀器應(yīng)在規(guī)定的載波頻率下，以最大功率發(fā)送相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)所規(guī)定的強(qiáng)制性命令。采用示波器記錄7.2.4.3

測試報(bào)告

閱讀器芯片測試8.1

閱讀器芯片發(fā)射機(jī)主要性能參數(shù)測試8.1.1

頻率偏差測試8.1.1.1

測試目的8.1.1.2

測試方法使閱讀器芯片發(fā)送未經(jīng)調(diào)制的連續(xù)載波信號，通過連接頻率計(jì)測試所發(fā)信號的頻率。需測試相關(guān)8.1.1.3

測試報(bào)告8.1.2

發(fā)射功率測試8.1.2.1

測試目的8.1.2.2

測試方法a)

50Ω

PTXb) 8.1.2.3

測試報(bào)告8.1.3

發(fā)射機(jī)頻譜掩板8.1.3.1

測試目的8.1.3.2

測試方法a) 閱讀器芯片的

RF

50ΩDB44/T

b)

c)

設(shè)置閱讀器芯片產(chǎn)生一系列脈沖信號，傳送的每一個(gè)脈沖信號先要經(jīng)過測試信號進(jìn)行調(diào)制。

50

10

ms；d)

ISO/IEC

e)

若閱讀器有多個(gè)輸出接口，所有輸出接口應(yīng)通過合適的組合網(wǎng)絡(luò)與頻譜分析儀相連。注意調(diào)8.1.3.3

測試報(bào)告應(yīng)給出相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)所規(guī)定下的多組測試頻率以及相對應(yīng)的輸出功率，對比標(biāo)準(zhǔn)給定的頻率掩板，判8.1.4

雜散發(fā)射8.1.4.1

測試目的8.1.4.2

測試方法a) 將閱讀器

50Ωb) c) d)8.1.4.3

測試報(bào)告8.2

閱讀器芯片接收機(jī)主要性能參數(shù)測試8.2.1

同信道抑制8.2.1.1

測試目的8.2.1.2

測試方法a)設(shè)置閱讀器芯片工作在相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的一個(gè)信道上，連接閱讀器芯片和功分器。功分器一路b) c)d) 逐漸增大信號發(fā)生儀發(fā)送信號的功率，直到閱讀器芯片無法對標(biāo)簽進(jìn)行識別，此時(shí)信號發(fā)生DB44/T

8.2.1.3

測試報(bào)告8.2.2

相鄰信道選擇8.2.2.1

測試目的8.2.2.2

測試方法a) 設(shè)置閱讀器芯片正常工作在相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的一個(gè)信道，連接閱讀器芯片和功分器。功分器一b) 設(shè)置信號發(fā)生儀發(fā)送閱讀器芯片工作信道的相鄰信道上頻率值的干擾信號（具體頻率值參照c) d) 逐漸增大信號發(fā)生儀發(fā)送信號的功率，直到閱讀器芯片無法對標(biāo)簽進(jìn)行識別，此時(shí)信號發(fā)生8.2.2.3

測試報(bào)告8.2.3

阻塞和降敏8.2.3.1

測試目的衡量接收機(jī)在接收標(biāo)簽反饋信號的同時(shí)抑制來自非相鄰信道上信號干擾的能力（具體信號頻率值8.2.3.2

測試方法a) 設(shè)置閱讀器芯片正常工作在相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的一個(gè)信道，連接閱讀器芯片和功分器。功分器一b)設(shè)置信號發(fā)生儀發(fā)送和閱讀器芯片工作信道所在頻率不同的干擾信號（具體頻率值參照相關(guān)c) d)逐漸增大信號發(fā)生儀發(fā)送信號的功率，直到閱讀器芯片無法對標(biāo)簽進(jìn)行識別，此時(shí)信號發(fā)生8.2.3.3

測試報(bào)告8.2.4

雜散發(fā)射8.2.4.1

測試目的DB44/T

8.2.4.2

測試方法a) 將閱讀器芯片的

50Ωb) 打開閱讀器芯片讓其正常工作，調(diào)節(jié)頻譜分析儀在雜散域內(nèi)的不同頻率上（具體參看相關(guān)標(biāo)c) 8.2.4.3

測試報(bào)告8.3

閱讀器芯片協(xié)議層功能一致性測試8.3.1

閱讀器芯片調(diào)制功能測試8.3.1.1

測試目的8.3.1.2

測試方法閱讀器芯片應(yīng)在規(guī)定的載波頻率下以最大功率發(fā)送相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)所規(guī)定的強(qiáng)制性命令。用示波器記錄TrTf

M8.3.1.3

測試報(bào)告8.3.2

閱讀器芯片解調(diào)功能和響應(yīng)時(shí)間