存儲行業(yè)市場分析

存儲行業(yè)市場分析供需平衡帶動價格止跌，存儲周期反轉(zhuǎn)在即存儲是最能反映半導(dǎo)體景氣度的細(xì)分品種存儲芯片隸屬于半導(dǎo)體大類中集成電路的范疇。半導(dǎo)體可分為分離器件、光電子、傳感器和集成電路四大類。其中，集成電路是半導(dǎo)體中占比最高的產(chǎn)品類型，2022年其市場規(guī)模達(dá)4799.88億美元，約占整個半導(dǎo)體市場規(guī)模的82.74%，集成電路包括模擬芯片、微處理器芯片、邏輯芯片和存儲芯片等四種類型芯片。存儲芯片（MemoryChip）是一種用于數(shù)據(jù)存儲和讀取的電子器件，其由一系列存儲單元組成，每個存儲單元可以存儲一個或多個比特的數(shù)據(jù)。存儲芯片包括一旦斷電儲存的數(shù)據(jù)就會丟失的易失性存儲（RAM），以及斷電后不影響保存數(shù)據(jù)的非易失性存儲（ROM）。其中，RAM按照是否需要刷新分為SRAM和DRAM（需要刷新），DRAM按應(yīng)用場景的不同分為DDR以及LPDDR；ROM芯片中最為常見的是Flash，其按照不同的存儲結(jié)構(gòu)分為基于頁的NANDFlash以及基于字節(jié)的NORFlash，NANDFlash按應(yīng)用場景不同又分為嵌入式存儲、固態(tài)硬盤SSD以及移動存儲等。DRAM、NAND是目前全球最主要的存儲器，根據(jù)ICInsights的數(shù)據(jù)顯示，2021年全球DRAM\NAND\NOR營收占比分別為56%\41%\2%。目前存儲芯片被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備和系統(tǒng)中，例如個人電腦、智能手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、游戲機(jī)、汽車電子、物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備等。存儲芯片在集成電路中占比較高。根據(jù)WSTS數(shù)據(jù)，2021、2022年，存儲芯片在集成電路銷售額中占比33.23%、28.00%，同時預(yù)測2023年全年集成電路銷售額將達(dá)到4530.41億美元，其中存儲產(chǎn)品銷售額達(dá)1116.24億美元，占比24.64%，在半導(dǎo)體市場遇冷的大環(huán)境下，仍舊占比較高。據(jù)Yole預(yù)測數(shù)據(jù)，存儲21-27年CAGR達(dá)到8%，至2027年，存儲市場規(guī)模有望達(dá)到2630億美元。存儲芯片市場彈性較強(qiáng)，將有望引來上行周期。存儲芯片大宗商品屬性較強(qiáng)，標(biāo)準(zhǔn)化程度高，故其可替代性較強(qiáng)、價格對下游市場需求較為敏感，因此存儲芯片的周期波動往往高于半導(dǎo)體行業(yè)的整體周期波動，在整體行業(yè)處于下行周期時，存儲市場往往會受到更高的沖擊，而相應(yīng)地若處于從低谷持續(xù)回暖的上行周期，存儲芯片市場也將會相對受益更多；同時，根據(jù)過去的歷史規(guī)律，存儲芯片下跌周期往往不超3年，而目前存儲市場景氣度下行已持續(xù)近兩年半，我們預(yù)計其有望很快迎來上行周期，根據(jù)WSTS的預(yù)測，存儲2023-2024年市場規(guī)模為840.4億美元和1203.3億美元，分別同比-35%，+43%。多維度論證存儲周期底部已至我們將從價格、庫存、供給、需求四個角度來論述存儲周期底部已至。①價格端，分為回溯存儲芯片歷史價格周期與預(yù)測存儲芯片短期價格波動兩部分論證其價格走向；②庫存端，由于處于不同的市場周期，廠商會有不同的備貨策略，通過分析存儲龍頭企業(yè)的庫存水位及其變化，可以大致判斷未來短期市場周期變動；③供給端，通過分析存儲原廠的產(chǎn)能利用率以及CAPEX判斷未來存儲芯片市場的供給情況，從而分析對價格的影響；④需求端，通過分析存儲芯片主要下游應(yīng)用領(lǐng)域景氣度的大致變化，判斷對上游存儲市場的作用效力。價格回溯DRAM價格周期。主流顆粒DDR4-4Gb-512Mx82133/2400MHz、DDR4-8Gb-1Gx82133/2400MHz、DDR3-4Gb-512Mx81333/1600MHz現(xiàn)貨平均價自2022年初便一路下跌至近兩年來價格谷底，目前下跌速度趨緩，我們預(yù)計仍將有一段時間的下跌，但下降空間不大。其中以DDR4-4Gb-512Mx82133/2400MHz為例，目前該顆?，F(xiàn)貨價格1美金，而在去年同一時間點的價格約為2.28美金?；厮軳ANDFlash價格周期。NANDFlash經(jīng)過了2021年開始的相對高點之后，目前也處于下跌周期，周期長度與DRAM基本重合。代表性顆粒128\256\512GbTLCwafer價格均處于近兩年低谷，如512GbTLCWafer現(xiàn)貨目前平均價僅為1.40美金。我們預(yù)計，相比DRAM，NAND有望先迎來價格上行。23Q3DRAM、NAND產(chǎn)品均價繼續(xù)下跌但跌幅預(yù)計減少，NANDFlashWafer產(chǎn)品均價有望上漲。對于短期內(nèi)DRAM和NAND芯片的價格變動，參考TrendForce對3Q23產(chǎn)品價格的預(yù)估：①DRAM方面，受益于DRAM供應(yīng)商陸續(xù)啟動減產(chǎn)，以及季節(jié)性需求支撐減輕供應(yīng)商庫存壓力，預(yù)期23Q3DRAM均價跌幅將會收斂至0~5%，其中PCDRAM、ServerDRAM、MoblieDRAM、GraphicsDRAM、ConsumerDRAM的23Q3均價均預(yù)計環(huán)比下跌0~5%；②NANDFlash方面，同樣受惠于原廠減產(chǎn)幅度持續(xù)擴(kuò)大，與季節(jié)性旺季需求支撐，預(yù)估23Q3整體NANDFlash均價下跌收斂至3~8%，其中NANDFlashWafer均價預(yù)估將率先上漲，環(huán)比增長0~5%；eMMC、UFS，其合約均價預(yù)計跌幅仍有約8~13%；EnterpriseSSD均價跌幅將收斂至5~10%；ClientSSD均價將環(huán)比下跌8~13%。庫存對比海外存儲大廠海力士與美光的庫存，自22年初水位一直增長，反應(yīng)過去存儲一直處于下行周期，目前海力士庫存水位增速放緩，其周轉(zhuǎn)天數(shù)已達(dá)峰，23Q2有望看到好轉(zhuǎn)；美光FY23Q2存貨、存貨周轉(zhuǎn)天數(shù)水平較FY22Q4均有所下行，公司在FY23Q3法說會也公開表明其客戶庫存正在改善：除數(shù)據(jù)中心外，美光的其他終端市場的庫存接近正常水平，數(shù)據(jù)中心的客戶庫存預(yù)計在今年年底或往后不久也會有所改善。美光FY23Q3指的是公司2023年2月-5月的經(jīng)營季度，對應(yīng)了三星、海力士一部分的FY23Q2的財務(wù)情況，因此從美光的指引來看三星、海力士FY23Q2的庫存水位很有可能看到好轉(zhuǎn)的跡象。同時，近日三星突然在非常規(guī)的人事季節(jié)更換DRAM部門負(fù)責(zé)人，與其上半年存儲半導(dǎo)體表現(xiàn)低迷亦有關(guān)聯(lián)。我們判斷，海外存儲大廠的庫存水位與庫存周轉(zhuǎn)天數(shù)的變化是目前存儲行業(yè)已觸底的積極信號。供給供給方面，低迷的市場表現(xiàn)和嚴(yán)重的虧損影響著各大存儲芯片廠商，為及時調(diào)整庫存和減少供應(yīng)過剩帶來的負(fù)面影響如降價等，三星、SK海力士、美光、鎧俠、西部數(shù)據(jù)等大廠紛紛于半年內(nèi)宣布大幅減產(chǎn)、縮減資本支出。根據(jù)美光FY23Q3法說會信息，其近期將DRAM和NAND晶圓開工率進(jìn)一步減少至接近30%，預(yù)計減產(chǎn)將持續(xù)到2024年，這或也將對應(yīng)三星、海力士等存儲大廠FY23Q2的晶圓開工率情況。在大廠紛紛減產(chǎn)影響下，存儲市場的供給將會持續(xù)減少以應(yīng)對當(dāng)前客戶足量的庫和下游萎靡的需求，最終驅(qū)動供求關(guān)系穩(wěn)定地趨于平衡，存儲芯片價格將會止跌。需求根據(jù)ICInsights數(shù)據(jù)，2021年NANDflash和DRAM占存儲芯片市場份額近97%，因此NANDFlash和DRAM的下游需求結(jié)構(gòu)能夠反映存儲芯片主要下游應(yīng)用。根據(jù)相關(guān)數(shù)據(jù)，智能手機(jī)分別占到NANDFlash和DRAM下游應(yīng)用的40%左右，服務(wù)器分別占23%和34%，筆電分別占21%和13%。以下將從智能手機(jī)、筆電、服務(wù)器三類下游應(yīng)用的市場規(guī)模及趨勢進(jìn)行需求端的分析。自2017年開始，全球智能手機(jī)開始呈現(xiàn)下降趨勢，經(jīng)濟(jì)疲軟和通貨膨脹等后疫情宏觀因素使得消費復(fù)蘇不如預(yù)期，IDC預(yù)測2023年全球智能手機(jī)出貨量將下降3.2%。但同時IDC也釋放出積極信號，全球智能手機(jī)市場將有望于2024年實現(xiàn)良好復(fù)蘇，預(yù)計出貨量將增長6%，未來4年市場也將呈持續(xù)增長趨勢。筆電市場在經(jīng)過幾季度的低迷后有望立即反彈。根據(jù)TrendForce數(shù)據(jù)，全球筆電市場將于23Q2實現(xiàn)快速復(fù)蘇并持續(xù)增長，23Q2全球筆電出貨量將達(dá)40.5百萬臺，同比增長15.7%，到23Q4出貨量將增長到44.7百萬臺。我們認(rèn)為，筆電市場的復(fù)蘇或?qū)悠溆嗥奉惖南M電子產(chǎn)品景氣度上行，從而多重需求驅(qū)動存儲芯片市場的增長。同時，筆電代工廠廣達(dá)受惠于筆電需求轉(zhuǎn)好的季底拉貨效應(yīng)展現(xiàn)強(qiáng)大動能，6月營收破900億元新臺幣大關(guān)，緯創(chuàng)、英業(yè)達(dá)業(yè)績6月營收也同比走高。全球服務(wù)器出貨量過去十年一直呈現(xiàn)增長趨勢，由于宏觀經(jīng)濟(jì)因素，IDC預(yù)計2023出貨量增速將下滑，2024年有望重回穩(wěn)健增長軌道。同時，行業(yè)整體呈現(xiàn)出AI服務(wù)器等高算力型號滲透率增長超過傳統(tǒng)型號的趨勢，預(yù)計2023-2026年AI服務(wù)器滲透率CAGR將達(dá)到26.05%，且由于AI服務(wù)器對軟硬件要求高，對上游部件價值量起到的增長作用將遠(yuǎn)超傳統(tǒng)服務(wù)器。供應(yīng)鏈瓶頸仍在，存儲國產(chǎn)化是關(guān)鍵一環(huán)目前我國的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正蓬勃發(fā)展，但仍有一些卡脖子的環(huán)節(jié)，如產(chǎn)業(yè)鏈上游的半導(dǎo)體設(shè)備（如光刻機(jī)）與原材料（如濕化學(xué)品）、晶圓制造以及芯片設(shè)計環(huán)節(jié)，在芯片設(shè)計中存儲芯片產(chǎn)業(yè)鏈便是目前國家布局半導(dǎo)體行業(yè)中需要著重攻克的領(lǐng)域。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈存儲芯片行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈上游參與者為原材料供應(yīng)商和設(shè)備供應(yīng)商；行業(yè)中游為存儲芯片制造商，主要負(fù)責(zé)存儲芯片的設(shè)計、制造和銷售。芯片具有較高技術(shù)壁壘，當(dāng)前全球存儲芯片市場被韓國、日本、美國企業(yè)所占據(jù)；行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈下游參與者為消費電子、信息通信、高新科技技術(shù)和汽車電子等應(yīng)用領(lǐng)域內(nèi)的企業(yè)。存儲芯片行業(yè)屬于技術(shù)密集型產(chǎn)業(yè)，中國存儲芯片行業(yè)起步晚，缺乏技術(shù)經(jīng)驗累積。雖然中國本土長江存儲、合肥長鑫等存儲芯片企業(yè)已逐步完善NAND和DRAM產(chǎn)業(yè)布局，技術(shù)已經(jīng)追趕上國際巨頭并進(jìn)行規(guī)模量產(chǎn)，但也有部分等細(xì)分領(lǐng)域仍處于投產(chǎn)初期，尚未實現(xiàn)產(chǎn)品的規(guī)模量產(chǎn)。與國外存儲芯片制造商相比，中國存儲芯片技術(shù)基礎(chǔ)薄弱為制約行業(yè)發(fā)展的主要因素。從三大產(chǎn)品看國內(nèi)存儲產(chǎn)業(yè)鏈布局現(xiàn)狀DRAMDRAM三巨頭具備先發(fā)優(yōu)勢。據(jù)TrendForce數(shù)據(jù)統(tǒng)計，DRAM頭部效應(yīng)明顯且集中度呈現(xiàn)越來越高的趨勢，23Q1市場CR3達(dá)95.5%，較20Q1提升1.3pcts。產(chǎn)品上，目前產(chǎn)品最新標(biāo)準(zhǔn)迭代至DDR5，10nm以下制程待突破。傳統(tǒng)異步DRAM已被淘汰，讀/寫時鐘與CPU同步的SDRAM作為DRAM的升級成為主流，主要包括DDR/GDDR/LPDDR等，其中DDR已迭代至第五代（DDR5）；制程上，10nm~20nm系列制程至少包括六代：1Xnm（16-19nm）/1Ynm（14-16nm）/1Znm（12-14nm）/1α/1β/1γ，10nm以下待突破。長鑫2018年成功研發(fā)出中國首個國產(chǎn)8GbDDR4內(nèi)存，2021年開始進(jìn)入17nm工藝環(huán)節(jié)，2022年完成了17nmDDR5內(nèi)存試產(chǎn)。目前長鑫存儲主要產(chǎn)品有DDR4內(nèi)存芯片、LPDDR4X內(nèi)存芯片以及DDR4模組，但整體來看，與DRAM三巨頭仍存在一定差距。NANDFlash相比于DRAM，NAND集中度更低，但目前依然呈現(xiàn)越來越高的趨勢。據(jù)TrendForce數(shù)據(jù)顯示，近兩年NANDFlash市場龍頭占領(lǐng)的市場份額進(jìn)一步加大，CR5從20年Q1的89.0%增長到現(xiàn)在的96.6%。產(chǎn)品上，長江存儲于2022年發(fā)布基于晶棧?（Xtacking）3.0技術(shù)的第四代TLC三維閃存X3-9070，相比長江存儲上一代產(chǎn)品，X3-9070擁有更高的存儲密度，更快的I/O速度，并采用6-plane設(shè)計，性能提升的同時功耗更低，同時是長江存儲歷史上密度最高的閃存顆粒產(chǎn)品，能夠在更小的單顆芯片中實現(xiàn)1Tb的存儲容量，與國際巨頭達(dá)到相近的技術(shù)水平，這同時也是NAND價格一路下跌的重要原因之一。NORFlashNORFlash市場由華邦電、旺宏、兆易創(chuàng)新3家廠商主導(dǎo)。據(jù)ICInsights統(tǒng)計，2021年NORFlash市場CR3份額達(dá)91%。從制程布局上看，華邦電相對領(lǐng)先，自2021年大多數(shù)產(chǎn)品已轉(zhuǎn)進(jìn)40nm制程；旺宏的所有NOR器件都于2022Q2開始向45nm工藝生產(chǎn)過渡；兆易創(chuàng)新作為國產(chǎn)NORFlash龍頭，其55nmNORFlash全系列產(chǎn)品均已量產(chǎn)，同時正在著力推進(jìn)45nm制程工藝研發(fā)。作為國產(chǎn)化率最高的一類存儲芯片，國內(nèi)有許多企業(yè)在NORFlash芯片進(jìn)行產(chǎn)品布局。①兆易創(chuàng)新：作為全球NORFlash產(chǎn)品的龍頭，其相關(guān)產(chǎn)品涵蓋了市場絕大部分的容量類型，從512Kb至2Gb，電壓涉及1.8V、2.5V、3.3V以及寬電壓產(chǎn)品；②北京君正：公司分別通過控股北京矽成、上海芯楷進(jìn)行NORFlash存儲芯片的研發(fā)與生產(chǎn)，具有串口型和并口型兩種設(shè)計結(jié)構(gòu)，涉及到消費電子、汽車電子等下游領(lǐng)域；③普冉股份：公司相關(guān)產(chǎn)品包含L系列（高電壓、2.3-3.6V）、H系列（低電壓、1.65-2V）、U系列（寬范圍：1.65-3.6V）三類，廣泛應(yīng)用于智能手機(jī)、TWS耳機(jī)等領(lǐng)域；④東芯股份：公司產(chǎn)品應(yīng)用于通訊設(shè)備、可穿戴設(shè)備以及安防監(jiān)控設(shè)備，覆蓋容量從64Mb到1Gb的產(chǎn)品規(guī)格；⑤恒爍股份：公司NORFlash存儲芯片產(chǎn)品具有可靠性高，功耗低以及先進(jìn)的安全特性等優(yōu)勢，應(yīng)用范圍涵蓋了顯示驅(qū)動，PC、平板等消費電子設(shè)備，以及WLAN等通訊設(shè)備。新應(yīng)用催生新需求，AI驅(qū)動存力重要性提升AI服務(wù)器存儲用量倍增，新平臺引DDR5加速滲透AI大模型伴隨自身參數(shù)的爆發(fā)增長持續(xù)迭代升級，AI服務(wù)器深度受益于AI大模型的參數(shù)增長。2023年3月15日，OpenAI發(fā)布了ChatGPT的最新版本——GPT4模型，揭開了第四次科技革命——“智能時代”序幕，人類進(jìn)入AI大模型時代。而目前大模型升級的趨勢之一即是參數(shù)量的飆升。大模型的參數(shù)規(guī)模越大，意味著算力負(fù)擔(dān)越重，而AI服務(wù)器則是算力的核心。TrendForce不斷上修AI服務(wù)器出貨量，預(yù)計2023年AI服務(wù)器（包含搭載GPU、FPGA、ASIC等）出貨量近120萬臺，年增38.4%，占整體服務(wù)器出貨量近9%，至2026年將占15%，同步上修2022~2026年AI服務(wù)器出貨量年復(fù)合成長率至22%。我們認(rèn)為AI創(chuàng)新引發(fā)的算力“軍備競賽”將推動AI服務(wù)器超預(yù)期滲透。大模型參數(shù)及訓(xùn)練數(shù)據(jù)量的增長對顯存容量有更高的要求。更多的參數(shù)量不僅可以提高模型的表現(xiàn)能力，也意味著需要大容量、高速的存儲支持。存儲芯片巨頭美光于FY24Q2法說會表示，一臺人工智能服務(wù)器DRAM使用量是普通服務(wù)器的6-8倍，NAND是普通服務(wù)器的3倍。根據(jù)我們的預(yù)測，2026年服務(wù)器DRAM（不含HBM）市場規(guī)模有望達(dá)321億美元，NAND市場規(guī)模有望達(dá)425億美元。針對AI服務(wù)器的高性能要求，更強(qiáng)大的內(nèi)存——DDR5需求也隨之提升。與DDR4相比，DDR5具備更高速度、更大容量與更低能耗等特點。DDR5內(nèi)存的最高傳輸速率達(dá)6.4Gbps，比DDR4內(nèi)存提升了一倍。與根據(jù)Semiconductor資料顯示，DDR產(chǎn)品總體呈現(xiàn)電源電壓值越來越小、數(shù)據(jù)傳輸速率急速增長、芯片密度越來越大的趨勢。內(nèi)存接口芯片需求有望隨DDR5份額提升而增加內(nèi)存接口芯片是服務(wù)器內(nèi)存模組的核心邏輯器件，作為服務(wù)器CPU存取內(nèi)存數(shù)據(jù)的必由通路，其主要作用是提升內(nèi)存數(shù)據(jù)訪問的速度及穩(wěn)定性，滿足服務(wù)器CPU對內(nèi)存模組日益增長的高性能及大容量需求；內(nèi)存接口芯片認(rèn)證、技術(shù)壁壘高，行業(yè)格局高度集中，有研發(fā)周期長，更新迭代快的特點。自DDR4開始，行業(yè)主要參與者僅剩瀾起、瑞薩（IDT）、Rambus三家，2020年三家全球市占率分別為44%、36%、20%。隨著DDR內(nèi)存技術(shù)向DDR5世代切換，內(nèi)存接口芯片的用量也在增加。以國內(nèi)龍頭瀾起科技為例，其在業(yè)界率先試產(chǎn)DDR5第二子代RCD芯片，發(fā)布業(yè)界首款DDR5第三子代RCD芯片工程樣片及DDR5第一子代CKD芯片工程樣片。目前，瀾起DDR4及DDR5內(nèi)存接口芯片已成功進(jìn)入國際主流內(nèi)存、服務(wù)器和云計算領(lǐng)域，并占據(jù)全球市場的重要份額。電源管理芯片（PMIC）是在DDR5中新集成的一塊內(nèi)存接口芯片。PMIC能簡化DDR5內(nèi)存電壓調(diào)節(jié)，對于英特爾的XMP3.0等內(nèi)存超頻功能來說至關(guān)重要，但這種設(shè)計造成了PMIC數(shù)量不足的問題。美光等內(nèi)存廠商確認(rèn)，由于PMIC等非內(nèi)存組件的缺失，造成了DDR5普及困難的現(xiàn)狀，DDR5內(nèi)存PMIC的交期一度達(dá)到35周，隨著產(chǎn)能恢復(fù)，PMIC的供給問題得到一定緩解。英特爾（Intel）和超威（AMD）支持DDR5新平臺推出后，服務(wù)器DDR5RDIMM又出現(xiàn)了PMIC匹配性問題，使得DDR5的需求不能快速提升，新平臺的推出仍受阻，而目前DRAM原廠和PMIC廠商均已著手處理。我們認(rèn)為盡管短期原廠DDR5供應(yīng)受阻，價格下降趨勢放緩影響滲透提升，但由于PMIC供應(yīng)廠商較多，切換及適配不會成為DDR5滲透率提升瓶頸。我們預(yù)估，服務(wù)器DDR5滲透率有望于今年底達(dá)到25%，在2026年達(dá)到85%，AI服務(wù)器的加速發(fā)展以及PMIC良率問題逐步得到解決，DDR5滲透率有望逐步攀升，內(nèi)存接口芯片供應(yīng)商有望深度受益本次升級浪潮。AI推動存算一體技術(shù)創(chuàng)新加速，HBM技術(shù)推動AI算力突破存力瓶頸存算一體有助于從根本解決“存儲墻”問題。從早期開始，馮·諾依曼理論就是計算機(jī)系統(tǒng)架構(gòu)的核心，而隨著AI的持續(xù)發(fā)展，算力的增長速度要遠(yuǎn)大于存儲的增長速度，這導(dǎo)致馮·諾依曼結(jié)構(gòu)中突出的“存儲墻”問題越發(fā)嚴(yán)重：①一是存儲帶寬問題。由于存儲與計算單元分離，所以就需要通過總線不斷從存儲與處理器之前傳輸數(shù)據(jù)，存儲的帶寬對計算單元的帶寬進(jìn)行了限制，從而對AI算力的效率提升較低；②二是傳輸能效問題。從外部處理器到內(nèi)存之間不斷進(jìn)行數(shù)據(jù)的搬運，搬運時間往往是運算時間的成百上千倍，產(chǎn)生的無用能耗過多，而這也導(dǎo)致計算卡的算力提升受到限制。為了解決“存儲墻問題”，存算一體的概念再一次被提出。存算一體是指拉進(jìn)計算單元與存儲之間的傳輸距離，按距離的遠(yuǎn)近可以分為近存計算，存內(nèi)處理，存內(nèi)計算三類?！そ嬗嬎悖≒NM）：將存儲芯片與計算單元芯片通過封裝等方式進(jìn)行集成。近存計算僅僅降低了數(shù)據(jù)傳輸?shù)某杀荆鎯π酒陀嬎銌卧酒耘f相互獨立。近存計算的代表模式有HBM（3DHighBandwidthMemory）模式，HBM技術(shù)將多個存儲Die通過TSV（硅通孔）垂直堆疊來提升存儲容量，并基于硅中介板（Interposer）的高速接口與計算單元芯片(GPU/CPU/SOCDie）互聯(lián)，最終具有更高的I/O數(shù)量、可達(dá)1024位的顯存位寬、更低的功耗與更小的外形等優(yōu)勢。存內(nèi)處理（PIM）：存儲芯片上同時集成存儲與計算的能力，此時存儲芯片和計算單元芯片已合二為一，但存內(nèi)處理的本質(zhì)仍是存儲能力與計算能力的分離，存儲器內(nèi)具有的獨立計算單元負(fù)責(zé)進(jìn)行計算操作，提供大吞吐低延遲片上處理能力。相比近存計算，存儲單元與計算單元的距離更近，進(jìn)一步緩解“存儲墻”的問題。存內(nèi)處理的代表模式為在內(nèi)存（DRAM）芯片中實現(xiàn)部分?jǐn)?shù)據(jù)處理，較為典型的產(chǎn)品形態(tài)為HBM-PIM和PIM-DIMM。存內(nèi)計算（CIM）：存儲芯片內(nèi)不再區(qū)分存儲單元和計算單元，利用不同的存儲介質(zhì)（SRAM、Flash、RRAM、MRAM等）的物理特性，對存儲芯片的電路重新設(shè)計使其同時具備計算和存儲能力，通過在內(nèi)部存儲中添加計算邏輯，真正讓存儲單元和計算單元二者合為一體。存內(nèi)計算與近存計算、存內(nèi)處理相比，數(shù)據(jù)傳輸路徑最短，傳輸能耗最低，從而計算能效能得到數(shù)量級的提升。存內(nèi)計算的代表模式為卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)（CNN）與循環(huán)神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)（RNN）。目前存內(nèi)計算還存在著新型存儲器件成熟度較低、電路設(shè)計難度較大、計算精度將受到模擬計算低信噪比的影響、整體產(chǎn)業(yè)鏈的生態(tài)不完備等問題，因此雖然存內(nèi)計算可以從根源上解決“存儲墻”的缺陷，但目前主流解決方案仍是以HBM為代表的近存計算技術(shù)，存內(nèi)計算則是未來堅定的發(fā)展方向。AI快速發(fā)展推動存算一體技術(shù)的研發(fā)創(chuàng)新。AI引發(fā)的高算力需求驅(qū)動存算一體技術(shù)的持續(xù)創(chuàng)新，存算一體在智能家居、智慧交通、數(shù)據(jù)中心、可穿戴設(shè)備以及各類智慧終端的應(yīng)用增長空間較大。在此驅(qū)動下，許多國產(chǎn)企業(yè)投入存算一體的研發(fā)中來：后摩智能推出鴻途H30，其AI物理算力最高可以達(dá)到256TOPS，同時功耗僅約為35W，跟國際龍頭254TOPS的虛擬算力相比，鴻途H30的性能翻倍，同時功耗僅約為其一半，效率大幅提升；蘋芯科技推出PIMCHIP-S200，其采用全數(shù)字化設(shè)計，不僅保障精度，也保證了能效性的領(lǐng)先。當(dāng)前HBM主要由SK海力士及三星所壟斷。據(jù)TrendForce數(shù)據(jù)，2022年三大原廠HBM市占率分別為SK海力士50%、三星約40%、美光約10%，集中度相對較高。高階深度學(xué)習(xí)AIGPU的規(guī)格刺激HBM產(chǎn)品更迭。2023下半年伴隨NVIDIAH100與AMDMI300的搭載，三大原廠也已規(guī)劃相對應(yīng)規(guī)格HBM3的量產(chǎn)。因此，在今年將有更多客戶導(dǎo)入HBM3的預(yù)期下，SK海力士整體HBM市占率有望藉此HBM3的量產(chǎn)提升至53%，而根據(jù)TrendForce預(yù)計三星、美光則陸續(xù)在今年底至明年初量產(chǎn)HBM，市占率分別為38%及9%。HBM技術(shù)正加速演進(jìn)。自2014年SK海力士與AMD率先開發(fā)出全球首款硅通HBM孔產(chǎn)品以來，HBM技術(shù)加速演進(jìn)，2022年SK海力士再創(chuàng)領(lǐng)先之舉，開發(fā)并量產(chǎn)全球首款HBM3，為未來AI創(chuàng)新成果的廣泛實施奠定了基礎(chǔ)。從HBM發(fā)展趨勢我們可以看出，芯片密度更大，堆疊層數(shù)更多，對應(yīng)容量、帶寬、連接速率均呈翻倍發(fā)展態(tài)勢。當(dāng)前最新發(fā)布的NVDIAH100，GH200以及2023年下半年即將量產(chǎn)的MI300都采用了HBM3內(nèi)存技術(shù)。英偉達(dá)DGXGH200的發(fā)布則更代表了當(dāng)前對存力需求的迫切。DGXGH200共鏈接256個GraceHopper超級芯片，能夠提供1exaflop的性能、具有144TB的共享內(nèi)存，GH200單卡配備了480GBLPDDR5內(nèi)存及96GB的HBM顯存，而上一代DGXH100服務(wù)器中，平均單顆H100芯片對應(yīng)256GB內(nèi)存，以及80GB的HBM。二者對比，GH200方案的存儲器價值量有顯著提升。除HBM外，CXL（ComputeExpressLink，計算快速鏈接）技術(shù)亦備受市場關(guān)注。CXL是一種全新的互聯(lián)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，其帶來的DRAM池化技術(shù)可以大大節(jié)約數(shù)據(jù)中心的建設(shè)成本，同時也將大大帶動DRAM的用量。節(jié)約下來的成本將會主要用于對DRAM的采購，TB級別的DRAM將會在更多通用性服務(wù)器中廣泛使用。我們認(rèn)為隨著整體出貨量持續(xù)增長，以及未來AI模型逐漸復(fù)雜化趨勢下，算力推動存力邏輯進(jìn)一步兌現(xiàn)，服務(wù)器DRAM、固態(tài)硬盤用量激增，存儲器相關(guān)廠商均有望受益。數(shù)字中國建設(shè)加速，存儲增量空間打開自黨的十九大提出“數(shù)字中國”以來，全國有條不紊的走在建設(shè)數(shù)字經(jīng)濟(jì)、數(shù)字民生、數(shù)字政務(wù)、數(shù)字安全的道路上。目前我國正通過四個方向加速推動算力發(fā)展，第一，全球AI等技術(shù)的飛速發(fā)展助力了我國算力建設(shè)的快速擴(kuò)張，據(jù)工信部統(tǒng)計，2018-2022年我國算力產(chǎn)業(yè)規(guī)模平均增速超過30%，算力規(guī)模排名全球第二。二是北京、上海、深圳等城市正積極推動新的政府級算力項目。三是實現(xiàn)算力調(diào)度和交易，構(gòu)建公共算力平臺。四是政策支持國產(chǎn)AI芯片的應(yīng)用和發(fā)展。以上方向構(gòu)成的中國未來算力發(fā)展主要賽道，將對相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈帶來利好，包括AI芯片，服務(wù)器整機(jī)制造，算力中心建設(shè)及運營等?！皷|數(shù)西算”，數(shù)字經(jīng)濟(jì)時代的又一大國家級重點工程，類似曾經(jīng)的南水北調(diào)，西氣東輸，目的是解決東西部供需不平衡的問題。其中的“數(shù)”即為數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)按使用頻率分類可分為熱數(shù)據(jù)、冷數(shù)據(jù)以及溫數(shù)據(jù)，而東數(shù)西算的工程目的，則能將大部分使用頻率低的冷數(shù)據(jù)和時延要求低的溫數(shù)據(jù)輸送至西部運算，從而減輕東部壓力并提高運算效率。數(shù)字化時代，數(shù)據(jù)和算力成為新的生產(chǎn)要素，算力代表著對數(shù)字化信息處理能力的強(qiáng)弱，是支持?jǐn)?shù)字經(jīng)濟(jì)發(fā)展和驅(qū)動國民經(jīng)濟(jì)增長的關(guān)鍵因素。它不僅改變了人們的生產(chǎn)方式、生活模式和科研范式，甚至成為科技進(jìn)步和經(jīng)濟(jì)社會發(fā)展的關(guān)鍵“底座”。小到智能電腦、智能手機(jī)、平板等電子產(chǎn)品，大到天氣預(yù)報、醫(yī)療保障、清潔能源等民用領(lǐng)域拓展應(yīng)用，都離不開算力的賦能支撐。5G、云計算、大數(shù)據(jù)、人工智能、物聯(lián)網(wǎng)等數(shù)字化技術(shù)，在各個行業(yè)得到加速應(yīng)用。算力作為數(shù)字經(jīng)濟(jì)的新引擎，正持續(xù)促進(jìn)線上線下加速融合。根據(jù)IDC數(shù)據(jù)，全球數(shù)據(jù)量由2019年的42ZB增長至2022年的81.3ZB，CAGR達(dá)24.6%，預(yù)計2025年全球數(shù)據(jù)產(chǎn)量將增至175ZB。而作為擁有全球第二大數(shù)據(jù)產(chǎn)量的國家，2022年我國數(shù)據(jù)產(chǎn)量約7.9ZB，預(yù)計2023年將增至9.3ZB。政策推動打造算力產(chǎn)業(yè)新格局根據(jù)“東數(shù)西算”政策規(guī)劃，將在京津冀等八地建設(shè)國家算力樞紐節(jié)點并規(guī)劃了10個國家數(shù)據(jù)中心集群，根據(jù)國家互聯(lián)網(wǎng)信息辦公室發(fā)布《數(shù)字中國發(fā)展報告（2022年）》與國家發(fā)改委相關(guān)指引，截至2022年底我國數(shù)據(jù)中心機(jī)架總規(guī)模已超過650萬標(biāo)準(zhǔn)機(jī)架，大數(shù)據(jù)中心投資還將以每年超過20%的速度增長，累計帶動各方面投資將超過3萬億元。目前，“東數(shù)西算”工程的8個國家算力樞紐節(jié)點建設(shè)已全部開工，工程從系統(tǒng)布局進(jìn)入全面建設(shè)階段。韶關(guān)數(shù)據(jù)中心建設(shè)帶動相關(guān)市場空間達(dá)800億元韶關(guān)是全國一體化算力網(wǎng)絡(luò)粵港澳大灣區(qū)唯一樞紐節(jié)點，其數(shù)據(jù)中心建設(shè)將成為全國一體化大數(shù)據(jù)中心協(xié)同創(chuàng)新樣板標(biāo)桿，根據(jù)韶關(guān)發(fā)布官方公眾號信息，韶關(guān)數(shù)據(jù)中心目標(biāo)至2025年中心將建成50萬架標(biāo)準(zhǔn)機(jī)架、500萬臺服務(wù)器規(guī)模，投資超500億元。建設(shè)情況中國移動將在韶關(guān)建設(shè)國家級數(shù)據(jù)中心，并升級韶關(guān)網(wǎng)絡(luò)為國家級骨干樞紐節(jié)點，打造融合算力網(wǎng)絡(luò)。中國移動韶關(guān)國家級數(shù)據(jù)中心項目占地110畝，建設(shè)規(guī)模3.2萬標(biāo)準(zhǔn)機(jī)架，將承載移動云、行業(yè)云、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、IDC等廣泛需求，PUE小于1.25。根據(jù)韶關(guān)發(fā)布官方公眾號信息，第一期建設(shè)1.8萬標(biāo)準(zhǔn)機(jī)架，預(yù)計2023年8月開工，2024年底竣工。中國聯(lián)通也將在韶關(guān)市建立了粵港澳大灣區(qū)樞紐韶關(guān)數(shù)據(jù)中心集群項目，總投資190億元，預(yù)計2025年前建成2.88萬2.5KW標(biāo)準(zhǔn)機(jī)架。此外，中國電信目前已打造粵港澳大灣區(qū)首張400G全光運力網(wǎng)絡(luò)，并且計劃投資32億元的中國電信粵港澳大灣區(qū)一體化數(shù)據(jù)中心項目已于2022年啟動，預(yù)計今年9月份完成主體結(jié)構(gòu)封頂，2024年二季度投產(chǎn)?！皷|數(shù)西算”拉動存儲需求在已經(jīng)開工的8個國家算力樞紐中，今年新開工的數(shù)據(jù)中心項目近70個，其中，新建數(shù)據(jù)中心規(guī)模超130萬標(biāo)準(zhǔn)機(jī)架，西部新增數(shù)據(jù)中心的建設(shè)規(guī)模超過60萬機(jī)架。工程自啟動至今，全國新增投資超過4000億元。韶關(guān)官方預(yù)計到2025年，中國IDC新增機(jī)柜需求達(dá)到每年75萬臺。若單以韶關(guān)數(shù)據(jù)中心測算其對存儲芯片需求的拉動，2025年韶關(guān)數(shù)據(jù)中心預(yù)計建設(shè)500萬臺服務(wù)器，每臺服務(wù)器搭載8塊8TBSSD（均價3000元/塊），那么到2025年韶關(guān)數(shù)據(jù)中心將為8TBSSD市場貢獻(xiàn)近1.2千億的需求。兆易創(chuàng)新公司業(yè)務(wù)高速擴(kuò)張兆易創(chuàng)新科技集團(tuán)股份有限公司成立于2005年4月，專注于Fabless業(yè)務(wù)，總部設(shè)于中國北京，在中國上海、深圳、合肥、西安、成都、蘇州和香港，美國、韓國、日本、英國、德國、新加坡等多個國家和地區(qū)均設(shè)有分支機(jī)構(gòu)和辦事處，營銷網(wǎng)絡(luò)遍布全球，為客戶提供優(yōu)質(zhì)便捷的本地化支持服務(wù)。公司2012年完成股份制改革并于2016年在上交所成功上市；2021年，公司首款自有品牌DRAM4GbDDR4產(chǎn)品正式發(fā)布；2023年，公司全系列車規(guī)級存儲產(chǎn)品累計出貨一億顆。根據(jù)公司2022年報，公司是全球排名第一的無晶圓廠Flash供應(yīng)商，據(jù)Web-FeetResearch報告顯示，在NORFlash領(lǐng)域，公司2022年市場占有率全球第三、中國第一，累計出貨量近212億顆。公司營收呈高速上升趨勢，2019-2021年增速均超過40%，其中2021年增速達(dá)到89.25%，營收增速反映出公司正處于高速發(fā)展階段；分產(chǎn)品來看，存儲芯片除去2022年外營收保持穩(wěn)定增長；微控制器是公司近年營收增長較高的主要貢獻(xiàn)力量之一，2018年，公司微控制器營收僅為4.04億元，而2021年，公司微控制器營收已達(dá)到24.56億元；傳感器產(chǎn)品則從2019才開始產(chǎn)生營收，處于起步階段。財務(wù)費用控制優(yōu)秀，研發(fā)投入充分。公司研發(fā)投入充分，2022年研發(fā)費用率達(dá)11.51%。整體費用率方面基本維持穩(wěn)定，財務(wù)費用率控制優(yōu)秀。2018-2021年，公司歸母凈利潤保持高速增長，2022年同比下滑12.16%。打造“感存算控連”一體化芯生態(tài)積極應(yīng)對市場變化，開拓新領(lǐng)域和新應(yīng)用。公司繼續(xù)保持在消費市場，尤其是中高端消費市場的優(yōu)勢，并在持續(xù)布局的工業(yè)、汽車等行業(yè)取得了較好的營收增長。在NORFlash產(chǎn)品上，2022年消費、手機(jī)、PC領(lǐng)域整體需求降低，在工業(yè)、汽車領(lǐng)域則穩(wěn)步提升，工業(yè)領(lǐng)域銷量同比2021年持平，車規(guī)產(chǎn)品銷售金額同比2021年實現(xiàn)約80%的增長，車規(guī)產(chǎn)品累計出貨量已達(dá)1億顆。在自有品牌DRAM產(chǎn)品上，工業(yè)類應(yīng)用取得較好成長；消費類市場方面，已在主流消費類平臺獲得認(rèn)證，并在TV等諸多客戶端量產(chǎn)使用。公司代銷DRAM產(chǎn)品在消費類、手機(jī)市場繼續(xù)開拓。2022年，在MCU產(chǎn)品的結(jié)構(gòu)上，公司在工業(yè)領(lǐng)域、網(wǎng)通領(lǐng)域營收實現(xiàn)較大幅度的增長，工業(yè)應(yīng)用成為公司MCU產(chǎn)品第一大營收來源；在部分消費市場（家用電器等）、汽車前裝應(yīng)用領(lǐng)域亦實現(xiàn)良好成長；此外，MCU海外業(yè)務(wù)拓展順利，海外市場營收占比大幅提升。持續(xù)完善產(chǎn)品線，升級產(chǎn)品結(jié)構(gòu)。公司存儲器產(chǎn)品分為三個部分，NORFlash、SLCNandFlash和DRAM，NOR方面，公司推出GD25UF系列1.2V低電壓超低功耗SPINORFlash產(chǎn)品，可以滿足主控新工藝演進(jìn)趨勢的低電壓、低功耗要求。公司NORFlash產(chǎn)品目前主要工藝節(jié)點在55nm工藝制程；Flash方面，車規(guī)級產(chǎn)品已被國內(nèi)外多家知名汽車企業(yè)批量采用；DRAM方面，可廣泛應(yīng)用在智慧家庭、工業(yè)、車載影音系統(tǒng)等領(lǐng)域，推出DDR3L產(chǎn)品，在滿足消費類市場需求的同時，兼顧工業(yè)及汽車市場應(yīng)用。公司MCU產(chǎn)品已成功量產(chǎn)38大產(chǎn)品系列、超過450款MCU產(chǎn)品供市場選擇，2022年公司全面量產(chǎn)GD32W515系列Wi-Fi產(chǎn)品；在汽車應(yīng)用領(lǐng)域，發(fā)布GD32A503系列車規(guī)級MCU產(chǎn)品，為車身控制、車用照明、智能座艙、輔助駕駛及電機(jī)電源等多種電氣化車用場景提供開發(fā)之選，并已與業(yè)界多家領(lǐng)先的Tier1供應(yīng)商和整車廠建立了長期戰(zhàn)略合作關(guān)系。公司傳感器業(yè)務(wù)目前在LCD觸控、電容指紋、光學(xué)指紋市場有廣泛的應(yīng)用。公司觸控芯片年出貨近億顆。公司指紋產(chǎn)品多年來已在多款旗艦、高、中階智能手機(jī)商用前置/后置/側(cè)邊電容和光學(xué)方案，成為市場主流方案商。東芯股份公司深耕中小容量存儲市場，持續(xù)投入研發(fā)提升競爭力東芯股份聚焦于多品類的中小容量存儲芯片研發(fā)、生產(chǎn)與銷售。東芯股份成立于2014年，于2021年在科創(chuàng)板上市，是一家專精于中小容量存儲芯片研發(fā)生產(chǎn)的高新技術(shù)企業(yè)，在深圳、南京、香港、韓國均設(shè)有分公司或子公司，公司也是目前國內(nèi)少數(shù)可以同時提供NAND/NOR/DRAM設(shè)計工藝和產(chǎn)品方案的企業(yè)。東芯股份的NAND/NOR/DRAM產(chǎn)品廣泛覆蓋網(wǎng)絡(luò)通信、安防監(jiān)控、消費電子、工控與醫(yī)療、物聯(lián)網(wǎng)等下游領(lǐng)域。NANDFlash：公司NANDFlash產(chǎn)品屬于小容量的SLCNANDFlash，可靠性更高，擦寫次數(shù)達(dá)到數(shù)萬次以上，并可靈活選擇SPI或PPI類型接口，廣泛應(yīng)用于網(wǎng)絡(luò)通訊、監(jiān)控安防、工業(yè)控制、機(jī)頂盒、打印機(jī)、穿戴式設(shè)備。NORFlash：公司自主設(shè)計的SPINORFlash存儲容量覆蓋64Mb至1Gb，讀取速度快并支持多種數(shù)據(jù)傳輸模式，普遍應(yīng)用于可穿戴設(shè)備、移動終端等領(lǐng)域。DRAM：公司研發(fā)的產(chǎn)品分為DDR（L）系列與LPDDR系列，DDR3(L)系列是可以傳輸雙倍數(shù)據(jù)流的DRAM產(chǎn)品，具有高帶寬、低延時的特點，在通訊設(shè)備、移動終端等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛；LPDDR系列產(chǎn)品具有低功耗、高傳輸速度的特點，在智能終端、可穿戴設(shè)備等產(chǎn)品中使用。MCP：公司的MCP產(chǎn)品集成了自主研發(fā)的低功耗1.8vSLCNANDFlash與低功耗DRAM，被廣泛應(yīng)用于功能手機(jī)、MIFI、通訊模塊等產(chǎn)品。蔣學(xué)明與蔣雨舟為公司實際控制人，發(fā)布股權(quán)激勵計劃健全公司長效激勵約束機(jī)制。蔣學(xué)明間接控股東方恒信來實際控制東芯股份，因此蔣學(xué)明與其女蔣雨舟為公司的實際控制人，共持有公司37.47%的表決權(quán)。華為百分百持股的哈勃科技創(chuàng)投公司持股3%。公司設(shè)立東芯科創(chuàng)為員工持股平臺，蔣雨舟為實際控制人。同時，為了吸引和留住優(yōu)秀人才，充分調(diào)動公司核心團(tuán)隊的積極性，公司于2022年1月28號發(fā)布限制性股票激勵計劃草案，擬向公司的董監(jiān)高、核心技術(shù)人員等激勵對象授予權(quán)益合計212.55萬股，2022-2024年為三年的歸屬期，該股權(quán)激勵計劃顯示了公司對于業(yè)績持續(xù)增長的信心。公司2022年營收同比略有上升，NANDFlash產(chǎn)品營收維持高增長，NORFlash產(chǎn)品營收同比下滑嚴(yán)重。在2022年宏觀經(jīng)濟(jì)景氣度下行，地緣政治局勢緊張以及半導(dǎo)體行業(yè)周期性波動的沖擊下，公司持續(xù)開發(fā)新產(chǎn)品，開拓新市場與新應(yīng)用，最終實現(xiàn)11.46億元的營業(yè)收入，破歷史新高，同比增長1.03%；從產(chǎn)品營收變化來看，NANDFlash2022年營收為7.08億元，對比2020年3.98億元的營收，復(fù)合增長率約為33.29%，NANDFlash也為公司主要貢獻(xiàn)收入的產(chǎn)品，占比為61.75%，其次為占比19.66%的MCP。同時，2022年僅有NORFlash產(chǎn)品營收出現(xiàn)了下滑，其收入同比減少61.47%，主要系受消費電子需求下滑，穿戴式應(yīng)用需求走弱所致。公司毛利率與凈利率均有所下降。2022年公司的毛利率為40.58%，同比下滑1.54pcts，凈利率為18.97%，同比下滑6.08pcts。其中，毛利率的下滑主要系NANDFlash的毛利率同比下降4.14pcts，同時NORFlash、DRAM的毛利率均有一定下降。公司持續(xù)增加研發(fā)支出，2022年歸母凈利潤同比下滑29.17%。對于公司的期間費用率，2022年僅有研發(fā)費用率保持上漲，同比上升3.03pcts，主要系隨著研發(fā)項目的新增和現(xiàn)有項目的展開，研發(fā)人員、研發(fā)設(shè)備等的增加所致，同時，由于利息收入增長、美元升值導(dǎo)致匯兌損益提升，公司的財務(wù)費用率下降明顯；2022年公司的歸母凈利潤為1.85億元，同比下降29.17%，原因有兩點：一為研發(fā)費用率的提升，二為受下游應(yīng)用市場需求疲軟的影響，公司部分產(chǎn)品市場價格持續(xù)下滑，公司謹(jǐn)慎性地對存在減值跡象的存貨計提跌價準(zhǔn)備。公司打造通訊&網(wǎng)絡(luò)、服務(wù)器、汽車的產(chǎn)品布局，深度布局產(chǎn)能擴(kuò)張規(guī)劃公司堅持技術(shù)創(chuàng)新，保持公司產(chǎn)品的技術(shù)先進(jìn)性。①公司的SPINANDFlash產(chǎn)品，采用了業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的單顆集成技術(shù)，將存儲陣列、ECC模塊與接口模塊統(tǒng)一集成在同一芯片內(nèi)，有效節(jié)約了芯片面積，降低了產(chǎn)品成本，在耐久性、數(shù)據(jù)保持特性等方面也表現(xiàn)突出，在工業(yè)溫控標(biāo)準(zhǔn)下單顆芯片擦寫次數(shù)已經(jīng)超過10萬次，在可靠性也逐步從工業(yè)級標(biāo)準(zhǔn)向車規(guī)級標(biāo)準(zhǔn)邁進(jìn)；②公司的MCP產(chǎn)品，其在提供高可靠性、大容量存儲的同時，可以保證客戶的長期供應(yīng)，已在紫光展銳、高通、聯(lián)發(fā)科等平臺通過認(rèn)證；③公司的NORFlash、DRAM產(chǎn)品性能同樣優(yōu)異，廣泛應(yīng)用于消費電子、可穿戴設(shè)備、通訊設(shè)備等下游市場。公司持續(xù)開拓優(yōu)質(zhì)客戶，提升公司在全球的市場地位和影響力。憑借公司豐富的產(chǎn)品矩陣以及優(yōu)異的產(chǎn)品性能，公司持續(xù)拓展下游終端客戶，使用公司產(chǎn)品的終端客戶包括中興通訊、海康威視、三星電子、LG、傳音控股、歌爾股份、偉創(chuàng)力、紫光展銳、高通、聯(lián)發(fā)科等中外知名企業(yè)。公司推進(jìn)產(chǎn)品的制程升級迭代與產(chǎn)品的容量擴(kuò)張，車規(guī)級產(chǎn)品研發(fā)取得快速進(jìn)展。①公司SLCNANDFlash產(chǎn)品的制程升級。目前量產(chǎn)產(chǎn)品以中芯國際38nm、24nm，力積電28nm制程為主，基于先進(jìn)制程的1xnmNANDFlash已完成首輪晶圓流片及首次晶圓制造，并已完成功能性驗證；②公司NORFlash產(chǎn)品的制程升級。在中芯國際的NORFlash產(chǎn)品制程從65nm推進(jìn)至55nm，目前該制程產(chǎn)線已完成首次晶圓流片；③在容量擴(kuò)張方面。NORFlash產(chǎn)品在力積電48nm制程上持續(xù)進(jìn)行更高容量的新產(chǎn)品開發(fā)，目前512Mb、1Gb大容量NORFlash產(chǎn)品已實現(xiàn)樣品供貨；④在車規(guī)級產(chǎn)品研發(fā)方面。公司基于中芯國際38nm工藝平臺的SLCNANDFlash以及基于力積電48nm工藝平臺的NORFlash均有產(chǎn)品通過AEC-Q100測試，適用于要求更為嚴(yán)苛的車規(guī)級應(yīng)用環(huán)境。北京君正規(guī)模不斷擴(kuò)大，形成“計算+存儲+模擬”三大產(chǎn)品矩陣嵌入式CPU起家，實施物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴業(yè)務(wù)戰(zhàn)略。公司成立于2005年，之后5年時間一直致力于廣泛拓展業(yè)務(wù)領(lǐng)域，曾先后進(jìn)入生物識別、教育電子、PMP市場。2010年公司上市，由于消費電子產(chǎn)品品類迭代，公司原有業(yè)務(wù)受創(chuàng)并宣布退出平板和手機(jī)市場，同年正式進(jìn)入物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域。2015到2019年間，公司大力發(fā)展物聯(lián)網(wǎng)業(yè)務(wù)，包括可穿戴設(shè)備業(yè)務(wù)以及智能家居業(yè)務(wù)，成功與多個大廠合作了搭載君正芯片的可穿戴設(shè)備、智能家居、智能家電設(shè)備。2020年收購存儲制造商ISSI及其子公司Lumissil，大規(guī)模拓寬產(chǎn)線。ISSI總部位于美國加州，是一家全球領(lǐng)先的存儲制造公司，具備豐富的存儲產(chǎn)品矩陣，主要產(chǎn)品有高速低功耗SRAM、中低密度DRAM以及Flash等，充分完善了君正的存儲產(chǎn)線。ISSI業(yè)務(wù)涉及的市場種類十分寬泛，包括汽車、通信、數(shù)字消費者、工業(yè)、醫(yī)療等。ISSI子公司Lumissil的主要產(chǎn)品涵蓋模擬和互聯(lián)芯片，旨在成為汽車、物聯(lián)網(wǎng)和工業(yè)市場的最佳模擬解決方案提供商。因此，ISSI和Lumissil的成功并購，大規(guī)模豐富了君正的產(chǎn)品，從原來的微處理器和智能視頻芯片兩部分，拓寬了存儲、模擬與互聯(lián)芯片部分，目前共四條產(chǎn)線，形成了“計算+存儲+模擬”三大產(chǎn)品矩陣。自此，君正產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域布局方面，從原有的物聯(lián)網(wǎng)智能硬件、泛智能視頻設(shè)備基礎(chǔ)上延伸至汽車、工業(yè)、通訊等不同產(chǎn)品級別的市場。股權(quán)結(jié)構(gòu)相對分散，兩位公司創(chuàng)始人為實際控制人。公司創(chuàng)辦人劉強(qiáng)和李杰為同鄉(xiāng)兼清華校友，在中國科學(xué)院攻讀碩士學(xué)位時期又為同門，關(guān)系十分密切。兩人作為創(chuàng)辦人，始終為公司主要股東并擔(dān)任核心職位，對公司的業(yè)務(wù)發(fā)展和經(jīng)營規(guī)劃具有決定性的影響。上市之初兩位創(chuàng)始人共占50%以上股份，隨著公司規(guī)模擴(kuò)大，國家和地方間接參與控股，目前兩人總共約占13.02%公司股權(quán)。劉強(qiáng)是公司持股比例最高的自然人，達(dá)8.40%。并表后規(guī)模迅速擴(kuò)大，存儲芯片貢獻(xiàn)主要收入。君正于2020年6月與ISSI并表，此前君正每年的營收規(guī)模約為1-3.5億元，主要的營收構(gòu)成為微處理器芯片業(yè)務(wù)和智能芯片業(yè)務(wù)。完成并表后，2020年營收同比增長540%至21.70億元，存儲芯片貢獻(xiàn)15.25億元增長，同時原有智能視頻芯片業(yè)務(wù)2020年同比增長62.57%至2.91億元。2021年公司營收同比2020年再增143%至52.74億元。截至2022年報，公司營收已達(dá)54.12億元量級，2014-2022年復(fù)合增長率高達(dá)5681%?？梢钥吹?，君正并購ISSI成功擴(kuò)大了企業(yè)規(guī)模，借助ISSI在具有較高技術(shù)壁壘的汽車存儲芯片市場的經(jīng)驗和規(guī)模，大力加碼車規(guī)、工規(guī)級存儲芯片賽道。產(chǎn)品均具備較高毛利空間，公司盈利能力穩(wěn)健。公司毛利率水位一直處于較高水平，2020年前達(dá)40%，并表后雖降至27%，但顯示出連年增長趨勢，2022年毛利率水平已恢復(fù)至39%。分產(chǎn)品看，智能視頻芯片和模擬互聯(lián)芯片均具備較高毛利空間，多年來毛利率分別穩(wěn)定保持在20%/50%左右。傳統(tǒng)業(yè)務(wù)盈利水平較為理想，為公司長期發(fā)展與擴(kuò)張奠定了良好基礎(chǔ)。并表后的核心營收貢獻(xiàn)因子存儲芯片板塊毛利表現(xiàn)良好，從2020年的21%增至2022年的37%。模擬芯片部分，收購以來毛利率保持在50%以上?？傮w來看，公司的各產(chǎn)品毛利率較高，整體盈利能力穩(wěn)健，凈利率和毛利率波動主要由收購造成。7個硬核技術(shù)，帶來芯片產(chǎn)品多方面競爭優(yōu)勢秉承研發(fā)基因，堅持自主創(chuàng)新路線。公司在核心領(lǐng)域堅持自主創(chuàng)新路線，形成了7項自主關(guān)鍵技術(shù)：1）嵌入式CPU技術(shù)：保持高性能、低功耗等關(guān)鍵指標(biāo)，設(shè)計XBurst系列CPU內(nèi)核，創(chuàng)新微體系結(jié)構(gòu)，積極擁抱RISC-V架構(gòu)研發(fā)趨勢，力圖用更好的計算架構(gòu)打破歐美CPU技術(shù)壟斷。2）視頻編解碼技術(shù)：支持世界上大多數(shù)主流格式編碼，軟硬件結(jié)合提高性能，精細(xì)設(shè)計開關(guān)降低動態(tài)功耗，有利支持智能視頻業(yè)務(wù)發(fā)展。3）影像信號處理技術(shù)：與世界高水平看齊，多個圖像信號前沿技術(shù)，滿足各類場景應(yīng)用和高圖像質(zhì)量需求。4）神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)處理器技術(shù)：AI算力需求增長，公司結(jié)合神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)處理器和CPU技術(shù)有機(jī)結(jié)合，形成獨特的AI算力架構(gòu)，兼顧計算效能、靈活性、延展性，從容應(yīng)對各種應(yīng)用需求。5）AI算法技術(shù)：在各種識別、檢測、跟蹤技術(shù)方面已有大量成熟的算法，同時不斷優(yōu)化模型迭代速度。6）存儲器技術(shù)：SRAM、DRAM、Flash技術(shù)有ISSI公司存儲行業(yè)30年深耕能力保證，為工、車規(guī)等高壁壘技術(shù)托底。7）模擬和互聯(lián)技術(shù)：FxLED、大功率LED、車用MCU、LIN/CAN總線和GreenPhy、G.vn等網(wǎng)絡(luò)傳輸技術(shù)，滿足汽車電子、工業(yè)制造、通訊、消費等多領(lǐng)域不同級別的需求。普冉股份戰(zhàn)略布局多元產(chǎn)品線，營收增長伴市場復(fù)蘇積極拓展多元產(chǎn)品線，推動存儲產(chǎn)品更新迭代。公司成立于2016年，專注于集成電路設(shè)計領(lǐng)域的科技創(chuàng)新，圍繞非易失存儲器領(lǐng)域，是低功耗SPINORFlash存儲器芯片和高可靠性ICEEPROM存儲器芯片的供應(yīng)商，致力于研發(fā)28nm~55nm低功耗、高可靠性的NORFlash存儲器產(chǎn)品，可應(yīng)用于傳統(tǒng)消費類和工業(yè)市場，以及新興的應(yīng)用市場。在立足于存儲芯片領(lǐng)域的基礎(chǔ)上，公司實施了基于先進(jìn)工藝和存儲器優(yōu)勢的“存儲+”戰(zhàn)略，積極拓展通用微控制器和存儲結(jié)合模擬的全新產(chǎn)品線。深耕非易失性存儲器，積極拓展微控制器及模擬芯片。公司的主營業(yè)務(wù)是非易失性存儲器芯片及基于存儲芯片的衍生芯片的設(shè)計與銷售，目前主要產(chǎn)品包括NORFlash和EEPROM兩大類非易失性存儲器芯片、微控制器芯片以及模擬產(chǎn)品。其中非易失性存儲器芯片屬于通用型芯片，可廣泛應(yīng)用于手機(jī)、計算機(jī)、網(wǎng)絡(luò)通信、家電、工業(yè)控制、汽車電子、可穿戴設(shè)備和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域。權(quán)架構(gòu)清晰，控股股東為公司核心技術(shù)人員。公司控股股東及實際控制人為王楠，持股比例18.73%，以及李兆桂，持股比例4.86%，兩位同時為一致行動人，王楠為公司核心技術(shù)人員，還為上海志頎企業(yè)管理咨詢合伙企業(yè)（有限合伙）的執(zhí)行事務(wù)合伙人，持有上海志頎企業(yè)管理咨詢合伙企業(yè)18.72%合伙份額，整體上，公司股權(quán)架構(gòu)及管理結(jié)構(gòu)穩(wěn)定。定價策略及成本致公司毛利率下降。由于國際經(jīng)濟(jì)形勢及半導(dǎo)體市場供需情況，為了鞏固市場份額，公司對原有的存儲芯片產(chǎn)品線采取了適當(dāng)降價去庫存的定價策略。同時，由于代工價格變動相對存在一定的滯后，公司在2022年銷售的主要產(chǎn)品的原材料采購價格仍相對較高，芯片產(chǎn)品的價格與毛利均承受了較大的壓力。研發(fā)費用率持續(xù)增長，22年增加備貨、支付股權(quán)激勵費用等致歸母凈利潤下滑。公司持續(xù)重視產(chǎn)品研發(fā)和下游應(yīng)用結(jié)構(gòu)的優(yōu)化，保持高強(qiáng)度的研發(fā)投入。2022年研發(fā)費用較上年增加0.57億元，增幅比例達(dá)62.42%。此外，股權(quán)激勵的實施使得股份支付成本較上年增長696.64萬元。歸母凈利潤方面除受以上環(huán)境因素影響還有以下原因，公司下游客戶因受行業(yè)周期影響，賬期有所延長，回款速度放緩；為保證公司業(yè)務(wù)正常開展，公司主動增加備貨，向上游支付較多貨款，因此歸母凈利潤同比減少2.08億元，降幅71.44%。全面升級產(chǎn)品線，戰(zhàn)略布局“存儲+”產(chǎn)品線制程升級，積極布局大容量產(chǎn)品研發(fā)。公司在存儲器芯片領(lǐng)域持續(xù)拓展，進(jìn)行40mn以下新一代工藝和浮柵下一代技術(shù)創(chuàng)新技術(shù)儲備，并在存儲領(lǐng)域延展ETOX工藝技術(shù)開發(fā)中大容NORFlash產(chǎn)品，同時布局“存儲+”戰(zhàn)略，包括基于ARM內(nèi)核的32位MCU芯片多顆產(chǎn)品實現(xiàn)研發(fā)并部分產(chǎn)品量產(chǎn)出貨，以及應(yīng)用于攝像頭模組的高性能VCMDriver芯片系列模擬產(chǎn)品。NORFlash方面，公司基于SONOS工藝結(jié)構(gòu)、40nm制程節(jié)點下的NORFlash全系列產(chǎn)品研發(fā)完成并將量產(chǎn)交付，將升級替代公司原有55nm制程節(jié)點下的NORFlash產(chǎn)品。該產(chǎn)品具備更低功耗水平與更高芯片集成度，處于行業(yè)領(lǐng)先水平。公司NORFlash產(chǎn)品有著功耗低、讀寫速度快等優(yōu)勢，因此在國內(nèi)利基市場中占有一定市場份額，僅次于兆易創(chuàng)新。同時公司將加速布局256Mbit及以上大容量產(chǎn)品，補(bǔ)齊NORFlash產(chǎn)品線，推進(jìn)5G、工業(yè)控制、車載電子等更多應(yīng)用領(lǐng)域，進(jìn)一步提升公司在NORFlash領(lǐng)域的行業(yè)地位。EEPROM產(chǎn)品方面，公司聯(lián)合晶圓廠優(yōu)化130nm及95nm及以下工藝制程下的制造工藝，針對存儲單元的結(jié)構(gòu)、擦寫電壓進(jìn)行了改造和優(yōu)化，有效的縮小了芯片面積，在保障可靠性的前提下有效的降低了芯片的單位成本。公司積極響應(yīng)市場需求、發(fā)揮技術(shù)優(yōu)勢，實現(xiàn)了地址編程、區(qū)域保護(hù)等特色功能，滿足了客戶對攝像頭模組中的參數(shù)的保護(hù)訴求，極大地提升了公司產(chǎn)品的市場競爭力并保障了公司的盈利能力。同時車載EEPROM產(chǎn)品完成了AECQ100標(biāo)準(zhǔn)的全面考核，以車身攝像頭和車載中控應(yīng)用形式實現(xiàn)了對海外客戶的批量交付，未來將繼續(xù)向海內(nèi)外客戶拓展。應(yīng)用于高速寬帶通信和數(shù)據(jù)中心的2Mbit大容量SPI及I2CEEPROM產(chǎn)品順利量產(chǎn)出貨。1.2VEEPROM產(chǎn)品率先進(jìn)入市場，成功實現(xiàn)了小批量交付，將面向新一代手機(jī)主控平臺?！按鎯?”戰(zhàn)略，開拓微控制器、模擬芯片領(lǐng)域市場。在微控制器（MCU）領(lǐng)域，公司得益于領(lǐng)先工藝和超低功耗與高性價比，布局了具有特色工藝的通用型MCU產(chǎn)品線。公司在芯片中嵌入Flash和SRAM存儲器，結(jié)合基本邏輯工藝的低功耗特征和低功耗技術(shù)，使得公司的MCU芯片產(chǎn)品具備與公司SONOSNORFlash一脈相承的低功耗、高可靠性、高性價比和優(yōu)越的抗電磁干擾性能等特點。2022年公司研發(fā)的基于ARM內(nèi)核的32位M0+MCU產(chǎn)品順利量產(chǎn)出貨并全面進(jìn)入市場。該系列產(chǎn)品種類繁多，應(yīng)用領(lǐng)域廣闊。同樣基于ARM內(nèi)核的M4MCU產(chǎn)品開發(fā)進(jìn)展順利。瀾起科技主營兩大產(chǎn)品線，持續(xù)研發(fā)創(chuàng)新瀾起科技股份有限公司成立于2004年。瀾起科技于2005年推出DDR2服務(wù)內(nèi)存緩沖芯片產(chǎn)品；2010年，公司推出基于DDR3的服務(wù)內(nèi)存緩沖芯片；2013年，公司推出DDR4服務(wù)器內(nèi)存緩沖芯片并第一個獲得Intel的認(rèn)證；2016年，公司與清華大學(xué)、Intel公司聯(lián)手研發(fā)新型通用CPU——津逮CPU；2019年，公司津逮CPU多系列具備大批量供貨能力；2020年，公司發(fā)布第二代津逮CPU，PCleRetimer芯片實現(xiàn)量產(chǎn)；2021年，公司發(fā)布第三代津逮CPU，DDR5第一代子內(nèi)存接口及模組配套芯片實現(xiàn)量產(chǎn)；2022年，公司試產(chǎn)DDR5第二子代RCD芯片，與三星、海力士合作推出CXL存儲器。公司目前擁有互連類芯片和津逮?服務(wù)器平臺兩大產(chǎn)品線，津逮?服務(wù)器平臺產(chǎn)品包括津逮?CPU以及混合安全內(nèi)存模組（HSDIMM?）；互連類芯片產(chǎn)品包括內(nèi)存接口芯片、內(nèi)存模組配套芯片、PCIeRetimer芯片以及CXL內(nèi)存擴(kuò)展控制器(MXC)。公司無實際控制人，股權(quán)結(jié)構(gòu)分散。截至2023年7月4日，公司第一大股東為中國電子投資有限公司，持有公司9.88%的股份，第二大股東為INTELCAPITALCORPORATION，公司與英特爾合作密切，2016年開始與英特爾合作開發(fā)津逮CPU產(chǎn)品。公司董事長兼首席執(zhí)行官、首席科學(xué)家楊崇和博士1990年至1994年在美國國家半導(dǎo)體等公司從事芯片設(shè)計研發(fā)工作；1994年至1996年任上海貝嶺新產(chǎn)品研發(fā)部負(fù)責(zé)人。1997年，楊博士與同仁共同創(chuàng)建了新濤科技，該公司于2001年與IDT公司成功合并。楊博士于2010年當(dāng)選美國電氣和電子工程師協(xié)會院士（IEEEFellow），并于2022年晉升為IEEE終身院士。此外，楊博士還榮獲多個獎項，其中包括“IEEECAS產(chǎn)業(yè)先驅(qū)獎”、JEDEC“杰出管理領(lǐng)袖獎”和上海市政府授予的“白玉蘭榮譽(yù)獎”等。公司盈利能力有所下降，但仍保持高位。由于津逮服務(wù)器相對內(nèi)存接口業(yè)務(wù)利潤率較低，隨著津逮服務(wù)器銷量的增加，公司總體毛利率、凈利率存在下滑，但是總體利潤率仍然較高，2022年公司銷售毛利率為46.44%，凈利率為35.38%。分業(yè)務(wù)來看，2022年公司內(nèi)存接口業(yè)務(wù)毛利率為58.72%，津逮服務(wù)器業(yè)務(wù)毛利率為10.54%。新品取得突破，持續(xù)拓展市場持續(xù)受益于DDR5迭代升級，互連類產(chǎn)品線多產(chǎn)品布局取得突破。公司核心產(chǎn)品內(nèi)存接口芯片及內(nèi)存模組配套芯片持續(xù)受益于行業(yè)迭代升級。2022年底至2023年初，隨著支持DDR5的主流CPU陸續(xù)量產(chǎn)上市，內(nèi)存模組市場由DDR4向DDR5迭代升級，DDR5的滲透率逐步提升，由此帶動相關(guān)芯片的需求。公司作為相關(guān)細(xì)分領(lǐng)域的行業(yè)領(lǐng)跑者，把握行業(yè)迭代升級帶來機(jī)遇，享受市場空間拓展帶來的紅利。同時，公司作為全球微電子產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)標(biāo)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)JEDEC組織下屬三個委員會及分會主席，在相關(guān)細(xì)分領(lǐng)域的產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)制定方面具有重要話語權(quán)，公司深度參與DDR5世代多款芯片標(biāo)準(zhǔn)的制定，提前布局相關(guān)產(chǎn)品，鞏固了公司在該領(lǐng)域的技術(shù)領(lǐng)先地位。2022年度，公司牽頭制定DDR5第二子代、第三子代內(nèi)存接口芯片及第一子代高帶寬內(nèi)存接口芯片MDB等產(chǎn)品的國際標(biāo)準(zhǔn)，并積極參與DDR5第一子代CKD和DDR5內(nèi)存模組配套芯片標(biāo)準(zhǔn)制定。津逮?服務(wù)器平臺產(chǎn)品線持續(xù)拓展市場，營業(yè)收入穩(wěn)健增長。津逮?CPU是公司在數(shù)據(jù)處理類芯片進(jìn)行戰(zhàn)略布局的重要產(chǎn)品之一。目前，搭載津逮?CPU的