拓荊科技研究報告專注薄膜沉積工藝CVD市場地位快速上升

拓荊科技研究報告-專注薄膜沉積工藝CVD市場地位快速上升管理團隊：國際化薄膜沉積設備研發(fā)技術隊伍拓荊科技已經建成了一支國際化、專業(yè)化的半導體薄膜沉積設備研發(fā)技術團隊。公司創(chuàng)始團隊以歸國海外專家為核心，立足核心技術研發(fā)，積極引進海外高層次人才、自主培養(yǎng)本土科研團隊。公司國際化專業(yè)化的高級管理團隊、全員持股的激勵制度，吸引了大量具有豐富經驗的國內外半導體設備行業(yè)專家加入公司，在整機設計、工藝設計、軟件設計等方面做出突出貢獻。公司自設立以來，自主培養(yǎng)本土科研團隊，隨著多項產品的研發(fā)成功，公司本土科研團隊已成長為公司技術研發(fā)的中堅力量。截至2021年9月，公司研發(fā)人員共有189名，占公司員工總數的44.06%。公司第一大股東為國家集成電路基金。國家集成電路基金直接持有公司總股本的26.48%，其實際控制人為中華人民共和國財政部?？刂乒?%以上股份或表決權的股東，包括國家集成電路基金、國投上海、中微公司、嘉興君勵及其關聯方鹽城燕舞、潤揚嘉禾，姜謙及其一致行動人(呂光泉、張先智、張孝勇、劉憶軍、凌復華、吳飚、周仁、沈陽盛騰、沈陽盛旺、沈陽盛全、沈陽盛龍、芯鑫和、芯鑫全、芯鑫龍、芯鑫成、芯鑫旺、芯鑫盛、芯鑫陽)。主營業(yè)務：

PECVD、SACVD、ALD公司正處于高成長階段業(yè)績表現：2021年收入7.58億元增長74%，扣非凈利潤-0.82億元；2018-2021年收入復合增速120%。業(yè)績指引：2022年一季度收入指引1-1.2億元，同比增長73%-108%，扣非利潤-0.3~-0.16億元（上年同期為-0.24億元）。收入結構：以PECVD為主公司主要從事半導體薄膜沉積設備的研發(fā)、生產、銷售和技術服務。主要產品包括等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)設備、原子層沉積(ALD)設備和次常壓化學氣相沉積(SACVD)設備三個產品系列，已廣泛應用于國內晶圓廠14nm及以上制程集成電路制造產線，并已展開10nm及以下制程產品驗證測試。公司2020年收入中PECVD占96%，且12英寸設備貢獻了超3/4的PECVD收入。客戶結構：國內外12英寸一線客戶為主拓荊的產品已廣泛用于中芯國際、華虹集團、長江存儲、長鑫存儲、廈門聯芯、燕東微電子等國內主流晶圓廠產線。公司憑借長期技術研發(fā)和工藝積累，打破國際廠商對國內市場的壟斷，與國際寡頭直接競爭。公司在研產品已發(fā)往某國際領先晶圓廠參與其先進制程工藝研發(fā)。薄膜沉積：拓荊可覆蓋大部分PECVD工藝薄膜沉積定義：沉積待處理薄膜材料芯片是微型結構體，其內部結構是3D立體式形態(tài)，襯底之上的微米或納米級薄膜構成制作電路的功能材料層。薄膜沉積是指在硅片襯底上沉積一層待處理薄膜材料的工藝。薄膜沉積技術是以各類適當化學反應源在外加能量（包括熱、光、等離子體等）的驅動下激活，將由此形成的原子、離子、活性反應基團等在襯底表面進行吸附，并在適當的位臵發(fā)生化學反應或聚結，漸漸形成幾納米至幾微米不等厚度的金屬、介質、或半導體材料薄膜。薄膜的技術參數直接影響芯片性能。技術參數具體包括薄膜厚度、均勻性、光學系數、機械應力、顆粒度等性能指標，以及芯片封裝后的可靠性、生命周期等。薄膜沉積分類：CVD、PVD、ALD、電鍍薄膜沉積主要負責各個步驟當中的介質層與金屬層的沉積，按薄膜沉積技術原理分類包括CVD（化學氣相沉積）、PVD（物理氣相沉積）、電鍍和ALD（原子層沉積），所沉積薄膜材料可以是二氧化硅、氮化硅、多晶硅等非金屬以及銅、鎢、鋁、釕、鉬等金屬。CVD（化學氣相沉積）是通過化學反應的方式，利用加熱、等離子或光輻射等各種能源，在反應器內使氣態(tài)或蒸汽狀態(tài)的化學物質在氣相或氣固界面上經化學反應形成固態(tài)沉積物的技術，是一種通過氣體混合的化學反應在硅片表面沉積薄膜的工藝，可應用于絕緣薄膜、硬掩模層以及金屬膜層的沉積。CVD設備由氣相反應室（進氣方向與樣品表面成水平或垂直）、能量系統(tǒng)（

加熱或射頻）、反應氣體控制系統(tǒng)、真空系統(tǒng)、廢氣處理裝臵等六大部分組成。CVD設