MOS管中的密勒效應(yīng)詳解

WordMOS管中的密勒效應(yīng)詳解前面我們詳細的介紹了共射放大電路的設(shè)計步驟，對于低頻（信號），可以不考慮三極管的頻率特性，但是隨著輸入信號頻率的增加，MOS管的寄生（電容）就不得不考慮。MOS管有極間電容有Cgd，Cgs，Cds。

MOS管的寄生電容

Cgs跨接在輸入端與地之間，對于輸入端來說與基極電阻構(gòu)成了低通（濾波器），會使MOS管的高頻性能下降。Cds跨接在輸出端與地之間，對于輸出端來說與基極電阻構(gòu)成了低通濾波器，會使MOS管的高頻性能下降。雖然Cgs和Cds都使MOS管的高頻性能下降，卻很好理解。只要知道了這兩個容值，和輸入輸出電阻就可以計算出截止頻率，那么我們的輸入信號就低于這個截止頻率就OK了，但是Cgd怎么理解呢？它跨接在輸入和輸出兩端，對于輸入來說等效電容是多少？對于輸出來說能效電容是多少呢？

1、一個簡單的例子

一個159mV的1K正弦波交流電壓源跨接到C1兩端，（電流）表的讀數(shù)是1mA，通過I=2*（pi）*f*C*V，我們可以求出C1的容值是1uF。

電容C1還是那個電容，我們在電容的另一端加上反向的1590mV的1K正弦波交流電壓源，此時，電流表的讀數(shù)是11mA。如果我們還用公式I=2*pi*f*C*V來計算C1這個電容，則得到的數(shù)值是11uF。原理很簡單，第一個例子電容兩端電壓變化幅度是159mV，第二個例子電容兩端變化的幅度是159mV+1590mV，擴大了11倍。如果只從VG1那一端看過去就好像電容也擴大了11倍。同樣，如果只從VG2那一端看過去就好像電容擴大了1.1倍。

2、MOS管中的密勒效應(yīng)

當MOS管處于截止區(qū)時，MOS管漏極固定為VDD，對于輸入輸出端等效電容就是Cgd。當MOS管處于飽和區(qū)時，MOS管漏極固定為GND，對于輸入輸出端等效電容就是Cgd。當MOS管處于放大區(qū)時，MOS管漏極電壓隨著G極電壓的增大而反向增大A倍，Cgd對于輸入端，等效電容為(1+A)*Cgd，對于輸出端，等效電容為（1+1/A）*Cgd。這個現(xiàn)象最早是由美國無線（電工）程師JohnMiltonMiller在1919年到1920年間，在研究真空管時發(fā)現(xiàn)的，后來這個現(xiàn)象就以它的姓氏命名，叫做MillerEffect。

3、密勒平臺

由于MillerEffect，在MOS管開啟的過程中，GS兩端電壓在上升過程中有一個平臺或凹坑，這個平臺就是密勒平臺。建立如下（仿真）模型：

觀察電壓探頭VF2測得的電壓，1us時，VG1開始給MOS管柵極加電壓，使徒開啟MOS管。

第一階段：1.4us之前，MOS管工作在截止區(qū)，電壓逐漸上升，說明在給MOS管的寄生電容Cgs和Cgd充電，此時輸入端的等效電容為Cgs+Cgd。第二階段：在1.4us到1.9us之間，MOS管開始工作在放大區(qū)，此時輸入端的等效電容為Cgs+（1+A）*Cgd，因為放大倍數(shù)A通常非常大，所以等效的電容也非常大，充電緩慢，出現(xiàn)密勒平臺。第三階段：在1.9us以后，MOS管此時處