2023多晶硅安全生產(chǎn)規(guī)范

多晶硅安全生產(chǎn)規(guī)范PAGEPAGE11PAGEPAGE10目次前言 II范圍 1規(guī)范性引用文件 1術(shù)語(yǔ)和定義 2設(shè)計(jì)與總圖布局 3基本規(guī)定 3總平面布置 3工藝及生產(chǎn)裝置 3防火、防爆設(shè)計(jì)與安全疏散 4電氣設(shè)施 5過(guò)程自動(dòng)控制 5消防設(shè)施 6通風(fēng)與排煙 6危險(xiǎn)化學(xué)品儲(chǔ)存 7生產(chǎn)過(guò)程安全 7一般規(guī)定 7生產(chǎn)裝置開(kāi)車(chē)基本要求 8生產(chǎn)裝置停車(chē)基本要求 8三氯氫合成 8氯硅烷分離 10三氯氫硅還原 10還原尾氣干法回收 11四氯化硅冷氫化 12二氯二氫硅反歧化 12廢氣淋洗 13附錄A（規(guī)范性）多晶硅生產(chǎn)火災(zāi)危險(xiǎn)性分類(lèi) 15附錄B（規(guī)范性）多晶硅生產(chǎn)場(chǎng)所空氣中主要有毒物質(zhì)及粉塵容許濃度 16附錄C（資料性）多晶硅生產(chǎn)過(guò)程中的危險(xiǎn)、有害因素 19附錄D（資料性）多晶硅生產(chǎn)安全規(guī)章制度目錄 21附錄E（資料性）多晶硅企業(yè)重大生產(chǎn)安全事故隱患判定標(biāo)準(zhǔn) 22多晶硅安全生產(chǎn)規(guī)范范圍本文件界定了采用三氯氫硅還原法生產(chǎn)多晶硅的術(shù)語(yǔ)和定義，規(guī)定了企業(yè)從設(shè)計(jì)到生產(chǎn)全過(guò)程的安全技術(shù)基本要求，包括設(shè)計(jì)與總圖布局中的安全要求、生產(chǎn)過(guò)程的安全要求。本文件適用于采用三氯氫硅還原法工藝技術(shù)生產(chǎn)多晶硅的企業(yè)。采用其他工藝技術(shù)生產(chǎn)多晶硅的生產(chǎn)企業(yè)可參照?qǐng)?zhí)行。規(guī)范性引用文件下列文件中的內(nèi)容通過(guò)文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款。其中，注日期的引用文件，僅該日期對(duì)應(yīng)的版本適用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改單）適用于本文件。GBZ/T223工作場(chǎng)所有毒氣體檢測(cè)報(bào)警裝置設(shè)置規(guī)范GB2894安全標(biāo)志及其使用導(dǎo)則GB5083生產(chǎn)設(shè)備安全衛(wèi)生設(shè)計(jì)總則GB7231工業(yè)管道的基本識(shí)別色、識(shí)別符號(hào)和安全標(biāo)識(shí)GB12158防止靜電事故通用導(dǎo)則GB15577粉塵防爆安全規(guī)程GB16297大氣污染物綜合排放標(biāo)準(zhǔn)GB50016建筑設(shè)計(jì)防火規(guī)范GB50057建筑物防雷設(shè)計(jì)規(guī)范GB50058爆炸危險(xiǎn)環(huán)境電力裝置設(shè)計(jì)規(guī)范GB50073潔凈廠房設(shè)計(jì)規(guī)范GB50140建筑滅火器配置設(shè)計(jì)規(guī)范GB50160石油化工企業(yè)設(shè)計(jì)防火標(biāo)準(zhǔn)GB50016建筑設(shè)計(jì)防火規(guī)范GB50057建筑物防雷設(shè)計(jì)規(guī)范GB50058爆炸危險(xiǎn)環(huán)境電力裝置設(shè)計(jì)規(guī)范GB50073潔凈廠房設(shè)計(jì)規(guī)范GB50140建筑滅火器配置設(shè)計(jì)規(guī)范GB50160石油化工企業(yè)設(shè)計(jì)防火標(biāo)準(zhǔn)GB50177氫氣站設(shè)計(jì)規(guī)范GB50257爆炸和火災(zāi)危險(xiǎn)環(huán)境電力裝置施工及驗(yàn)收規(guī)范GB50316工業(yè)金屬管道設(shè)計(jì)規(guī)范GB50351儲(chǔ)罐區(qū)防火堤設(shè)計(jì)規(guī)范GB50370氣體滅火系統(tǒng)設(shè)計(jì)規(guī)范GB/T50493 石油化工可燃?xì)怏w和有毒氣體檢測(cè)報(bào)警設(shè)計(jì)GB50650 石油化工裝置防雷設(shè)計(jì)規(guī)范GB50974消防給水及消火栓系統(tǒng)技術(shù)規(guī)范GB51034多晶硅工廠設(shè)計(jì)規(guī)范GB51283精細(xì)化工企業(yè)工程設(shè)計(jì)防火標(biāo)準(zhǔn)AQ3013危險(xiǎn)化學(xué)品從業(yè)單位安全標(biāo)準(zhǔn)化通用規(guī)范標(biāo)準(zhǔn)HG/T21581自控安裝圖冊(cè)SH/T3097石油化工靜電接地設(shè)計(jì)規(guī)范術(shù)語(yǔ)和定義下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件。多晶硅 polycrystallinesilicon單質(zhì)硅的一種形態(tài)，硅原子以晶格形態(tài)排列成許多晶核，這些晶核長(zhǎng)成晶面取向不同的晶粒，晶粒組合結(jié)晶成多晶硅。三氯氫硅還原法trichlorosilanehydrogenreductionprocess在一定溫度下的高純硅芯上用高純氫還原高純?nèi)葰涔?，在硅芯上沉積生長(zhǎng)多晶硅；同時(shí)具備回還原爐 reductionfurnace一種生產(chǎn)棒狀多晶硅的專(zhuān)用化學(xué)氣相沉積設(shè)備。氯硅烷 chlorosilaneSiSilSiHlSiC、SiCl還原尾氣 reductionoff-gas在還原爐內(nèi)生成多晶硅的反應(yīng)過(guò)程中，未反應(yīng)完全的原料和生成的副產(chǎn)物的混合氣體，主要包括氫氣、氣態(tài)氯硅烷及氯化氫、不定型硅等。二氯二氫硅反歧化dichlorodihydrosiliconanti-disproportionationreaction二氯二氫硅和四氯化硅在一定溫度和催化劑作用下生成三氯氫硅的反應(yīng)。主工藝物料系統(tǒng) mainprocessmaterialsystem包括氯硅烷提純系統(tǒng)、還原系統(tǒng)、還原尾氣干法回收系統(tǒng)、三氯氫硅合成系統(tǒng)、四氯化硅氫化系統(tǒng)、二氯二氫硅反歧化系統(tǒng)、廢氣淋洗系統(tǒng)、渣漿回收系統(tǒng)、氯硅烷罐區(qū)。設(shè)計(jì)與總圖布局基本規(guī)定多晶硅生產(chǎn)企業(yè)的新建、改建、擴(kuò)建項(xiàng)目，安全設(shè)施應(yīng)與主體工程同時(shí)設(shè)計(jì)、同時(shí)施工、同時(shí)投入生產(chǎn)和使用。用于生產(chǎn)、儲(chǔ)存危險(xiǎn)化學(xué)品的多晶硅生產(chǎn)企業(yè)應(yīng)當(dāng)對(duì)建設(shè)項(xiàng)目進(jìn)行安全條件論證，委托具有國(guó)家規(guī)定資質(zhì)條件的機(jī)構(gòu)對(duì)建設(shè)項(xiàng)目進(jìn)行安全評(píng)價(jià)。多晶硅生產(chǎn)企業(yè)用于生產(chǎn)、儲(chǔ)存危險(xiǎn)化學(xué)品的建設(shè)項(xiàng)目應(yīng)委托具有工程設(shè)計(jì)綜合資質(zhì)甲級(jí)或者化工石化專(zhuān)業(yè)資質(zhì)甲級(jí)的設(shè)計(jì)單位負(fù)責(zé)設(shè)計(jì)。多晶硅生產(chǎn)企業(yè)用于生產(chǎn)、儲(chǔ)存危險(xiǎn)化學(xué)品的建設(shè)項(xiàng)目應(yīng)委托具有化工建設(shè)相應(yīng)資質(zhì)的建設(shè)單位負(fù)責(zé)施工?？偲矫娌贾肎B51034GB50016GB50160多晶硅生產(chǎn)企業(yè)的總平面布置應(yīng)根據(jù)生產(chǎn)工藝流程、生產(chǎn)特點(diǎn)和火災(zāi)危險(xiǎn)性，結(jié)合地形、風(fēng)向等條件，按功能集中原則分區(qū)布置，可分為生產(chǎn)區(qū)、公用工程及輔助設(shè)施區(qū)、儲(chǔ)運(yùn)區(qū)、集中控制區(qū)、行政辦公區(qū)。工藝及生產(chǎn)裝置工藝流程選擇、設(shè)備選型及工藝布置，應(yīng)根據(jù)多晶硅生產(chǎn)主要物料的易燃易爆、有毒及火災(zāi)危險(xiǎn)工藝生產(chǎn)系統(tǒng)內(nèi)的設(shè)備、管道的材質(zhì)以及管閥件，應(yīng)根據(jù)物料性質(zhì)和工況條件選取，并應(yīng)采取相GB50316GB5083GB7231GB2894GB5016075℃～85（罐（NCNC3含NCl360g/主工藝物料系統(tǒng)應(yīng)設(shè)安全閥、爆破片、事故緊急排放、氮?dú)庀♂寽缁鸬劝踩O(shè)施。還原爐夾套冷卻、三氯氫硅合成爐冷卻、天然氣制氫轉(zhuǎn)化爐夾套冷卻等系統(tǒng)應(yīng)設(shè)置安全閥等安全設(shè)施。硅芯制備采用區(qū)熔法拉制工藝時(shí)，宜設(shè)置電磁屏蔽。腐蝕清洗工序的腐蝕清洗設(shè)備內(nèi)，酸腐蝕部位應(yīng)設(shè)置強(qiáng)制通風(fēng)，廢氣應(yīng)處理達(dá)標(biāo)后再排放；輸送強(qiáng)酸的管道應(yīng)采用雙層套管，外層宜采用透明聚氯乙烯(PVC)管等防腐蝕、防噴濺措施。GB/T38144.1GB/T38144.2風(fēng)沙限制的設(shè)備的多晶硅還原、電解水制氫等裝置采取抗爆泄爆措施后可布置在封閉建筑內(nèi)。涉及氯硅烷的系統(tǒng)宜采用氣密試驗(yàn)；若采用水壓試驗(yàn)，試驗(yàn)后應(yīng)對(duì)系統(tǒng)進(jìn)行干燥，達(dá)到露點(diǎn)≤-40℃。防火、防爆設(shè)計(jì)與安全疏散GB50016GB50073GB50160GB50351甲、乙、丙類(lèi)多層廠房?jī)?nèi)各層由不同功能房間組成時(shí)，宜按層劃分防火分區(qū)，疏散樓梯應(yīng)采用封GB50016同一防火分區(qū)內(nèi)有不同性質(zhì)的物料生產(chǎn)時(shí)，其火災(zāi)分類(lèi)，應(yīng)按火災(zāi)危險(xiǎn)性較大的部分確定。多晶A。GB50058GB50016還原爐室等甲類(lèi)火災(zāi)危險(xiǎn)性且有防爆要求的廠房?jī)?nèi)不應(yīng)設(shè)置辦公室、休息室、巡檢室。如需要設(shè)置更衣室、工具室、衛(wèi)生間等輔助房間，這些輔助房間應(yīng)設(shè)置在還原爐室端墻貼鄰一側(cè)，并應(yīng)采用耐火極限不低于4.0h4.0h。還原系統(tǒng)的變壓器室、調(diào)功器室、高壓?jiǎn)?dòng)室、爐體冷卻水系統(tǒng)等輔助房間，應(yīng)與還原爐室布置GB50016的有關(guān)規(guī)定。還原爐室應(yīng)采用泄爆墻及帶有通風(fēng)設(shè)施的泄壓屋面。外墻與屋面泄壓面積應(yīng)符合下列規(guī)定：a）GB50016的有關(guān)規(guī)定；60kg/A當(dāng)泄壓設(shè)施的材質(zhì)不屬于易碎性材料，泄爆設(shè)置應(yīng)避開(kāi)人員密集場(chǎng)所和主要交通道路。GB50016GB50177下列場(chǎng)所可不計(jì)入建筑防火分區(qū)內(nèi)：a）防煙樓梯間及其前室;消防電梯前室及其合用前室；設(shè)置甲級(jí)防火門(mén)的封閉樓梯間、敞開(kāi)連廊。20kV有含油設(shè)備的變配電所可一面貼鄰建造；無(wú)油設(shè)備的變配電所可一面或兩面貼鄰建造。GB50016GB51283電氣設(shè)施防雷、防靜電GB50057GB50650GB12158SH/T3097100Ω。制氫裝置、氫氣儲(chǔ)罐區(qū)、氫氣壓縮機(jī)房、氯硅烷罐區(qū)等重點(diǎn)爆炸危險(xiǎn)區(qū)域的入口處，應(yīng)設(shè)置人體靜電消除裝置。防火、防爆、電氣安全GB50058制氫裝置、氯化氫合成裝置、三氯氫硅合成裝置、氯硅烷分離提純裝置、三氯氫硅還原裝置、還原尾氣干法回收裝置、四氯化硅氫化裝置、氫氣和氯硅烷罐區(qū)等爆炸性氣體環(huán)境中電氣裝置的選型應(yīng)GB50058GB50058GB50257A。DCS還原爐電極冷卻水泵、整理裝置廢氣洗滌系統(tǒng)、工藝廢氣洗滌循環(huán)泵、消防穩(wěn)壓泵、消防排煙風(fēng)機(jī)等用電負(fù)荷，應(yīng)屬于一級(jí)負(fù)荷中的特別重要負(fù)荷，除應(yīng)由雙電源供電外，尚應(yīng)增設(shè)應(yīng)急電源。過(guò)程自動(dòng)控制中心控制室及裝置控制室應(yīng)設(shè)置不間斷電源（UPS）30min。制氫裝置、氯化氫合成裝置、三氯氫硅合成裝置、還原爐室、還原尾氣干法回收裝置、四氯化硅GB/T50493GBZ/T22324HG/T21581GB50257氯硅烷罐區(qū)、還原爐室、冷氫化裝置和重大危險(xiǎn)源等場(chǎng)所應(yīng)設(shè)置視頻監(jiān)控系統(tǒng)，并根據(jù)爆炸危險(xiǎn)區(qū)域的劃分采用適用等級(jí)的防爆視頻監(jiān)控設(shè)備。二氯二氫硅、三氯氫硅等易燃液體不應(yīng)使用玻璃管液位計(jì)。四氯化硅氫化加熱器和導(dǎo)熱油加熱器溫度控制裝置宜采用冗余配置，并定期校驗(yàn)。氫化反應(yīng)器及系統(tǒng)中的安全附件、安全保護(hù)裝置、測(cè)量調(diào)控裝置及有關(guān)附屬儀器應(yīng)完整、齊全、有效。生產(chǎn)現(xiàn)場(chǎng)主要出入口處及有人巡檢操作且可能出現(xiàn)可燃、有毒氣體積聚的相對(duì)封閉的場(chǎng)所，應(yīng)設(shè)置區(qū)域聲光報(bào)警器。消防設(shè)施GB50016、GB50160、GB50974、GB50370GB50140制氫裝置、氯硅烷罐區(qū)、四氯化硅氫化裝置、還原爐室、還原尾氣干法回收等主要火災(zāi)危險(xiǎn)場(chǎng)所以及公用工程輔助設(shè)施區(qū)應(yīng)設(shè)置火災(zāi)報(bào)警系統(tǒng)，并配備滅火設(shè)施。多晶硅工廠應(yīng)設(shè)置穩(wěn)高壓消防給水系統(tǒng)。GB50160三氯氫硅合成裝置、還原廠房、還原尾氣干法回收裝置、四氯化硅氫化裝置、氯硅烷儲(chǔ)罐區(qū)等涉2m3/1m3/套。GB50370GB50073GB50140通風(fēng)與排煙GB16297C。GB50016還原爐室房間相對(duì)于非防爆區(qū)，如更衣間、與后處理車(chē)間的潔凈連廊等，應(yīng)保持微負(fù)壓，局部排風(fēng)與整體排風(fēng)應(yīng)符合下列規(guī)定：12/h排風(fēng)機(jī)應(yīng)符合防爆要求，事故風(fēng)機(jī)電源應(yīng)接入應(yīng)急電源，應(yīng)與可燃有毒報(bào)警儀聯(lián)鎖；事故排風(fēng)機(jī)宜設(shè)備用風(fēng)機(jī)；0.1m；風(fēng)管應(yīng)采取防靜電接地措施。腐蝕清洗、配酸柜等工序排出的酸性廢氣，應(yīng)采用局部排風(fēng)，所含酸性廢氣應(yīng)采用酸霧凈化塔進(jìn)行處理。GB155776/h。潔凈區(qū)排風(fēng)管上應(yīng)采取防止室外空氣倒灌的措施。各動(dòng)力站房應(yīng)有良好的通風(fēng)措施，宜采用自然通風(fēng)；當(dāng)自然通風(fēng)不能滿足生產(chǎn)或安全、衛(wèi)生要求時(shí)，應(yīng)設(shè)置機(jī)械通風(fēng)或自然通風(fēng)與機(jī)械通風(fēng)聯(lián)合的通風(fēng)方式。危險(xiǎn)化學(xué)品儲(chǔ)存氯硅烷罐區(qū)應(yīng)按照該罐區(qū)單個(gè)最大儲(chǔ)罐的容積設(shè)置事故儲(chǔ)罐。儲(chǔ)存氯硅烷的儲(chǔ)罐，宜設(shè)置惰性氣體密封保護(hù)系統(tǒng)。若工藝要求設(shè)置氫氣密封保護(hù)系統(tǒng)的，應(yīng)同時(shí)設(shè)置氮?dú)獗Ｗo(hù)系統(tǒng)，緊急情況下應(yīng)能遠(yuǎn)程控制通入氮?dú)?，氮?dú)夤艿缿?yīng)設(shè)置防物料互串設(shè)施。生產(chǎn)過(guò)程安全一般規(guī)定企業(yè)應(yīng)當(dāng)根據(jù)工藝、裝置、設(shè)施等實(shí)際情況，建立健全安全生產(chǎn)責(zé)任制和安全生產(chǎn)規(guī)章制度，主要的安全生產(chǎn)規(guī)章制度參見(jiàn)附錄D。企業(yè)應(yīng)按附錄企業(yè)應(yīng)在工藝投產(chǎn)或投用前，組織編制操作規(guī)程。企業(yè)應(yīng)將操作規(guī)程發(fā)放到相關(guān)崗位，并對(duì)有關(guān)人員進(jìn)行專(zhuān)門(mén)培訓(xùn)，經(jīng)考核合格后，方可上崗。5.1.5企業(yè)操作人員應(yīng)嚴(yán)格執(zhí)行操作規(guī)程，對(duì)工藝參數(shù)運(yùn)行出現(xiàn)的偏離情況及時(shí)分析調(diào)整，保證工藝參數(shù)控制不超出安全限值，偏差及時(shí)得到糾正。企業(yè)應(yīng)仔細(xì)核對(duì)、嚴(yán)格控制多晶硅生產(chǎn)的工藝技術(shù)指標(biāo)，重要的控制指標(biāo)應(yīng)設(shè)管理控制點(diǎn)。更改指標(biāo)應(yīng)有相應(yīng)的工藝變更手續(xù)。企業(yè)應(yīng)按照安全操作規(guī)程進(jìn)行生產(chǎn)設(shè)備的操作。在多晶硅系統(tǒng)運(yùn)行過(guò)程中，需要對(duì)穩(wěn)壓的儲(chǔ)罐和塔器補(bǔ)充其所使用的高純氫氣。同時(shí)設(shè)置氮?dú)獗Ｗo(hù)系統(tǒng)，緊急情況下應(yīng)能遠(yuǎn)程控制通入氮?dú)猓獨(dú)夤艿缿?yīng)設(shè)置防物料互串設(shè)施。企業(yè)應(yīng)建立氮?dú)獍踩褂霉芾碇贫?。企業(yè)應(yīng)根據(jù)崗位職業(yè)病危害因素和安全風(fēng)險(xiǎn)辨識(shí)及評(píng)價(jià)情況，按呼吸防護(hù)、面部防護(hù)等標(biāo)準(zhǔn)，制定勞動(dòng)防護(hù)用品配發(fā)和管理制度。具體應(yīng)包含但不限于：鞋、防化服；進(jìn)入爆炸危險(xiǎn)性裝置，應(yīng)穿防靜電服裝，隨身攜帶應(yīng)急防護(hù)用品；e）其他勞動(dòng)防護(hù)管理應(yīng)符合國(guó)家及地方相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)。企業(yè)應(yīng)開(kāi)展勞動(dòng)防護(hù)用品使用培訓(xùn)，對(duì)不使用或不正確使用勞動(dòng)防護(hù)用品的人員進(jìn)行考核。5生產(chǎn)裝置開(kāi)車(chē)基本要求系統(tǒng)開(kāi)車(chē)前應(yīng)按AQ3013規(guī)定的內(nèi)容組織檢查，進(jìn)行安全條件確認(rèn)。進(jìn)料前應(yīng)確保所有相關(guān)設(shè)備、閥門(mén)、管道均已打壓檢漏吹掃合格，各種儀表監(jiān)控裝置經(jīng)校驗(yàn)合格并正常投用。應(yīng)檢查并確認(rèn)水、電、汽（氣）符合開(kāi)車(chē)要求，設(shè)備及其安全附件完好，各種原料、輔料的供應(yīng)必須齊備、合格，投料前必須進(jìn)行分析驗(yàn)證。保溫、保壓及洗凈的設(shè)備應(yīng)符合開(kāi)車(chē)要求，必要時(shí)應(yīng)重新置換、清洗和分析合格。開(kāi)車(chē)過(guò)程中應(yīng)加強(qiáng)有關(guān)崗位之間的聯(lián)絡(luò)，嚴(yán)格按照操作規(guī)程（或作業(yè)指導(dǎo)書(shū)）的要求操作。嚴(yán)格遵守升降溫、升降壓和加減負(fù)荷的幅度（速率）要求。開(kāi)車(chē)過(guò)程中應(yīng)密切觀察工藝的變化和設(shè)備運(yùn)行的情況，加強(qiáng)與有關(guān)崗位和車(chē)間的聯(lián)系，發(fā)現(xiàn)異?，F(xiàn)象應(yīng)及時(shí)處理，情況緊急時(shí)應(yīng)中止開(kāi)車(chē)、按程序緊急停車(chē)。生產(chǎn)裝置停車(chē)基本要求應(yīng)按AQ3013系統(tǒng)降壓、降溫應(yīng)按照要求的幅度（速率）并按先高壓后低壓的順序進(jìn)行。凡需保壓、保溫的設(shè)備容器等，停車(chē)后要按時(shí)記錄壓力、溫度的變化。壓縮機(jī)等大型機(jī)組的停車(chē)，應(yīng)先停主機(jī)后停輔機(jī)。設(shè)備（容器）卸壓時(shí)，要注意易燃、易爆、易中毒等危險(xiǎn)化學(xué)品的排放和散發(fā)，都應(yīng)進(jìn)入尾氣處理系統(tǒng)，防止造成事故。冬季停車(chē)后，應(yīng)采取防凍防凝措施。三氯氫硅合成系統(tǒng)開(kāi)停車(chē)硅粉加料硅粉下料時(shí)應(yīng)打開(kāi)除塵裝置，控制加料速度，防止粉塵飛揚(yáng)。操作者應(yīng)佩戴相應(yīng)勞動(dòng)防護(hù)用品。加料完成后關(guān)閉硅粉干燥倉(cāng)下料閥門(mén)。硅粉干燥首次開(kāi)車(chē)進(jìn)氮?dú)馇皯?yīng)確保所有相關(guān)設(shè)備、閥門(mén)、管道均已吹掃、試壓合格，各種儀表監(jiān)控裝置經(jīng)校驗(yàn)合格并正常投用，正常生產(chǎn)過(guò)程中持續(xù)通氮?dú)飧稍?。電加熱器作業(yè)規(guī)程中應(yīng)明確升降溫速率，電加熱設(shè)備運(yùn)行時(shí)必須確保有足量的氣體流動(dòng)，避免因?yàn)榫植窟^(guò)熱或過(guò)冷造成設(shè)備、管道發(fā)生泄漏。升、降溫速度不能過(guò)快，防止設(shè)備管道因?yàn)槎虝r(shí)間內(nèi)形變過(guò)大而造成損壞。氯化氫合成首次開(kāi)車(chē)前應(yīng)確保所有相關(guān)設(shè)備、閥門(mén)、管道持續(xù)通氮?dú)飧稍?。系統(tǒng)運(yùn)行前氫氣系統(tǒng)及管道應(yīng)采用高純氮?dú)庵脫Q、并檢測(cè)氮中氧以及露點(diǎn)合格，然后才可以采用高純氫氣置換。液氯汽化系統(tǒng)儲(chǔ)罐及管道應(yīng)采用高純氮?dú)庵脫Q、并檢測(cè)氮中氧以及露點(diǎn)合格，然后采用氯氣置換、并檢測(cè)氯氣純度和含水率合格。系統(tǒng)點(diǎn)火及運(yùn)行中應(yīng)嚴(yán)格按照工藝操作參數(shù)控制，不應(yīng)超過(guò)所規(guī)定參數(shù)的控制范圍。氫氣泄漏，應(yīng)立即將泄漏部位與其它部分?jǐn)嚅_(kāi)，利用尾氣管道泄壓，系統(tǒng)壓力低于氮?dú)鈮毫?，向系統(tǒng)內(nèi)通入高純氮?dú)?，降低泄漏物中可燃物質(zhì)含量，避免發(fā)生著火爆炸等次生事故。氯氣泄漏，應(yīng)立即將泄漏部位與其它部分?jǐn)嚅_(kāi)，利用尾氣管道向事故氯處理系統(tǒng)泄壓，向系統(tǒng)內(nèi)通入高純氮?dú)?，降低泄漏物中有毒有害物質(zhì)含量，避免發(fā)生中毒等次生事故。氯化氫泄漏，應(yīng)立即將泄漏部位與其它部分?jǐn)嚅_(kāi)，利用尾氣管道向廢氣淋洗系統(tǒng)泄壓，向系統(tǒng)內(nèi)通入高純氮?dú)?，降低泄漏物中有毒有害物質(zhì)含量，避免發(fā)生中毒等次生事故。停車(chē)排渣停車(chē)時(shí)要遵循“先熱后冷”的原則，先停止所有的加熱設(shè)備，壓縮機(jī)繼續(xù)運(yùn)轉(zhuǎn)，當(dāng)系統(tǒng)溫度降至規(guī)定值之下，再停止降溫設(shè)備和壓縮機(jī)。停車(chē)后將系統(tǒng)內(nèi)剩余物料導(dǎo)出，壓力卸為微正壓，開(kāi)始氮?dú)庵脫Q。氮?dú)庵脫Q合格后，將合成系統(tǒng)與其他系統(tǒng)加盲板斷開(kāi)。三氯氫硅合成正常運(yùn)行三氯氫硅合成系統(tǒng)以及相關(guān)所有設(shè)備管道采用高純氮?dú)庵脫Q、并檢測(cè)氮中氧以及露點(diǎn)，合格后才能采用高純氫氣置換。正常運(yùn)行時(shí)突然停水、停電，泵、壓縮機(jī)、冷凍系統(tǒng)會(huì)立刻跳停，三氯氫硅合成壓縮前系統(tǒng)氫氣或物料泄漏，應(yīng)立即將泄漏部位與其它部分?jǐn)嚅_(kāi)，利用尾氣管道泄壓，當(dāng)系統(tǒng)壓力低于氮?dú)庀到y(tǒng)壓力時(shí)，向系統(tǒng)內(nèi)通入高純氮?dú)?，降低泄漏物中可燃物質(zhì)含量，避免發(fā)生著火爆炸等次生事故。重要參數(shù)的控制應(yīng)嚴(yán)格控制氫氣純度、氯氣純度、硅粉純度及雜質(zhì)含量、氯化氫純度及含水量。應(yīng)嚴(yán)格控制三氯氫硅合成爐的溫度、壓力及壓差。異常情況的判斷與處理系統(tǒng)發(fā)生堵塞：由于反應(yīng)設(shè)備及原料干燥不夠，有少量水份就會(huì)使合成產(chǎn)品發(fā)生水解，積累在管道、閥門(mén)、接頭及過(guò)濾器等處，使系統(tǒng)發(fā)生堵塞。通過(guò)壓差判斷堵塞位置，停車(chē)檢修處理。系統(tǒng)發(fā)生泄漏、跑料現(xiàn)象：應(yīng)進(jìn)行檢查及時(shí)處理，如泄漏較大時(shí)應(yīng)停車(chē)檢修。反應(yīng)器料層壓差變化，多為硅粉料層變化所致，若判斷出現(xiàn)嚴(yán)重偏流或死床的情況則應(yīng)停車(chē)處理。換熱器物料側(cè)壓差持續(xù)變大，多為列管堵塞所致，則應(yīng)停車(chē)處理。氯硅烷分離提純塔開(kāi)車(chē)應(yīng)用高純氮?dú)庵脫Q提純塔以及相關(guān)所有設(shè)備管道，并檢測(cè)氮中氧和露點(diǎn)合格。應(yīng)按照工藝技術(shù)操作規(guī)程的要求逐步開(kāi)車(chē)，注意進(jìn)料流量，升溫升壓速度，防止因?yàn)樯龎哼^(guò)快引起塔失去控制，發(fā)生事故。在開(kāi)塔過(guò)程中注意，冷熱源的投入必須遵循“先冷后熱”的原則，先通冷卻介質(zhì)，再通加熱介質(zhì)，在通入熱源之前要先進(jìn)料，應(yīng)避免加熱設(shè)備“干燒”的狀況。提純塔停車(chē)提純塔停車(chē)時(shí)應(yīng)遵循“先熱后冷”的原則，當(dāng)提純塔所有進(jìn)出料停止，與其他系統(tǒng)斷開(kāi)后，先停止熱源，保持冷卻水繼續(xù)運(yùn)轉(zhuǎn)，待塔內(nèi)溫度降下來(lái)、塔壓維持穩(wěn)定后方可關(guān)閉冷卻循環(huán)水。停塔過(guò)程中應(yīng)隨時(shí)監(jiān)視塔內(nèi)壓力和溫度情況。提純塔停塔后依據(jù)實(shí)際情況進(jìn)行后續(xù)處理。如停塔后不需檢修且物料沒(méi)有導(dǎo)出，則要繼續(xù)監(jiān)視塔內(nèi)各個(gè)參數(shù)，杜絕出現(xiàn)超溫超壓及負(fù)壓現(xiàn)象；如需要檢修，則應(yīng)把塔內(nèi)所有物料導(dǎo)出，高純氮?dú)庵脫Q合格后進(jìn)行檢修。正常運(yùn)行操作提純塔運(yùn)行中要嚴(yán)格按照工藝操作參數(shù)控制，壓力、溫度、液位、流量等參數(shù)不應(yīng)超過(guò)所有參數(shù)的控制范圍，保證提純塔物料平衡和能量平衡。pH值或電導(dǎo)值及系統(tǒng)壓力進(jìn)行在線監(jiān)測(cè)，以確保在換熱器泄漏時(shí)能夠及時(shí)發(fā)現(xiàn)處理。提純塔運(yùn)行過(guò)程中要加強(qiáng)對(duì)現(xiàn)場(chǎng)的巡檢，及時(shí)發(fā)現(xiàn)事故隱患并及時(shí)處理；保證各測(cè)壓點(diǎn)、測(cè)溫點(diǎn)、液位計(jì)等儀表監(jiān)控設(shè)施的完整性，發(fā)現(xiàn)異常及時(shí)聯(lián)系處理。重要參數(shù)控制提純系統(tǒng)重要壓力控制點(diǎn)：塔頂壓力、塔釜壓力、相關(guān)儲(chǔ)罐壓力。提純系統(tǒng)重要溫度控制點(diǎn)：塔頂溫度、塔釜溫度、塔中溫度、循環(huán)水回水溫度。提純系統(tǒng)重要流量控制點(diǎn)：進(jìn)出料流量、熱源流量。提純系統(tǒng)重要液位控制點(diǎn)：塔釜液位、相關(guān)儲(chǔ)罐液位。異常情況的判斷與處理提純塔物料泄漏：提純塔運(yùn)行中如果出現(xiàn)泄漏時(shí)應(yīng)立即采取停塔處理措施，停止加熱，停止進(jìn)出料，將塔內(nèi)物料退至應(yīng)急儲(chǔ)罐，打開(kāi)尾氣閥門(mén)泄壓，如果條件允許，可使用帶壓堵漏工具對(duì)泄漏部位進(jìn)行封堵，否則待壓力降低后將塔內(nèi)物料導(dǎo)出，高純氮?dú)庵脫Q，分析合格后再對(duì)泄漏部位進(jìn)行處理。相關(guān)水換熱器泄漏水泄漏進(jìn)氯硅烷中：運(yùn)行中一旦發(fā)現(xiàn)塔內(nèi)壓力在熱量、冷量未變化的情況下迅速升高，應(yīng)立即對(duì)該塔進(jìn)行全面排查，若確認(rèn)為換熱器泄漏，應(yīng)立即將換熱器水路進(jìn)、回水閥門(mén)關(guān)閉，換熱器內(nèi)部水排出，塔內(nèi)氯硅烷全部導(dǎo)出，然后用氮?dú)庵脫Q，待氮?dú)庵脫Q合格后對(duì)相應(yīng)設(shè)備進(jìn)行檢修。pH濃度升高，確定換熱器泄漏，應(yīng)立即停塔，關(guān)閉熱源，根據(jù)塔壓力變化，將換熱器水路進(jìn)回水閥門(mén)關(guān)閉，換熱器內(nèi)部水排出，塔內(nèi)氯硅烷全部導(dǎo)出，然后用氮?dú)庵脫Q，待氮?dú)庵脫Q合格后對(duì)相應(yīng)設(shè)備進(jìn)行檢修。三氯氫硅還原系統(tǒng)開(kāi)車(chē)開(kāi)車(chē)前要確保各種電氣、儀表設(shè)備經(jīng)校驗(yàn)合格并正常投用。應(yīng)按照工藝技術(shù)操作規(guī)程的要求逐步開(kāi)車(chē)，硅芯高壓擊穿時(shí)人員禁止觸摸還原爐及與其相連的任何管路設(shè)施；啟爐成功后注意進(jìn)料流量、升溫升壓速度的平穩(wěn)控制，防止因?yàn)樯龎哼^(guò)快出現(xiàn)泄漏事故。系統(tǒng)停車(chē)。150℃以下再通入氮?dú)膺M(jìn)行置換。正常運(yùn)行操作建立巡檢監(jiān)測(cè)制度：及時(shí)巡檢爐內(nèi)情況，并監(jiān)測(cè)爐內(nèi)壓力，進(jìn)出氣溫度、壓力變化；適時(shí)檢查還原爐連接電纜、接頭等運(yùn)行狀況，防止過(guò)熱燒紅現(xiàn)象發(fā)生。發(fā)現(xiàn)異常，按應(yīng)急預(yù)案進(jìn)行處理。定時(shí)進(jìn)行巡檢，記錄工藝運(yùn)行參數(shù)，并比照前后運(yùn)行參數(shù)，防止系統(tǒng)出現(xiàn)異常。還原電氣設(shè)備還原高壓擊穿系統(tǒng)與低壓調(diào)功系統(tǒng)可靠電氣聯(lián)鎖。還原電氣裝置應(yīng)有硅棒接地報(bào)警，預(yù)防在運(yùn)行過(guò)程中硅棒靠爐壁生長(zhǎng)燒壞爐筒，使冷卻介質(zhì)進(jìn)入物料系統(tǒng)釀成大事故。還原調(diào)功裝置報(bào)警顯示可控硅冷卻水泄漏，必須切斷主電源。還原電氣裝置應(yīng)有過(guò)流，短路等保護(hù)，保證設(shè)備安全。還原爐停止運(yùn)行期間，還原主變電源應(yīng)徹底有效斷開(kāi)，保證拆裝爐操作的安全。還原尾氣干法回收系統(tǒng)開(kāi)車(chē)所有相關(guān)設(shè)備管道應(yīng)采用高純氮?dú)庵脫Q、并檢測(cè)氮中氧以及露點(diǎn)合格，然后才能采用高純氫氣置換和進(jìn)料。氮?dú)庵脫Q時(shí)采用單點(diǎn)充壓，多點(diǎn)頂部泄壓的方式進(jìn)行，泄壓速度參照國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)；氫氣置換采用單點(diǎn)充壓，多點(diǎn)底部泄壓的方式進(jìn)行，泄壓速度要緩慢。氮?dú)庵脫Q合格后，進(jìn)行氫氣置換，合格后進(jìn)行氫氣聯(lián)動(dòng)試車(chē)，檢查系統(tǒng)運(yùn)行情況。干法回收系統(tǒng)進(jìn)料后，循環(huán)降溫的過(guò)程中要加強(qiáng)現(xiàn)場(chǎng)巡檢，對(duì)低溫設(shè)備螺栓進(jìn)行檢查緊固，防止因?yàn)橄到y(tǒng)溫度降低造成的泄漏。降溫過(guò)程中嚴(yán)格控制降溫速度，防止低于設(shè)備承受溫度而發(fā)生的設(shè)備損壞。系統(tǒng)停車(chē)干法回收系統(tǒng)停車(chē)過(guò)程中，要注意各參數(shù)是否異常，特別是鼓泡淋洗系統(tǒng)和脫吸塔壓力是否異常（不能超過(guò)系統(tǒng)設(shè)定壓力），隨時(shí)做好泄壓的準(zhǔn)備。停車(chē)之后，注意各設(shè)備液位，防止液位超出監(jiān)控范圍。正常運(yùn)行操作。在干法回收系統(tǒng)運(yùn)行期間，操作者要確保鼓泡淋洗系統(tǒng)壓力、溫度；吸收部分壓力、溫度；各個(gè)液位等參數(shù)都保持在正常范圍內(nèi)。動(dòng)設(shè)備操作人員要監(jiān)控好泵的正常運(yùn)行和壓縮機(jī)、冷凍系統(tǒng)的進(jìn)出口溫度、壓力、油位等指標(biāo)。加強(qiáng)現(xiàn)場(chǎng)巡檢，及時(shí)發(fā)現(xiàn)事故隱患并及時(shí)處理；保證各測(cè)壓點(diǎn)、測(cè)溫點(diǎn)、液位計(jì)等儀表監(jiān)控設(shè)施的完整性，發(fā)現(xiàn)異常及時(shí)聯(lián)系處理。運(yùn)行中應(yīng)定時(shí)對(duì)系統(tǒng)中各物料進(jìn)行檢測(cè)（成分、雜質(zhì)），通過(guò)檢測(cè)結(jié)果對(duì)控制參數(shù)進(jìn)行適當(dāng)?shù)恼{(diào)整，以?xún)?yōu)化系統(tǒng)的運(yùn)行。重要參數(shù)的控制還原尾氣干法回收系統(tǒng)重要壓力控制點(diǎn)：壓縮機(jī)進(jìn)口壓力、出口壓力。還原尾氣干法回收系統(tǒng)重要溫度控制點(diǎn)：吸收液溫度、分離塔釜溫度。還原尾氣干法回收系統(tǒng)重要流量控制點(diǎn)：氯硅烷循環(huán)量、裝置再生氣流量。還原尾氣干法回收系統(tǒng)重要液位控制點(diǎn)：吸收塔液位、分離塔液位。異常情況判斷及處理正常運(yùn)行時(shí)突然停水、停電，泵、壓縮機(jī)、冷凍系統(tǒng)會(huì)立刻跳停，會(huì)造成吸收塔、吸附柱、氫氣緩沖罐的高壓氣體反竄至冷凝系統(tǒng)，導(dǎo)致壓力迅速升高，應(yīng)設(shè)置緊急切斷閥門(mén)或止逆設(shè)備，防止氣體反竄。操作人員嚴(yán)密監(jiān)控各個(gè)參數(shù)，現(xiàn)場(chǎng)安排專(zhuān)人負(fù)責(zé)，一旦出現(xiàn)超壓現(xiàn)象應(yīng)及時(shí)泄壓。氫氣或物料泄漏，應(yīng)立即將泄漏部位與其它部分?jǐn)嚅_(kāi)，利用尾氣管道泄壓；當(dāng)系統(tǒng)壓力低于氮?dú)庀到y(tǒng)壓力時(shí)，向系統(tǒng)內(nèi)通入高純氮?dú)?，降低泄漏物中可燃物質(zhì)含量，避免發(fā)生著火、爆炸等次生事故。系統(tǒng)正常運(yùn)行，壓力突然升高或降低，可能是閥門(mén)沒(méi)有關(guān)嚴(yán)或內(nèi)漏，應(yīng)排查高低壓之間的連通閥門(mén)，及時(shí)消除隱患。系統(tǒng)正常運(yùn)行，溫度突然升高或降低，應(yīng)檢查相應(yīng)的冷源或熱源閥門(mén)、壓力，及時(shí)調(diào)整。四氯化硅冷氫化系統(tǒng)開(kāi)停車(chē)系統(tǒng)開(kāi)車(chē)準(zhǔn)備硅粉與觸媒下料時(shí)應(yīng)打開(kāi)除塵裝置，控制加料速度，防止固體粉塵飛揚(yáng)。操作者應(yīng)佩戴相關(guān)勞動(dòng)防護(hù)用品。進(jìn)氫氣前要確保所有相關(guān)設(shè)備、閥門(mén)、管道均已打壓檢漏吹掃合格，各種儀表監(jiān)控裝置經(jīng)校驗(yàn)合格并正常投用。系統(tǒng)正常開(kāi)車(chē)升溫過(guò)程要嚴(yán)格監(jiān)控系統(tǒng)各參數(shù)的變化情況，升溫速度不能過(guò)快，防止設(shè)備管道因?yàn)槎虝r(shí)間內(nèi)形變過(guò)大而造成的損壞，直至達(dá)到設(shè)定溫度和壓力后，系統(tǒng)進(jìn)料正常運(yùn)行，同時(shí)到達(dá)一定溫度后對(duì)法蘭進(jìn)行熱緊。運(yùn)行過(guò)程使用高純氫氣將最后一級(jí)硅粉加料罐中硅粉推送進(jìn)入流化床。系統(tǒng)停車(chē)檢修。停車(chē)時(shí)要遵循“先熱后冷”的原則，控制電加熱器降溫速率，保持氫氣壓縮機(jī)運(yùn)行，當(dāng)系統(tǒng)溫度降至規(guī)定值之下，再停止降溫設(shè)備和壓縮機(jī)；停車(chē)后將系統(tǒng)內(nèi)剩余物料導(dǎo)出，壓力降為微正壓，氮?dú)庵脫Q。氮?dú)庵脫Q合格后，將氫化系統(tǒng)與其他系統(tǒng)加盲板斷開(kāi)，按照檢修方案進(jìn)行檢修。正常運(yùn)行操作嚴(yán)格執(zhí)行循環(huán)氫氣壓縮機(jī)倒機(jī)操作，盡量減小系統(tǒng)壓力波動(dòng)，避免出現(xiàn)局部塌床，流化床分布器壓差異常。嚴(yán)格控制洗滌塔底部溫度，按操作規(guī)程進(jìn)行排渣操作，避免塔底堵塞。重要參數(shù)的控制氫化系統(tǒng)重要壓力控制點(diǎn)：壓縮機(jī)進(jìn)口緩沖罐壓力、壓縮機(jī)出口緩沖罐壓力、反應(yīng)器壓力、冷卻器壓力、出料罐壓力。氫化系統(tǒng)重要溫度控制點(diǎn)：電加熱器出口溫度、洗滌塔溫度、反應(yīng)器溫度、換熱器溫度、冷凝料溫度。氫化系統(tǒng)重要流量控制點(diǎn)：進(jìn)料流量、補(bǔ)氫流量、循環(huán)流量、出料流量、氯化氫流量（氯氫化工藝）。氫化系統(tǒng)重要液位控制點(diǎn)：混合器液位、冷凝料液位。異常情況的判斷與處理反應(yīng)器外排的廢硅粉發(fā)生著火時(shí)，應(yīng)及時(shí)轉(zhuǎn)移至空曠地帶并采用干砂覆蓋的方式進(jìn)行滅火。氫化系統(tǒng)運(yùn)行中發(fā)生泄漏著火時(shí)，要立即停止所有運(yùn)行設(shè)備，切斷物料、氫氣來(lái)源，利用各二氯二氫硅反歧化系統(tǒng)開(kāi)車(chē)樹(shù)脂干燥包括以下兩種方法：系統(tǒng)正常開(kāi)車(chē)：系統(tǒng)先投用循環(huán)水等冷媒，用純四氯化硅進(jìn)行液相循環(huán)，循環(huán)完成后按照操作規(guī)程要求進(jìn)行進(jìn)料，逐步投用蒸汽，將系統(tǒng)的溫度、壓力、液位等指標(biāo)調(diào)至正常值。系統(tǒng)停車(chē)停止反歧化的加熱蒸汽及冷卻循環(huán)水，停止反歧化的進(jìn)料及采出，從反應(yīng)柱底部將大部分的物料退出系統(tǒng)。停運(yùn)的反應(yīng)柱嚴(yán)格控制壓力及溫度，防止剩余物料發(fā)生歧化反應(yīng)導(dǎo)致設(shè)備超壓。系統(tǒng)運(yùn)行樹(shù)脂運(yùn)行按照工藝操作規(guī)程（或作業(yè)指導(dǎo)書(shū)）規(guī)定的溫度、壓力、流量、液位進(jìn)行控制。加強(qiáng)現(xiàn)場(chǎng)巡檢，發(fā)現(xiàn)事故隱患并及時(shí)處理；保證各測(cè)壓點(diǎn)、測(cè)溫點(diǎn)、液位計(jì)等儀表監(jiān)控設(shè)施的完整性，發(fā)現(xiàn)異常及時(shí)聯(lián)系處理。重要參數(shù)的控制a)反應(yīng)柱壓力；bcd)反應(yīng)柱壓差。異常情況的判斷與處理樹(shù)脂干燥及活化過(guò)程反應(yīng)柱溫度上漲過(guò)快需要停止進(jìn)料，將反應(yīng)柱內(nèi)的氯硅烷及時(shí)排除并用冷氮?dú)膺M(jìn)行降溫。樹(shù)脂卸放過(guò)程出現(xiàn)燃燒需要保持反應(yīng)柱的微正壓防止回火，同時(shí)利用干粉滅火器、二氧化碳滅火器或氮?dú)饧皶r(shí)撲救。廢氣淋洗淋洗塔開(kāi)車(chē)應(yīng)用高純氮?dú)庵脫Q淋洗塔以及相關(guān)所有設(shè)備管道，并檢測(cè)氮中氧和露點(diǎn)合格。淋洗塔停車(chē)正常運(yùn)行操作重要參數(shù)控制廢氣淋洗系統(tǒng)重要壓力控制點(diǎn)：廢氣緩沖罐壓力、淋洗塔壓力。廢氣淋洗系統(tǒng)重要流量控制點(diǎn)：噴淋水流量。廢氣淋洗系統(tǒng)重要液位控制點(diǎn)：酸水池液位、液封槽液位。異常情況的判斷與處理5.10.5.1淋洗塔泄漏：淋洗塔運(yùn)行中如果出現(xiàn)泄漏時(shí)應(yīng)立即采取停塔處理措施，停止廢氣進(jìn)入塔內(nèi)，停止噴淋水進(jìn)入塔內(nèi)，打開(kāi)氮?dú)忾y門(mén)置換系統(tǒng)，分析合格后再對(duì)泄漏部位進(jìn)行處理。附錄A（規(guī)范性）多晶硅生產(chǎn)火災(zāi)危險(xiǎn)性分類(lèi)火災(zāi)危險(xiǎn)性分類(lèi)GB50016A.1。表A.1 可燃危險(xiǎn)化學(xué)品的火災(zāi)危險(xiǎn)性分類(lèi)表序號(hào)危險(xiǎn)化學(xué)品名稱(chēng)危險(xiǎn)類(lèi)別閃點(diǎn)℃自燃點(diǎn)℃爆炸極限（V/V）火災(zāi)危險(xiǎn)類(lèi)別下限上限1硅粉（非晶形的）易燃固體類(lèi)別2——775160mg/m3——乙類(lèi)2氫氣易燃?xì)怏w類(lèi)別1——500-5714.175甲類(lèi)3三氯氫硅自燃液體類(lèi)別1-281851.290.5甲類(lèi)4二氯二氫硅易燃?xì)怏w類(lèi)別1-5541-474.196.0甲類(lèi)注：二氯二氫硅在潮濕空氣中，會(huì)發(fā)生局部放熱反應(yīng)，實(shí)際發(fā)生閃爆的環(huán)境溫度往往大大低于該自燃點(diǎn)，這是多晶硅生產(chǎn)過(guò)程中最危險(xiǎn)的物質(zhì)之一。多晶硅生產(chǎn)裝置火災(zāi)危險(xiǎn)性分類(lèi)制氫裝置、氯化氫合成裝置、三氯氫硅合成裝置、氯硅烷分離與提純裝置、三氯氫硅還原裝置、還原尾氣干法回收裝置、四氯化硅氫化裝置、氫氣罐區(qū)、氯硅烷罐區(qū)的火災(zāi)類(lèi)別為甲類(lèi)易燃易爆作業(yè)場(chǎng)所。爆炸性環(huán)境危險(xiǎn)區(qū)域劃分GB50058GB50058附錄B（規(guī)范性）多晶硅生產(chǎn)場(chǎng)所空氣中主要有毒物質(zhì)及粉塵容許濃度表B.1規(guī)定了多晶硅生產(chǎn)場(chǎng)所空氣中有毒物質(zhì)及粉塵容許濃度。表B.1 多晶硅生產(chǎn)場(chǎng)所空氣中有毒物質(zhì)及粉塵容許濃度序號(hào)危險(xiǎn)化學(xué)品名稱(chēng)危險(xiǎn)類(lèi)別健康危害特性毒性危害級(jí)別工作場(chǎng)接觸限值mg/m3MACTWASTEL1硅粉易燃固體,類(lèi)別2嚴(yán)重眼損傷/眼刺激,類(lèi)別2B矽肺————————2氫氟酸急性毒性-經(jīng)口,類(lèi)別2*急性毒性-經(jīng)皮,類(lèi)別12*皮膚腐蝕/1A嚴(yán)重眼損傷/眼刺激,類(lèi)別1中毒、灼傷Ⅱ2————3硝酸氧化性液體,類(lèi)別3皮膚腐蝕/刺激,類(lèi)別1A嚴(yán)重眼損傷/眼刺激,類(lèi)別1中毒、灼傷Ⅲ——————4氫氧化鉀皮膚腐蝕/刺激,類(lèi)別1A嚴(yán)重眼損傷/眼刺激,類(lèi)別1灼傷IV2————5氫氧化鈉皮膚腐蝕/刺激,類(lèi)別1A嚴(yán)重眼損傷/眼刺激,類(lèi)別1灼傷IV2————6氯氣加壓氣體急性毒性-吸入,類(lèi)別2皮膚腐蝕/刺激,類(lèi)別2中毒、灼傷Ⅱ——————嚴(yán)重眼損傷/眼刺激,類(lèi)別2特異性靶器官毒性-一次接觸,類(lèi)呼吸道刺激危害水生環(huán)境-急性危害,類(lèi)別17氫氣易燃?xì)怏w,類(lèi)別1加壓氣體窒息————————8三氯氫硅自燃液體,類(lèi)別1皮膚腐蝕/刺激,類(lèi)別1A嚴(yán)重眼損傷/眼刺激,類(lèi)別1特異性靶器官毒性-一次接觸,類(lèi)呼吸道刺激中毒、灼傷Ⅲ3————9二氯二氫硅易燃?xì)怏w,類(lèi)別1加壓氣體2皮膚腐蝕/1嚴(yán)重眼損傷/眼刺激,類(lèi)別1特異性靶器官毒性-一次接觸,類(lèi)別2中毒、灼傷Ⅲ——————10四氯化硅皮膚腐蝕/刺激,類(lèi)別2嚴(yán)重眼損傷/眼刺激,類(lèi)別2特異性靶器官毒呼吸道刺激中毒、灼傷Ⅲ——————11氯化氫加壓氣體急性毒性-吸入,類(lèi)別3*皮膚腐蝕/刺激,類(lèi)別1A中毒、灼傷Ⅲ7.5————嚴(yán)重眼損傷/眼刺激,類(lèi)別1危害水生環(huán)境-急性危害,類(lèi)別112鹽酸皮膚腐蝕/刺激,類(lèi)別1B嚴(yán)重眼損傷/眼刺激,類(lèi)別1特異性靶器官毒性-一次接觸,類(lèi)呼吸道刺激危害水生環(huán)境-急性危害,類(lèi)別2中毒、灼傷Ⅲ7.5————PAGEPAGE19PAGEPAGE20sunlijun按照4.8.1sunlijun按照4.8.1附錄B性質(zhì)應(yīng)該一致，即“規(guī)范性”。如果該附錄仍保留為“資料性”，則條描述需修改為：多晶硅生產(chǎn)過(guò)程中常見(jiàn)的危險(xiǎn)因素參見(jiàn)附錄C。（資料性）多晶硅生產(chǎn)過(guò)程中的危險(xiǎn)、有害因素火災(zāi)火災(zāi)發(fā)生必須具備助燃物質(zhì)、可燃物質(zhì)、引燃（爆）能量三個(gè)條件。當(dāng)氫氣或氫氣與氯硅烷混合氣或三氯氫硅（二氯二氫硅、一氯三氫硅）泄漏時(shí)，遇明火、靜電或其他能量引燃容易引起火災(zāi)；氫氣或氫氣與氯硅烷混合氣或三氯氫硅（二氯二氫硅、一氯三氫硅）容器管道破裂時(shí)遇明火、靜電或其他能量引燃容易發(fā)生火災(zāi)?？扇嘉镔|(zhì)氫氣、三氯氫硅、二氯二氫硅、一氯三氫硅、導(dǎo)熱油；生產(chǎn)過(guò)程中在某些生產(chǎn)裝置內(nèi)形成的未徹底水解的淺黃色干燥團(tuán)狀或塊狀物質(zhì)，這些物質(zhì)具有較強(qiáng)的燃燒性，往往在腳踩的情況下即可發(fā)生燃燒；活性炭、超細(xì)硅粉等（包括還原過(guò)程中產(chǎn)生的超細(xì)無(wú)定型硅）。引燃能量明火或高溫物體表面：氫氣電加熱器、還原爐運(yùn)行狀態(tài)、作業(yè)場(chǎng)所內(nèi)部或外部帶入的煙火、照明燈具灼熱表面，設(shè)備、管道、電器表面的過(guò)高溫度、氣焊和切割明火、機(jī)動(dòng)車(chē)排氣管?chē)娀鹦?、煙囪飛火花等；摩擦沖擊：機(jī)械軸承發(fā)熱，鋼鐵工具、鐵桶和容器與地面相互碰撞或與地坪撞擊、拖拉，帶釘鞋與地坪撞擊等；電器火花：電路開(kāi)啟與切斷、短路、過(guò)載，線路電位差引起的熔融金屬，保險(xiǎn)絲熔斷、外露的灼熱絲等，擊穿產(chǎn)生的拉弧等；靜電放電：氯硅烷設(shè)備、容器、管道靜電積累或容器、管道破裂、人體靜電、氣體流速過(guò)快、使用塑料管產(chǎn)生靜電等；雷電；化學(xué)能：自燃（二氯二氫硅、一氯三氫硅），物質(zhì)混合劇烈放熱反應(yīng)（三氯氫硅、二氯二氫硅），一氯三氫硅水解放熱自燃等；日光聚焦。增加燃燒危險(xiǎn)的因素a）b）c）盛裝易燃易爆液體的壓力容器、管道破裂與容器傾覆后的流淌和擴(kuò)散；d）比空氣重的氯硅烷蒸氣積聚；e）氣溫高。爆炸密閉空間及通風(fēng)不良處所，易燃?xì)怏w及粉塵積聚達(dá)到爆炸極限，遇到火源瞬間燃燒爆炸；氫氣、氯硅烷或二者混合氣大量泄漏，遇到火源瞬間燃燒爆炸；二氯二氫硅泄漏后，遇空氣中的水分，即會(huì)發(fā)生局部放熱反應(yīng)而發(fā)生爆炸；還原爐開(kāi)爐誤操作，導(dǎo)致在有氫氣或氫氣與氯硅烷化合物與空氣