專題:帶電粒子在有界磁場(chǎng)中的運(yùn)動(dòng)_第1頁(yè)
專題:帶電粒子在有界磁場(chǎng)中的運(yùn)動(dòng)_第2頁(yè)
專題:帶電粒子在有界磁場(chǎng)中的運(yùn)動(dòng)_第3頁(yè)
專題:帶電粒子在有界磁場(chǎng)中的運(yùn)動(dòng)_第4頁(yè)
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◆專題:帶電粒子在有界磁場(chǎng)中的運(yùn)動(dòng)◆圖31.長(zhǎng)為間距為的水平兩極板間,有垂直于紙面向里的勻強(qiáng)磁場(chǎng),磁感強(qiáng)度為,兩板不帶電,現(xiàn)有質(zhì)量為,電量為的帶正電粒子(重力不計(jì)),從左側(cè)兩極板的中心處以不同速率水平射入,欲使粒子不打在板上,求粒子速率應(yīng)滿足什么條件.圖3圖42.如圖4所示,A、B為水平放置的足夠長(zhǎng)的平行板,板間距離為,A板中央有一電子源P,在紙面內(nèi)能向各個(gè)方向發(fā)射速度在范圍內(nèi)的電子,Q為P點(diǎn)正上方B板上的一點(diǎn),若垂直紙面加一勻強(qiáng)磁場(chǎng),磁感應(yīng)強(qiáng)度,已知電子的質(zhì)量,電子電量,不計(jì)電子的重力和電子間相互作用力,且電子打到板上均被吸收,并轉(zhuǎn)移到大地.求:圖4(1)沿PQ方向射出的電子擊中A、B兩板上的范圍.(2)若從P點(diǎn)發(fā)出的粒子能恰好擊中Q點(diǎn),則電子的發(fā)射方向(用圖中角表示)與電子速度的大小之間應(yīng)滿足的關(guān)系及各自相應(yīng)的取值范圍.3.如圖11-3-16所示,一足夠長(zhǎng)的矩形區(qū)域abcd內(nèi)有磁感應(yīng)強(qiáng)度為B,方向垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場(chǎng),現(xiàn)從ad邊的中點(diǎn)O處,以垂直磁場(chǎng)且跟ad邊成30o角的速度方向射入一帶電粒子.已知粒子質(zhì)量為m,帶電量為q,ad=l,不計(jì)粒子重力.(1)若粒子從ab邊上射出,則入射速度v0的范圍是多少?(2)粒子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的最長(zhǎng)時(shí)間為多少?在這種情況下粒子從磁場(chǎng)中射出所在邊上位置的范圍。圖74.在邊長(zhǎng)為2a的三角形ABC內(nèi)存在垂直紙面向里的磁感強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng),有一帶正電q,質(zhì)量為的粒子從距A點(diǎn)的D點(diǎn)垂直AB方向進(jìn)入磁場(chǎng),如圖7所示,若粒子能從AC間離開(kāi)磁場(chǎng),求粒子速率應(yīng)滿足什么條件及粒子從AC間什么范圍內(nèi)射出.圖75.邊長(zhǎng)為100cm的正三角形光滑且絕緣的剛性框架ABC固定在光滑的水平面上,圖內(nèi)有垂直于框架平面B=0.5T的勻強(qiáng)磁場(chǎng).一質(zhì)量m=2×10-4kg,帶電量為q=4×10-3C小球,從BC的中點(diǎn)小孔P處以某一大小的速度垂直于BC(1)為使小球在最短的時(shí)間內(nèi)從P點(diǎn)出來(lái),小球的入射速度v1是多少?(2)若小球以v2=1m/s的速度入射,則需經(jīng)過(guò)多少時(shí)間才能由P點(diǎn)出來(lái)?6.如圖所示,在空間中固定放置一絕緣材料制成的邊長(zhǎng)為L(zhǎng)的剛性等邊三邊形框架△DEF,DE邊上S點(diǎn)()處有一發(fā)射帶正電的粒子源,發(fā)射粒子的方向皆在圖中截面內(nèi)且垂直于DE邊向下.發(fā)射的電量皆為q,質(zhì)量皆為m,但速度v有各種不同的值.整個(gè)空間充滿磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B,方向垂直截面向里的均勻磁場(chǎng)。設(shè)粒子與△DEF邊框碰撞時(shí)沒(méi)有能量損失和電量傳遞。求: (1)帶電粒子速度的大小為v時(shí),做勻速圓周運(yùn)動(dòng)的半徑 (2)帶電粒子速度v的大小取那些數(shù)值時(shí),可使S點(diǎn)發(fā)出的粒子最終又垂直于DE邊回到S點(diǎn)?(3)這些粒子中,回到S點(diǎn)所用的最短時(shí)間是多少?1.解析:如圖3,設(shè)粒子以速率運(yùn)動(dòng)時(shí),粒子正好打在左極板邊緣(圖4中軌跡1),則其圓軌跡半徑為,又由得,則粒子入射速率小于時(shí)可不打在板上.設(shè)粒子以速率運(yùn)動(dòng)時(shí),粒子正好打在右極板邊緣(圖4中軌跡2),由圖可得,則其圓軌跡半徑為,又由得,則粒子入射速率大于時(shí)可不打在板上.綜上,要粒子不打在板上,其入射速率應(yīng)滿足:或.2.解析:如圖5所示,沿PQ方向射出的電子最大軌跡半徑由Bev=mv2/r可得rm=mvm/eB,代入數(shù)據(jù)解得rm=2×10-2m=2d該電子運(yùn)動(dòng)軌跡圓心在A板上H處,恰能擊中B板M處.隨著電子速度的減少,電子軌跡半徑也逐漸減?。畵糁校掳宓碾娮优cQ點(diǎn)最遠(yuǎn)處相切于N點(diǎn),此時(shí)電子的軌跡半徑為,并恰能落在A板上H處.所以電子能擊中B板MN區(qū)域和A板PH區(qū)域.圖5在MFH中,有,圖5,,.電子能擊中B板Q點(diǎn)右側(cè)與Q點(diǎn)相距的范圍.電子能擊中A板P點(diǎn)右側(cè)與P點(diǎn)相距的范圍.圖6(2)如圖6所示,要使P點(diǎn)發(fā)出的電子能擊中Q點(diǎn),則有圖6,.解得.取最大速度時(shí),有,;取最小速度時(shí)有,.所以電子速度與之間應(yīng)滿足,且,.3.解析:粒子在矩形區(qū)域內(nèi)運(yùn)動(dòng)的邊界狀態(tài)如圖:由幾何關(guān)系:r1=L,r2=L/3粒子做勻速圓周運(yùn)動(dòng)qvB=mv2/R即r=mv/qB對(duì)r1=L有:v1=qBL/m對(duì)r1=L/3有:v2=qBL/3m討論:(1)當(dāng)v0>qBL/m時(shí)粒子在邊上射出磁場(chǎng),射出范圍為EF段:(2)當(dāng)時(shí),粒子在邊上的GH段射出,射出段GH的范圍:(3)當(dāng)0<v0<qBL/3m時(shí),粒子在ab邊上的OM射出段OM的范圍:當(dāng)粒子從M點(diǎn)射出時(shí),旋轉(zhuǎn)角度最大為5π/3,在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)時(shí)間最長(zhǎng):4.解析:如圖8所示,設(shè)粒子速率為v1時(shí),其圓軌跡正好與AC邊相切于E點(diǎn).圖8由圖知,在中,,,圖8由得,解得,則.又由得,則要粒子能從AC間離開(kāi)磁場(chǎng),其速率應(yīng)大于v1.圖9如圖9所示,設(shè)粒子速率為v2時(shí),其圓軌跡正好與BC邊相切于F點(diǎn),與AC相交于G點(diǎn).易知A點(diǎn)即為粒子軌跡的圓心,則.圖9又由得,則要粒子能從AC間離開(kāi)磁場(chǎng),其速率應(yīng)小于等于.綜上,要粒子能從AC間離開(kāi)磁場(chǎng),粒子速率應(yīng)滿足.粒子從距A點(diǎn)的間射出.5.解析:(1)根據(jù)題意,粒子經(jīng)AB、AC的中點(diǎn)反彈后能以最短的時(shí)間射出框架,即粒子的運(yùn)動(dòng)半徑是0.5m.由牛頓第二定律得:qvB=mv2/R即R=mv/qB代入數(shù)據(jù)解得v1=5m/s(2)當(dāng)粒子的速度為1m/s時(shí),其半徑R2=0.1m,其運(yùn)動(dòng)軌跡如圖,可知粒子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)了6.5個(gè)周期.由T=2πR/v=2πm/qB=0.2πs故經(jīng)t=1.3πs粒子能從P點(diǎn)出來(lái).6.解析:(1)帶電粒子從點(diǎn)垂直于邊以速度射出后,做勻速圓周運(yùn)動(dòng),其圓心一定位于邊上,其半徑可由下式求得,為……(1)(2)要求此粒子每次與的三條邊碰撞時(shí)都與邊垂直,且能回到點(diǎn),則和應(yīng)滿足以下條件:=1,2,3,………(2)由①②得=1,2,3,…(3)(3)這些粒子在磁場(chǎng)中做圓周運(yùn)動(dòng)的周期為T=2πR/v將(1)式代入,得T=2πm/qB

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