




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文檔簡(jiǎn)介
第二章配合物的化學(xué)鍵理論配合物中的化學(xué)鍵是指配合物中的形成體與配體之間的化學(xué)鍵。(實(shí)際上Werner已經(jīng)提出第一個(gè)了)有以下幾種理論:
(1)靜電理論(EST)
(2)價(jià)鍵理論(VBT)
(3)晶體場(chǎng)理論(CFT)
(4)配位場(chǎng)理論(LFT)
(5)分子軌道理論(MOT)2.1
靜電理論(electrostatictheory,縮寫為EST)
1916年,W.Kossel提出離子鍵理論,看作陽(yáng)離子與分子的偶極之間靜電吸引的結(jié)果。這個(gè)理論定性地解釋或預(yù)料了某些配位個(gè)體(主要以靜電作用鍵合的配位個(gè)體)在溶液中表現(xiàn)出來(lái)的穩(wěn)定性的相對(duì)大小等問(wèn)題。但,這個(gè)理論對(duì)大多數(shù)過(guò)渡金屬元素配合物有較嚴(yán)重的缺陷。例如,用這理論不能處理配合物的吸收光譜和磁學(xué)性質(zhì)等問(wèn)題,也無(wú)法處理像[Ni(CO)4]那樣的配合物的形成問(wèn)題。以及構(gòu)型、高,低自旋態(tài)、不同(n-1)d電子數(shù)的穩(wěn)定性區(qū)別等等現(xiàn)在發(fā)現(xiàn)的許多問(wèn)題。2-2價(jià)鍵理論(特別適合于定域電子體系)基本要點(diǎn)
形成體的雜化軌道與配位原子的孤電子對(duì)的原子軌道成鍵,形成
配位鍵,即
形成體價(jià)層電子構(gòu)型雜化軌道類型配合物的幾何構(gòu)型和配位鍵的鍵型1931年,H·Pauliny在前人工作基礎(chǔ)上,把雜化軌道理論引入配合物化學(xué)鍵研究中(考慮到過(guò)渡元素的d軌道參與雜化成鍵的可能性
),后經(jīng)他人修改補(bǔ)充,形成了近代的配合物價(jià)鍵理論1、中心原子M和配體之間的是由M提供空軌道,L提供孤電子對(duì)形成配位鍵而結(jié)合。配位鍵有σ配鍵、π配鍵。2、中心原子(或離子)提供的空軌道在配體(L)作用下進(jìn)行雜化,價(jià)層原子軌道用空的雜化軌道接受配體提供的孤對(duì)電子,亦即形成體的雜化軌道與配位原子的某個(gè)孤對(duì)電子原子軌道相互重疊,形成配位鍵。以σ配位鍵(M←:L)的方式結(jié)合。雜化軌道的類型決定了配離子的空間構(gòu)型、配位鍵型和穩(wěn)定性。如:sp(直線)、sp2(平面三角)、sp3(正四面體)、dsp2(平面正方)、dsp3(三角雙錐)、d2sp2(d4s,四方錐)、d2sp3(sp3d2,八面體)3、中心原子由(n-1)dnsnp軌道雜化而形成的配合物稱內(nèi)軌型配合物;而由nsnpnd軌道雜化而形成的配合物稱外軌型化合物,內(nèi)軌型配合物穩(wěn)定性大于外軌型化合物。4、高自旋和低自旋配合物。(1).與自由離子比較,形成配合物后,體系成單電子數(shù)未變,而磁矩(μ)未變,稱為高自旋配合物,一般為外軌型配合物,是主量子數(shù)相同的價(jià)軌道雜化成鍵。(2).與自由離子比較,形成配合物后,成單電子數(shù)減小,磁矩(μ)變小,稱為低自旋配合物,即(n-1)d軌道參與雜化成鍵。
要點(diǎn):1.中心原子M和配體之間的結(jié)合是由M提供空軌道,L提供孤電子對(duì)而形成的配位鍵。有σ配鍵、π配鍵。
2.中心原子(或離子)提供形成的σ配鍵空軌道必須進(jìn)行雜化。
3.雜化軌道的類型決定了配離子的空間構(gòu)型和穩(wěn)定性。如:sp(直線)、sp2(平面三角)、sp3(正四面體)、dsp2(平面正方)、dsp3(三角雙錐)、d2sp2(d4s,四方錐)、d2sp3(sp3d2,八面體)
4.中心原子由(n-1)dnsnp軌道雜化而形成的配合物稱內(nèi)軌型配合物;而由nsnpnd軌道雜化而形成的配合物稱外軌型化合物,內(nèi)軌型配合物穩(wěn)定性大于外軌型化合物。
5.高自旋和低自旋配合物。與自由離子比較,形成配合物后,體系成單電子數(shù)未變,而磁矩(μ)未變,稱為高自旋配合物,一般為外軌型配合物,是主量子數(shù)相同的價(jià)軌道(nsnpnd)雜化成鍵。與自由離子比較,形成配合物后,成單電子數(shù)減小,磁矩(μ)變小,稱為低自旋配合物,即(n-1)d軌道參與雜化成鍵[(n-1)dnsnp]。
注:價(jià)鍵理論只考慮了配體占據(jù)軌道的雜化,未雜化的價(jià)電子(n-1)d軌道上電子的分布雜化。而未考慮(n-1)d軌道的其它變化及對(duì)配合物的影響。
配合物的幾何構(gòu)型和配位鍵鍵型(1)幾何構(gòu)型由于形成體的雜化軌道具有一定的伸展方向性,使形成的配合物具有一定的幾何構(gòu)型。
2NH3[Hg(NH3)2]2+Hg2+價(jià)層電子結(jié)構(gòu)為5d6s6p5dsp[Hg(NH3)2]2+——直線形
(sp雜化)軌道雜化類型與配位個(gè)體的幾何構(gòu)型[CuCl3]2-——正三角形
(sp2雜化)Cu+價(jià)層電子結(jié)構(gòu)為3d4s4p3Cl-[CuCl3]2-3dsp2
3dsp3NH3Ni2+價(jià)層電子結(jié)構(gòu)為3d4s4p[Ni(NH3)4]2+[Ni(NH3)4]2+——
正四面體(sp3雜化)3d4s4p[Ni(CN)4]2-——
正方形(dsp2),[Ni(CO)4]呢?
[Ni(CN)4]2-CN-Ni2+價(jià)層電子結(jié)構(gòu)為3ddsp2
3ddsp3COFe價(jià)層電子結(jié)構(gòu)為3d4s4p[Fe(CO)5][Fe(CO)5]——
三角雙錐體(dsp3雜化)
F-[CoF6]3-sp3d23dCo3+價(jià)層電子結(jié)構(gòu)為3d4s4p4d3dd2sp3[Co(CN)6]3-——正八面體[CoF6]3-——正八面體(sp3d2雜化)
[FeF6]3﹣和[Fe(CN)6]3﹣Fe:3d64s2Fe3+:3s23p63d5[Fe(CN)6]3﹣實(shí)驗(yàn)測(cè)得μ=1.9→n=1→電子重新排列Fe3+4s4p3d3dd2sp3雜化軌道6個(gè)CN﹣中C原子的孤對(duì)電子[Fe(CN)6]3﹣
內(nèi)軌型sp3d2雜化軌道[FeF6]3﹣實(shí)驗(yàn)測(cè)得μ=5.9→n=5→電子未重排Fe3+4s4p3d3d4d4d6個(gè)F﹣中的孤對(duì)電子[FeF6]3﹣
外軌型
軌道雜化類型與配位個(gè)體的幾何構(gòu)型配位數(shù)雜化類型幾何構(gòu)型實(shí)例2sp直線形[Hg(NH3)2]2+
3sp2等邊三角形[CuCl3]2-4sp3正四面體形[Ni(NH3)4]2+dsp2正方形[Ni(CN)4]2-5dsp3三角雙錐形[Fe(CO)5]6sp3d2正八面體形[CoF6]3-d2sp3[Co(CN)6]3-d2sp2四方錐
(2)配位鍵類型——內(nèi)軌配鍵、外軌配鍵內(nèi)軌配鍵:由次外層(n-1)d與最外層ns、
np軌道雜化所形成的配位鍵。相應(yīng)形成的是內(nèi)軌型配合物如[Fe(CN)6]3-、[Co(NH3)6]3+、[Ni(CN)4]2-外軌配鍵:全部由最外層ns、np、nd軌道雜化所形成的配位鍵。相應(yīng)形成的是外軌型配合物如[FeF6]3-、[Co(NH3)6]2+、[Ni(NH3)4]2+
內(nèi)軌型和外軌型配合物特性比較
內(nèi)軌型配合物外軌型配合物鍵型
內(nèi)軌配鍵外軌配鍵雜化類型
(n-1)d、ns、np
ns、np、nd
軌道能級(jí)
低高穩(wěn)定性
大小離解性
小大
(3)內(nèi)軌型或外軌型的影響因素中心離子的電子構(gòu)型離子的電子構(gòu)型形成配合物類型實(shí)例d10外軌型Cu+、Ag+、Zn2+d8大多數(shù)為內(nèi)軌型Ni2+、Pd2+
、Pt2+d4~d7內(nèi)軌型、外軌型Fe3+、Co2+
中心離子的電荷電荷增多,易形成內(nèi)軌型配合物。
[Co(NH3)6]2+外軌型配合物[Co(NH3)6]3+內(nèi)軌型配合物配位原子電負(fù)性電負(fù)性大的原子,如F、O等,不易提供孤對(duì)電子,與中心離子的外層軌道成鍵。而C作為配位原子(如CN-),常形成內(nèi)軌配合物。熱力學(xué)因素--能量?jī)?nèi)軌型配合物的鍵能以
E內(nèi)表示,外軌型配合物的鍵能以E外表示,則形成外軌或內(nèi)軌配合物的能量因素是可理解如下:
形成內(nèi)軌配合物時(shí)發(fā)生電子重排,使原來(lái)平行自旋的
d
電子進(jìn)入成對(duì)狀態(tài),違反洪特規(guī)則,能量升高。
成一個(gè)對(duì),能量升高一個(gè)
P,P為成對(duì)能。如
[Fe(CN)6]3﹣中的d電子,由
變成成
2
個(gè)電子對(duì),能量要升高
2P
。因此,有時(shí)形成內(nèi)軌型絡(luò)合物,能量要比形成外軌型的還高。
故,形成外軌或內(nèi)軌配合物的能量決定因素是內(nèi)軌型配合物的鍵能
E內(nèi)和外軌型配合物鍵能E外之差值與∑P的比較結(jié)果。能量上有利型優(yōu)先。
2.
配合物的穩(wěn)定性、磁性與鍵型關(guān)系同一中心離子形成相同配位數(shù)的配離子時(shí):內(nèi)軌型>外軌型1031.3內(nèi)軌型dsp2[Ni(CN)4]2
<107.96外軌型sp3[Ni(NH3)4]2+內(nèi)軌型外軌型配鍵類型穩(wěn)定性<10421014Kfd2sp3sp3d2雜化軌道[Fe(CN)6]3
[FeF6]3-(1)穩(wěn)定性
[Ni(NH3)4]2+[Ni(CN)4]2
Ni2+的d電子構(gòu)型d8雜化軌道sp3dsp2配鍵類型外軌型內(nèi)軌型未成對(duì)電子數(shù)20磁性順磁性反磁性
=√n(n+2)
—磁矩,單位為波爾磁子,符號(hào)B.M.n—未成對(duì)電子數(shù)(2)磁性
/B.M.
2.830
n(未成對(duì)電子數(shù))012345
(理)/B.M.01.732.833.874.905.92[FeF6]3-[Fe(CN)6]3
/B.M.
5.902.0n(未成對(duì)電子數(shù))51Fe3+的d電子構(gòu)型d5雜化軌道sp3d2d2sp3配鍵類型外軌型內(nèi)軌型
=√n(n+2)價(jià)鍵理論總結(jié)
價(jià)鍵理論解釋了:⑴配位鍵是由配體單方面提供的電子對(duì)進(jìn)入中心原子最低能量雜化的空軌道與中心原子共用而形成。⑵配位化合物的空間構(gòu)型決定于配體提供的電子對(duì)所占軌道(原中心原子空軌道)的雜化態(tài)。⑶中心原子價(jià)電子層變化。a.遇排斥力強(qiáng)的配體時(shí),中心原子價(jià)電子盡力歸并空出更多的次層軌道給配體用。b.遇排斥力弱或吸引電子強(qiáng)的配體時(shí),中心原子價(jià)電子盡力占據(jù)更多次層軌道保持高自旋態(tài)。⑷內(nèi)(外)軌型配合物;內(nèi)(外)軌配位鍵;高(低)自旋配合物。⑸配合物穩(wěn)定性。內(nèi)軌型配合物更穩(wěn)定(穩(wěn)定性大,離解性小)配位數(shù)空間構(gòu)型雜化軌道類型實(shí)例2直線型spAg(NH3)2+Ag(CN)2–3平面三角形sp2Cu(CN)32–HgI3–4正四面體sp3Zn(NH3)42+Cd(CN)42–4四方形dsp2Ni(CN)42–
5三角雙錐dsp3Ni(CN)53–Fe(CO)55四方錐d4sTiF52–6八面體sp3d2FeF63–AlF63-SiF62-PtCl64-6
d2sp3Fe(CN)63–Co(NH3)63+
例:
價(jià)鍵理論的優(yōu)缺點(diǎn)優(yōu)點(diǎn):簡(jiǎn)單明了,易于理解和接受,可以解釋配離子的幾何構(gòu)型及某些化學(xué)性質(zhì)和磁性,等。缺陷:不能定量地說(shuō)明配合物的某些性質(zhì)。如,不能解釋配離子的顏色,過(guò)渡金屬陽(yáng)離子水化熱,等。
2-3晶體場(chǎng)理論(著重于中心原子受配體的作用)中心思想——靜電理論
視中心離子和配體為點(diǎn)電荷或電偶極子,帶正電荷的中心離子和帶負(fù)電荷的配體以靜電相互吸引和排斥。即把它們看作是離子鍵或離子-偶極子的靜電作用。考慮了帶負(fù)電的配體對(duì)中心離子最外層的電子的排斥作用,把配體對(duì)中心離子產(chǎn)生的靜電場(chǎng)叫作晶體場(chǎng)。Bethe等所提出的晶體場(chǎng)理論(CFT-CrystalFieldTheory).
價(jià)鍵理論的補(bǔ)充晶體場(chǎng)理論(crystalfieldtheory,縮寫為CFT)認(rèn)為:
除中心離子與配體間的靜電吸引外,著重考慮了配體對(duì)作為中心離子的過(guò)渡金屬離子的外層d軌道中電子的靜電排斥作用及作用結(jié)果.
即:具有dn或fn組態(tài)的自由原子或離子處于由周圍配位體所形成的某種對(duì)稱性的配位體電場(chǎng)環(huán)境中
問(wèn)題
?⑴配合物的穩(wěn)定性例:Co2+Co3+的H2O、NH3、CN-
的穩(wěn)定性
[Co(H2O)6]3++e-?[Co(H2O)6]2+;φΘ=1.84v[Co(NH3)6]3++e-?[Co(NH3)6]2+;φΘ=0.1v[Co(CN)6]3-+e-?[Co(CN)6]4-;φΘ=-0.83v故有以下反應(yīng):
2Co(OH)3+6HCl==2CoCl2+Cl2↑+6H2O4[Co(NH3)6]2++O2+2H2O==4[Co(NH3)6]3++4OH-
2[Co(CN)6]4-+2H2O==2[Co(CN)6]3-+2OH-+H2↑⑵配合物的磁性
P(成對(duì)能)>△時(shí),為高自旋配合物
P<△(分裂能)時(shí),為低自旋配合物
例:Fe(H2O)62+為高自旋配合物
P(cm-1):
17600△0(cm-1):10400Fe(CN)64-為低自旋配合物
P(cm-1):
17600△0(cm-1):33000⑶配合物的顏色
d-d躍遷
⑷第一過(guò)渡系M2+離子的水合熱
20世紀(jì)20年代末,30年代初,即,1928年由物理學(xué)家,H.Bethe(貝提)和J.H.Van
Vleck(范佛列克)提出了晶體場(chǎng)理論,用于物理學(xué)中。但是直到1953年,幾位化學(xué)家用CFT成功地解釋了[Ti(H2O)6]3+的吸收光譜,才使得CFT理論得以迅速發(fā)展。
到50年代初,這個(gè)理論被應(yīng)用于處理過(guò)渡金屬離子的配合物方面。實(shí)質(zhì)上是一種改進(jìn)的靜電理論。
在處理配位體L和金屬M(fèi)的相互作用時(shí),
若把它們看作是離子鍵或離子—偶極子的靜電作用,即考慮了中心離子電子層結(jié)構(gòu),但把配體看作點(diǎn)電荷或電偶極子。這就是Bethe等所提出的晶體場(chǎng)理論(CFT-CrystalFieldTheory).當(dāng)e填入分裂后的d軌道,體系獲得穩(wěn)定化能?;疽c(diǎn)中心離子和配體之間僅有靜電的相互吸引和排斥作用。中心離子的5個(gè)能量相同的d軌道受周圍配體所形成的某種對(duì)稱性配位體負(fù)電場(chǎng)的不同程度的排斥作用,發(fā)生能級(jí)分裂,有的軌道能量升高,有的能量降低。
中心離子和配體之間1.晶體場(chǎng)理論要點(diǎn):
(1).靜電模型:中心離子M與配位體L之間的作用力本質(zhì)上是靜電作用力,M-L之間的靜電作用力(僅有靜電的相互吸引和排斥作用)使體系能量降低,配合物具有一定的穩(wěn)定性。
(2).d軌道能級(jí)分裂:
中心離子的5個(gè)能級(jí)簡(jiǎn)并的d軌道,在非球形對(duì)稱的配位體中,d軌道能量升高,而且不同的d軌道能量變化不同,即d軌道發(fā)生能級(jí)分裂(5個(gè)能量相同的d軌道受周圍配體所形成的某種對(duì)稱性配位體負(fù)電場(chǎng)的不同程度的排斥作用)。不同對(duì)稱性的晶體場(chǎng)(八面體、四面體、正方形……)的分離能不同。
由于d軌道的能級(jí)分裂,d軌道的電子需重新分布,使體系能量降低,即給配合物帶來(lái)了額外的穩(wěn)定化能。
(3).d軌道在晶體場(chǎng)中能量分裂情況:
八面體場(chǎng)中:六個(gè)配體沿x、y、z三軸的正負(fù)6個(gè)方向分布,以形成電場(chǎng)。在電場(chǎng)中各軌道的能量均有所升高。但受電場(chǎng)作用不同,能量升高程度不同,分裂成二組能量不同的軌道,一組是dz2、dx2-y2,用eg或dγ表示,軌道能量升高較多,另外一組是dxy、dyz、dxz,用t2g或dε表示,軌道能量升高較少。兩組軌道間能級(jí)差稱為分裂能,用ΔO表示。
四面體場(chǎng)中:分裂成二組能量不同的軌道,一組是dz2、dx2-y2,軌道能量升高較少,用e表示,另外一組是dxy、dyz、dxz,用t2表示,軌道能量升高較多。兩組軌道間能級(jí)差稱為分裂能,用Δt表示。
2.正八面體場(chǎng)中d軌道的能級(jí)分裂無(wú)外電場(chǎng)作用下的d軌道在帶負(fù)電荷均勻球形場(chǎng)的作用下,d軌道能量均升高相同值,能級(jí)不發(fā)生分裂。在呈八面體配體負(fù)電場(chǎng)(八面體場(chǎng))的作用下,d軌道能級(jí)發(fā)生分裂。E0E自由離子Edxy=Edxz=Edyz=Edx2-y2=Edz2egt2g八面體場(chǎng)Es球形場(chǎng)中eg和t2g是來(lái)自于群論的對(duì)稱性符號(hào)該二軌道處于和配體迎頭相碰的位置,其電子受到靜電斥力較大,能量升高。E0E自由離子Es球形場(chǎng)中egt2g八面體場(chǎng)dx2-y2dz2dxy
dxz
dyz該三軌道插在配體的空隙中間,其電子受到靜電斥力較小,能量比前二軌道低。E0E自由離子Es球形場(chǎng)中egt2g八面體場(chǎng)dx2-y2dz2dxy
dxz
dyz自由離子球形場(chǎng)
弱八面體場(chǎng)
強(qiáng)八面體場(chǎng)
53A=△o;B=△o52E0dx2-y2dz2Et2gegdxy
dxz
dyz△oEsdx2-y2dz2dxy
dxz
dyzAB△
oA′B′53A′=△′o;B′=△′o52配位場(chǎng)越強(qiáng),d軌道能級(jí)分裂程度越大。不同構(gòu)型的配合物,中心離子d軌道能級(jí)分裂情況不同。注意
o—分裂能dγdε3.分裂能及其影響因素A.分裂能——中心離子d軌道能級(jí)分裂后,最高能級(jí)和最低能級(jí)之差?!鱫
=Eeg
-Et2gE0E自由離子egt2g八面體場(chǎng)Es球形場(chǎng)中△o或用:“Δ”表示。
關(guān)于Dq
?
dxydxzdyzdz2dx2-y2eg
、dγt2g、dε自由中心原子的d軌道八面體配合物中自由中心原子的d軌道Mn2+d軌道分裂圖(八面體):(弱場(chǎng))d軌道平均升高E0EsΔ=?Dqdxydxzdyzdz2dx2-y2eg
、dγt2g、dε自由中心原子的d軌道八面體配合物中自由中心原子的d軌道Mn2+d軌道分裂圖(八面體):(強(qiáng)場(chǎng))d軌道平均升高E0EsΔ=?DqB.影響分裂能的因素同種配體一般△o>△t△t=△o49a.配合物的幾何構(gòu)型●幾何構(gòu)型●配體的性質(zhì)●中心離子種類\電荷(價(jià)電子數(shù))●中心離子所在周期數(shù)。b.配體的性質(zhì)同一中心離子形成相同構(gòu)型的配合物時(shí),其△
隨配體場(chǎng)不同而變化。配離子配體分裂能△o/(kJ·mol-1)[CrCl6]3-Cl-158[CrF6]3-F-182[Cr(H2O)6]3+H2O208[Cr(NH3)6]3+NH3258[Cr(en)3]3+en262[Cr(CN)6]3-CN-314配位體場(chǎng)增強(qiáng)配體的強(qiáng)弱I-<Br-<S2-<SCN-
Cl-<NO3-<F-<OH-<ONO-<C2O42-<H2O<NCS-<edta<NH3<en<NO2-<CN-
CO弱場(chǎng)配體強(qiáng)場(chǎng)配體——以上稱為光譜化學(xué)系列
I-
<
Br-<Cl-<SCN-
<N3-
<F-<(NH2)2CO<OH-<C2O42-
<CH2(COO)22-
<H2O<NCS-<Py
<NH3<PR3<en<SO32-<NH3OH<NO2-<bpy
<phen
<H-
<CH3-<C6H5-<CN-
<CO
<
P(OR)3光譜序:(各種配體的作用強(qiáng)弱)c.中心離子的電荷同一過(guò)渡元素與相同配體形成配合物時(shí),中心離子電荷越多,其△越大。過(guò)渡金屬離子Ti2+V2+Cr2+Mn2+Fe2+Co2+Ni2+Cu2+M2+的d電子數(shù)d2d3d4d5d6d7d8d9△o/(kJ·mol-1)-15116693124111102151過(guò)渡金屬離子Ti3+V3+Cr3+Mn3+Fe3+Co3+Ni3+Cu3+M3+的d電子數(shù)d1d2d3d4d5d6d7d8△o/(kJ·mol-1)243211208251164---d.中心離子所在周期數(shù)相同氧化數(shù)、同族過(guò)渡元素與相同配體形成配合物時(shí),中心離子所在周期數(shù)越大,其△越大。周期配離子△o/(kJ·mol-1)四[Co(NH3)6]3+274五[Rh(NH3)6]3+408六[Ir(NH3)6]3+4904.電子成對(duì)能和配合物高、低自旋的預(yù)測(cè)電子在分裂后軌道上的分布遵循:
能量最低原理、保里不相容原理和洪特規(guī)則如Cr3+d3egt2gE八面體場(chǎng)弱場(chǎng)未成對(duì)電子數(shù)強(qiáng)場(chǎng)未成對(duì)電子數(shù)t2gegt2gegd1↑1↑1d2↑↑2↑↑2d3↑↑↑3↑↑↑3d4↑↑↑↑4↑↑↑2d5↑↑↑↑↑5↑↑↑1d6↑↑↑↑↑4↑↑↑0d7↑↑↑↑↑3↑↑↑↑1d8↑↑↑↑↑2↑↑↑↑↑2d9↑↑↑↑↑1↑↑↑↑↑1d10↑↑↑↑↑0↑↑↑↑↑0↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑d1
d3構(gòu)型的離子,d電子分布只有一種形式d8
d10構(gòu)型的離子,d電子分布只有一種形式
d4
d7構(gòu)型的離子,d電子分布有兩種形式d4
d7構(gòu)型的離子,d電子分布有高、低自旋兩種方式。如Cr2+d4[Cr(H2O)6]2+[Cr(CN)6]4-高自旋低自旋取決于電子成對(duì)能(P)和△o的相對(duì)大小:△oegt2g△o′egt2g△o<P,易形成高自旋配合物;△o>P,易形成低自旋配合物。弱場(chǎng)未成對(duì)電子數(shù)強(qiáng)場(chǎng)未成對(duì)電子數(shù)t2gegt2gegd1↑1↑1d2↑↑2↑↑2d3↑↑↑3↑↑↑3d4↑↑↑↑4↑↑↑2d5↑↑↑↑↑5↑↑↑1d6↑↑↑↑↑4↑↑↑0d7↑↑↑↑↑3↑↑↑↑1d8↑↑↑↑↑2↑↑↑↑↑2d9↑↑↑↑↑1↑↑↑↑↑1d10↑↑↑↑↑0↑↑↑↑↑0↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑高自旋低自旋如Fe3+d5[FeF6]3-[Fe(CN)6]3-高自旋低自旋
F-是弱場(chǎng)CN-是強(qiáng)場(chǎng)△oegt2g△o′egt2g分布式:
t2g3eg2t2g5eg0以哪種方式排布,與前述因素有關(guān)5.晶體場(chǎng)穩(wěn)定化能(CFSE)dx2-y2dz2△oEsdxy
dxz
dyz△o52△o53egt2g設(shè)Es=0,則2Eeg
+3Et2g=0(1)
Eeg
-Et2g=△o(2)CFSE:d電子進(jìn)入分裂軌道比處于未分裂軌道總能量的降低值。聯(lián)立(1)、(2)式,得Eeg
==+0.6△o
Et2g
=△o=-0.4
△o△o5352如Ti3+d1CFSE=1×(-0.4△o)=-0.4△o如
Cr3+d3CFSE=3×(-0.4△o)=-1.2△o-++-弱場(chǎng)CFSE強(qiáng)場(chǎng)CFSE構(gòu)型未成對(duì)電子數(shù)構(gòu)型未成對(duì)電子數(shù)d11-0.4△o
1-0.4△od22-0.8△o2-0.8△od33-1.2△o3-1.2△od44-0.6△o2-1.6△o+Pd550.0△o1-2.0△o+2Pd64-0.4△o0-2.4△o+2Pd73-0.8△o1-1.8△o+Pd82-1.2△o2-1.2△od91-0.6△o1-0.6△od1000.0△o00.0△ot2g1t2g2t2g3t2g3eg1t2g3eg2t2g4eg2t2g5eg2t2g6eg2t2g6eg3t2g6eg4t2g6eg4t2g6eg3t2g6eg2t2g6eg1t2g1t2g2t2g3t2g5t2g4t2g6可見(jiàn):全空半充滿全充滿是不分裂的。6.四面體場(chǎng)中d軌道的分裂很明顯,
dxy、dxz、dyz軌道電子受到配體電子的排斥比dz2、dx2-y2軌道上的電子更強(qiáng)些。dxy、dxz、dyz軌道叫做t2軌道,dz2、dx2-y2軌道叫做e軌道。能量分別為:E(t2)、E(e)。3.3晶體場(chǎng)理論
CFSE代數(shù)值越小,配合物越穩(wěn)定。影響因素:a.中心離子的本性和d電子數(shù)b.配位體性質(zhì)(場(chǎng)的強(qiáng)弱)c.配合物的空間構(gòu)型。Δt<Δo<Δ四方錐
<Δsquare
planer
<Δlinear
d.中心原子所處的周期數(shù)。周期數(shù)大,分裂能大。e.中心原子的氧化值:中心原子的氧化值愈高,則分裂能就愈大。f.中心原子的半徑:中心原子半徑愈大,分裂能增大。圖6.11各種配位場(chǎng)條件下,金屬d軌道能級(jí)分裂情況
立方體場(chǎng)四面體場(chǎng)球形場(chǎng)八面體場(chǎng)四方畸變平面四方場(chǎng)
OhTdOhD4hD4h
五角雙錐三角雙錐四方錐正方形型配位個(gè)體:已知的正方形型配位個(gè)體以d8型中心離子Ni(Ⅱ)、Pd(Ⅱ)、Pt(Ⅱ)、Au(Ⅲ)最多。此外,還有d8型Rh(I)、Ir(1),d9型的Cu(Ⅱ),d7型的Co(Ⅱ)、Rh(Ⅱ)等中心離子的正方形型配位個(gè)體也相繼得到,但數(shù)量較少。配體大的,一般為四面體的;配體小的,一般為八面體的。7.晶體場(chǎng)理論的應(yīng)用推測(cè)配合物中心離子d電子分布及自旋狀態(tài)[CoF6]3-測(cè)得△o=155,P=251kJ·mol-1△o<P,
F-為弱場(chǎng)d電子排布為高自旋狀態(tài)Es△oegt2g根據(jù)μ與n的關(guān)系,μ=4.9B.M.
Co3+(d6)[CoF6]3-有4個(gè)未成對(duì)電子解釋配合物顏色當(dāng)d軌道沒(méi)有填滿電子,配合物吸收可見(jiàn)光某一波長(zhǎng)光,d電子從t2g躍遷到eg
軌道(稱為d-d躍遷),配合物呈現(xiàn)其互補(bǔ)色。
互補(bǔ)色:位于180度夾角的顏色就是互補(bǔ)色
能量/(kJ·mol-1)301241199169151波長(zhǎng)/nm400500600700800光區(qū)不可見(jiàn)可見(jiàn)不可見(jiàn)被吸收的顏色紫外區(qū)紫藍(lán)綠黃橙紅紅外區(qū)觀察到的顏色無(wú)色黃綠黃紫紅藍(lán)綠藍(lán)藍(lán)綠無(wú)色波長(zhǎng)(或能量)吸收率如[Ti(H2O)6]3+發(fā)生d-d躍遷:最大吸收峰在490nm(藍(lán)綠光)處,所以呈紫紅色。不同金屬的水合離子,雖配體相同,但eg與t2g
的能級(jí)差不同,發(fā)生d-d躍遷時(shí)吸收可見(jiàn)光波長(zhǎng)不同,故顯不同顏色。中心離子d軌道全空(d0)或全滿(d10),不能發(fā)生d-d躍遷,其水合離子為無(wú)色。如:[Zn(H2O)6]2+、[Sc(H2O)6]3+注意Eeg=+0.6△oEt2g=-0.4△o解釋配合物的穩(wěn)定性如配體為弱場(chǎng)d2CFSE=2×(-0.4△o)=-0.8△od3CFSE=3×(-0.4△o)=-1.2△od4CFSE=3×(-0.4△o)+0.6△o=-0.6△o∴配合物穩(wěn)定性d3構(gòu)型>d2構(gòu)型>d4構(gòu)型●
解釋配合物的水合熱變化●對(duì)配合物空間構(gòu)型的解釋
[Cu(NH3)4(H2O)2]2+
Cu—N鍵長(zhǎng):207pm
Cu—OH2鍵長(zhǎng):262pm
這是由于在平面上四個(gè)配體受到的d電子排斥力比軸向(Z軸)兩個(gè)配體受到的d電子排斥力小些,因此平面上的NH3距離中心Cu2+距離近,軸向H2O離中心體較遠(yuǎn),形成了變形的八面體,形成八面體畸變。●配合物的穩(wěn)定性及氧化還原性
例:Co2+Co3+的H2O、NH3、CN-
的穩(wěn)定性
[Co(H2O)6]3++e-?[Co(H2O)6]2+;φΘ=1.84v[Co(NH3)6]3++e-?[Co(NH3)6]2+;φΘ=0.1v[Co(CN)6]3-+e-?[Co(CN)6]4-;φΘ=-0.83v故有以下反應(yīng):
2Co(OH)3+6HCl==2CoCl2+Cl2↑+6H2O4[Co(NH3)6]2++O2+2H2O==4[Co(NH3)6]3++4OH-
2[Co(CN)6]4-+2H2O==2[Co(CN)6]3-+2OH-+H2↑晶體場(chǎng)理論的優(yōu)缺點(diǎn)優(yōu)點(diǎn)能較好地解釋配合物的幾何構(gòu)型、穩(wěn)定性、磁性、顏色等。只考慮了中心離子與配體間的靜電作用,未考慮其共價(jià)性,所以不能解釋有的問(wèn)題,如光譜化學(xué)序列等。如NH3比X-場(chǎng)強(qiáng),CN-和CO晶體場(chǎng)最強(qiáng)。缺點(diǎn)若把它們看作是形成了某種有共價(jià)成分的化學(xué)鍵時(shí),著眼于中心離子未充滿殼層(3d或4d)的n個(gè)價(jià)電子,這些電子在有效核電荷為Z*的中心離子實(shí)的勢(shì)場(chǎng)和配位體靜電勢(shì)場(chǎng)中運(yùn)動(dòng).這就是vanVleck(1935)等所發(fā)展的配位場(chǎng)理論(LFT-LigandFieldTheory)。即在晶體場(chǎng)理論基礎(chǔ)上,考慮M與L在成鍵時(shí)原子軌道的重疊。但是,在許多原理方面它們卻是共同的.練習(xí)1.已知兩種鈷的配合物具有相同的化學(xué)式Co(NH3)5BrSO4,它們之間的區(qū)別在于:在第一種配合物的溶液中加BaCl2
時(shí),產(chǎn)生BaSO4
沉淀,但加AgNO3時(shí)不產(chǎn)生沉淀;而第二種配合物的溶液則與之相反。寫出這兩種配合物的分子式并指出鈷的配位數(shù)和化合價(jià)。答:配合物BaCl2實(shí)驗(yàn)AgNO3實(shí)驗(yàn)化學(xué)式第一種SO42–在外界Br–在內(nèi)界[Co(NH3)5Br]SO4
第二種SO42–在內(nèi)界Br–在外界[Co(SO4)(NH3)5]Br2.第四周期某金屬離子在八面體弱場(chǎng)中的磁矩為4.90B.M,而它在八面體強(qiáng)場(chǎng)中的磁矩為零,該中心離子可能是哪個(gè)離子?答:根據(jù)B.M.,可由它在八面體弱場(chǎng)中的磁矩求出單電子數(shù)n=4;因?yàn)橛?個(gè)d軌道,所以總d電子數(shù)可能為4或6;由它在八面體強(qiáng)場(chǎng)中
=0B.M.判斷,總d電子數(shù)只能是6,其外層電子構(gòu)型為3s23p63d6,該金屬離子可能是Fe2+或Co3+。3.對(duì)于Co3+的兩種弱場(chǎng)配合物CoCl63–和CoF63–,都有CFSE=–0.4ΔO,能否說(shuō)二者穩(wěn)定性相同?為什么?答:不能。雖然這兩種配合物的CFSE都是-0.4ΔO,但只是具有相同的能量參量。因?yàn)榕潴w不同,使得分裂能ΔO具有不同的具體能量值,因而CFSE的數(shù)值實(shí)際上并不相同。若以Dq表示,兩種配合物的CFSE都是-4Dq。同樣因它們的配體不同,使得相同Dq參數(shù)卻具有不同的相應(yīng)波數(shù)和焦耳數(shù)值。4.一些具有抗癌活性的鉑金屬配合物,如cis-PtCl4(NH3)2、cis-PtCl2(NH3)2和cis-PtCl2(en),都是反磁性物質(zhì)。請(qǐng)根據(jù)價(jià)鍵理論指出這些配合物的雜化軌道類型,并說(shuō)明它們是內(nèi)軌型還是外軌型配合物。答:配合物M的d電子數(shù)配位數(shù)雜化軌道類型內(nèi)/外軌型
cis-PtCl4(NH3)266d2sp3內(nèi)
cis-PtCl2(NH3)284dsp2內(nèi)
cis-PtCl2(en)84dsp2內(nèi)5.試根據(jù)價(jià)鍵理論判斷下列配合物的雜化類型,根據(jù)晶體場(chǎng)理論判斷下列配合物的電子排布。(1)四面體型[CoCl4]2
;(2)內(nèi)軌型
[Fe(CN)6]3
答:(1)價(jià)鍵理論:由“四面體”判斷,[CoCl4]2
的中心離子Co2+用4個(gè)sp3雜化軌道接受4Cl
提供的孤對(duì)電子,形成配位鍵。晶體場(chǎng)理論:在四面體場(chǎng)中,Co2+的3d軌道分裂為能級(jí)較低的d
和能級(jí)較高d
;Co2+有7個(gè)d電子,電子排布為d
4d
3?;騟4t23(2)價(jià)鍵理論:由配位數(shù)為6和“內(nèi)軌型”判斷,[Fe(CN)6]3
的中心離子Fe3+用6個(gè)d2sp3雜化軌道接受6CN
提供的孤對(duì)電子,形成配位鍵。晶體場(chǎng)理論:在八面體場(chǎng)中,F(xiàn)e3+的3d軌道分裂為能級(jí)較低的d
和能級(jí)較高d
;Fe3+有5個(gè)d電子,“內(nèi)軌型”對(duì)應(yīng)于低自旋,由此判斷,電子排布為d
5d
0?;騮2g5eg06.已知[Fe(H2O)6]2+的磁矩測(cè)定值為4.70B.M.,分裂能△o=10400cm
1;[Fe(CN)6]4
的磁矩測(cè)定值為0B.M.,分裂能△o=33000cm
1。請(qǐng)分別計(jì)算這2種配離子的晶體場(chǎng)穩(wěn)定化能。(P=15000cm
1)解:Fe2+,d6
由磁矩測(cè)定值判斷,[Fe(CN)6]4
為低自旋,ΔO>P,電子排布為d
6d
0;[Fe(H2O)6]2+為高自旋,ΔO<P
,電子排布為d
4d
2。
[Fe(CN)6]4
CFSE=6×(-0.4ΔO)+2P=-2.4ΔO+2P=-49200(cm
1)
[Fe(H2O)6]2+
CFSE=4×(-0.4ΔO)+2×0.6ΔO=-0.4ΔO=-4160(cm
1)7.Co為27號(hào)元素。測(cè)得[CoF6]3–
的分裂能Δ=13000cm–1,電子成對(duì)能P=21000cm–1,由此判斷該中心離子的d電子排布為A、
B、
C、
D、8、試用晶體場(chǎng)理論指出哪些因素引起下列各組配合物的自旋狀態(tài)差異?(1)[Co(NH3)6]2+和[Co(NO2)6]4-答:中心離子Co2+:kk3d7按光譜學(xué)序列NO2-
配體是強(qiáng)場(chǎng),[Co(NO2)6]4-中Co2+采取低自旋態(tài)NH3配體是中強(qiáng)場(chǎng),[Co(NH3)6]2+中Co2+采取高自旋態(tài)(2)[Co(NH3)6]2+和[Co(NH3)6]3+答:中心離子Co2+:kk3d7,Co3+:kk3d6故Co2+采取高自旋態(tài),Co3+采取低自旋態(tài)9、Co2+容易形成四面體氯配合物,而Ni2+不容易形成?答:由于Cl-是弱場(chǎng),依幾種氯配合物中d電子的排布,計(jì)算晶體場(chǎng)穩(wěn)定化能——LFSE
[CoCl6]4-[CoCl4]2-[NiCl6]4-[NiCl4]2-LFSE=-20+12=-84(-2.67)+3(1.78)=-5.34-24+12=-124(-2.67)+4(1.78)=-3.56比較差值:差值較小,四面體形也穩(wěn)定;差值大,四面體形不穩(wěn)定。所以,Co2+容易形成四面體氯配合物,而Ni2+不容易形成。10、Cu(en)2Cl2,(en—乙二胺)的反式和順式異構(gòu)體,哪種更穩(wěn)定?若從晶體場(chǎng)理論考慮,還有什么因素影響異構(gòu)體的穩(wěn)定性?解:兩種異構(gòu)體如下圖enenenenClClClCl反式結(jié)構(gòu)順式結(jié)構(gòu)CuCu從空間位阻來(lái)看,配體en處于順式結(jié)構(gòu)的排斥作用,顯然大于反式結(jié)構(gòu)。所以,反式結(jié)構(gòu)更穩(wěn)定。從CFT理論看:Oh
場(chǎng)中中心離子Cu2+:kk3d9d電子排布據(jù)Jahn-Teller效應(yīng),中的要消除簡(jiǎn)并,而使Cu(en)2Cl2配合物的幾何構(gòu)型發(fā)生畸變。這種畸變會(huì)使順式異構(gòu)中乙二胺配位的環(huán)產(chǎn)生不均勻張力,使之不穩(wěn)定;而畸變對(duì)反式異構(gòu)體中的環(huán)影響較弱,所以反式更穩(wěn)定。11、將烷烴和烯烴的混合物通過(guò)AgNO3或AgClO4等銀鹽溶液,可將烷烴和烯烴分離。這一方法可用于色譜分離,也可用于工業(yè)分離,請(qǐng)說(shuō)明所依據(jù)的原理。答:Ag+:kk4d105s05p0,是多d電子原子,采取sp雜化——為直線型配體:烯烴(CnH2n
)有或離域體系,成鍵,反鍵+-????++--Ag+的
sp雜化軌道與CnH2n
的成鍵形成配鍵;Ag+的與CnH2n
的反鍵形成反饋配鍵。(如下圖)--+++++----????Ag+CCCCspsp[Ag(CnH2n
)2]+的成鍵示意圖-+12、為什么[Cu(H2O)6]2+顯綠色,而[Cu(NH3)6]2+顯蘭色?答:由于配體H2O的場(chǎng)強(qiáng)比NH3弱而中心離子Cu2+:kk3d9在分裂的d軌道中的排布方式一樣,即所以,它們發(fā)生d-d躍遷時(shí)吸收光的波長(zhǎng)不一樣。(如下圖)50060070080090040025000200001500010000[Cu(H2O)6]2+[Cu(NH3)6]2+紅橙黃綠藍(lán)紫13、已知下列配合物的分裂能(
o)和中心離子的電子成對(duì)能(P),F(xiàn)e和Co的原子序數(shù)為26Fe,27Co[Fe(H2O)6]2+[Co(NH3)6]3+
Mn+
P/cm-11760021000
o/cm-11040022900[Fe(H2O)6]2+
配合物中心離子的d電子排布分別為
(10)、[Co(NH3)6]3+配合物中心離子的d電子排布分別為
(11),[Fe(H2O)6]2+
、[Co(NH3)6]3+配合物的磁矩分別為
(12)和
(13)(B.M),在這二種配合物中高自旋型的是
(14)、低自旋型的是
(15)。(10)t2g4,eg2(11)t2g6(12)4.90B.M(13)0B.M.(14)[Fe(H2O)6]2+(15)[Co(NH3)6]3+
14、已知Fe3+的d電子成對(duì)能P=29930cm
1.實(shí)驗(yàn)測(cè)得Fe3+分別與F
和CN
組成八面體配離子的分裂能為
O(F
)=13916cm
1,
O(CN
)=34850cm
1.(1)寫出FeF63
和Fe(CN)63
的雜化成鍵過(guò)程;(2)計(jì)算FeF63
和Fe(CN)63
的CFSE;(3)分別用VB法和晶體場(chǎng)理論討論這兩種配合物的穩(wěn)定性、磁性和幾何構(gòu)型。(1)
Fe3+:3d5(sp3d2)0
(sp3d2)0
(sp3d2)0
(sp3d2)0
(sp3d2)0
↑
↑
↑
↑
↑
2px
2px
2px
2px
2pxF
F
F
F
F
Fe3+:3d5
(d2sp3)0
(d2sp3)0
(d2sp3)0
(d2sp3)0
(d2sp3)0
↑
↑
↑
↑
↑
CN
CN
CN
CN
CN
(2)FeF63
:P>
O,d
電子的排布為:(t2g)3,(eg)2
CFSE=[3
(
4Dq)+2
(+6Dq)]=0DqFe(CN)63
:
O>P,d電子的排布為:(t2g)5,(eg)0CFSE=
[5
(
4Dq)+0
(+6Dq)]=
20Dq(3)由CFSE可知:穩(wěn)定性Fe(CN)63
>FeF63
由d
電子的排布可知:
:Fe(CN)63
<FeF63
,穩(wěn)定性:FeF63
<Fe(CN)63
二者均為正八面體。VB法:穩(wěn)定性FeF6
<Fe(CN)6
,
FeF63
:外軌型,F(xiàn)e(CN)63
內(nèi)軌型,由雜化可知,二者均為正八面體。由外軌、內(nèi)軌d電子排布可知,F(xiàn)e(CN)63
只有一個(gè)成單電子,磁矩小于有5個(gè)單電子的FeF63
。d電子排布解:Mn(H2O)62+Fe(CN)64-FeF63-15.判斷下列配位離子是高自旋態(tài)還是低自旋態(tài),畫出d電子排布方式,說(shuō)明配位離子的磁性,計(jì)算LFSE(用
0表示)(a)Mn(H2O)62+(b)Fe(CN)64-(c)FeF63-02.40(0)LFSEHSLSHS自旋順磁性反磁性順磁性磁性Cr(H2O)63+中的d電子排布為(t2g)3(eg*)0,LFSE為1.20。反鍵軌道上無(wú)電子是Cr(H2O)63+較穩(wěn)定的原因。該配合物離子不發(fā)生Jahn-teller畸變。解:水是弱場(chǎng)配體,故Mn(H2O)63+為高自旋配位離子
(P=22800cm-1,
0=21000cm-1),其d電子排布為(t2g)3(eg*)1,
LFSE為0.60。處于eg*軌道上的電子易失去,失去后LFSE
增大為1.20,這就是Mn(H2O)63+不穩(wěn)定的原因。另外,它還容易發(fā)生Jahn-teller畸變。16.解釋為什么水溶液中八面體配位的Mn3+不穩(wěn)定,而八面體配位的Cr3+卻穩(wěn)定。AuCl4-d8正方形0
IrCl62-d5八面體1
NiI42-d8四面體2
Pd(CN)42-d8正方形0離子d電子數(shù)形狀d電子排布不成對(duì)電子數(shù)17.利用LFT考慮下列配位離子的結(jié)構(gòu)及不成對(duì)電子數(shù)MnO43-d2四面體2Ru(NH3)63+d5八面體1MoCl63-d3八面體3配合物因有未成對(duì)d電子而呈順磁性;若為平面正方形,則d電子排布方式為:解:Ni為3d8組態(tài),半徑較小,其四配位化合物既可呈四面體構(gòu)型,也可呈平面正方形構(gòu)型,決定因素是配體間排斥作用的大小。若Ni2+的四配位化合物呈四面體構(gòu)型,則d電子排布方式為18.根據(jù)磁性測(cè)定結(jié)果可知,NiCl42-為順磁性而Ni(CN)42-為反磁性,試推測(cè)其幾何結(jié)構(gòu)解:結(jié)構(gòu)式為:19.寫出Fe2(CO)6(
2-CO)3的結(jié)構(gòu)式,說(shuō)明是否符合18e規(guī)則?已知端基羰基的紅外伸縮振動(dòng)波數(shù)為1850~2125cm-1,而架橋羰基的紅外伸縮振動(dòng)波數(shù)為1700~1860cm-1,解釋其原因。配合物因無(wú)未成對(duì)d電子而呈反磁性。因此,NiCl42-為順磁性離子,應(yīng)為四面體構(gòu)型;而Ni(CN)42-為反磁性離子,而呈平面正方形。每個(gè)Fe原子周圍的價(jià)電子數(shù)為:8+23(端接CO提供)+13(架橋CO提供)+1(Fe—Fe鍵提供)=18即:結(jié)構(gòu)式符合18e規(guī)則。相對(duì)于端接CO,橋上的CO同時(shí)與2個(gè)Fe原子配位,其反鍵軌道同時(shí)接受來(lái)自2個(gè)Fe原子的d電子,形成較強(qiáng)的反饋
鍵,CO鍵級(jí)下降更多,故其紅外伸縮振動(dòng)頻率更低。
2-4分子軌道理論(特別適合于離域電子體系)
分子軌道理論采用原子軌道線性組合形成分子軌道為:(1)找出組成分子的各個(gè)原子軌道,并按照對(duì)稱性分類;(2)根據(jù)對(duì)稱性匹配原則,由原子軌道線性組合成分子軌道,按分子軌道能級(jí)高低構(gòu)成軌道能級(jí)圖,電子遵循能量最低原理、泡利原理、洪特規(guī)則逐一填入分子軌道。
配合物的分子軌道理論認(rèn)為:中心離子的原子軌道與配體軌道組成離域分子軌道極大值方向沿x,y,z軸指向配位體,可形成以軸為稱的ó分子軌道一、
分子軌道以第一系列過(guò)渡金屬離子和六個(gè)配位體形成的八面體絡(luò)合物為例說(shuō)明M-L之間的
鍵,金屬離子M外層共有九個(gè)原子軌道可以形成分子軌道:t2gega1gt1u極大值方向夾在軸間,形成以面為對(duì)稱的
分子軌道這六個(gè)原子軌道和六個(gè)配位體L的σ型軌道進(jìn)行線性組合,形成σ鍵。組合成的十二個(gè)分子軌道,一半是成鍵的,一半是反鍵的,具體能級(jí)如:前頁(yè)圖和圖5(有效成鍵之組合必須是對(duì)稱性匹配的,有四種情況)。圖1圖2ɑ1g=s+σ1+…+σ6中央S軌道6個(gè)配體的原子軌道(t1u)1=Px+σ1-σ2(t1u)2=Py+σ3-σ4(t1u)3=Pz+σ5-σ6圖3圖4(eg)1=+σ1+σ2-σ3-σ4(eg)2=+2σ5+2σ6-σ1-σ2-σ3-σ4△反鍵MO非鍵MO成鍵MO配位體群軌道分子軌道受配位場(chǎng)微擾的原子軌道原子軌道(
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