數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)智慧樹知到課后章節(jié)答案2023年下九江職業(yè)技術(shù)學(xué)院

數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)智慧樹知到課后章節(jié)答案2023年下九江職業(yè)技術(shù)學(xué)院九江職業(yè)技術(shù)學(xué)院

第一章測試

十進(jìn)制數(shù)25用8421BCD碼表示為()。

A:1001011

B:100101

C:10101

D:00100101

答案:00100101

在一個8位的存儲單元中，能夠存儲的最大無符號整數(shù)是()。

A:（256）10

B:（255）10

C:（127）10

D:（1024）10

答案:（255）10

以下表達(dá)式中符合邏輯運算法則的是()。

A:0＜1

B:A+1=1

C:1+1=10

D:C·C=C2

答案:A+1=1

以下代碼中為無權(quán)碼的為（）。

A:格雷碼

B:余三碼

C:5421BCD碼

D:8421BCD碼

答案:格雷碼

;余三碼

邏輯變量的取值，１比０大。（）

A:錯B:對

答案:錯

第二章測試

以下電路中常用于總線應(yīng)用的有()。

A:OC門

B:CMOS與非門

C:TSL門

D:漏極開路門

答案:TSL門

要使TTL與非門工作在轉(zhuǎn)折區(qū)，可使輸入端對地外接電阻RI()。

A:＜ROFF

B:＞RON

C:ROFF＜RI＜RON

D:＞ROFF

答案:ROFF＜RI＜RON

與CT4000系列相對應(yīng)的國際通用標(biāo)準(zhǔn)型號為()。

A:CT74H高速系列

B:CT74S肖特基系列

C:CT74L低功耗系列

D:CT74LS低功耗肖特基系列

答案:CT74LS低功耗肖特基系列

三態(tài)門輸出高阻狀態(tài)時，()是正確的說法。

A:用電壓表測量指針不動

B:測量電阻指針不動

C:電壓不高不低

D:相當(dāng)于懸空

答案:用電壓表測量指針不動

;測量電阻指針不動

;相當(dāng)于懸空

TTL與非門的多余輸入端可以接固定高電平。（）

A:對B:錯

答案:對

第三章測試

組合邏輯電路中的冒險是由于（）引起的。

A:邏輯門類型不同

B:電路有多個輸出

C:電路未達(dá)到最簡

D:電路中的時延

答案:電路中的時延

用取樣法消除兩級與非門電路中可能出現(xiàn)的冒險，以下說法哪一種是正確并優(yōu)先考慮的？（）

A:在輸出級加負(fù)取樣脈沖

B:在輸入級加負(fù)取樣脈沖

C:在輸出級加正取樣脈沖

D:在輸入級加正取樣脈沖

答案:在輸出級加正取樣脈沖

當(dāng)二輸入與非門輸入為（）變化時，輸出可能有競爭冒險。

A:11→01

B:10→11

C:01→10

D:00→10

答案:01→10

與十進(jìn)制數(shù)（53）10等值的數(shù)或代碼為（）。

A:(110101)2

B:(01010011)8421BCD

C:(1010011)8421BCD

D:(1101010)2

答案:(110101)2

;(01010011)8421BCD

多位加法器采用超前進(jìn)位的目的是簡化電路結(jié)構(gòu)。（）

A:錯B:對

答案:錯

第四章測試

N個觸發(fā)器可以構(gòu)成能寄存()位二進(jìn)制數(shù)碼的寄存器。

A:N-1

B:N+1

C:2N

D:N

答案:N

在下列觸發(fā)器中，有約束條件的是（）。

A:主從JKF/F

B:主從DF/F

C:邊沿DF/F

D:同步RSF/F

答案:同步RSF/F

一個觸發(fā)器可記錄一位二進(jìn)制代碼，它有（）個穩(wěn)態(tài)。

A:3

B:2

C:1

D:0

答案:2

對于T觸發(fā)器，若原態(tài)Qn=0，欲使新態(tài)Qn+1=1，應(yīng)使輸入T=（）。

A:1

B:0

C:

D:Q

答案:1

;

RS觸發(fā)器的約束條件RS=0表示不允許出現(xiàn)R=S=1的輸入。

A:對B:錯

答案:對

第五章測試

對于T觸發(fā)器，若原態(tài)Qn=0，欲使新態(tài)Qn+1=1，應(yīng)使輸入T=（）。

A:0

B:1

C:Q

D:

答案:1

請選擇正確的RS觸發(fā)器特性方程式()。

A:

B:

C:(約束條件為)

D:

答案:(約束條件為)

請選擇正確的T觸發(fā)器特性方程式()。

A:

B:

C:

D:

答案:

描述觸發(fā)器的邏輯功能的方法有（）。

A:狀態(tài)轉(zhuǎn)換卡諾圖

B:特性方程

C:狀態(tài)轉(zhuǎn)換圖

D:狀態(tài)轉(zhuǎn)換真值表

答案:狀態(tài)轉(zhuǎn)換卡諾圖

;特性方程

;狀態(tài)轉(zhuǎn)換圖

;狀態(tài)轉(zhuǎn)換真值表

D觸發(fā)器的特性方程為Qn+1=D，與Qn無關(guān)，所以它沒有記憶功能。（）

A:對B:錯

答案:錯

第六章測試

脈沖整形電路有（）。

A:施密特觸發(fā)器B:555定時器

C:多諧振蕩器D:單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器

答案:施密特觸發(fā)器;單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器

555構(gòu)成的多諧振蕩器可產(chǎn)生（）。

A:三角波B:鋸齒波

C:矩形脈沖D:正弦波

答案:矩形脈沖

施密特觸發(fā)器的正向閾值電壓一定大于負(fù)向閾值電壓。（）

A:對B:錯

答案:對

石英晶體多諧振蕩器的振蕩頻率與電路中的R、C成正比。（）

A:對B:錯

答案:錯

施密特觸發(fā)器可用于將三角波變換成正弦波。（）

A:錯B:對

答案:錯

第七章測試

D/A轉(zhuǎn)換器的最大輸出電壓的絕對值可達(dá)到基準(zhǔn)電壓VREF。（）

A:對B:錯

答案:錯

D/A轉(zhuǎn)換器的位數(shù)越多，能夠分辨的最小輸出電壓變化量就越小。（）

A:錯B:對

答案:對

D/A轉(zhuǎn)換器的位數(shù)越多，轉(zhuǎn)換精度越高。（）

A:錯B:對

答案:對

A/D轉(zhuǎn)換器的二進(jìn)制數(shù)的位數(shù)越多，量化單位△越小。（）

A:錯B:對

答案:對

A/D轉(zhuǎn)換過程中，必然會出現(xiàn)量化誤差。（）

A:錯B:對

答案:對

第八章測試

一個容量為1K×8的存儲器有個存儲單元。（）

A:8000B:8C:8192

D:8K

答案:8192

;8K

要構(gòu)成容量為4K×8的RAM，需要片容量為256×4的RAM。()

A:8B:32

C:2D:4

答案:32

尋址容量為16K×8的RAM需要根地址線。()

A:4B:14C:8D:16E:16K

答案:14

PROM、PLA、PAL三種可編程器件中，（）是可編程的。()

A:PAL的與門陣列或門陣列B:PAL的與門陣列

C:PROM的或門陣列D:PROM的與門陣列

答案