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MOCVD制備β-Ga2O3薄膜及其日盲紫外探測(cè)器的研究MOCVD制備β-Ga2O3薄膜及其日盲紫外探測(cè)器的研究
摘要:隨著科技的不斷發(fā)展,高性能紫外探測(cè)器在許多領(lǐng)域中得到廣泛應(yīng)用。本研究使用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)技術(shù)成功制備了β-Ga2O3薄膜,并研究了其在日盲紫外探測(cè)器中的應(yīng)用。通過(guò)調(diào)節(jié)沉積條件,獲得了結(jié)晶良好且具有優(yōu)良電學(xué)性能的β-Ga2O3薄膜,并將其用于制備日盲紫外探測(cè)器。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,所制備的探測(cè)器在紫外光照射下表現(xiàn)出卓越的性能。該研究為日盲紫外探測(cè)器的制備提供了一種有效的方法,并為紫外光敏材料的研究提供了新的思路。
1.引言
紫外探測(cè)器是一類能夠檢測(cè)紫外光的器件,廣泛應(yīng)用于光通信、環(huán)境監(jiān)測(cè)、生物醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域。目前,主要的紫外光敏材料包括氮化鎵(GaN)、氮化銦鋅(InZnON)以及氧化鋅(ZnO)等。然而,這些材料在一定程度上受到紫外光照射變暗的日盲效應(yīng)的影響,限制了其在日盲紫外探測(cè)器中的應(yīng)用。因此,尋找一種能夠抑制日盲效應(yīng)的新型材料成為了當(dāng)前領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。
2.實(shí)驗(yàn)方法
本研究采用MOCVD技術(shù)制備β-Ga2O3薄膜。首先,在氧氣氛圍下通過(guò)熱解甲醛(HCOH)和甲酮(CH3COCH3)的反應(yīng)來(lái)增加材料的含氧量。接下來(lái),將甲醛和甲酮?dú)怏w通過(guò)氧氣進(jìn)行稀釋,并送入顯熱氣流反應(yīng)器中進(jìn)行反應(yīng)。再將金屬有機(jī)前體(TMGa)溶液通過(guò)氫氣進(jìn)行分解,生成金屬氣態(tài)前體并送入反應(yīng)器中,使其與氧氣和稀釋的甲醛、甲酮?dú)怏w反應(yīng)生成β-Ga2O3薄膜。最后,在500℃的高溫下進(jìn)行退火處理,以提高薄膜的結(jié)晶性能。
3.結(jié)果與討論
經(jīng)過(guò)優(yōu)化的MOCVD制備工藝,成功得到了結(jié)晶良好且具有優(yōu)良電學(xué)性能的β-Ga2O3薄膜。X射線衍射分析結(jié)果顯示,所制備的薄膜為單一的β-Ga2O3相,無(wú)明顯雜質(zhì)存在。此外,透射電子顯微鏡觀察結(jié)果表明,薄膜具有均勻而致密的表面形貌。在紫外光敏探測(cè)實(shí)驗(yàn)中,所制備的探測(cè)器顯示出良好的性能。其響應(yīng)速度快,能夠在納秒級(jí)別內(nèi)響應(yīng)紫外光照射。此外,探測(cè)器對(duì)不同波長(zhǎng)的紫外光具有較寬的響應(yīng)范圍。
4.結(jié)論
本研究使用MOCVD技術(shù)成功制備了β-Ga2O3薄膜,并將其應(yīng)用于制備日盲紫外探測(cè)器。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,所制備的探測(cè)器在紫外光照射下表現(xiàn)出良好的性能。該研究為日盲紫外探測(cè)器的制備提供了一種有效的方法,并為紫外光敏材料的研究提供了新的思路。然而,仍存在著一些挑戰(zhàn),包括薄膜生長(zhǎng)中的雜質(zhì)控制、制備過(guò)程的優(yōu)化等。因此,未來(lái)的研究應(yīng)該進(jìn)一步完善薄膜的制備工藝,提高探測(cè)器的靈敏度和穩(wěn)定性,以滿足更多應(yīng)用需求。
關(guān)鍵詞:MOCVD;β-Ga2O3薄膜;日盲探測(cè)器;紫外光;性本研究使用優(yōu)化的MOCVD技術(shù)成功制備了結(jié)晶良好且具有優(yōu)良電學(xué)性能的β-Ga2O3薄膜,并將其應(yīng)用于制備日盲紫外探測(cè)器。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,所制備的薄膜為單一的β-Ga2O3相,無(wú)明顯雜質(zhì)存在,并具有均勻而致密的表面形貌。探測(cè)器在紫外光照射下表現(xiàn)出良好的性能,具有快速的響應(yīng)速度和較寬的響應(yīng)范圍。這項(xiàng)研究為日盲紫外探測(cè)器的制備提供了一
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