基于AVR單片機中的EEPROM和FLASH的區(qū)別及使用方法解析

基于AVR單片機中的EEPROM和FLASH的區(qū)別及使用方法解析1.EEPROM介紹ElectricallyErasableProgrammableReadOnlyMemory電氣可拭除可編程只讀存儲器發(fā)展過程：ROM–》PROM–》EPROM–》EEPROM2.EEPROM和FLASH的區(qū)別2.1使用上的區(qū)別FLASH用于存放程序，在程序運行過程中不能更改。我們編寫的程序是燒錄到FLASH中的；RAM用作程序運行時的數(shù)據(jù)存儲器；EEPROM用于存放數(shù)據(jù)，是用來保存掉電后用戶不希望丟的數(shù)據(jù)，開機時用到的參數(shù)。運行過程中可以改變。FLASH是用于存儲程序代碼的，有些場合也可能用它來保存數(shù)據(jù)，當然前提是該單片機的FLASH工藝是可以自寫的（運行中可擦寫），但要注意FLASH的擦寫次數(shù)通常小于一萬次，而且通常FLASH只能按塊擦除。EEPROM不能用來存程序，通常單片機的指令尋址不能到這個區(qū)域。EEPROM的擦寫次數(shù)應(yīng)有百萬次，而且可以按字節(jié)擦寫。EEPROM在一個PAGE內(nèi)是可以任意寫的，F(xiàn)LSAH則必須先擦除成BLANK，然后再寫入，而一般沒有單字節(jié)擦除的功能，至少一個扇區(qū)擦除。2.2結(jié)構(gòu)上的區(qū)別EEPROM和FLASH都是非易失性存儲器。FLASH的全稱是FLASHEEPROM，但跟常規(guī)EEPROM的操作方法不同。FLASH和EEPROM的最大區(qū)別是FLASH按扇區(qū)操作，EEPROM則按字節(jié)操作，二者尋址方法不同，存儲單元的結(jié)構(gòu)也不同，F(xiàn)LASH的電路結(jié)構(gòu)較簡單，同樣容量占芯片面積較小，成本自然比EEPROM低，因而適合用作程序存儲器，EEPROM則更多的用作非易失的數(shù)據(jù)存儲器。當然用FLASH做數(shù)據(jù)存儲器也行，但操作比EEPROM麻煩的多，所以更“人性化”的MCU設(shè)計會集成FLASH和EEPROM兩種非易失性存儲器，而廉價型設(shè)計往往只有FLASH，早期可電擦寫型MCU則都是EEPRM結(jié)構(gòu)，現(xiàn)在已基本上停產(chǎn)了。3.EEPROM的使用方法AVRGCC里面自帶有EEPROM讀寫函數(shù)。使用時需包含頭文件#include，部分讀寫函數(shù)如下：#defineeeprom_is_ready（）bit_is_clear（EECR，EEWE）//檢測EEPROM是否準備好。OK返回1（返回EEWE位）#defineeeprom_busy_wait（）do{}while（！eeprom_is_ready（））//等待EEPROM操作完成externuint8_teeprom_read_byte（constuint8_t*addr）;//讀取指定地址的一個字節(jié)8bit的EEPROM數(shù)據(jù)externuint16_teeprom_read_word（constuint16_t*addr）;//讀取指定地址的一個字16bit的EEPROM數(shù)據(jù)externvoideeprom_read_block（void*buf，constvoid*addr，size_tn）;//讀取由指定地址開始的指定長度的EEPROM數(shù)據(jù)externvoideeprom_write_byte（uint8_t*addr，uint8_tval）;//向指定地址寫入一個字節(jié)8bit的EEPROM數(shù)據(jù)externvoideeprom_write_word（uint16_t*addr，uint16_tval）;//向指定地址寫入一個字16bit的EEPROM數(shù)據(jù)通過串口向單片機發(fā)送配置命令，單片機收到指令后，利用函數(shù)write_EEPROM_c