關(guān)于曹遜氧化鋅基同質(zhì)結(jié)構(gòu)的透明RRAM元器件及制作方法_第1頁
關(guān)于曹遜氧化鋅基同質(zhì)結(jié)構(gòu)的透明RRAM元器件及制作方法_第2頁
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文檔簡介

關(guān)于曹遜“氧化鋅基同質(zhì)結(jié)構(gòu)的透明RRAM元器件及制作方法”專利的公示根據(jù)上海有關(guān)部門2010年非上海生源畢業(yè)生申請(qǐng)進(jìn)滬材料，“畢業(yè)生在本人最高學(xué)歷學(xué)習(xí)期間獲得或申請(qǐng)專利的，須提交專利證書復(fù)印件或?qū)＠暾?qǐng)受理證明（驗(yàn)原件），并須提供經(jīng)校級(jí)就業(yè)主管部門在本校網(wǎng)站上公示無異議的書面證明材料原件”之規(guī)定，現(xiàn)將曹遜同學(xué)的專利情況公示如下：

中國科學(xué)院上海硅酸鹽研究所申請(qǐng)的專利“氧化鋅基同質(zhì)結(jié)構(gòu)的透明RRAM元器件及制作方法”發(fā)明人之一為我所2010年畢業(yè)生曹遜，學(xué)號(hào)200718004022020。專利材料見附件。

公示時(shí)間：2010年4月12日至2010年4月18日附件1：附件2：

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