電子行業(yè)2024年度新周期新時(shí)代

內(nèi)容目錄半導(dǎo)體新周期2024年有望開(kāi)啟，產(chǎn)業(yè)鏈或迎來(lái)全面復(fù)蘇 7供失衡致半體行呈現(xiàn)期性 7半體周底部顯現(xiàn)，2024年有開(kāi)啟一上行周期 9球半體月銷售連續(xù)個(gè)月現(xiàn)環(huán)增長(zhǎng) 9球主芯片商季庫(kù)存點(diǎn)顯，庫(kù)水有望持下降 10圓廠能利率拐漸顯預(yù)計(jì)望逐恢復(fù) 儲(chǔ)器貨價(jià)持續(xù)暖，格拐漸顯 12日半導(dǎo)設(shè)備月銷售額比大下降，計(jì)2024年全球半導(dǎo)體備市望復(fù)蘇 2024.................................................................................................................................14球半體行下游求消類占較高消類需求在逐復(fù)蘇 15存器周復(fù)蘇降至國(guó)內(nèi)儲(chǔ)器商有在周期中度受益 161.16儲(chǔ)器格觸回升周期蘇或至 17儲(chǔ)器商有在新輪上周期獲取大盈利彈性 19外三頭主全球DRAM顆市場(chǎng)國(guó)內(nèi)積極布利基市場(chǎng) 20NANDFlash顛覆爾定，全前五廠商治NANDFlash顆粒市場(chǎng) 21球前大廠主導(dǎo)NORFlash市場(chǎng)中小加速發(fā)展 24IDM廠商導(dǎo)全存儲(chǔ)模組場(chǎng)國(guó)內(nèi)商第三方組市崛起 25消電子求回，供鏈廠有望續(xù)復(fù)態(tài)勢(shì) 29自可控加周復(fù)蘇國(guó)內(nèi)導(dǎo)體備及部、材料司有充分益 32導(dǎo)體備及部件場(chǎng)空廣闊 32日歐商主全球?qū)w備及部件場(chǎng) 33內(nèi)半體設(shè)有望步突先進(jìn)程，產(chǎn)率持續(xù)升將大勢(shì)趨 34主可疊加期復(fù)，具突破進(jìn)制能的設(shè)備司將分受益 36內(nèi)半體設(shè)零部廠商產(chǎn)替正當(dāng)，來(lái)成長(zhǎng)間巨大 371.56.38人工智能進(jìn)入算力新時(shí)代，硬件基礎(chǔ)設(shè)施迎來(lái)黃金發(fā)展期 39AI大模推動(dòng)力求呈數(shù)級(jí)長(zhǎng)，AI力芯迎來(lái)高成長(zhǎng)期 39Chiplet適用于性能算場(chǎng)，將力于力升浪潮 46Chiplet助力芯制造現(xiàn)降增，未市場(chǎng)間廣闊 47外巨引領(lǐng)力芯應(yīng)用Chiplet技，建基于Chiplet的大模異計(jì)算平臺(tái) 進(jìn)封技術(shù)提升片性的最方案一未來(lái)成空間闊 50內(nèi)封龍頭業(yè)先封裝局完，將暢享AI算力新代的潮 53投資建議 54風(fēng)險(xiǎn)提示 56圖表目錄圖1：2000-2023年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)度銷售情況 7圖2：2000-2022年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)模預(yù)測(cè) 7圖3：1998-2026年全球半導(dǎo)體下游場(chǎng)結(jié)構(gòu)測(cè) 8圖4：2021-2026年全球半導(dǎo)體下游場(chǎng)復(fù)合速測(cè) 8圖5：1994-2022年全球晶圓制造增產(chǎn)能情（效8英寸/月） 8圖6：2000-2023年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)售額情況 9圖7：2015-2023年中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)售額情況 圖8：全球主芯片廠平均庫(kù)周轉(zhuǎn)天情況 圖9：國(guó)內(nèi)部芯片廠平均庫(kù)周轉(zhuǎn)天情況 圖10：美光公司庫(kù)周轉(zhuǎn)天情況 圖部分晶圓產(chǎn)能利率情況 圖12：DRAM貨價(jià)格勢(shì)情（美元） 圖13：NANDFlash現(xiàn)價(jià)格走情況（元） 圖14：2005-2023年全球半導(dǎo)體設(shè)備銷額情況 圖15：2005-2023年中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備銷額情況 圖16：日本半導(dǎo)體備月度售額況 圖17：SEMI預(yù)計(jì)年全球晶圓廠設(shè)支出將比增長(zhǎng)圖18：全球硅片出量情況 圖19：2021-2026年硅片出貨面積及預(yù)測(cè) 圖20：2022年全球半導(dǎo)體下游應(yīng)領(lǐng)域占情況 圖21：2020-2023年全球智能手機(jī)季度貨量情況 圖22：2018-2023年全球PC季度出貨量況 圖23：1999-2022年全球存儲(chǔ)器銷售額占半導(dǎo)售額比重況 圖24：1999-2023年全球半導(dǎo)體不同細(xì)領(lǐng)域銷同比增速?zèng)r 圖25：2016-2023年DRAM現(xiàn)貨價(jià)走勢(shì)情（元） 圖26：2016-2023年NANDFlash現(xiàn)貨/合約格勢(shì)情況（元） 圖27：2008Q4-2023Q3年全球主要存儲(chǔ)器商毛率與凈利情況 圖28：2016-2022年全球DRAM市規(guī)模情況 圖29：2021年全球DRAM顆市場(chǎng)競(jìng)格局情況 圖30：2018-2021年全球DRAM下市場(chǎng)占情況 圖31：2013-2022年NANDFlash價(jià)格趨勢(shì)況 圖32：2014-2032年NANDFlash存儲(chǔ)密度預(yù)情況 圖33：2012-2022年全球NANDFlash市規(guī)模況 圖34：年全球NANDFlash顆粒場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)情況 圖35：2018-2021年全球NANDFlash市下游用領(lǐng)域情況 圖36：2017-2024年全球SLCNANDFlash市場(chǎng)模及預(yù)測(cè)況 圖37：2015-2021年全球NORFlash市場(chǎng)規(guī)情況 圖38：2018-2020年NORFlash主要廠商市份情況 圖39：DRAM粒在手主板用示意圖 圖40：內(nèi)存條在PC上應(yīng)用意圖 圖41：2018-2021年全球第三方內(nèi)存條場(chǎng)規(guī)模況 圖42：2022-2028年全球內(nèi)存條出貨量測(cè)（百） 圖43：2018-2021年全球NANDFlash主要品態(tài)市場(chǎng)規(guī)占比情況 圖44：2021年全球固態(tài)硬盤(pán)市場(chǎng)額情況 圖45：2021年全球第三方固態(tài)硬市場(chǎng)份情況 圖46：年全球eMMC及UFS市份額情況 圖47：華為Mate60Pro示意圖 圖48：Mate60Pro是史上最強(qiáng)大的Mate手機(jī) 圖49：2023年10月前四周中國(guó)智手機(jī)銷量況 圖50：2023年10月中國(guó)主要智能機(jī)廠商售情況 圖51：2020-2023年全球可穿戴設(shè)備出量情況 圖52：2023年10月23日月3日中國(guó)智能終零售市場(chǎng)量情況 圖53：2005-2022年全球半導(dǎo)體設(shè)備市規(guī)模情況 圖54：2005-2022年中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備市規(guī)模情況 圖55：2014-2021國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備銷售及國(guó)產(chǎn)情況 圖56：年全球半導(dǎo)體設(shè)備投占比情況 圖57：2022年全球半導(dǎo)體材料細(xì)市場(chǎng)規(guī)占比況 圖58：在線服務(wù)平突破百用戶需時(shí)間月） 圖59：AIGC產(chǎn)業(yè)生態(tài)系 圖60：AIGC模型應(yīng)用意圖 圖61：2022-2026年全球生成式AI計(jì)算市場(chǎng)模測(cè) 圖62：2019-2030年全球算力規(guī)模情況預(yù)測(cè)（EFLOPS） 圖63：2019-2026年中國(guó)智能算力市場(chǎng)模預(yù)測(cè) 圖64：人工智能系產(chǎn)業(yè)鏈構(gòu)圖 圖65：2020-2025年全球AI服務(wù)器市場(chǎng)規(guī)模況預(yù)測(cè) 圖66：2023-2027年中國(guó)加速計(jì)算服務(wù)市場(chǎng)預(yù)測(cè) 圖67：2018年服務(wù)器成本構(gòu)成情況 圖68：CPU+GPU異構(gòu)計(jì)系統(tǒng)方框圖 圖69：2021年中國(guó)AI芯片市場(chǎng)結(jié)構(gòu)情況 圖70：2022年AI加速芯片市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格情況 圖71：2020-2028全球GPU市場(chǎng)規(guī)模情況預(yù)測(cè) 圖72：23Q3全球GPU市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格情況 圖73：20Q4-23Q3英偉達(dá)季度營(yíng)業(yè)入情況 圖74：20Q4-23Q3英偉達(dá)季度凈利情況 圖75：昇騰計(jì)算系架構(gòu)框圖 圖76：昇騰計(jì)算產(chǎn)生態(tài)圖 圖77：半導(dǎo)體制造藝節(jié)點(diǎn)進(jìn)路圖 圖78：Chiplet系統(tǒng)空間內(nèi)功能密將持續(xù)長(zhǎng) 圖79：基于Chiplet的IC意圖 圖80：基于IP和Chiplet片上系封裝意圖 圖81：Chiplet生態(tài)系統(tǒng)中的IP 圖82：基于Chiplet異構(gòu)架應(yīng)用處器的示圖 圖83：小尺寸與大寸Die片可利面積比情況 圖84：Chiplet與Monolithic芯片設(shè)良率對(duì)比 圖85：全球Chiplet芯片市規(guī)模預(yù)（億美） 圖86：Zen2Chiplet架構(gòu)示意圖 圖87：Chiplet可以降低芯成本 圖88：AMDMI300產(chǎn)品示意圖 圖89：AMDMI300相比MI250提升8倍算力 圖90：英偉達(dá)GH200超級(jí)芯片 圖91：英偉達(dá)GH200內(nèi)部架框圖 圖92：主要的先進(jìn)裝類型 圖93：Chiplet異構(gòu)集成示圖 圖94：Chiplet異質(zhì)集成示圖 圖95：AMDZen3處理器3DChiplet架構(gòu)圖 圖96：AMD先封裝技演進(jìn)路圖 圖97：SiP結(jié)構(gòu)示意圖 圖98：混合2D與3D異構(gòu)集系統(tǒng)示圖 圖99：全球先進(jìn)封市場(chǎng)空預(yù)測(cè) 圖100：長(zhǎng)電科技XDFOIChiplet解方案 圖101：通富微電先進(jìn)裝技術(shù) 表1：23Q4晶圓代工價(jià)格趨預(yù)測(cè) 表2：本輪下周期海存儲(chǔ)龍廠商產(chǎn)及資本出調(diào)整計(jì)情況 表3：2021年全球第三方內(nèi)存供應(yīng)商場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)情況 表4：國(guó)內(nèi)主存儲(chǔ)模廠商競(jìng)優(yōu)勢(shì)比情況 表5：23Q2全球可穿戴腕帶備廠商場(chǎng)份額況 表6：A股部分消電子芯設(shè)計(jì)司23Q3營(yíng)收同比增速情況 表7：2022年國(guó)內(nèi)主要半導(dǎo)體備廠商接材料情況 表8：2022年全球15大半導(dǎo)體設(shè)備供商情況 表9：2022年全球半導(dǎo)體設(shè)備部件前10大供情況 表10：2021年中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備國(guó)化率及內(nèi)外商情況 表國(guó)內(nèi)重點(diǎn)半導(dǎo)體設(shè)備公司工藝制程節(jié)點(diǎn)況 表12：國(guó)內(nèi)主要半體設(shè)備商合負(fù)債情（億） 表13：國(guó)內(nèi)主要半體設(shè)備商存情況（元） 表14：國(guó)內(nèi)主要半體設(shè)備部件商情況 表15：2022年中國(guó)半導(dǎo)體材料國(guó)化率及內(nèi)外商情況 表16：不同模型訓(xùn)算力情況 表17：各代GPT模型數(shù)量與訓(xùn)練數(shù)量情況 表18：主流GPU性對(duì)比情況 表19：寒武紀(jì)與華昇騰專型AI芯片能指標(biāo)比情況 表20：重點(diǎn)關(guān)注公估值表截止年月23日） 2024年有望開(kāi)啟，產(chǎn)業(yè)鏈或迎來(lái)全面復(fù)蘇供需失衡導(dǎo)致半導(dǎo)體行業(yè)呈現(xiàn)周期性年經(jīng)歷一輪周期。年至今全球半導(dǎo)9月、3月、12月、20165月、20196月、5月20046月、3月、20142月、5月、20221月是周期4-51-31-2圖1：2000-2023年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)月度銷售額情況資料來(lái)源：SIA全球半導(dǎo)體市場(chǎng)長(zhǎng)期穩(wěn)定增長(zhǎng)。根據(jù)WSTS年5741億美元，21圖2：2000-2022年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模預(yù)測(cè)資料來(lái)源：WSTS半導(dǎo)體下游需求相對(duì)分散。PCiPhone的發(fā)布，2008-2021AR/VR圖3：1998-2026年全球半導(dǎo)體下游市場(chǎng)結(jié)構(gòu)預(yù)測(cè)圖4：2021-2026年全球半導(dǎo)體下游市場(chǎng)復(fù)合增速預(yù)測(cè)資料來(lái)源：ICInsights，邁思希姆， 資料來(lái)源：ICInsights，邁思希姆，半導(dǎo)體產(chǎn)能供給增量釋放相對(duì)集中。半導(dǎo)體晶圓制造產(chǎn)能從規(guī)劃到最終釋放一般需要2-4年時(shí)間（廠房建設(shè)一般需1年左右，設(shè)備搬入廠房一般需要半年到1年，產(chǎn)能爬坡到滿產(chǎn)一般需要1到2年0年至今，2000年、2006-2008年、年、2015年、2017-2018年、2020-2022年是產(chǎn)能增量圖5：1994-2022年全球晶圓制造增量產(chǎn)能情況（等效8英寸/月）資料來(lái)源：KnometaResearch，SIA，ICInsights，供需失衡導(dǎo)致半導(dǎo)體行業(yè)呈現(xiàn)周期性IC70%，2022年智能手機(jī)、PC2020-2022半導(dǎo)體周期底部已顯現(xiàn)，2024年有望開(kāi)啟新一輪上行周期年91.9%23Q323Q2觸底回升20239DRAM和NANDFlash921.6%423Q319.5%202219長(zhǎng)（SIA）94494.5%1.9%9（、歐洲（（%）0.5%0.2%，同時(shí)美洲（-（-（-、中國(guó)-%）的圖6：2000-2023年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)銷售額情況資料來(lái)源：SIA2023年9月中國(guó)半導(dǎo)體銷售額同比下降9.6%，環(huán)比增長(zhǎng)0.5%，連續(xù)七個(gè)月實(shí)現(xiàn)環(huán)比增長(zhǎng)（SIA）20239131億9.6%0.5%圖7：2015-2023年中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)銷售額情況資料來(lái)源：SIAWSTS年恢復(fù)增長(zhǎng)WSTS2024全球主要芯片廠商23Q3庫(kù)存水位環(huán)比小幅下降。根據(jù)的數(shù)據(jù)，全球主要芯片廠商包括英特爾、AMD、英偉達(dá)、高通、博通、美光、TI、ADI、恩智浦、微芯、安森美2023年150天，20231149天。23Q3全圖8：全球主要芯片廠商平均庫(kù)存周轉(zhuǎn)天數(shù)情況資料來(lái)源：，（注：包括英特爾、AMD、高通、美光、TI、恩智浦、微芯、安森美）國(guó)內(nèi)部分芯片廠商23Q3庫(kù)存水位環(huán)比繼續(xù)大幅下降。國(guó)內(nèi)主要芯片廠商包括兆易創(chuàng)新、卓勝微、韋爾股份、瀾起科技、晶晨股份、瑞芯微、北京君正、圣邦股份、紫光國(guó)微22Q4207天，23Q1351天，23Q2298天，環(huán)比下降53天，23Q326830天。幅下降，預(yù)計(jì)后續(xù)庫(kù)存水位有望持續(xù)改善。圖9：國(guó)內(nèi)部分芯片廠商平均庫(kù)存周轉(zhuǎn)天數(shù)情況資料來(lái)源：，（注：包括兆易創(chuàng)新、卓勝微、韋爾股份、瀾起科技、晶晨股份、瑞芯微、北京君正、圣邦股份、紫光國(guó)微）23Q3庫(kù)存水位環(huán)比持續(xù)下降23Q122Q4天下164天，23Q2161天，23Q3160圖10：美光公司庫(kù)存周轉(zhuǎn)天數(shù)情況資料來(lái)源：，23Q2年三季度2023年第一季度202323Q122Q4小幅下降至77.1%23Q122Q470%，23Q271%，23Q3下降至67%；世界先進(jìn)23Q1的產(chǎn)能利用率從22Q4的59.9%下降至49.9%，23Q2則大幅提升至62.3%，23Q3小幅提升至62.8%；華虹半導(dǎo)體23Q2產(chǎn)能利用率從23Q1的103.5%略微下降至102.7%，23Q3下降至86.8%。圖11：部分晶圓廠產(chǎn)能利用率情況資料來(lái)源：各公司公告，彭博，23Q4有望逐步恢復(fù)23Q423Q45萬(wàn)片（2英寸等效%。4全球主要純晶圓84%1%9.5%24Q4左右。晶圓尺寸晶圓制造制程23Q3價(jià)格（美元）晶圓尺寸晶圓制造制程23Q3價(jià)格（美元）23Q4價(jià)格預(yù)測(cè)（美元）23Q4與23Q3環(huán)比變化（美元）40nm27602760持平90nm16701590下降80150nm385375下降10350nm250245下降512英寸8英寸資料來(lái)源：群智咨詢，9DRAMNANDFlash現(xiàn)貨價(jià)格觸底回升，存儲(chǔ)器價(jià)格持續(xù)回暖。InSpectrum的數(shù)據(jù)，20239DRAM109、10兩個(gè)DDR416Gb2048Mx8、DDR48Gb1Gx83200MHz、DDR44Gb512Mx8MHzDDR3-4Gb-512Mx8-1333/1600MHz、、、7.37%InSpectrum的數(shù)據(jù)，20239NANDFlash10月繼續(xù)反彈，9、10兩個(gè)月TLC閃存256Gb、TLC閃存512Gb現(xiàn)貨價(jià)格分別累計(jì)上漲25.51%、41.06%。圖12：DRAM現(xiàn)貨價(jià)格走勢(shì)況（美元） 圖13：NANDFlash現(xiàn)貨價(jià)格走勢(shì)情況（美）資料來(lái)源：InSpectrum，彭博， 資料來(lái)源：InSpectrum，彭博，年全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)有望復(fù)蘇2.35%據(jù)，202375.515.09%，環(huán)比增長(zhǎng)。圖14：2005-2023年全球半導(dǎo)體設(shè)備售額情況 圖15：2005-2023年中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備售額情況 資料來(lái)源：日本半導(dǎo)體制造裝置協(xié)會(huì) 資料來(lái)源：日本半導(dǎo)體制造裝置協(xié)會(huì)2023年9月日本半導(dǎo)體設(shè)備銷售額同比下降21.6%，跌幅有所擴(kuò)大。根據(jù)日本半導(dǎo)體制造裝置協(xié)會(huì)的數(shù)據(jù)，2023年9月日本半導(dǎo)體設(shè)備銷售額為2987.38億日元，同比下降21.6%，連續(xù)第4個(gè)月同比下跌，跌幅有所擴(kuò)大，環(huán)比增長(zhǎng)4.3%，連續(xù)第3個(gè)月呈現(xiàn)環(huán)比增長(zhǎng)。1-925.6%圖16：日本半導(dǎo)體設(shè)備月度銷售額情況資料來(lái)源：日本半導(dǎo)體制造裝置協(xié)會(huì)，iFinD，年放緩，2024年有望恢復(fù)增長(zhǎng)SEMI15%99584015%970億美元。圖17：SEMI預(yù)計(jì)2024年全球晶圓廠設(shè)備支出將同比增長(zhǎng)15%資料來(lái)源：SEMI，年有望重新恢復(fù)增長(zhǎng)33%，150（SEMI）。圖18：全球硅片出貨量情況資料來(lái)源：SEMISEMI14%，2024年有望重新恢復(fù)增長(zhǎng)SEMI202314%，從和庫(kù)存水平的正?；?，預(yù)計(jì)2024年全球硅片出貨量將反彈。隨著人工智能、高性能計(jì)算、5G、汽車和工業(yè)應(yīng)用推動(dòng)著硅需求的增加，從2024年開(kāi)始的反彈勢(shì)頭預(yù)計(jì)將持續(xù)到2026年，硅片出貨量將創(chuàng)下新高。圖19：2021-2026年硅片出貨面積及預(yù)測(cè)資料來(lái)源：SEMI，SIA2022年、消費(fèi)電1%圖20：2022年全球半導(dǎo)體下游應(yīng)用領(lǐng)域占比情況資料來(lái)源：SIA，智能手機(jī)、等需求正在逐步復(fù)蘇。根據(jù)Canalys20231%CanalysCanalys2023PC7%8%；23Q3CanalysPC23Q4恢復(fù)增長(zhǎng)。圖21：2020-2023年全球智能手機(jī)季出貨量情況 圖22：2018-2023年全球PC季度出貨量情況資料來(lái)源：Canalys， 資料來(lái)源：Canalys，存儲(chǔ)器周期復(fù)蘇或降至，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器廠商有望在新周期中深度受益WSTS20225741億美元，20圖23：1999-2022年全球存儲(chǔ)器銷售額及占半導(dǎo)體銷售額比重情況資料來(lái)源：WSTS2002年、年、年、2015年、年、2023年是周期底部，2004年、2010年、2014年、2017年、4-5、201755%61%、、33%圖24：1999-2023年全球半導(dǎo)體不同細(xì)分領(lǐng)域銷售額同比增速情況資料來(lái)源：WSTS（含預(yù)測(cè)）存儲(chǔ)器價(jià)格觸底回升，周期復(fù)蘇或?qū)⒅罝RAMInSpectrum的數(shù)據(jù)，DRAM1212213-4年時(shí)間；本輪DRAM周期在4月左右見(jiàn)頂回落，20239DRAM109、10兩個(gè)月部分DDR3、DDR42DRAM圖25：2016-2023年DRAM現(xiàn)貨價(jià)格走勢(shì)情況（美元）資料來(lái)源：InSpectrum，彭博，NANDFlash價(jià)格觸底回升，本輪下行周期價(jià)格拐點(diǎn)或已至。根據(jù)InSpectrum的數(shù)據(jù)，NANDFlash上一輪周期在2017年12月左右見(jiàn)頂回落，在2019年7月觸底回升，下行周期1823-4NANDFlash89月價(jià)格觸底回升，10NANDFlash20%2年，NANDFlash圖26：2016-2023年NANDFlash現(xiàn)貨/合約價(jià)格走勢(shì)情況（美元）資料來(lái)源：InSpectrum，彭博，TrendForce，鎧俠位于日本四日市和北上NANDFlash晶圓廠1030%SK70SK50%。表2：本輪下行周期海外存儲(chǔ)龍頭廠商產(chǎn)出及資本支出調(diào)整計(jì)劃情況存儲(chǔ)廠商 產(chǎn)出調(diào)計(jì)劃 資本支調(diào)計(jì)劃2022年10月將日本四日市和北上NAND鎧俠Flash晶圓廠減產(chǎn)約30%西數(shù)據(jù) 從2023年1月始減約30%美光 進(jìn)步布減產(chǎn)直至2024年202210

靈活調(diào)整2023年資本支出減少至23億美元，下降15%2023年資本支出調(diào)減至70億美元，同比下降42%2023年資本支出同比減少50%SK海力士

23Q2無(wú)錫工廠月產(chǎn)能將削減30%；23H2進(jìn)一步削減NAND產(chǎn)量5%-10%三星 2023年4月宣布減產(chǎn)，將在23H2繼續(xù)減產(chǎn) 靈活調(diào)整資料來(lái)源：各公司官網(wǎng)，閃存市場(chǎng)，。9DRAMNANDFlash9、10DDR3、DDR410%以上、部分NANDFlashDRAMNANDFlash23Q424DRAM4NANDFlash82性153-418%-16%15圖27：2008Q4-2023Q3年全球主要存儲(chǔ)器廠商毛利率與凈利率情況資料來(lái)源：彭博，（注：包括三星、海力士、美光、東芝、微芯、南亞、華邦、旺宏、鈺創(chuàng)、創(chuàng)見(jiàn)、商丞）DRAM顆粒市場(chǎng)，國(guó)內(nèi)廠商積極布局利基型市場(chǎng)DRAM市場(chǎng)空間巨大，為半導(dǎo)體存儲(chǔ)器第一大產(chǎn)品2021年全球DRAM94941%，2022DRAM791億美17%。圖28：2016-2022年全球DRAM市場(chǎng)規(guī)模情況資料來(lái)源：TrendForce，閃存市場(chǎng)，同花順，DRAM顆粒市場(chǎng)Gartner2021DRAM市場(chǎng)、23%94%DRAM圖29：2021年全球DRAM顆粒市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局情況資料來(lái)源：Gartner，彭博，DRAM下游應(yīng)用以服務(wù)器、移動(dòng)電子產(chǎn)品、PCDRAM2021DRAM44%38%，PC。圖30：2018-2021年全球DRAM下游市場(chǎng)占比情況資料來(lái)源：IDC，彭博，利基型DRAM市場(chǎng)空間廣闊，國(guó)內(nèi)廠商有望在利基型市場(chǎng)持續(xù)加速發(fā)展。除了用于手機(jī)、服務(wù)器等的高性能、大容量主流DRAM，對(duì)于存儲(chǔ)容量相對(duì)較小、對(duì)制程工藝要求不高的DRAM，通常被稱為利基型DRAM，主要應(yīng)用于機(jī)頂盒、液晶電視、監(jiān)控、汽車、工控等領(lǐng)域。根據(jù)Trendforce的數(shù)據(jù)，2021年全球利基型DRAM市場(chǎng)規(guī)模約為90億美元，約占DRAM總市場(chǎng)規(guī)模的10%。中國(guó)臺(tái)灣廠商南亞、華邦在利基型DRAM市場(chǎng)占據(jù)較大的市場(chǎng)份額，中國(guó)大陸廠商兆易創(chuàng)新、東芯股份等積極布局利基型DRAM市場(chǎng)，北京君正在汽車市場(chǎng)具有較強(qiáng)的競(jìng)爭(zhēng)力，在自主開(kāi)發(fā)需求迫切的背景下，國(guó)內(nèi)廠商有望在利基型市場(chǎng)持續(xù)加速發(fā)展。NANDFlashNANDFlash顆粒市場(chǎng)NANDFlashDRAMNANDFlash3DNANDNANDFlashNANDFlashNANDFlashNANDFlash與NANDFlash圖31：2013-2022年NANDFlash價(jià)格趨勢(shì)情況 圖32：2014-2032年NANDFlash存儲(chǔ)密度及預(yù)測(cè)況資料來(lái)源：Semianalysis，芯智迅， 資料來(lái)源：Semianalysis，芯智迅，NANDFlashNANDFlash67520%；2022年存儲(chǔ)器2022NANDFlashFlash圖33：2012-2022年全球NANDFlash市場(chǎng)規(guī)模情況資料來(lái)源：Omdia，閃存市場(chǎng)，同花順，NANDFlashGartnerNANDFlash的市場(chǎng)份SK、、10%，前五大廠90%；Solidigm4%3%圖34：2021年全球NANDFlash顆粒市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局情況資料來(lái)源：Gartner，彭博，NANDFlashSSD和智能手機(jī)為主IDC2018-2021年全球NANDFlashSSD90%PC圖35：2018-2021年全球NANDFlash市場(chǎng)下游應(yīng)用領(lǐng)域情況資料來(lái)源：IDC，彭博，SLCNAND。SLCNAND主SLCNAND5GGartner2019SLCNAND年億美元，2019-2024NANDFlashSLCNAND圖36：2017-2024年全球SLCNANDFlash市場(chǎng)規(guī)模及預(yù)測(cè)情況資料來(lái)源：Gartner，東芯股份招股說(shuō)明書(shū)，NORFlashNORFlashDRAMNANDFlash之外市場(chǎng)規(guī)模最大的存儲(chǔ)芯片。NORFlash廣NORFlashDRAM和NANDFlashTWS耳機(jī)、5GNORFlashICInsights的數(shù)據(jù)，2020NORFlash25Flash31億美元。圖37：2015-2021年全球NORFlash市場(chǎng)規(guī)模情況資料來(lái)源：ICInsights，恒爍股份招股說(shuō)明書(shū)，F(xiàn)lash市場(chǎng)，中小廠商加速發(fā)展推動(dòng)行業(yè)呈現(xiàn)多元競(jìng)爭(zhēng)格局趨勢(shì)。根據(jù)CINNOResearch的數(shù)據(jù)，2018NORFlash市場(chǎng)被大的消費(fèi)類NORFlashNORFlash市場(chǎng)。年華邦、旺宏、兆易創(chuàng)新全球NORFlash、、15.6%，三家廠60%NORFlash年的21.6%NORFlash38：2018-2020NORFlash資料來(lái)源：CINNOResearch，恒爍股份招股說(shuō)明書(shū)，IDMIDMIDMIDMSKPCIDM廠商主導(dǎo)全球內(nèi)存條市場(chǎng)，金士頓在全球第三方市場(chǎng)一家獨(dú)大，國(guó)內(nèi)廠商正在崛起DRAM主要以顆粒和內(nèi)存條的形式應(yīng)用于終端DRAMDRAMPCDRM（DMUDIMMSODIMMLRDIMM。圖39：DRAM顆粒在手機(jī)主應(yīng)用示意圖 圖內(nèi)存條在PC上應(yīng)用示意圖資料來(lái)源：電子工程世界， 資料來(lái)源：電子工程世界，IDMDDR5內(nèi)存條出貨量處于高速成長(zhǎng)期2021IDM83%，全TrendForce的數(shù)據(jù)，2021181預(yù)計(jì)6.50億支，2022-20284%DDR56.42億支，2022-2028年復(fù)合增速97%，DDR55圖41：2018-2021年全球第三方內(nèi)存市場(chǎng)規(guī)模況 圖42：2022-2028年全球內(nèi)存條出貨預(yù)測(cè)（百支）資料來(lái)源：TrendForce， 資料來(lái)源：Yole，半導(dǎo)體行業(yè)觀察，的數(shù)據(jù)，2021SMARTModule分別以、、2.5%、、5.2%6.7%表3：2021年全球第三方內(nèi)存條供應(yīng)商市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局情況2021年DRAM模組營(yíng)收2021年DRAM模排名廠商名稱所在國(guó)家（億美元）組市占率1金士頓美國(guó)142.6178.7%2威剛科技中國(guó)臺(tái)灣6.403.5%3海盜船美國(guó)5.433.0%4SMARTModule美國(guó)4.592.5%5嘉合勁威中國(guó)大陸4.422.4%6金泰克中國(guó)大陸4.382.4%7記憶科技中國(guó)大陸3.431.9%8十銓美國(guó)1.680.9%9宜鼎中國(guó)臺(tái)灣1.640.9%10宇瞻中國(guó)臺(tái)灣1.450.8%其他5.102.8%合計(jì)181.13100%資料來(lái)源：TrendForce，IDM廠商主導(dǎo)全球NANDFlash模組市場(chǎng)，國(guó)內(nèi)廠商已在第三方市場(chǎng)崛起NANDFlash主要產(chǎn)品形態(tài)。NANDFlash主要以場(chǎng)景（）2021、、8%。圖43：2018-2021年全球NANDFlash主要產(chǎn)品形態(tài)市場(chǎng)規(guī)模占比情況資料來(lái)源：閃存市場(chǎng)，德明利招股說(shuō)明書(shū)，IDM的數(shù)據(jù)，2021SKSolidigm等NANDFlashTrendForce的8%、5%、3%、3%，中國(guó)大7%6%、6%、4%、4%；2021年前十大廠商總市場(chǎng)份額為72%，其中美國(guó)廠商總市場(chǎng)份額為26%19%27%圖44：2021年全球固態(tài)硬盤(pán)市場(chǎng)份情況 圖45：2021年全球第三方固態(tài)硬盤(pán)場(chǎng)份額情況資料來(lái)源：Yole，電子工程世界， 資料來(lái)源：TrendForce，IDM廠商主導(dǎo)全球eMMC及UFS市場(chǎng)，國(guó)內(nèi)廠商在第三方市場(chǎng)占據(jù)領(lǐng)先地位。嵌入式UFSeMMC2021eMMC及UFSSK、、、9.2%、IDM的市占圖46：2021年全球eMMC及UFS市場(chǎng)份額情況資料來(lái)源：閃存市場(chǎng)，佰維存儲(chǔ)招股說(shuō)明書(shū)，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器模組廠商不斷建立競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，有望持續(xù)提升市場(chǎng)份額Omida的數(shù)據(jù)，2021Lexar（）USSD20成長(zhǎng)空間。表4：國(guó)內(nèi)主要存儲(chǔ)模組廠商競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)比較情況模組廠商 產(chǎn)品布局 品牌 自研存芯片 自研主芯片 自建封嵌式儲(chǔ)、行業(yè)類存儲(chǔ)品牌FORESEE和國(guó)際高端消費(fèi)類存儲(chǔ)品牌自研SLCNAND行業(yè)類存儲(chǔ)品牌FORESEE和國(guó)際高端消費(fèi)類存儲(chǔ)品牌自研SLCNAND中山一期測(cè)試產(chǎn)Lexar（。2021小容量存儲(chǔ)芯深度參與主控線，擬收購(gòu)力成Lexar存儲(chǔ)卡全球市場(chǎng)份額位列片，出貨量累計(jì)芯片架構(gòu)的定蘇州70%股權(quán)第二名，U盤(pán)全球第三名，已超過(guò)1000萬(wàn)制。加強(qiáng)封測(cè)產(chǎn)線布SSD模組企業(yè)自有品牌渠道市場(chǎng)出貨量排名全球第四名。顆。局。eMCP、uMCP、LPDDR等，江波龍

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、eMMC、、eMCP、LPDDRU嵌入式存儲(chǔ)：UFS、eMMC，U嵌入式存儲(chǔ)：eMMC等，移動(dòng)存儲(chǔ)：U盤(pán)、存儲(chǔ)卡等。

佰維（Biwin）品牌主要面向ToB市場(chǎng)，子品牌佰微（cr（Predator）C2022年底收購(gòu)UDStore品牌切入嵌入式市場(chǎng)。創(chuàng)建自有品牌“朗”系列國(guó)產(chǎn)化固態(tài)硬盤(pán)及內(nèi)存產(chǎn)品線，有20多年的專業(yè)存儲(chǔ)品牌的行業(yè)基礎(chǔ)。

- -自研存儲(chǔ)主控- 入。- -

布局存儲(chǔ)封裝及測(cè)試工廠。資料來(lái)源：各公司年報(bào)，消費(fèi)電子需求回暖，供應(yīng)鏈廠商有望延續(xù)復(fù)蘇態(tài)勢(shì)MateMate60Pro。2023829日，華為推出了“HWIMe0roMe0roMe1億臺(tái)，Mate60Pro是史上最強(qiáng)大的Mate手機(jī)。Mate60Pro;Mate60ProMate60ProAl圖華為Mate60Pro示意圖 圖48：Mate60Pro是史上最強(qiáng)大的Mate手機(jī)資料來(lái)源：華為官網(wǎng)， 資料來(lái)源：華為官網(wǎng)，Mate60ProCounterpoint的數(shù)據(jù)，202337%，成為20231083%Mate60Pro智能手機(jī)市場(chǎng)復(fù)蘇。圖49：2023年10月前四周中國(guó)智能手機(jī)銷量情況 圖50：2023年10月中國(guó)主要智能手機(jī)廠商售量情況資料來(lái)源：CounterpointResearch， 資料來(lái)源：CounterpointResearch，23Q2的數(shù)據(jù)，202319%。圖51：2020-2023年全球可穿戴設(shè)備出貨量情況資料來(lái)源：Canalys，23Q2印度廠商N(yùn)oise、Fire-Boltt出貨量繼續(xù)保持高速成長(zhǎng)。根據(jù)Canalys的數(shù)據(jù)，2023年第二季度蘋(píng)果在全球可穿戴腕帶設(shè)備市場(chǎng)出貨量為810萬(wàn)部，以18%的市場(chǎng)份額位480430萬(wàn)13%Noise35093%，市場(chǎng)份額9%；Fire-Boltt以30086%7%。表5：23Q2全球可穿戴腕帶設(shè)備廠商市場(chǎng)份額情況23Q2出貨量23Q2市場(chǎng)份額22Q2出貨量22Q2市場(chǎng)份額23Q2同比增速公司（百萬(wàn)臺(tái)）（%）（百萬(wàn)臺(tái)）（%）（%）蘋(píng)果8.1188.420-3小米4.8114.8110華為4.3103.89+13Noise3.581.84+93Fire-Boltt3.071.64+86其他20.64721.351-3合計(jì)44.210041.7100+6資料來(lái)源：Canalys，IDC的數(shù)據(jù)，2023103PC1.4%5.3%，智能手表（市場(chǎng)銷23.6%圖52：2023年10月23日-11月3日中國(guó)智能終端零售市場(chǎng)銷量情況資料來(lái)源：IDC，23Q323Q3消費(fèi)23Q32024表6：A股部分消費(fèi)電子芯片設(shè)計(jì)公司23Q3營(yíng)收同比增速情況證券名稱23Q3營(yíng)收23Q3營(yíng)收23Q3歸母凈23Q3歸母凈利潤(rùn)證券代碼（億元）增速利潤(rùn)（億元）增速1688512.SH慧智微1.50187.84%-1.3534.88%2688798.SH艾為電子7.74108.57%-0.38-49.35%3688484.SH南芯科技5.45102.27%0.8083.72%4688325.SH賽微微電0.6686.03%0.15-787.26%5603893.SH瑞芯微6.0283.26%0.531319.46%6688601.SH力芯微2.6282.99%0.5079.52%7300782.SZ卓勝微14.0980.22%4.5294.30%8603160.SH匯頂科技11.7569.74%1.48-223.09%9688049.SH炬芯科技1.5764.91%0.2276.21%10688153.SH唯捷創(chuàng)芯7.2054.47%0.5885.29%11603501.SH韋爾股份62.2344.35%2.15-279.41%12688608.SH恒玄科技6.5435.67%0.69-0.79%資料來(lái)源：iFinD，自主可控疊加周期復(fù)蘇，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備及零部件、材料公司有望充分受益半導(dǎo)體設(shè)備及零部件市場(chǎng)空間廣闊329107617年復(fù)合增速為7.22%1328317年19.87%圖53：2005-2022年全球半導(dǎo)體設(shè)備場(chǎng)規(guī)模情況 圖54：2005-2022年中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備場(chǎng)規(guī)模情況 資料來(lái)源：日本半導(dǎo)體制造裝置協(xié)會(huì) 資料來(lái)源：日本半導(dǎo)體制造裝置協(xié)會(huì)半導(dǎo)體設(shè)備零部件市場(chǎng)空間廣闊40%-45%50%-55%為538億美元，2022年中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備零部件市場(chǎng)規(guī)模為142億美元。表7：2022年國(guó)內(nèi)主要半導(dǎo)體設(shè)備廠商直接材料占比情況公司名稱毛利率直接材料占比北方華創(chuàng)43.83%83.84%中微公司45.74%90.24%拓荊科技49.27%96.17%芯源微38.40%92.71%華海清科47.72%91.45%盛美上海48.90%90.23%長(zhǎng)川科技56.75%86.69%資料來(lái)源：各公司年報(bào)，美日荷廠商主導(dǎo)全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)。4721.4%2表8：2022年全球15大半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商情況排名廠商名稱所在國(guó)家收入規(guī)模（億美元）市場(chǎng)份額1應(yīng)用材料美國(guó)248.4317.32阿斯麥荷蘭223.0215.63泛林美國(guó)190.8413.34東京電子日本165.4011.55科磊美國(guó)104.847.36愛(ài)德萬(wàn)日本40.532.87迪恩士日本27.861.98ASM國(guó)際荷蘭25.391.89SEMES韓國(guó)22.491.610北方華創(chuàng)中國(guó)21.841.511DISCO日本21.321.512泰瑞達(dá)美國(guó)20.811.513Ulvac日本18.901.314佳能日本18.391.315Daifuku日本15.521.1資料來(lái)源：各公司公告，彭博，ICWorld2020年全4420家，占比約45%16家，占比約36%222190%10MKS儀器（MFC品、wrs（，vcdnry（射頻電源、Hi（MC，（真空閥件、Ichor（、UltraClean真空閥件、Brooks（機(jī)械手）及EBARA（干式真空泵）等，前十大半導(dǎo)體零部件公司市場(chǎng)份額超過(guò)50%。表9：2022年全球半導(dǎo)體設(shè)備零部件前10大供應(yīng)商情況元）1MKS元）1MKS儀器美國(guó)MFC、射頻電源、真空產(chǎn)品35.472Entegris美國(guó)氣體過(guò)濾器、潔凈室過(guò)濾器等32.823超科林美國(guó)真空閥件23.744Ichor美國(guó)模塊化氣體輸送系統(tǒng)及其他組件12.805VAT瑞士真空閥件12.006AdvancedEnergy美國(guó)射頻電源9.317Horiba日本MFC8.738EBARA日本干式真空泵7.769Brooks美國(guó)機(jī)械手5.9410Inficon瑞士真空計(jì)3.05

收入規(guī)模（億美資料來(lái)源：各公司公告，彭博，半導(dǎo)體設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率目前仍相對(duì)較低，未來(lái)自主開(kāi)發(fā)空間廣闊。目前我國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率仍處于快速提升的階段，自主開(kāi)發(fā)帶動(dòng)市場(chǎng)份額不斷提升，行業(yè)增長(zhǎng)及自主開(kāi)發(fā)共同驅(qū)動(dòng)國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備廠商高速成長(zhǎng)。根據(jù)中國(guó)電子專用設(shè)備工業(yè)協(xié)會(huì)的數(shù)據(jù)，2021年，國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備銷售額為385.5億元，同比增長(zhǎng)59%，占國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)銷售額的比重為20%，目前整體國(guó)產(chǎn)率仍處于相對(duì)較低的水平，未來(lái)自主開(kāi)發(fā)空間廣闊。圖55：2014-2021國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備銷售額及國(guó)產(chǎn)化率情況資料來(lái)源：中國(guó)電子專用設(shè)備工業(yè)協(xié)會(huì)，SEMI的數(shù)據(jù)，2020刻蝕機(jī)占20%;20%圖56：2020年全球半導(dǎo)體設(shè)備投資占比情況資料來(lái)源：SEMI，CMP表10：2021年中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率及國(guó)內(nèi)外廠商情況晶圓制造設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率國(guó)內(nèi)主要廠商國(guó)際主要廠商去膠設(shè)備80-90%屹唐股份PSK、泛林清設(shè)備 刻設(shè)備 量設(shè)備

盛美上海、至純科技、北方華創(chuàng)，芯源微中微公司、北方華創(chuàng)、屹唐半導(dǎo)體上海精測(cè)、上海睿勵(lì)、中科飛測(cè)

迪恩士、泛林、東京電子材料科磊CMP設(shè)備 30-40% 華清科 應(yīng)材料涂顯設(shè)備 20-30% 芯微 東電子應(yīng)用材料、泛林、東京薄沉設(shè)備 10-20% 北華、荊技電子光機(jī) <1% 上微子 阿麥佳、離注入 <1% 凱通中信 應(yīng)材、舍立資料來(lái)源：采招網(wǎng)，前瞻產(chǎn)業(yè)研究院，半導(dǎo)體行業(yè)觀察，表11：國(guó)內(nèi)重點(diǎn)半導(dǎo)體設(shè)備公司工藝制程節(jié)點(diǎn)情況設(shè)備種類國(guó)內(nèi)代表廠商0.5-0.13um90nm65/55nm40nm28nm14nm10nm7nm5nm3nm光刻機(jī)上海微電子刻蝕設(shè)備中微公司北方華創(chuàng)屹唐半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備（CVD）（PVD）（ALD）清洗設(shè)備盛美上海北方華創(chuàng)至純科技熱處理設(shè)備北方華創(chuàng)CMP華海清科涂膠顯影設(shè)備芯源微去膠機(jī)屹唐半導(dǎo)體離子注入機(jī)萬(wàn)業(yè)企業(yè)量測(cè)設(shè)備精測(cè)電子（膜厚及OCD）（缺）已量產(chǎn)研發(fā)中/驗(yàn)證中資料來(lái)源：各公司公告及官網(wǎng)，中原證券2023年前三季度半導(dǎo)體設(shè)備板塊業(yè)績(jī)表現(xiàn)亮眼。根據(jù)的數(shù)據(jù)，2023年前三季度半導(dǎo)體設(shè)備板塊營(yíng)業(yè)收入為336.52億元，同比增長(zhǎng)31.14%；2023年前三季度半導(dǎo)體設(shè)備板塊歸母凈利潤(rùn)為66.55億元，同比增長(zhǎng)29.85%；23Q3半導(dǎo)體設(shè)備板塊營(yíng)業(yè)收入為133.09億元，同比增長(zhǎng)25.24%，環(huán)比增長(zhǎng)20.55%；在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈自主可控驅(qū)動(dòng)下，半導(dǎo)體設(shè)備板塊2023年前三季度業(yè)績(jī)表現(xiàn)較為亮眼。23Q323Q3合44.04%62.36%23Q3存貨同比增49.72%23Q37.52%；芯23Q330.54%6.80%23Q385.17%，23Q323Q31.15%表12：國(guó)內(nèi)主要半導(dǎo)體設(shè)備廠商合同負(fù)債情況（億元）證券代碼證券名稱21Q321Q422Q122Q222Q322Q423Q123Q223Q323Q3YoY23Q3QoQ002371.SZ北方華創(chuàng)55.0350.4650.9056.7865.1271.9878.2285.8693.8044.04%9.25%688012.SH中微公司8.9313.7215.0015.9419.6921.9523.2018.0513.65-30.68%-24.38%688037.SH芯源微2.883.534.346.286.045.855.204.663.59-40.56%-22.96%688072.SH拓荊科技4.454.887.8010.879.2213.9716.3315.0614.9762.36%-0.60%688082.SH盛美上海2.673.644.433.986.628.229.4410.167.4512.54%-26.67%688120.SH華海清科7.798.3610.0310.6413.0413.3412.6512.7319.64%0.63%資料來(lái)源：各公司公告表13：國(guó)內(nèi)主要半導(dǎo)體設(shè)備廠商存貨情況（億元）證券代碼證券名稱21Q321Q422Q122Q222Q322Q423Q123Q223Q323Q3YoY23Q3QoQ002371.SZ北方華創(chuàng)76.0880.3597.12107.1115.74130.41150.1167.3173.349.72%3.59%688012.SH中微公司16.5817.6220.9524.8732.434.0237.0538.0540.9126.27%7.52%688037.SH芯源微8.59.3210.8211.6612.8712.1314.415.7316.830.54%6.80%688072.SH拓荊科技9.789.5312.9415.6320.922.9727.1732.8838.785.17%17.70%688082.SH盛美上海11.5814.4317.2819.3723.0826.931.5633.1536.0556.20%8.75%688120.SH華海清科14.7616.7519.5422.5423.6123.0521.9122.81.15%4.06%資料來(lái)源：各公司公告自主可控疊加周期復(fù)蘇，國(guó)產(chǎn)化率較低的環(huán)節(jié)及具備突破先進(jìn)制程能力的設(shè)備公司有望充分受益。2023年前三季度國(guó)內(nèi)主要半導(dǎo)體設(shè)備公司經(jīng)營(yíng)業(yè)績(jī)?nèi)蕴幱诟咚俪砷L(zhǎng)中，目前在手訂單仍處于相對(duì)較好水平。2024年全球半導(dǎo)體景氣周期有望復(fù)蘇，SEMI預(yù)計(jì)2024年全球晶圓廠設(shè)備支出將恢復(fù)增長(zhǎng)；國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備公司不斷進(jìn)行高額研發(fā)投入，并逐步突破先進(jìn)制程；國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率仍然相對(duì)較低，自主可控需求迫切，自主開(kāi)發(fā)在加速進(jìn)行中，國(guó)產(chǎn)化率較低的環(huán)節(jié)及具備突破先進(jìn)制程能力的公司有望充分受益。國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備零部件廠商自主開(kāi)發(fā)正當(dāng)時(shí)，未來(lái)成長(zhǎng)空間巨大國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備零部件廠商目前營(yíng)收規(guī)模較小，未來(lái)成長(zhǎng)空間巨大。目前國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備零部件廠商半導(dǎo)體業(yè)務(wù)規(guī)模最大的富創(chuàng)精密2022年?duì)I收在15億元左右，其他均小于10億元，相較于中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備零部件市場(chǎng)140億美元左右的市場(chǎng)規(guī)模，目前國(guó)內(nèi)廠商體量較小，處于自主開(kāi)發(fā)早期階段，未來(lái)成長(zhǎng)空間廣闊。國(guó)內(nèi)廠商將延續(xù)海外龍頭廠商成長(zhǎng)路徑，未來(lái)持續(xù)高成長(zhǎng)確定性高。國(guó)內(nèi)廠商目前正在GNBCompartSystems國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備成長(zhǎng)空間廣闊，半導(dǎo)體設(shè)備零部件自主開(kāi)發(fā)正當(dāng)時(shí)。目前半導(dǎo)體設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率仍相對(duì)較低，國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備處于高速成長(zhǎng)期，未來(lái)成長(zhǎng)空間廣闊。在國(guó)際地緣政治沖突的背景下，國(guó)內(nèi)零部件企業(yè)在供應(yīng)鏈安全、成本、服務(wù)等方面具有優(yōu)勢(shì)，半導(dǎo)體設(shè)備零部件自主開(kāi)發(fā)正當(dāng)時(shí)，未來(lái)成長(zhǎng)空間巨大。表14：國(guó)內(nèi)主要半導(dǎo)體設(shè)備零部件廠商情況廠商名稱 主要產(chǎn)及入占比 22年財(cái)務(wù)MFC、射頻電源、真空產(chǎn)品、

3

進(jìn)入海外設(shè)備廠商情況

進(jìn)入國(guó)內(nèi)設(shè)備廠商和晶圓廠情況北方華創(chuàng)、中微公司、

60%左。腔體51.39%21.16%。61%12%。精密零部件，以金屬和陶瓷為主，應(yīng)用于半導(dǎo)體和平板顯示領(lǐng)域。括BTP

15.44億，6.69億，營(yíng)收3.58億

82.74% 國(guó)際客戶A27.75% 超科林、ICHOR、捷普、天弘，通過(guò)代工25.79%廠進(jìn)入應(yīng)用材料、泛林等22年同比增長(zhǎng)94.51%

上海微電子、芯源微、拓荊科技、華海清科、中科信裝備、凱世通

器M

營(yíng)收9.2億 應(yīng)材、資料來(lái)源：各公司年報(bào)，晶圓廠產(chǎn)能利用率回升疊加自主開(kāi)發(fā)加速，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體材料廠商有望迎來(lái)復(fù)蘇中國(guó)為全球第二大半導(dǎo)體材料市場(chǎng)SEMI2022727447280億美202213033%13%7%，CMP7%4%3%。圖57：2022年全球半導(dǎo)體材料細(xì)分市場(chǎng)規(guī)模占比情況資料來(lái)源：SEMI，目前我國(guó)半導(dǎo)體材料國(guó)產(chǎn)化率仍相對(duì)較低，未來(lái)自主開(kāi)發(fā)空間廣闊。目前我國(guó)已基本實(shí)現(xiàn)重點(diǎn)半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的布局，但半導(dǎo)體材料國(guó)產(chǎn)化率仍相對(duì)較低，特別是在光刻膠、電子特氣等技術(shù)壁壘較高的領(lǐng)域，隨著國(guó)內(nèi)晶圓廠供應(yīng)鏈國(guó)產(chǎn)化加速推進(jìn)，未來(lái)自主開(kāi)發(fā)空間廣闊。表15：2022年中國(guó)半導(dǎo)體材料國(guó)產(chǎn)化率及國(guó)內(nèi)外廠商情況材料名稱國(guó)產(chǎn)化率國(guó)內(nèi)主要廠商國(guó)際主要廠商硅片9%滬硅產(chǎn)業(yè)、中環(huán)股份、立昂微信越、SUMCO、環(huán)球晶圓光掩模30%路維光電、清溢科技Toppon、福尼克斯、DNP光刻膠<5%晶瑞股份、南大光電JSR、TOK、杜邦、信越電子特氣<5%金宏氣體、華特氣體林德、法液空、空氣化工濕電子化學(xué)品3%江化微、晶瑞股份、中巨芯巴斯夫、杜邦靶材20%江豐電子日礦、霍尼韋爾、東曹CMP拋光材料20%鼎龍股份、安集科技Cabot、陶氏化學(xué)、杜邦資料來(lái)源：智研咨詢，晶圓廠產(chǎn)能利用率回升疊加自主開(kāi)發(fā)加速，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體材料廠商有望迎來(lái)復(fù)蘇。根據(jù)的數(shù)據(jù)，2023年前三季度半導(dǎo)體材料廠商實(shí)現(xiàn)營(yíng)收250.34億元，同比下降11.11%；2023年前三季度半導(dǎo)體材料廠商實(shí)現(xiàn)歸母凈利潤(rùn)18.62億元，同比下降30.94%。目前晶圓廠產(chǎn)能利用率已基本企穩(wěn)，2024年有望逐步回升，以及國(guó)內(nèi)晶圓廠在加快導(dǎo)入國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體材料，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體材料廠商有望迎來(lái)復(fù)蘇，對(duì)于光刻膠等國(guó)產(chǎn)化率較低的環(huán)節(jié)或更具成長(zhǎng)性。人工智能進(jìn)入算力新時(shí)代，硬件基礎(chǔ)設(shè)施迎來(lái)黃金發(fā)展期AI大模型推動(dòng)算力需求呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)，AI算力芯片迎來(lái)高速成長(zhǎng)期ChatGPT熱潮引發(fā)全球科技巨頭的加速布局AI大模型。ChatGPT是由美國(guó)初創(chuàng)公司OpenAI開(kāi)發(fā)、在2022年11月發(fā)布上線的人工智能對(duì)話機(jī)器人，ChatGPT標(biāo)志著自然語(yǔ)言AIChatGPT1ChatGPT、谷歌AI圖在線服務(wù)平臺(tái)突破百用戶所需時(shí)（月） 圖59：AIGC產(chǎn)業(yè)生態(tài)體系資料來(lái)源：UBS， 資料來(lái)源：騰訊研究院，AIGC市場(chǎng)有望呈現(xiàn)爆發(fā)式增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)IDCAIAIGCAI8.2AI計(jì)算占AI。圖60：AIGC模型應(yīng)用示意圖 圖年全球生成式AI計(jì)算市場(chǎng)規(guī)模測(cè)資料來(lái)源：智東西， 資料來(lái)源：IDC，大模型訓(xùn)練過(guò)程消耗海量算力年發(fā)表的論文《LanguageModelsareFew-ShotLearners數(shù)量等有6=6175B億個(gè)，經(jīng)計(jì)3.14E+23PFLOPS模型需要的總算力約為PF-days天。表16：不同模型訓(xùn)練算力情況總訓(xùn)練計(jì)算量參數(shù)量訓(xùn)練Token數(shù)量模型（PF-days）（PFLOPS）（百萬(wàn)）（十億）T5-Small2.08E+001.80E+20601000T5-Base7.64E+006.60E+202201000T5-Large2.67E+012.31E+217701000T5-3B1.04E+029.00E+2130001000T5-11B3.82E+023.30E+22110001000BERT-Base1.89E+001.64E+20109250BERT-Large6.16E+005.33E+20355250RoBERTa-Base1.74E+011.50E+211252000RoBERTa-Large4.93E+014.26E+213552000GPT-3Small2.60E+002.25E+20125300GPT-3Medium7.42E+006.41E+20356300GPT-3Large1.58E+011.37E+21760300GPT-3XL2.75E+012.38E+211320300GPT-32.7B5.52E+014.77E+212650300GPT-36.7B1.39E+021.20E+226660300GPT-313B2.68E+022.31E+2212850300GPT-3175B3.64E+033.14E+23174600300資料來(lái)源：《LanguageModelsareFew-ShotLearners》，OpenAI官網(wǎng)，AIGPT1.1715億，再到億；訓(xùn)練數(shù)據(jù)量也由GPT5GB40GB45TB。AI表17：各代GPT模型參數(shù)量與預(yù)訓(xùn)練數(shù)據(jù)量情況公司名稱發(fā)布時(shí)間參數(shù)量預(yù)訓(xùn)練數(shù)據(jù)量GPT2018年6月1.17億5GBGPT-22019年2月15億40GBGPT-32020年5月1750億45TBGPT-42023年3月--資料來(lái)源：OpenAI官網(wǎng)，AI大、Gartner、、中國(guó)信通院、華為GIV615EFLOPS203056ZFLOPSIDC2022年中268EFLOPSEFLOPS2022-2026年。圖年全球算力規(guī)模情況預(yù)（EFLOPS） 圖63：2019-2026年中國(guó)智能算力市規(guī)模預(yù)測(cè)資料來(lái)源：IDC，Gartner，TOP500，中國(guó)信通院， 資料來(lái)源：IDC，CPUGPU、FPGA、NPU等。圖64：人工智能系統(tǒng)產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)圖資料來(lái)源：電子工程世界，AIAI長(zhǎng)AIAI服務(wù)AI服IDC的數(shù)據(jù)，2020AI億美元，2025年266IDC的數(shù)據(jù)，20226724%年中國(guó)164億美元，2022-2027。圖65：2020-2025年全球AI服務(wù)器市場(chǎng)規(guī)模情及測(cè) 圖66：2023-2027年中國(guó)加速計(jì)算服器市場(chǎng)預(yù)測(cè) 資料來(lái)源：IDC， 資料來(lái)源：IDC，AI算力芯片占AI服務(wù)器成本主要部分。CPU+GPU是目前AI服務(wù)器主流的異構(gòu)計(jì)算系統(tǒng)方案，根據(jù)IDC2018年服務(wù)器成本構(gòu)成的數(shù)據(jù)，推理型和機(jī)器學(xué)習(xí)型服務(wù)器中CPU+GPU成本占比達(dá)到50-82.6%，其中機(jī)器學(xué)習(xí)型服務(wù)器GPU成本占比達(dá)到72.8%。圖67：2018年服務(wù)器成本構(gòu)成情況 圖68：CPU+GPU異構(gòu)計(jì)算系統(tǒng)方案框圖 資料來(lái)源：IDC， 資料來(lái)源：英偉達(dá)，AIGPU為主，NPU成長(zhǎng)迅速。AIAIAIAICPU、GPUDSPFPGAAITPU、NPU、ASIC數(shù)據(jù)，2021GPU89%的市場(chǎng)AINPU的市場(chǎng)份額，NPUNPUASIC和FPGA1%LiftrInsightsAI加速市場(chǎng)，2022Xilinx8%、4%，AMD、Intel、Google2%。圖69：2021年中國(guó)AI芯片市場(chǎng)結(jié)構(gòu)情況 圖70：2022年AI加速芯片市場(chǎng)競(jìng)格局情況資料來(lái)源：IDC， 資料來(lái)源：LiftrInsights，GPUAIAI算力需求爆發(fā)浪潮。GPUAIAIGPUMarketResearch的數(shù)據(jù)，2020GPU254年市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)億美元，2020-2028GPUJonPeddieResearch的數(shù)據(jù)，23Q3GPU87%，AMD10%3%。圖71：2020-2028全球GPU市場(chǎng)規(guī)模情況及測(cè) 圖72：23Q3全球GPU市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局情況資料來(lái)源：VerifiedMarketResearch，同花順， 資料來(lái)源：JonPeddieResearch，同花順，AI年前億23Q3億美元，同比145279%，環(huán)AIGPU圖73：20Q4-23Q3英偉達(dá)季度營(yíng)業(yè)收入情況 圖74：20Q4-23Q3英偉達(dá)季度凈利潤(rùn)情況 資料來(lái)源：英偉達(dá)公司公告， 資料來(lái)源：英偉達(dá)公司公告，美國(guó)對(duì)高端GPU供應(yīng)限制不斷趨嚴(yán)，國(guó)產(chǎn)AI算力芯片廠商迎來(lái)黃金發(fā)展期。2022年8月31日，英偉達(dá)、AMD生產(chǎn)的高性能GPU產(chǎn)品被美國(guó)列入出口限制范圍，英偉達(dá)被限制的產(chǎn)品包括A100和H100等，AMD受管制GPU產(chǎn)品包括MI100和MI200系列等；2023年10月17日，美國(guó)商務(wù)部對(duì)先進(jìn)算力芯片出口管制進(jìn)一步趨嚴(yán)。在先進(jìn)算力芯片海外監(jiān)管日益趨嚴(yán)的背景下，有望加速推進(jìn)AI算力芯片自主開(kāi)發(fā)的進(jìn)程，國(guó)產(chǎn)AI算力芯片廠商迎來(lái)黃金發(fā)展期。DCUGPGPU，AIGCDCU業(yè)務(wù)保持快速增長(zhǎng)DCUGPGPUDCU系GPGPU利；海光DCUAIGCAIGCDCU速增長(zhǎng)。表18：主流GPU性能對(duì)比情況廠商英偉達(dá)AMD海光信息型號(hào)A100MI100深算一號(hào)發(fā)布時(shí)間2020年11月2020年11月2021年工藝制程7nm7nm7nm核心數(shù)量2560CUDA120CUs64CUs內(nèi)核頻率1.53Ghz1.7Ghz1.7GhzFP32算力19.5TFLOPS23.1TFLOPS-FP16算力312TFLOPS184.6TFLOPS-INT8算力624TLOPS184.6TLOPS-顯存容量80GB32GB32GB顯存帶寬2093GB/s1228GB/s1024GB/sGPU間互聯(lián)速率600GB/s276GB/s184GB/s功耗400W300W350W資料來(lái)源：各公司官網(wǎng)，專用型AI芯片專用于人工智能領(lǐng)域，國(guó)產(chǎn)專用型AI芯片廠商進(jìn)入高速發(fā)展期。專用型AI芯片是專門針對(duì)人工智能領(lǐng)域設(shè)計(jì)的芯片，其架構(gòu)和指令集針對(duì)人工智能領(lǐng)域中的各類算法和應(yīng)用作了專門優(yōu)化，可高效支持視覺(jué)、語(yǔ)音、自然語(yǔ)言處理和傳統(tǒng)機(jī)器學(xué)習(xí)等智能處理任務(wù)。在人工智能領(lǐng)域，專用型AI芯片的優(yōu)勢(shì)明顯，可以替代CPU、GPU等傳統(tǒng)芯片。國(guó)內(nèi)專用型AI芯片以寒武紀(jì)思元系列、華為昇騰系列等為代表，寒武紀(jì)和華為昇騰部分AI芯片產(chǎn)品性能已達(dá)到較高水平，有望加速實(shí)現(xiàn)自主開(kāi)發(fā)，進(jìn)入高速發(fā)展期。表19：寒武紀(jì)與華為昇騰專用型AI芯片性能指標(biāo)對(duì)比情況廠商 寒武紀(jì) 華為昇騰型號(hào)工藝制程思元3707nm思元2907nm思元27016nm昇騰31012nm昇騰9107nmFP32算力24TFLOPS23.1TFLOPS---FP16算力96TFLOPS184.6TFLOPS-8TLOPS320TFLOPSINT16算力128TLOPS256TLOPS64TLOPS--INT8算力256TLOPS512TLOPS128TLOPS16TLOPS640TLOPS功耗150W150W70W8W310W資料來(lái)源：各公司官網(wǎng)，AIAIAI基AIAICANN（、AI石，已經(jīng)建立了良好的生態(tài)系統(tǒng)，具有較強(qiáng)的競(jìng)爭(zhēng)力，關(guān)注昇騰計(jì)算產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)的投資機(jī)會(huì)。圖昇騰計(jì)算系統(tǒng)架構(gòu)框圖 圖昇騰計(jì)算產(chǎn)業(yè)生態(tài)圖資料來(lái)源：昇騰計(jì)算產(chǎn)業(yè)發(fā)展白皮書(shū)， 資料來(lái)源：昇騰計(jì)算產(chǎn)業(yè)發(fā)展白皮書(shū)，Chiplet適用于高性能計(jì)算場(chǎng)景，將助力于算力升級(jí)浪潮Chiplet是后摩爾時(shí)代滿足AI芯片性能提升的關(guān)鍵技術(shù)。ChatGPT帶動(dòng)算力需求成指數(shù)AIAIChipletChiplet技術(shù)Chiplet主要適圖半導(dǎo)體制造工藝節(jié)點(diǎn)進(jìn)路線圖 圖78：Chiplet系統(tǒng)空間內(nèi)的功密度將持續(xù)長(zhǎng)資料來(lái)源：Yole， 資料來(lái)源：SiP與先進(jìn)封裝技術(shù)，ChipletChiplet（芯粒）IPChiplet（3D集成等）圖基于Chiplet的IC示意圖 圖基于IP和Chiplet片上系統(tǒng)封裝示意圖 資料來(lái)源：半導(dǎo)體行業(yè)觀察， 資料來(lái)源：半導(dǎo)體行業(yè)觀察，ChipletIP。ChipletSoCIPIPIPCPU圓廠工藝。Chiplet7nm、5nm圖81：Chiplet生態(tài)系統(tǒng)中的IP 圖基于Chiplet異構(gòu)架構(gòu)應(yīng)用處理的示意圖資料來(lái)源：半導(dǎo)體行業(yè)觀察， 資料來(lái)源：芯原股份年報(bào)，ChipletDie良率會(huì)DieDie12英寸的晶圓Die18mmx20mm(360mm2)150顆，而其四分之一大小的Die9.5mmx10.5mm(99mm2)62214%360mm2的單體（Monolithic）芯片，4顆Chiplet(99mm2)237%ChipletChiplet圖83：小尺寸與大尺寸Die芯片可利用面積對(duì)比情況圖84：Chiplet與Monolithic芯片設(shè)計(jì)良率對(duì)比資料來(lái)源：WikiChip， 資料來(lái)源：WikiChip，Chiplet未來(lái)市場(chǎng)空間廣闊。ChipletChipletOmdia2024年采Chiplet58570億美元，復(fù)合增速為23.09%。圖85：全球Chiplet芯片市場(chǎng)規(guī)模預(yù)測(cè)（億美元）資料來(lái)源：Omdia，同花順，ChipletChiplet的大規(guī)模異構(gòu)計(jì)算平臺(tái)AMDChiplet。AMDZen2架構(gòu)便開(kāi)ChipletZen2CCD一個(gè)CCX模組包含四個(gè)Zen2內(nèi)核)、L2和L3DieInfinityFabricAMD將昂7Die(CCD)上，而將DRAMPCIeI/ODie上；AMD通過(guò)使用ChipletZen2圖86：Zen2Chiplet架構(gòu)示意圖 圖87：Chiplet可以降低芯片成本資料來(lái)源：AMD， 資料來(lái)源：AMD，AMDGPUChiplet時(shí)代，ChipletMI300算力大幅提升。3DChiplet年推出了RDNA3GPU進(jìn)Chiplet時(shí)代。RDNA3Navi31GCD（GraphicsComputeDie）和六個(gè)MC（MmryCceDi，RN3Nvi1U相比于Nvi1542.7倍。年AMDCPU+GPUAPUMI300Zen424CPU核心、CDNA3GPUHBM3Chiplet技術(shù)，重點(diǎn)應(yīng)用于數(shù)據(jù)中心的高性能計(jì)算及人工智能領(lǐng)域，相較于上一代的MI250，提升了8倍的AI訓(xùn)練算力和5倍的AI能效，MI300標(biāo)志著AMD正式進(jìn)入AI訓(xùn)練市場(chǎng)。圖88：AMDMI300產(chǎn)品示意圖 圖89：AMDMI300相比MI250提升8倍算力資料來(lái)源：AMD， 資料來(lái)源：AMD，ChipletGH200。529GraceHopper是將72GraceCPU、H100GPU、96GBHBM3512GB的LPDDR5XChipletCPUGPU之間高達(dá)/sAI圖英偉達(dá)GH200超級(jí)芯片 圖英偉達(dá)GH200內(nèi)部架構(gòu)框圖資料來(lái)源：英偉達(dá)， 資料來(lái)源：英偉達(dá)，、3D以及晶圓級(jí)封裝2.5D、3Drvlcka。D（irsr）TSV2.5DTSV2.5D3DTSVTSV則3DTSV。圖92：主要的先進(jìn)封裝類型資料來(lái)源：SiP與先進(jìn)封裝技術(shù)，ChipletGH200和AMDMI300CPU+GPUChiplet、10nm、28nm、ChipletSilicon、GaN、、InPChiplet圖93：Chiplet異構(gòu)集成示意圖 圖94：Chiplet異質(zhì)集成示意圖資料來(lái)源：SiP與先進(jìn)封裝技術(shù)， 資料來(lái)源：SiP與先進(jìn)封裝技術(shù)，3DChiplet將是先進(jìn)封裝技術(shù)未來(lái)的發(fā)展趨勢(shì)。結(jié)構(gòu)上3DChiplet就是將Chiplet通過(guò)3DTSV集成在一起，為了提高互連密度，3DChiplet采用了沒(méi)有凸點(diǎn)的垂直互連結(jié)構(gòu)，因此其互連密度更高。AMD在2021年首先將3DChiplet應(yīng)用在Zen3處理器的3DV-Cache上，將包含有64MBL3Cache的chiplet以3D堆疊的形式與處理器封裝在一起。AMD表示CPU上的DRAM只是通過(guò)3D堆疊實(shí)現(xiàn)目標(biāo)的開(kāi)始，未來(lái)將利用3DChiplet實(shí)現(xiàn)核心堆疊在核心之上，3DChiplet將是先進(jìn)封裝技術(shù)未來(lái)的發(fā)展趨勢(shì)。圖95：AMDZen3處理器3D