電力電子器件第5講

1.4電力電子器件的驅(qū)動電路1〕、驅(qū)動電路功能：是主電路與控制電路之間的接口使電力電子器件任務(wù)在較理想的開關(guān)形狀，縮短開關(guān)時間，減小開關(guān)損耗，提高運轉(zhuǎn)效率、對安裝的可靠性和平安性都有重要的意義。2〕、驅(qū)動電路的根本義務(wù)：將信息電子電路傳來的信號，轉(zhuǎn)換為電力電子器件所要求的開通或關(guān)斷的信號，及必要的隔離電路。

對半控型器件只需提供開通控制信號。對全控型器件那么既要提供開通控制信號，又要提供關(guān)斷控制信號。(1-1)0電力電子器件驅(qū)動電路概述驅(qū)動電路(1-2)光耦合器的類型及接法a)普通型b)高速型c)高傳輸比型3〕、隔離電路：普通采用光隔離或磁隔離?！窆飧綦x普通采用光耦合器●磁隔離的元件通常是脈沖變壓器(1-3)按照驅(qū)動信號的性質(zhì)分，可分為電流驅(qū)動型和電壓驅(qū)動型。驅(qū)動電路詳細(xì)方式可為分立元件的，但目前的趨勢是采用公用集成驅(qū)動電路。雙列直插式集成電路及將光耦隔離電路也集成在內(nèi)的混合集成電路。為到達(dá)參數(shù)最正確配合，首選所用器件消費廠家專門開發(fā)的集成驅(qū)動電路。4〕、分類(1-4)5〕、集成驅(qū)動模塊的特點驅(qū)動電路可輸出要求的驅(qū)動電流，確?？焖儆行У膶?dǎo)通和關(guān)斷，縮短存儲時間。導(dǎo)通時監(jiān)控集射極飽和壓降，自動調(diào)理功率開關(guān)管驅(qū)動電流，維持功率開關(guān)管處于臨界飽和形狀?？纱?lián)電阻檢測集電極電流，實現(xiàn)過流維護(hù)。電源正負(fù)電壓檢測，熱維護(hù)，欠壓維護(hù)功能。有的還具有高速輸入輸出隔離功能。防止直通景象發(fā)生。(1-5)1晶閘管的觸發(fā)電路作用：產(chǎn)生符合要求的門極觸發(fā)脈沖，保證晶閘管在需求的時辰由阻斷轉(zhuǎn)為導(dǎo)通。晶閘管導(dǎo)通條件？？晶閘管驅(qū)動電路的要求驅(qū)動信號〔交流，直流，脈沖〕驅(qū)動信號有足夠的功率〔驅(qū)動電壓，驅(qū)動電流〕驅(qū)動信號的寬度〔消逝前到達(dá)擎住電流〕和陡度〔大于10V/us或800mA/us〕不超越門極電壓、電流和功率定額，且在可靠觸發(fā)區(qū)域之內(nèi)。有良好的抗干擾性能、溫度穩(wěn)定性及與主電路的電氣隔離。tIIMt1t2t3t4理想的晶閘管觸發(fā)脈沖電流波形t1~t2脈沖前沿上升時間〔<1s〕t1~t3強(qiáng)脈寬度IM強(qiáng)脈沖幅值〔3IGT~5IGT〕t1~t4脈沖寬度I脈沖平頂幅值〔1.5IGT~2IGT〕晶閘管的觸發(fā)電路(1-6)V1、V2構(gòu)成脈沖放大環(huán)節(jié)。脈沖變壓器TM和附屬電路構(gòu)成脈沖輸出環(huán)節(jié)。

V1、V2導(dǎo)通時，經(jīng)過脈沖變壓器向晶閘管的門極和陰極之間輸出觸發(fā)脈沖。常見的晶閘管觸發(fā)電路常見的晶閘管觸發(fā)電路(1-7)(1)GTOGTO的開通控制與普通晶閘管類似。GTO關(guān)斷控制需施加負(fù)門極電流。圖1-28引薦的GTO門極電壓電流波形OttOuGiG2GTO的驅(qū)動電路正的門極電流5V的負(fù)偏壓GTO驅(qū)動電路通常包括開通驅(qū)動電路、關(guān)斷驅(qū)動電路和門極反偏電路三部分，可分為脈沖變壓器耦合式和直接耦合式兩種類型。變壓器二次側(cè)N2、N3的電壓滿足如下要求uN2正半周，經(jīng)VD1使C1充上+5V電壓。uN2負(fù)半周，經(jīng)VD2使C2充上10V電壓。uN2下一正半周，經(jīng)VD3使C3充上＋15V電壓。VD4和電容C4提供-15V電壓。V1開通時，輸出正強(qiáng)脈沖，GTO導(dǎo)通。V2開通〔V1關(guān)〕時輸出+5V電壓，保證可靠導(dǎo)通。V2關(guān)斷而V3開通時輸出負(fù)脈沖，使GTO關(guān)斷。V3關(guān)斷后R3和R4提供約－5V門極負(fù)偏壓，保證可靠關(guān)斷。(1-8)直接耦合式驅(qū)動電路可防止電路內(nèi)部的相互關(guān)擾和寄生振蕩，可得到較陡的脈沖前沿。目前運用較廣，但其功耗大，效率較低。典型的直接耦合式GTO驅(qū)動電路(1-9)恒壓源關(guān)斷控制電路變壓源關(guān)斷控制電路〔1〕恒壓源關(guān)斷控制〔2〕變壓源關(guān)斷控制(1-10)開通驅(qū)動電流應(yīng)使GTR處于飽和導(dǎo)通形狀，小功率電路中，為使GTR便于關(guān)斷，可使之任務(wù)在準(zhǔn)飽和導(dǎo)通形狀。關(guān)斷GTR時，施加一定的負(fù)基極電流有利于減小關(guān)斷時間和關(guān)斷損耗。關(guān)斷后同樣應(yīng)在基射極之間施加一定幅值〔6V左右〕的負(fù)偏壓。tOib理想的GTR基極驅(qū)動電流波形3BJT〔GTR〕的驅(qū)動電路GTR驅(qū)動電路，包括電氣隔離和晶體管放大電路兩部分※主電路未畫出，V為GTR任務(wù)過程：A高電平，V1、2通，V3止，V4、5通，V(GTR)通。A低電平，V1、2止，V3通，V4、5止。在UC2作用下，V6導(dǎo)通，V反偏截止，VS通，使V截止更可靠。二極管VD2和VD3構(gòu)成貝克箝位電路〔即抗飽和電路〕，使集電極電位低于基極電位時，VD2會自動導(dǎo)通，使Vce維持在0.7V，使GTR處于準(zhǔn)飽和形狀。C2為加速電容，可提高脈沖前沿陡度，降低開通時間。同時也是V的關(guān)斷電源。注UCE=0.7-3V為準(zhǔn)飽和驅(qū)動GTR的集成驅(qū)動電路中，THOMSON公司的UAA4002和三菱公司的M57215BL較為常見。(1-12)電力MOSFET和IGBT是電壓驅(qū)動型器件。為快速建立驅(qū)動電壓，要求驅(qū)動電路輸出電阻小。觸發(fā)脈沖前后沿要峻峭〔足夠快的上升、下降速度〕使MOSFET開通的驅(qū)動電壓普通10~15V〔多用10V〕，使IGBT開通的驅(qū)動電壓普通15~18V〔多用15V〕?！哺哂诠茏拥拈_啟電壓〕關(guān)斷時施加一定幅值的負(fù)驅(qū)動電壓〔普通取-5~-15V〕有利于減小關(guān)斷時間和關(guān)斷損耗。所需的驅(qū)動電流為柵極電容的充放電電流在柵極串入一只低值電阻〔數(shù)十歐左右〕可以減小寄生振蕩，該電阻阻值應(yīng)隨被驅(qū)動器件電流額定值的增大而減小。驅(qū)動電源需并聯(lián)旁路電容，消除噪聲，給負(fù)載提供瞬時電流，加快開關(guān)速度。電壓驅(qū)動型器件的驅(qū)動電路特點4MOSFET的驅(qū)動電路M高電平V1通，運放A輸出高電平，V2導(dǎo)通輸出正驅(qū)動電壓，使MOSFET導(dǎo)通。無輸入信號時，運放A輸出負(fù)電平，V3導(dǎo)通，使MOSFET控制〔柵〕極放電，并接受反壓而關(guān)斷。(1-13)電氣隔離和晶體管放大電路兩部分電力MOSFET的一種驅(qū)動電路：(1-14)舉例：電力MOSFET的一種集成驅(qū)動芯片TLP250它的最大輸出電流1.5A，它不僅可以驅(qū)動電力MOSFET，也可以驅(qū)動IGBT，200A以下的管子可以直接驅(qū)動。專為驅(qū)動電力MOSFET而設(shè)計的混合集成電路有三菱公司的M57918L，其輸入信號電流幅值為16mA，輸出最大脈沖電流為+2A和-3A，輸出驅(qū)動電壓+15V和-10V?！癯Ｓ玫挠腥夤镜腗579系列〔如M57962L和M57959L〕和富士公司的EXB系列〔如EXB840、EXB841、EXB850和EXB851〕●內(nèi)部具有退飽和檢測和維護(hù)環(huán)節(jié)，當(dāng)發(fā)生過電流時能快速呼應(yīng)但慢速關(guān)斷IGBT，并向外部電路給出缺點信號?！馦57962L輸出的正驅(qū)動電壓均為+15V左右，負(fù)驅(qū)動電壓為-10V。M57962L型IGBT驅(qū)動器的原理和接線圖4IGBT的驅(qū)動電路〔多采用公用的混合集成驅(qū)動器〕(1-16)外因過電壓：主要來自雷擊和系統(tǒng)操作過程等外因操作過電壓：由分閘、合閘等開關(guān)操作引起浪涌過電壓：由雷擊引起〔避雷器、壓敏電阻〕內(nèi)因過電壓：主要來自電力電子安裝內(nèi)部器件的開關(guān)過程換相過電壓：SCR及二極管換流時，會有較大的反向電流流過，當(dāng)恢復(fù)了阻斷才干時，該反向電流急劇減小，線路電感在器件兩端感應(yīng)出過電壓?！睷C維護(hù)〕關(guān)斷過電壓：全控型器件關(guān)斷時，正向電流迅速降低而由線路電感在器件兩端感應(yīng)出的過電壓?！睷CD維護(hù)電路〕電力電子安裝能夠的過電壓——外因過電壓和內(nèi)因過電壓1.4電力電子器件的維護(hù)1過電壓維護(hù)電力電子器件的過載才干差，短時間的過壓、過流均會呵斥器件損壞。因此維護(hù)那么成為保證器件可靠運轉(zhuǎn)的重要一環(huán)。(1-17)過電壓制制措施及配置位置F避雷器D變壓器靜電屏蔽層C靜電感應(yīng)過電壓制制電容RC1閥側(cè)浪涌過電壓制制用RC電路RC2閥側(cè)浪涌過電壓制制用反向阻斷式RC電路RV壓敏電阻過電壓制制器RC3閥器件換相過電壓制制用RC電路RC4直流側(cè)RC抑制電路RCD閥器件關(guān)斷過電壓制制用RCD電路電力電子安裝可視詳細(xì)情況只采用其中的幾種。其中RC3和RCD為抑制內(nèi)因過電壓的措施，屬于緩沖電路范疇。過電壓維護(hù)措施過電壓維護(hù)措施〔1〕用RC抑制過電壓利用電容兩端電壓不能突變，抑制過電壓。但為防止電容放電時經(jīng)過SCR的電流過大和抑制振蕩，需串入電阻，從而構(gòu)成了阻容維護(hù)電路。①交流側(cè)的阻容維護(hù)可參考“電力電子技術(shù)題例與電路設(shè)計指點〞145-153頁。這里需求留意的是電容的耐壓和電阻的功率。②元件兩端的阻容維護(hù)主要抑制器件關(guān)斷時反向電流消逝過快而產(chǎn)生的過電壓。RC參數(shù)選擇的參考書同上，第148頁?！?〕用壓敏電阻抑制過電壓壓敏電阻RV:是一種由氧化鋅、氧化鉍等燒結(jié)制成的非線性元件，稱金屬氧化物壓敏電阻，簡稱壓敏電阻。正常電壓時呈高阻形狀，僅有很小的漏電流〔μA級〕，出現(xiàn)過壓時，它很快變成低阻形狀，經(jīng)過很大的浪涌電流，把過電壓吸收掉，過電壓過后，一切恢復(fù)正常。壓敏電阻的選擇見上述參考書，第146-147頁?！馬C過電壓制制電路最為常見，典型結(jié)合方式見以下圖RC過電壓制制電路結(jié)合方式a)單相b)三相大容量電力電子安裝可采用圖1-36所示的整流式RC電路圖1-36整流式過電壓制制用RC電路維護(hù)電路參數(shù)計算可參考相關(guān)書籍和工程手冊也可選用金屬氧化物壓敏電阻、硒堆等非線性元器件吸收過電壓(1-21)過電流——過載和短路兩種情況維護(hù)措施負(fù)載觸發(fā)電路開關(guān)電路過電流繼電器交流斷路器動作電流整定值短路器電流檢測電子維護(hù)電路快速熔斷器變流器直流快速斷路器電流互感器變壓器同時采用幾種過電流維護(hù)措施，提高可靠性和合理性。電子電路作為第一維護(hù)措施，快熔僅作為短路時的部分區(qū)段的維護(hù)，直流快速斷路器整定在電子電路動作之后實現(xiàn)維護(hù)，過電流繼電器整定在過載時動作。過電流維護(hù)措施及配置位置2過電流維護(hù)(1-22)采用快速熔斷器是電力電子安裝中最有效、運用最廣的一種過電流維護(hù)措施。選擇快熔時應(yīng)思索：(1)電壓等級根據(jù)熔斷后快熔實踐接受的電壓確定。(2)電流容量按其在主電路中的接入方式和主電路結(jié)合方式確定,但熔絲電流容量應(yīng)大于正常時線路中電流有效值。(3)快熔的I2t值應(yīng)小于被維護(hù)器件的允許I2t值?？烊蹖ζ骷木S護(hù)方式：全維護(hù)和短路維護(hù)兩種(1)全維護(hù)：過載、短路均由快熔進(jìn)展維護(hù)，適用于小功率安裝或器件裕度較大的場所。(2)短路維護(hù)：快熔只在短路電流較大的區(qū)域起維護(hù)作用。對重要的且易發(fā)生短路的晶閘管設(shè)備，或全控型器件，需采用電子電路進(jìn)展過電流維護(hù)。常在全控型器件的驅(qū)動電路中設(shè)置過電流維護(hù)環(huán)節(jié)，呼應(yīng)最快。電子電路過電流維護(hù)自關(guān)斷電力電子器件的熱容量極小，過電流才干很低，其過流損壞在微秒級的時間內(nèi)，遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于快速熔斷器的熔斷時間，所以諸如快速熔斷器之類的過電流維護(hù)方法對自關(guān)斷型電力電子器件來說是無用的。為了使自關(guān)斷型器件組成的電力電子安裝平安運轉(zhuǎn)，維護(hù)的主要做法是：利用參數(shù)形狀識別對單個器件進(jìn)展維護(hù)；利用互鎖的方法對橋臂中兩個器件進(jìn)展維護(hù)；利用電流檢測等方法進(jìn)展維護(hù)。(1)電壓形狀識別維護(hù)當(dāng)BJT、GTO、IGBT等電力電子器件處于過載或短路缺點形狀時,隨著集電極電流或陽極電流的添加,其集射極電壓UCE或陽極陰極的電壓UAK均發(fā)生相應(yīng)變化,BJT的基射極電壓UBE也發(fā)生變化，可利用這一特點對BJT等自關(guān)斷器件進(jìn)展過載和短路維護(hù)?；鶚O電壓形狀識別維護(hù)

監(jiān)測基極電壓形狀識別維護(hù)電路監(jiān)測集射極電壓形狀識別維護(hù)電路集射極電壓形狀識別維護(hù)電路(2)橋臂互鎖維護(hù)(3)過飽和維護(hù)采用準(zhǔn)飽和驅(qū)動電路實現(xiàn)過飽和維護(hù)。(4)直接電流檢測法(5)GTO的過電流維護(hù)(1-25)功率MOSFET和IGBT柵極絕緣的氧化層很薄，在靜電較強(qiáng)的場所容易引起靜電擊穿，呵斥柵源短路。元件應(yīng)存放在防靜電包裝袋，導(dǎo)電資料包裝袋或金屬容器中，取用器件時，應(yīng)拿器件管殼，而不要拿引線。任務(wù)臺和烙鐵都必需良好接地，焊接時電烙鐵功率不超越25W，最好運用12V～24V的低電壓烙鐵，先焊柵極，后焊漏極與源極。在測試MOSFET時，丈量儀器和任務(wù)臺都必需良好接地，MOSFET的三個電極未全部接入測試儀器或電路之前，不要施加電壓，改換測試范圍時，電壓和電流都必需先恢復(fù)到零。2靜電維護(hù)緩沖電路〔吸收電路〕作用：抑制器件在開通和關(guān)斷過程中引起的過電壓、du/dt、過電流和di/dt，減小器件的開關(guān)損耗。開通緩沖電路〔di/dt抑制電路〕：串小電感LiLi在V開通時，使電流上升緩慢，抑制了di/dt。V關(guān)斷時，Ri、VDi用來釋放Li中的磁場能量。關(guān)斷緩沖電路〔du/dt抑制電路〕：RCD緩沖電路〔維護(hù)電路〕關(guān)斷時負(fù)載電流經(jīng)VDS、CS分流，降低du/dt，抑制過電壓。開通時，CS經(jīng)RS放電，這里RS起限流作用。留意：VDS必需用快恢復(fù)二極管，電流定額不小于器件的1／10圖1-38di/dt抑制電路和RCD緩沖電路1.5電力電子器件的緩沖電路(1-27)關(guān)斷緩沖電路〔du/dt抑制電路〕——吸收器件的關(guān)斷過電壓和換相過電壓，抑制du/dt，減小關(guān)斷損耗。開通緩沖電路〔di/dt抑制電路〕——抑制器件開通時的電流過沖和di/dt，減小器件的開通損耗。復(fù)合緩沖電路——關(guān)斷緩沖電路和開通緩沖電路的結(jié)合。按能量的去向分類法：耗能式緩沖電路和饋能式緩沖電路〔無損吸收電路〕。通常將緩沖電路專指關(guān)斷緩沖電路，將開通緩沖電路叫做di/dt抑制電路。(1-28)充放電型RCD緩沖電路，適用于中等容量的場所。di/dt抑制電路和充放電型RCD緩沖電路及波形a)電路其中RC緩沖電路主要用于小容量器件，而放電阻止型RCD緩沖電路用于中或大容量器件。另外兩種常用的緩沖電路RC吸收電路放電阻止型RCD吸收電路(1-29)導(dǎo)通緩沖電路開關(guān)管開通時穩(wěn)態(tài)電流值越大，開通時間越短，那么di/dt越大。開通緩沖電路復(fù)合緩沖電路復(fù)合緩沖電路饋能緩沖電路饋能式復(fù)合緩沖電路(1-30)晶閘管的串聯(lián)目的：當(dāng)晶閘管額定電壓小于要求時，可以串聯(lián)。1.5電力電子器件的串并聯(lián)1晶閘管1.靜態(tài)均壓：保證阻斷時器件承當(dāng)電壓相等。但因斷態(tài)電阻不同，電阻大者接受過電壓。措施：并聯(lián)均壓電阻。其阻值小于晶閘管斷態(tài)電阻値的1／10即可。選用參數(shù)和特性盡量一致的器件。2.動態(tài)均壓：保證開關(guān)過程中器件承當(dāng)電壓相等。但因串聯(lián)器件t開、t關(guān)不同，呵斥后開通和先關(guān)斷的器件接受過電壓。措施：在器件兩端并聯(lián)阻容支路，利用電容電壓不能突變抑制過電壓。選擇動態(tài)參數(shù)和特性盡量一致的器件，采用門極強(qiáng)脈沖觸發(fā)。由于晶閘控制造工藝的改良，器件的電壓等級不斷提高，因此要求晶閘管串聯(lián)銜接的情況會逐漸減少。器件串聯(lián)后，必需降低電壓的額定值運用，串聯(lián)后選擇晶閘管的額定電壓為

式中Um—作用于串聯(lián)器件上的峰值電壓ns—串聯(lián)器件個數(shù)(1-32)問題：會分別因靜態(tài)和動態(tài)特性參數(shù)的差別而電流分配不均勻。

均流措施：挑選特性參數(shù)盡量一致的器件。采用均流電抗器。用門極強(qiáng)脈沖觸發(fā)也有助于動態(tài)均流。當(dāng)需求同時串聯(lián)和并聯(lián)晶閘管時，通常采用先串后并的方法聯(lián)接。目的：多個器件并聯(lián)來承當(dāng)較大的電流晶閘管的并聯(lián)當(dāng)晶閘管額定電流小于要求時，可以并聯(lián)。要求：各并聯(lián)器件的電流均勻分配。但因通態(tài)壓降及開關(guān)時間不同，呵斥電流分配不均勻。均流措施：挑選特性參數(shù)盡量一致的器件。采用均流電抗器。用門極強(qiáng)脈沖觸發(fā)也有助于動態(tài)均流。當(dāng)需求同時串聯(lián)和并聯(lián)晶閘管時，通常采用先串后并的方法聯(lián)接。VT1VT2晶閘管的并聯(lián)采用兩個耦合較好的空心電感，由于空心電抗器的線圈都有電阻，因此實踐上它是電阻串電感均流。器件并聯(lián)后，必需降低電流的額定值運用，并聯(lián)后選擇晶閘管的額定電流為

式中I—允許過載時流過的總電流有效值np—并聯(lián)器件個數(shù)晶閘管串并聯(lián)銜接時參數(shù)比較接近；觸發(fā)脈沖前沿要陡，電流要大；適當(dāng)增大電感；各支路銅線長短一樣，分布電感和導(dǎo)線電阻相近；先串后并的方法(1-34)1.GTO的串聯(lián)銜接GTO串聯(lián)時，采用與晶閘管類似的方法處理均壓問題。GTO的動態(tài)不均壓的過電壓產(chǎn)生于器件開通瞬間電壓的后沿和關(guān)斷瞬間電壓的前沿，采用強(qiáng)觸發(fā)脈沖驅(qū)動。GTO串聯(lián)均壓電路2GTO的串并聯(lián)2.GTO的并聯(lián)銜接一個GTO內(nèi)部就是由幾百個小GTO單元并聯(lián)任務(wù)的，這就給多個GTO之間的并聯(lián)任務(wù)發(fā)明了先天性的有利條件。均流電路和SCR類似。開通和關(guān)斷過程中產(chǎn)生的動態(tài)不均流問題。并聯(lián)任務(wù)的GTO1與GTO2之間的開關(guān)時間差別，從而導(dǎo)致GTO的開關(guān)損耗進(jìn)一步增大，溫度再增高，這樣繼續(xù)下去，惡性循環(huán)的結(jié)果就會燒壞器件。除了嚴(yán)厲挑選并聯(lián)任務(wù)的GTO通態(tài)電壓相等外，精心設(shè)計門極控制電路，采用強(qiáng)觸發(fā)脈沖驅(qū)動，力爭做到并聯(lián)的GTO同時開通和同時關(guān)斷。1.BJT的串聯(lián)銜接由于BJT對過電壓敏感，通常BJT是不進(jìn)展串聯(lián)運轉(zhuǎn)的2.BJT的并聯(lián)銜接大電流BJT管芯中采用了假設(shè)干小電流的BJT并聯(lián)，因此用并聯(lián)來增大BJT電流容量是比較常用的方法。當(dāng)負(fù)載電流比較小時，兩個管子的集電極電流極不均勻隨著負(fù)載電流的增大，電流分配將大為改善。運用同一個廠家同一型號的管子，多管并聯(lián)時可以不采用負(fù)載平衡措施。開關(guān)過程中，BJT的負(fù)載分配是不均勻的，必需設(shè)計一種適宜的電路，使它可以在動態(tài)下自動堅持并聯(lián)的管子的平衡負(fù)載才干。3BJT的串并聯(lián)(1-38)Ron具有正溫度系數(shù)，具有電流自動平衡的才干，容易并聯(lián)。留意選用Ron、UT、Gfs和Ciss盡量相近的器件并聯(lián)。電路走線和規(guī)劃應(yīng)盡量對稱。有些也可在源極電路中串入小電感，起到均流電抗器的作用。電力MOSFET并聯(lián)運轉(zhuǎn)的特點〔通常不串聯(lián)任務(wù)〕3MOSFET的串并聯(lián)(1-39)IGBT并聯(lián)運轉(zhuǎn)的特點在1/2或1/3額定電流以下的區(qū)段，通態(tài)壓降具有負(fù)溫度系數(shù)。在以上的區(qū)段那么具有正溫度系數(shù)。并聯(lián)運用時也具有電流的自動平衡才干，易于并聯(lián)。并聯(lián)時本卷須知：當(dāng)并聯(lián)運用時，運用同一等級UCES的模塊。各IGBT之間的IC不平衡率≤18%。各IGBT的開啟電壓應(yīng)一致，并聯(lián)時的接線方法：在模塊的柵極上分別接上各模塊引薦值的RG。柵極到各模塊驅(qū)動級的配線長短及引線電感要相等控制回路的接線應(yīng)運用雙芯線或屏蔽線。主電路需采用低電感接線。使接線盡量接近各模塊的引出端，運用銅排或扁條線，以盡能夠降低接線的電感量。4IGBT的串并聯(lián)IGBT通常不串聯(lián)任務(wù)小結(jié)〔器件特點〕1.根據(jù)開關(guān)器件能否可控分類(1)不可控器件二極管是不可控器件。(2)半控器件普通晶閘管SCR是半控器件。(3)全控器件GTO、BJT、功率MOSFET、IGBT等。2.根據(jù)門極(柵極)驅(qū)動信號的不同(1)電流控制器件驅(qū)動功率大，驅(qū)動電路復(fù)雜，任務(wù)頻率低。該類器件有SCR、GTO、BJT。(2)電壓控制器件驅(qū)動功率小，驅(qū)動電路簡單可靠，任務(wù)頻率高。該類器件有功率MOSEET、IGBT。3.根據(jù)載流子參與導(dǎo)電情況之不同(1)單極型器件功率MOSFET。(2)雙極型器件二極管、SCR、GTO、BJT。(3)復(fù)合型器件IGBT