《新型非易失性存儲器基本性能測試方法》編制說明

《新型非易失性存儲器基本性能測試方法》團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)（征求意見稿）編制說明1.工作情況態(tài)硬盤的要求也越來越高。而當(dāng)前廣泛用作主存的DRAM和廣泛用存儲器（MagneticRandomAccessMemory；MRAM）、相變存儲器（PhaseChangeMemory；PCM）、阻變存儲器（ResistiveRandom的性能測試方法，涵蓋讀寫速度、數(shù)據(jù)保持性和置位/復(fù)位等關(guān)鍵性能參數(shù)的測量。國際半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展路線圖（ITRS）等組織積極制本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定三種新型非易失性存儲器芯片包括磁隨機(jī)存儲器芯江省半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會關(guān)于<非易失性存儲器基本性能測試方法>團(tuán)體搜索國內(nèi)外對新型非易失性存儲器基本性能測試方法的標(biāo)準(zhǔn)制定情收集國內(nèi)相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)：收集到GB/T6648—1986《半導(dǎo)體集成編寫標(biāo)準(zhǔn)草案及編制說明：根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)編制原則，經(jīng)反2.標(biāo)準(zhǔn)編制原則、主要內(nèi)容及確定依據(jù)1.1—2020《標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第1部分：標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)2.2主要內(nèi)容及確定依據(jù)標(biāo)準(zhǔn)主要內(nèi)容包括新型非易失性存儲器基本性能測試方法的范2.2.4磁存儲器測試、相變存儲器測試、阻對磁存儲器抗磁性測試、讀干擾率/寫錯(cuò)誤率測試、數(shù)據(jù)保持時(shí)變存儲器測試的測試條件、測試原理、存儲窗口測試以及置位/復(fù)位重點(diǎn)參考了GB/T35003—2018《非易失性存儲器耐久和數(shù)據(jù)保3.知識產(chǎn)權(quán)情況4.產(chǎn)業(yè)化情況5.采用國際標(biāo)準(zhǔn)和國外先進(jìn)標(biāo)準(zhǔn)情況6.與現(xiàn)行相關(guān)法律、法規(guī)、規(guī)章及相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的協(xié)調(diào)性GBT35003-2018非易失性TCSTM01003—2023相變存儲6.2本標(biāo)準(zhǔn)與相關(guān)法律、法規(guī)、規(guī)章、強(qiáng)制性標(biāo)準(zhǔn)無沖突。GB/T6648——1986半導(dǎo)體集成電路靜態(tài)讀/寫存儲器空白詳細(xì)GB/T35003——2018非易GB/T33657納米技術(shù)晶圓級納米尺度相變存儲單元電學(xué)操作7.