電子技術(shù)數(shù)字部分ch2

第二章門(mén)電路2024/1/101一、門(mén)電路實(shí)現(xiàn)根本邏輯運(yùn)算和常用復(fù)合邏輯運(yùn)算的電子電路與或非與非或非異或與或非概述與門(mén)或門(mén)非門(mén)與非門(mén)或非門(mén)異或門(mén)與或非門(mén)2024/1/102二、邏輯變量與兩形狀開(kāi)關(guān)低電平高電平斷開(kāi)閉合高電平3V低電平0V二值邏輯:一切邏輯變量只需兩種取值(1或0)。數(shù)字電路:經(jīng)過(guò)電子開(kāi)關(guān)S的兩種形狀(開(kāi)或關(guān))獲得高、低電平，用來(lái)表示1或0。3V3V邏輯形狀1001S可由二極管、三極管或MOS管實(shí)現(xiàn)2024/1/103三、高、低電平與正、負(fù)邏輯負(fù)邏輯正邏輯0V5V2.4V0.8V高電平和低電平是兩個(gè)不同的可以截然區(qū)別開(kāi)來(lái)的電壓范圍。010V5V2.4V0.8V102024/1/104四、分立元件門(mén)電路和集成門(mén)電路1.分立元件門(mén)電路用分立的元器件和導(dǎo)線銜接起來(lái)構(gòu)成的門(mén)電路。2.集成門(mén)電路把構(gòu)成門(mén)電路的元器件和連線，都制造在一塊半導(dǎo)體芯片上，再封裝起來(lái)。常用：CMOS和TTL集成門(mén)電路2024/1/105五、數(shù)字集成電路的集成度一塊芯片中含有等效邏輯門(mén)或元器件的個(gè)數(shù)小規(guī)模集成電路SSI(SmallScaleIntegration)<10門(mén)/片或<100元器件/片中規(guī)模集成電路MSI(MediumScaleIntegration)10~99門(mén)/片或100~999元器件/片大規(guī)模集成電路LSI(LargeScaleIntegration)100~9999門(mén)/片或1000~99999元器件/片超大規(guī)模集成電路VLSI(VeryLargeScaleIntegration)>10000門(mén)/片或>100000元器件/片2024/1/1062.1.1理想開(kāi)關(guān)的開(kāi)關(guān)特性一、靜態(tài)特性1.斷開(kāi)2.閉合2.1半導(dǎo)體二極管、三極管和MOS管的開(kāi)關(guān)特性SAK2024/1/107二、動(dòng)態(tài)特性1.開(kāi)通時(shí)間：2.關(guān)斷時(shí)間：閉合〕〔斷開(kāi)斷開(kāi)〕〔閉合普通開(kāi)關(guān)：靜態(tài)特性好，動(dòng)態(tài)特性差半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)：靜態(tài)特性較差，動(dòng)態(tài)特性好幾百萬(wàn)/秒幾千萬(wàn)/秒SAK2024/1/1082.1.2半導(dǎo)體二極管的開(kāi)關(guān)特性一、靜態(tài)特性1.外加正向電壓(正偏)二極管導(dǎo)通(相當(dāng)于開(kāi)封鎖合)2.外加反向電壓(反偏)二極管截止(相當(dāng)于開(kāi)關(guān)斷開(kāi))硅二極管伏安特性陰極A陽(yáng)極KPN結(jié)-AK+P區(qū)N區(qū)++++++++--------正向?qū)▍^(qū)反向截止區(qū)反向擊穿區(qū)0.50.7/mA/V02024/1/109D+-+-二極管的開(kāi)關(guān)作用：[例]uO=0VuO=2.3V電路如下圖，試判別二極管的任務(wù)形狀及輸出電壓。二極管截止二極管導(dǎo)通[解]D0.7V+-2024/1/1010二、動(dòng)態(tài)特性1.二極管的電容效應(yīng)結(jié)電容Cj分散電容CD2.二極管的開(kāi)關(guān)時(shí)間電容效應(yīng)使二極管的通斷需求一段延遲時(shí)間才干完成tt00(反向恢復(fù)時(shí)間)≤ton—開(kāi)通時(shí)間toff—關(guān)斷時(shí)間2024/1/1011一、靜態(tài)特性NPN2.1.3半導(dǎo)體三極管的開(kāi)關(guān)特性發(fā)射結(jié)集電結(jié)發(fā)射極emitter基極base集電極collectorbiBiCec(電流控制型)1.構(gòu)造、符號(hào)和輸入、輸出特性(2)符號(hào)NNP(Transistor)(1)構(gòu)造2024/1/1012(3)輸入特性(4)輸出特性iC/mAuCE/V50μA40μA30μA20μA10μAiB=0024684321放大區(qū)截止區(qū)飽和區(qū)0uBE/ViB/μA發(fā)射結(jié)正偏放大iC=iB集電結(jié)反偏飽和iC＜iB兩個(gè)結(jié)正偏I(xiàn)CS=IBS臨界截止iB≈0,iC≈0兩個(gè)結(jié)反偏電流關(guān)系形狀條件2024/1/10132.開(kāi)關(guān)運(yùn)用舉例發(fā)射結(jié)反偏T截止發(fā)射結(jié)正偏T導(dǎo)通+

RcRb+VCC(12V)+uo

iBiCTuI3V-2V2k2.3k放大還是飽和？2024/1/1014飽和導(dǎo)通條件：+

RcRb+VCC+12V+uo

iBiCTuI3V-2V2k2.3k≤由于所以2024/1/1015二、動(dòng)態(tài)特性3-2t00.9ICS0.1ICSt030.3t02024/1/10162.1.4MOS管的開(kāi)關(guān)特性(電壓控制型)MOS〔Mental–Oxide–Semiconductor〕金屬–氧化物–半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管一、靜態(tài)特性1.構(gòu)造和特性：(1)N溝道柵極G漏極DB源極S3V4V5VuGS=6ViD/mA42643210uGS/ViD/mA43210246810uDS/V可變電阻區(qū)恒流區(qū)UTNiD開(kāi)啟電壓UTN=2V+-uGS+-uDS襯底漏極特性轉(zhuǎn)移特性u(píng)DS=6V截止區(qū)2024/1/1017P溝道加強(qiáng)型MOS管與N溝道有對(duì)偶關(guān)系。(2)P溝道柵極G漏極DB源極SiD+-uGS+-uDS襯底iD/mAiD/mA-2-40-1-2-3-40-10-8-6-4-2-3V-4V-5VuGS=-6V-1-2-3-4-6uGS/VuDS/V可變電阻區(qū)恒流區(qū)漏極特性轉(zhuǎn)移特性截止區(qū)UTPuDS=-6V開(kāi)啟電壓UTP=-2V參考方向2024/1/10182.MOS管的開(kāi)關(guān)作用：(1)N溝道加強(qiáng)型MOS管+VDD+10VRD20kBGDSuIuO+VDD+10VRD20kGDSuIuO開(kāi)啟電壓UTN=2ViD+VDD+10VRD20kGDSuIuORONRD2024/1/1019(2)P溝道加強(qiáng)型MOS管-VDD-10VRD20kBGDSuIuO-VDD-10VRD20kGDSuIuO開(kāi)啟電壓UTP=-2V-VDD-10VRD20kGDSuIuOiD2024/1/1020uYuAuBR0D2D1+VCC+10V2.2分立元器件門(mén)電路2.2.1二極管與門(mén)和或門(mén)一、二極管與門(mén)3V0V符號(hào):與門(mén)〔ANDgate)ABY&0V0VUD=0.7V0V3V3V0V3V3V真值表ABY000110110001Y=AB電壓關(guān)系表uA/VuB/VuY/VD1D200033033導(dǎo)通導(dǎo)通0.7導(dǎo)通截止0.7截止導(dǎo)通0.7導(dǎo)通導(dǎo)通3.72024/1/1021二、二極管或門(mén)uY/V3V0V符號(hào):或門(mén)〔ANDgate)ABY≥10V0VUD=0.7V0V3V3V0V3V3VuYuAuBROD2D1-VSS-10V真值表ABY000110110111電壓關(guān)系表uA/VuB/VD1D200033033導(dǎo)通導(dǎo)通-0.7截止導(dǎo)通2.3導(dǎo)通截止2.3導(dǎo)通導(dǎo)通2.3Y=A+B2024/1/1022正與門(mén)真值表正邏輯和負(fù)邏輯的對(duì)應(yīng)關(guān)系：ABY000110110001ABY=AB&負(fù)或門(mén)真值表ABY111001001110AB≥1同理：正或門(mén)負(fù)與門(mén)2024/1/1023一、半導(dǎo)體三極管非門(mén)T截止T導(dǎo)通2.2.2三極管非門(mén)〔反相器〕飽和導(dǎo)通條件:+VCC+5V1kRcRbT+-+-uIuO4.3kβ=30iBiCT飽和由于所以2024/1/1024電壓關(guān)系表uI/VuO/V0550.3真值表0110AY符號(hào)函數(shù)式+VCC+5V1kRcRbT+-+-uIuO4.3kβ=30iBiC三極管非門(mén):AY1AY2024/1/1025二、MOS三極管非門(mén)MOS管截止2.MOS管導(dǎo)通〔在可變電阻區(qū)〕真值表0110AY+VDD+10VRD20kBGDSuIuO1.+-uGS+-uDS故2024/1/1026+VDD+10VB1G1D1S1uAuYTNTPB2D2S2G2VSS+-uGSN+-uGSP2.3CMOS集成門(mén)電路2.3.1CMOS反相器一、電路組成及任務(wù)原理AY10V+10VuAuGSNuGSPTNTPuY0V<UTN<UTP截止導(dǎo)通10V10V>UTN>UTP導(dǎo)通截止0VUTN=2VUTP=-2V+10VRONPuY+VDD10VSTNTP+10VRONNuY+VDD0VSTNTP2024/1/1027輸入端維護(hù)電路:C1、C2—柵極等效輸入電容(1)0<uA<VDD+uDF(2)uA>VDD+uDFD導(dǎo)通電壓：uDF=0.5~0.7V(3)uA<-uDF二極管導(dǎo)通時(shí)，限制了電容兩端電壓的添加。維護(hù)網(wǎng)絡(luò)+VDDuYuATPD1C1C2RSTND2D3VSSD1、D2、D3截止D2、D3導(dǎo)通uG=VDD+uDFD1導(dǎo)通uG=-uDF2024/1/1028二、靜態(tài)特性1.電壓傳輸特性：iD+VDDB1G1D1S1+uI-uOTNTPB2D2S2G2VSSABCDEFUTNVDDUTHUTPUNLUNHAB段：uI<UTN，uO=VDD、iD0，功耗極小。0uO/VuI/VTN截止、TP導(dǎo)通，BC段：TN導(dǎo)通，uO略下降。CD段：TN、TP均導(dǎo)通。DE、EF段：與BC、AB段對(duì)應(yīng)，TN、TP的形狀與之相反。轉(zhuǎn)機(jī)電壓指為規(guī)定值時(shí)，允許動(dòng)搖的最大范圍。UNL：輸入為低電平常的噪聲容限。UNH：輸入為高電平常的噪聲容限。=0.3VDD噪聲容限：2024/1/10292.電流傳輸特性：iD+VDDB1G1D1S1+uI-uOTNTPB2D2S2G2VSSABCDEFUTNVDDUTHUTPUNLUNH0uO/VuI/VABCDEF0iD/mAuI/VUTH電壓傳輸特性電流傳輸特性AB、EF段：TN、TP總有一個(gè)為截止形狀，故iD0。CD段：TN、Tp均導(dǎo)通，流過(guò)兩管的漏極電流到達(dá)最大值iD=iD〔max)。閾值電壓：UTH=0.5VDD〔VDD=3~18V〕2024/1/10302.3.2CMOS與非門(mén)、或非門(mén)、與門(mén)和或門(mén)ABTN1TP1TN2TP2Y00011011截通截通通通通截截通截截截截通通1110與非門(mén)一、CMOS與非門(mén)uA+VDD+10VVSSTP1TN1TP2TN2ABYuBuYAB&00100111Y=2024/1/1031或非門(mén)二、CMOS或非門(mén)uA+VDD+10VVSSTP1TN1TN2TP2ABYuBuYABTN1TP1TN2TP2Y00011011截通截通通通通截截通截截截截通通1000AB≥1001001112024/1/1032三、CMOS與門(mén)和或門(mén)1.CMOS與門(mén)AB&Y1+VDDVSSTP1TN1TP2TN2ABYABY&+VDDB1G1D1S1ATNTPB2D2S2G2VSS2024/1/10332.CMOS或門(mén)Y1+VDDB1G1D1S1ATNTPB2D2S2G2VSSAB≥1ABY≥1+VDDVSSTP1TN1TN2TP2ABY2024/1/1034四、帶緩沖的CMOS與非門(mén)和或非門(mén)1.根本電路的主要缺陷(1)電路的輸出特性不對(duì)稱(chēng)：當(dāng)輸入形狀不同時(shí)，輸出等效電阻不同。(2)電壓傳輸特性發(fā)生偏移，導(dǎo)致噪聲容限下降。2.帶緩沖的門(mén)電路在原電路的輸入端和輸出端加反相器。1ABY與非門(mén)或非門(mén)同理緩沖或非門(mén)與非門(mén)緩沖&112024/1/10352.3.3CMOS與或非門(mén)和異或門(mén)一、CMOS與或非門(mén)1.電路組成：&&&ABCD&≥1YABCDY12.任務(wù)原理：由CMOS根本電路(與非門(mén)和反相器)組成。2024/1/1036二、CMOS異或門(mén)1.電路組成：&&&ABY2.任務(wù)原理：&YAB=1由CMOS根本電路(與非門(mén))組成。2024/1/10372.3.4CMOS傳輸門(mén)、三態(tài)門(mén)和漏極開(kāi)路門(mén)一、CMOS傳輸門(mén)(雙向模擬開(kāi)關(guān))1.電路組成：TPCVSS+VDDIO/uuOI/uuTNCIO/uuOI/uuTG2.任務(wù)原理：TN、TP均導(dǎo)通，TN、TP均截止，導(dǎo)通電阻小(幾百歐姆)關(guān)斷電阻大(≥109)(TG門(mén)—TransmissionGate)2024/1/1038二、CMOS三態(tài)門(mén)1.電路組成+VDDVSSTP2TN1TP1AYTN212.任務(wù)原理Y與上、下都斷開(kāi)TP2、TN2均截止Y=Z(高阻態(tài)—非1非0)TP2、TN2均導(dǎo)通011010控制端低電平有效(1或0)3.邏輯符號(hào)YA1EN使能端EN2024/1/1039三、CMOS漏極開(kāi)路門(mén)(OD門(mén)—OpenDrain)1.電路組成BA&1+VDDYBGDSTNVSSRD外接YAB&符號(hào)(1)漏極開(kāi)路，任務(wù)時(shí)必需外接電源和電阻。2.主要特點(diǎn)(2)可以實(shí)現(xiàn)線與功能：輸出端用導(dǎo)線銜接起來(lái)實(shí)現(xiàn)與運(yùn)算。YCD&P1P2+VDDYRD(3)可實(shí)現(xiàn)邏輯電平變換：(4)帶負(fù)載才干強(qiáng)。2024/1/10402.3.5CMOS電路運(yùn)用中應(yīng)留意的幾個(gè)問(wèn)題一、CC4000和C000系列集成電路1.CC4000系列：符合國(guó)家規(guī)范，電源電壓為318V，功能和外部引線陳列與對(duì)應(yīng)序號(hào)的國(guó)外產(chǎn)品一樣。2.C000系列：早期集成電路，電源電壓為715V，外部引線陳列順序與CC4000不同，用時(shí)需查閱有關(guān)手冊(cè)。傳輸延遲時(shí)間tpd規(guī)范門(mén)=100nsHCMOS=9nsHCMOS:54/74系列54/74HC(帶緩沖輸出)54/74HCU(不帶緩沖輸出)54/74HCT(與LSTTL兼容)二、高速CMOS(HCMOS)集成電路2024/1/1041三、CMOS集成電路的主要特點(diǎn)(1)功耗極低。LSI：幾個(gè)μW，MSI：100μW(2)電源電壓范圍寬。CC4000系列：VDD=3~18V(3)抗干擾才干強(qiáng)。輸入端噪聲容限=0.3VDD~0.45VDD(4)邏輯擺幅大。(5)輸入阻抗極高。(6)扇出才干強(qiáng)。扇出系數(shù)：帶同類(lèi)門(mén)電路的個(gè)數(shù)，其大小反映了門(mén)電路的帶負(fù)載才干。(7)集成度很高，溫度穩(wěn)定性好。(8)抗輻射才干強(qiáng)。(9)本錢(qián)低。CC4000系列：≥50個(gè)≥2024/1/1042四、CMOS電路運(yùn)用中應(yīng)留意的幾個(gè)問(wèn)題1.留意輸入端的靜電防護(hù)。2.留意輸入電路的過(guò)流維護(hù)。3.留意電源電壓極性。5.多余的輸入端不應(yīng)懸空。6.輸入端外接電阻的大小不會(huì)引起輸入電平的變化。與門(mén)、與非門(mén)：接電源或與其他輸入端并聯(lián)或門(mén)、或非門(mén)：接地或與其他輸入端并聯(lián)多余輸入端的處置思索緣由？4.輸出端不能和電源、地短接。由于輸入阻抗極高〔≥108〕故輸入電流0，電阻上的壓降0。2024/1/10432.4TTL集成門(mén)電路〔Transistor—TransistorLogic〕一、電路組成及任務(wù)原理+VCC(5V)R1uIuo4kAD1T1T2T3T4DR21.6kR31kR4130Y輸入級(jí)中間級(jí)輸出級(jí)D1—維護(hù)二極管防止輸入電壓過(guò)低。當(dāng)uI<-0.5~-0.7V時(shí)，D1導(dǎo)通，uI被鉗制在-0.5~-0.7V，不能夠繼續(xù)下降。1.電路組成由于D1只起維護(hù)作用，不參與邏輯判別，為了便于分析，今后在有些電路中將省去。2.4.1TTL反相器2024/1/10442.任務(wù)原理+VCC(5V)R1uIuo4kAT1T2T3T4DR21.6kR31kR4130Y0VT1的基極電壓無(wú)法使T2和T4的發(fā)射結(jié)導(dǎo)通T1深度飽和T2、T4截止，iC1=0RL拉電流T3、D導(dǎo)通0V3.6V0V0.7V0V負(fù)載的等效電阻iC15V由于所以那么2024/1/1045+VCC(5V)R1uIuo4kAT1T2T3T4DR21.6kR31kR4130Y假設(shè)T1導(dǎo)通那么T1的集電結(jié)和T2、T4的發(fā)射結(jié)(3個(gè)PN結(jié))導(dǎo)通ebcT1正常放大時(shí):發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏，即uC>uB>uE如今:uE>uB>uC，即發(fā)射結(jié)反偏集電結(jié)正偏倒置放大iii=βiib=(1+βi)ib4.3Vce3.6V1.4V0.7V2.1V2024/1/10461.4V+VCC(5V)R1uIuo4kAT1T2T3T4DR21.6kR31kR4130YT1倒置放大形狀假設(shè)T2飽和導(dǎo)通T3、D均截止(設(shè)β1~β4=20)T2飽和的假設(shè)成立0.3ViB21VICS2iB10.7V2.1V思索：D的作用？假設(shè)無(wú)D，此時(shí)T3可以導(dǎo)通，電路將不能實(shí)現(xiàn)正常的邏輯運(yùn)算由于3.6ViE12024/1/1047+VCC(5V)R1uIuo4kAT1T2T3T4DR21.6kR31kR4130YT1倒置放大形狀T2飽和，T3、D均截止3.62.11.40.71T4的任務(wù)形狀：導(dǎo)通放大還是飽和？iB2ICS2iB1iE1iE2iB4iR3又由于T3、D均截止，即T4深度飽和：uO=UCES4≤0.3V〔無(wú)外接負(fù)載〕假設(shè)外接負(fù)載RL：RL+VCC0.3所以2024/1/1048輸入短路電流IIS二、靜態(tài)特性1.輸入特性(1)輸入伏安特性：1iI+VCC+5VuI+-uoT1iIuI+-be2be4+VCC+5VR14kIV/uImA/i012-1ISIILIUILUIHIHI低電平輸入電流IIL高電平輸入電流或輸入端漏電流IIH2024/1/1049即：當(dāng)Ri為2.5k以上電阻時(shí)，輸入由低電平變?yōu)楦唠娖?2)輸入端負(fù)載特性：1+VCC+5VuI+-uoRiT1iB1uI+-be2be4+VCC+5VR14kRiRi/026412uI/VT2、T4飽和導(dǎo)通Ri=Ron—開(kāi)門(mén)電阻〔2.5k?〕RonT2、T4截止Ri=Roff—關(guān)門(mén)電阻〔<0.7k〕即：當(dāng)Ri為0.7k以下電阻時(shí),輸入端相當(dāng)于低電平。Roff0.7V1.4V2024/1/10502.輸出特性u(píng)O1+VCC+5VuI+-+-iOuO/ViO/mA0102030-10-20-30123在輸出為低電平條件下，帶灌電流負(fù)載才干IOL可達(dá)16mA0.3V受功耗限制，帶拉電流負(fù)載才干IOH可普通為-400A3.6V

留意：輸出短路電流IOS可達(dá)-33mA，將呵斥器件過(guò)熱燒毀，故門(mén)電路輸出端不能接地！??！2024/1/10513.電壓傳輸特性：1+VCC+5VuI+-uO+-AB0uO/VuI/V12341234AB段：uI<0.5V，uB1<1.3V，T2、T4截止，T3、D導(dǎo)通。截止區(qū)3.6VBC段：T2開(kāi)場(chǎng)導(dǎo)通(放大區(qū))，T4仍截止。C線性區(qū)D轉(zhuǎn)機(jī)區(qū)E飽和區(qū)0.3VCD段：反相器的閾值電壓(或門(mén)檻電壓)DE段：uI>1.4V，T2、T4飽和導(dǎo)通，T3、D截止。uO=UOL≤0.3V閾值電壓2024/1/10524.輸入端噪聲容限uIuO1G1G21輸出高電平典型值=3.6V輸出低電平典型值=0.3V輸入高電平典型值=3.6V輸入低電平典型值=0.3VUNH—允許疊加的負(fù)向噪聲電壓的最大值G2輸入高電平常的噪聲容限：UNL—允許疊加的正向噪聲電壓的最大值G2輸入低電平常的噪聲容限：2024/1/1053三、動(dòng)態(tài)特性傳輸延遲時(shí)間1uIuO50%Uom50%UimtuI0tuO0UimUomtPHL—輸出電壓由高到低時(shí)的傳輸延遲時(shí)間。tpd—平均傳輸延遲時(shí)間tPLH—輸出電壓由低到高時(shí)的傳輸延遲時(shí)間。tPHLtPLH典型值：tPHL=8ns,tPLH=12ns最大值：tPHL=15ns,tPLH=22ns2024/1/1054+VCC+5VR14kAD2T1T2T3T4DR21.6kR31kR4130Y輸入級(jí)中間級(jí)輸出級(jí)D1BT1—多發(fā)射極三極管e1e2bc等效電路：1.A、B只需有一個(gè)為00.3V1VT2、T4截止5VT3、D導(dǎo)通2.4.2TTL與非門(mén)和其他邏輯門(mén)電路一、TTL與非門(mén)0.7VRL3.6V2024/1/1055+VCC+5V4kAD2T1T2T3T4D1.6k1k130Y輸入級(jí)中間級(jí)輸出級(jí)D1BR1R2R3R43.6V3.6V0.7V1V0.3V4.3V2.1V2.A、B均為1實(shí)際：實(shí)踐：T2、T4導(dǎo)通T3、D截止uO=UCES4≤0.3VTTL與非門(mén)RL+VCC2024/1/1056+VCC+5V4kAD2T1T2T3T4D1.6k1k130Y輸入級(jí)中間級(jí)輸出級(jí)D1BR1R2R3R4TTL與非門(mén)整理結(jié)果：1110ABY00011011AB&2024/1/1057二、TTL或非門(mén)+VCC+5VR1AD1T1T2T3T4DR2R3R4YR1BD1T1T2輸入級(jí)中間級(jí)輸出級(jí)1.A、B只需有一個(gè)為1T2、T4飽和T2、T3、D截止uO=0.3V2.1V1V0.3V3.6V0.3VRL+VCC2024/1/10582.A、B均為0iB1、iB1分別流入T1、T1的發(fā)射極T2、T2均截止那么T4截止T3、D導(dǎo)通+VCC+5VR1AD1T1T2T3T4DR2R3R4YR1BD1T1T20.3V0.3ViB1iB1RL輸入級(jí)中間級(jí)輸出級(jí)TTL或非門(mén)5V1V1V3.6V2024/1/1059整理結(jié)果：1000ABY00011011AB≥1+VCC+5VR1AD1T1T2T3T4DR2R3R4YR1BD1T1T2輸入級(jí)中間級(jí)輸出級(jí)TTL或非門(mén)2024/1/10602.4.3TTL集電極開(kāi)路門(mén)和三態(tài)門(mén)一、集電極開(kāi)路門(mén)—OC門(mén)(OpenCollectorGate)+VCC+5VR1AD2T1T2T4R2R3YD1B1.電路組成及符號(hào)+VCCRC外接YAB&+VCCRCOC門(mén)必需外接負(fù)載電阻和電源才干