霍爾元件簡介

霍爾元件可用多個半導(dǎo)體材料Ge、Si、InSb、GaAs、InAs、InAsP層半導(dǎo)體異質(zhì)構(gòu)造霍爾元件霍爾元件耗小，頻率高（1MHZ），耐震動，不怕灰塵、油污、水汽及鹽霧等的污染或腐蝕?；魻柧€性器件的精度高、線性度好；霍爾開關(guān)器件無觸點、無磨損、輸出波形清晰無抖動、無回跳、位置重復(fù)精度高（μm級）。采用了多個賠償和保護方法的UH=RHIB/d（18）RH=1/nq（金屬）（19）式中RH——霍爾系數(shù)：BId由于通電導(dǎo)線周邊存在磁場，其大小與導(dǎo)線中的電流成正比，其優(yōu)點是不與被測發(fā)生電接觸，不影響被測電路，不消耗被測電源UHUH=RHIB/d（1）RH=1/nq（金屬）式中RH――霍爾系數(shù)；n――單位體積內(nèi)載流子或自由電子的個數(shù)；q――電子電量；I――通過的電流；B――垂直于I的磁感應(yīng)強度；d――導(dǎo)體的厚度。若把霍爾元件置于電場強度為E、磁場強度為H的電磁場中，則在該元件中將產(chǎn)生電則電磁場的功率密度瞬時值P可由P=EH擬定。位移。若測出單位時間內(nèi)發(fā)出的脈沖數(shù)，則能夠擬定其運動速度。[1]1、霍爾系數(shù)（又稱霍爾常數(shù)在磁場不太強時，霍爾電勢差UHI磁感應(yīng)強度BδUH=RH*I*B/δ，RH強弱。另RH=μ*ρ即霍爾常數(shù)等于霍爾片材料的電阻率ρ與電子遷移率μ的乘積。2KH（又稱霍爾乘積敏捷度霍爾敏捷度δKH=RH/δ，3當霍爾元件本身溫升10℃4霍爾激勵電極間的電阻61αII14、熱阻1W，霍爾元件升高的溫度值稱為它的熱阻件散熱的難易程度單位為：攝氏度無刷電機霍爾傳感器開關(guān)型霍爾集成元件，用于無刷電機引腳定義（有標記的一面朝向自己）：（左）電源正；（中）接地；（右）信號體積按照霍爾元件的功效可將它們分為:霍爾線性器件和霍爾開關(guān)器件。前者輸出模擬量，后者輸出數(shù)字量變成電量按照霍爾開關(guān)單極性霍爾開關(guān)的感應(yīng)方式：磁場的一種磁極靠近它，輸出低電位電壓（低電平）霍爾開關(guān)它會指定某磁極感應(yīng)才有效，普通是正面感應(yīng)磁場S極，背面感應(yīng)N極。全極性霍爾開關(guān)的感應(yīng)方式：全極性霍爾開關(guān)的感應(yīng)方式與單極性霍爾開關(guān)線性霍爾效應(yīng)傳感器IC的電壓輸出會精確跟蹤磁通密度的變化。在靜態(tài)（無磁場）壓流Bo點Brp-40-5-40-4-40-5500-40--40--40-RPM-40-RPM-40-5-40--40-5-40--40--50-8-20-8-20-壓流Bo點Brp4-40-8--30-8--30-5--40---40---40---40-4--40---40-壓流Bo點Brp1-低功耗數(shù)碼產(chǎn)品如：手機2.4-5-1--26-2-40-5低功耗數(shù)碼產(chǎn)品如：手機-40-低功耗數(shù)碼產(chǎn)品如：電筒-40-GS輸出電）Smv/+/-at-4