第三代半導(dǎo)體微納米金屬燒結(jié)技術(shù)術(shù)語(yǔ)

1第三代半導(dǎo)體微納米金屬燒結(jié)技術(shù)術(shù)語(yǔ)燒結(jié)原理相關(guān)術(shù)語(yǔ)、燒結(jié)材料相關(guān)術(shù)語(yǔ)、燒結(jié)工藝相關(guān)術(shù)語(yǔ)、性能測(cè)試與可靠性術(shù)語(yǔ)等。寬禁帶半導(dǎo)體widebandgaps第三代半導(dǎo)體third-generationsemicon半導(dǎo)體器件semiconductor半導(dǎo)體封裝semiconductorpa2底板粘接baseplateatt利用加熱將焊接材料融化從而使電子元件特定金屬電極與線路板焊盤融合在一起，之后通過冷卻利用熔點(diǎn)相差較大的兩種金屬顆?；旌衔镒鳛檫B接材料，通過對(duì)連接區(qū)域加熱使低熔點(diǎn)金屬顆粒燒結(jié)(連接)件as-sintered燒結(jié)接頭sinteringjoint/interconne燒結(jié)體as-sinteredpart/封裝燒結(jié)材料在不含被連接件連接基體情況下，單33.2燒結(jié)原理相關(guān)術(shù)語(yǔ)納米尺寸效應(yīng)nano-sizee為有效防止微納米金屬顆粒團(tuán)聚和顆粒表面氧化，通過加入添加劑使其與顆粒表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)蒸發(fā)-凝聚evaporation-conden燒結(jié)時(shí)，兩相鄰顆粒間相互接觸并不斷長(zhǎng)大的43.3燒結(jié)材料相關(guān)術(shù)語(yǔ)微納米燒結(jié)材料nano-microsinteringm芯片燒結(jié)材料sinteringmaterialfordi過印刷、涂敷、點(diǎn)膠、轉(zhuǎn)膜等工藝施加在芯片底面或基系統(tǒng)燒結(jié)材料systemsinteri5為適應(yīng)特定的接頭結(jié)構(gòu)而設(shè)計(jì)的固態(tài)片狀燒結(jié)材料。尺寸和外燒結(jié)層厚度sinteringth6超聲波震蕩ultrasonicvibr注3：GB/T15445.1—2008中，符號(hào)x用于表述粒度，但同時(shí)7等效直徑equivalentdia粒度分布particlesizedistri用特定的儀器和方法反映出的不同粒徑顆粒占粉體總量的百分?jǐn)?shù)。粒度的大小常用一個(gè)樣品的累計(jì)粒度分布百分?jǐn)?shù)達(dá)到50%時(shí)所對(duì)應(yīng)的粒徑。它的物理意義是粒徑大于它的顆粒占一個(gè)樣品的累計(jì)粒度分布百分?jǐn)?shù)達(dá)到90%時(shí)所對(duì)應(yīng)的粒徑。它的物理意義是粒徑小于它的顆粒占8封裝用微米材料micromaterialforpa可在半導(dǎo)體封裝工藝中實(shí)現(xiàn)低溫?zé)Y(jié)的微米材料，并在封裝過程中能夠與基板和芯片之間形成連封裝用微納米燒結(jié)顆粒micro-nanosinteringparticleforpac可在半導(dǎo)體封裝工藝中實(shí)現(xiàn)低溫?zé)Y(jié)的納米顆粒，并在封裝過程中能夠與基板和芯片之間形成連可在半導(dǎo)體封裝工藝中實(shí)現(xiàn)低溫?zé)Y(jié)的納米片，并在封裝過程中能夠與基板和芯片之間形成連接納米顆粒制備preparationofnanopar3.4燒結(jié)工藝相關(guān)術(shù)語(yǔ)把特定量的電子膠水、油或者其他液體涂抹、點(diǎn)滴到基板上的利用絲網(wǎng)鏤孔板和膏體，經(jīng)刮印在基板、底板或熱沉上得到圖形利用鋼制鏤孔板和膏體，經(jīng)刮印在基板、底板或熱沉上得到圖形由貼片機(jī)把芯片或表面貼裝元件從給料區(qū)域拾取，經(jīng)過精密光學(xué)鏡頭定位，然后準(zhǔn)確放置在目標(biāo)在完成燒結(jié)膏體在基板上的印刷或點(diǎn)膠后，在特定溫度和氣氛的烘箱中將膏體中的易揮發(fā)物質(zhì)除有壓燒結(jié)pressure-assistedsi9雙面壓接double-sidepressureassist在未向燒結(jié)樣品施加機(jī)械壓力的條件下進(jìn)行的半導(dǎo)體封裝燒結(jié)工燒結(jié)溫度sinteringtemp燒結(jié)氣氛sinteringatm3.5性能與可靠性相關(guān)術(shù)語(yǔ)服役溫度servicetemperature/workingtempc在內(nèi)部裝有微電路芯片的封裝殼體上規(guī)定參考點(diǎn)處的溫安裝表面溫度mountingsurfMJ（區(qū)域）是最接近工作結(jié)的六個(gè)等效半徑處的溫度（等效半徑是面積與結(jié)界面區(qū)域面積相同的等效圓的半D機(jī)械強(qiáng)度mechanicalstr熱膨脹系數(shù)coefficientofthermalco燒結(jié)體低于材料比例極限的軸向應(yīng)力所產(chǎn)生的橫向應(yīng)變與在相應(yīng)軸向應(yīng)變的負(fù)比值。溫度循環(huán)測(cè)試thermalcycli為了評(píng)估封裝器件在較短時(shí)間內(nèi)對(duì)極端高溫和極端低溫的承受能力的環(huán)境加速試驗(yàn)。通過該測(cè)試可以了解材料因熱失配導(dǎo)致熱脹冷縮應(yīng)力引起內(nèi)部失效的抵是通過控制電路讓芯片間歇流過特點(diǎn)電流產(chǎn)生間隙發(fā)熱功率，從而使芯高溫存儲(chǔ)實(shí)驗(yàn)hightempera在接頭形成過程中或器件服役過程中，因材料熱失配而導(dǎo)致的在連接材料和被連接材料接觸界面通過顆粒的衍射或散射光的空間分布（散射譜）來(lái)分析顆粒大小的用于燒結(jié)體電阻率測(cè)試測(cè)試的特定儀器和配套探熱擴(kuò)散系數(shù)測(cè)試儀thermaldiffusioncoefficie掃描聲學(xué)顯微鏡SAMscanningacousticmiX射線衍射儀X-RayDiffractomet