標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 43538-2023 集成電路金屬封裝外殼質(zhì)量技術(shù)要求》這一國家標(biāo)準(zhǔn)，旨在規(guī)范集成電路金屬封裝外殼的設(shè)計、制造與檢驗過程中的質(zhì)量控制標(biāo)準(zhǔn)。該文件涵蓋了對材料選擇、尺寸精度、表面處理、機(jī)械性能、電氣性能等方面的具體規(guī)定，確保了產(chǎn)品在滿足功能需求的同時具備良好的可靠性和一致性。

對于材料部分，標(biāo)準(zhǔn)詳細(xì)列出了適用于不同應(yīng)用場景下的推薦材質(zhì)及其物理化學(xué)性質(zhì)要求，比如導(dǎo)電性、熱膨脹系數(shù)等關(guān)鍵參數(shù)。此外，還特別強(qiáng)調(diào)了環(huán)保材料的使用原則，鼓勵采用無害化或低毒性的原材料以減少對環(huán)境的影響。

尺寸方面，明確了各種類型封裝外殼的關(guān)鍵尺寸公差范圍，包括但不限于長寬高尺寸、引腳間距等，并給出了測量方法和允許偏差值。這有助于保證各批次產(chǎn)品的互換性以及與裝配設(shè)備的良好匹配度。

表面處理章節(jié)中，則是針對外觀質(zhì)量和耐腐蝕性能提出了具體要求。例如，通過鍍層厚度測試來評估防腐效果；利用顯微鏡觀察等方式檢查是否存在劃痕、氣泡或其他缺陷，確保產(chǎn)品具有優(yōu)良的防護(hù)能力和美觀度。

關(guān)于機(jī)械性能，標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了一系列試驗方法來驗證封裝外殼在實際應(yīng)用中可能遇到的各種應(yīng)力條件下的表現(xiàn)情況，如抗拉強(qiáng)度試驗、彎曲試驗等。這些測試能夠有效反映出產(chǎn)品結(jié)構(gòu)設(shè)計是否合理，能否承受預(yù)期載荷而不發(fā)生變形或損壞。

電氣特性方面，除了常規(guī)的絕緣電阻、介質(zhì)損耗角正切值等基本指標(biāo)外，還增加了對高頻特性的考察，這對于高速信號傳輸領(lǐng)域尤為重要。同時，也考慮到了靜電放電（ESD）防護(hù)能力，要求封裝必須具備一定的抗靜電沖擊水平，防止因靜電積累導(dǎo)致內(nèi)部電路損傷。


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....

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  • 正在執(zhí)行有效
  • 2023-12-28 頒布
  • 2024-07-01 實施
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GB/T 43538-2023集成電路金屬封裝外殼質(zhì)量技術(shù)要求_第1頁
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GB/T 43538-2023集成電路金屬封裝外殼質(zhì)量技術(shù)要求_第3頁
GB/T 43538-2023集成電路金屬封裝外殼質(zhì)量技術(shù)要求_第4頁
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文檔簡介

ICS31200

CCSL.55

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T43538—2023

集成電路金屬封裝外殼質(zhì)量技術(shù)要求

Qualityandtechnicalrequirementsformetalpackagesusedforintegratedcircuits

2023-12-28發(fā)布2024-07-01實施

國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布

國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會

GB/T43538—2023

目次

前言

…………………………Ⅲ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術(shù)語和定義

3………………1

技術(shù)要求

4…………………5

材料

4.1…………………5

鍍覆

4.2…………………5

設(shè)計和結(jié)構(gòu)

4.3…………………………5

電特性

4.4………………5

外觀質(zhì)量

4.5……………6

環(huán)境適應(yīng)性

4.6…………………………6

附錄規(guī)范性鍍層質(zhì)量試驗方法

A()……………………7

鍍金層質(zhì)量試驗方法

A.1………………7

鍍鎳層質(zhì)量試驗方法

A.2………………7

附錄規(guī)范性金屬外殼外觀質(zhì)量要求

B()………………9

質(zhì)量要求

B.1……………9

檢驗條件

B.2……………29

Ⅰ

GB/T43538—2023

前言

本文件按照標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第部分標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識別專利的責(zé)任

。。

本文件由中華人民共和國工業(yè)和信息化部提出

。

本文件由全國半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會歸口

(SAC/TC78)。

本文件起草單位中國電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院廣東省高智新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展研究院合肥圣達(dá)電子科

:、、

技實業(yè)有限公司河北中瓷電子科技股份有限公司青島凱瑞電子有限公司廣東省中紹宣標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)

、、、

研究院有限公司深圳市淐樾科技有限公司

、。

本文件主要起草人安琪黃志剛胡海濤趙靜陳祥波崔從俊常守生

:、、、、、、。

Ⅲ

GB/T43538—2023

集成電路金屬封裝外殼質(zhì)量技術(shù)要求

1范圍

本文件規(guī)定了集成電路金屬封裝外殼的材料鍍覆設(shè)計和結(jié)構(gòu)電特性外觀質(zhì)量及環(huán)境適應(yīng)性等

、、、、

方面的技術(shù)要求和檢驗方法

。

本文件適用于集成電路金屬封裝外殼以下簡稱外殼的研制生產(chǎn)交付和使用

(“”)、、。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對應(yīng)的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

。

半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗方法第部分快速溫度變化雙液

GB/T4937.11—201811:

槽法

半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗方法第部分鹽霧

GB/T4937.13—201813:

半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗方法第部分引出端強(qiáng)度引線牢固

GB/T4937.14—201814:(

性

)

半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗方法第部分可焊性

GB/T4937.21—201821:

半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗方法第部分鍵合強(qiáng)度

GB/T4937.22—201822:

封裝引線間電容和引線負(fù)載電容測試方法

GB/T16526

封裝引線電阻測試方法

GB/T19248

金屬鍍覆層厚度測量方法

SJ20129

半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗方法第部分密封

IEC60749-8:20028:(Semiconductor

devices—Mechanicalandclimatictestmethods—Part8:Sealing)

半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗方法第部分溫度循環(huán)

IEC60749-25:200325:(Semiconductor

devices—Mechanicalandclimaticte

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