GB/T 4937.13-2018半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第13部分：鹽霧

ICS3108001

L40..

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T493713—2018/IEC60749-132002

.:

半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法

第13部分鹽霧

:

Semiconductordevices—Mechanicalandclimatictestmethods—

Part13Saltatmoshere

:p

(IEC60749-13:2002,IDT)

2018-09-17發(fā)布2019-01-01實(shí)施

國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T493713—2018/IEC60749-132002

.:

前言

半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法由以下部分組成

GB/T4937《》:

第部分總則

———1:;

第部分低氣壓

———2:;

第部分外部目檢

———3:;

第部分強(qiáng)加速穩(wěn)態(tài)濕熱試驗(yàn)

———4:(HAST);

第部分穩(wěn)態(tài)溫濕度偏置壽命試驗(yàn)

———5:;

第部分高溫貯存

———6:;

第部分內(nèi)部水汽含量測(cè)試和其他殘余氣體分析

———7:;

第部分密封

———8:;

第部分標(biāo)志耐久性

———9:;

第部分機(jī)械沖擊

———10:;

第部分快速溫度變化雙液槽法

———11:;

第部分掃頻振動(dòng)

———12:;

第部分鹽霧

———13:;

第部分引出端強(qiáng)度引線牢固性

———14:();

第部分通孔安裝器件的耐焊接熱

———15:;

第部分粒子碰撞噪聲檢測(cè)

———16:(PIND);

第部分中子輻照

———17:;

第部分電離輻射總劑量

———18:();

第部分芯片剪切強(qiáng)度

———19:;

第部分塑封表面安裝器件耐潮濕和焊接熱綜合影響

———20:;

第部分對(duì)潮濕和焊接熱綜合影響敏感的表面安裝器件的操作包裝標(biāo)志和運(yùn)輸

———20-1:、、;

第部分可焊性

———21:;

第部分鍵合強(qiáng)度

———22:;

第部分高溫工作壽命

———23:;

第部分加速耐濕無(wú)偏置強(qiáng)加速應(yīng)力試驗(yàn)

———24:(HSAT);

第部分溫度循環(huán)

———25:;

第部分靜電放電敏感度試驗(yàn)人體模型

———26:(ESD)(HBM);

第部分靜電放電敏感度試驗(yàn)機(jī)械模型

———27:(ESD)(MM);

第部分靜電放電敏感度試驗(yàn)帶電器件模型器件級(jí)

———28:(ESD)(CDM);

第部分閂鎖試驗(yàn)

———29:;

第部分非密封表面安裝器件在可靠性試驗(yàn)前的預(yù)處理

———30:;

第部分塑封器件的易燃性內(nèi)部引起的

———31:();

第部分塑封器件的易燃性外部引起的

———32:();

第部分加速耐濕無(wú)偏置高壓蒸煮

———33:;

第部分功率循環(huán)

———34:;

第部分塑封電子元器件的聲學(xué)掃描顯微鏡檢查

———35:;

第部分恒定加速度

———36:;

Ⅰ

GB/T493713—2018/IEC60749-132002

.:

第部分采用加速度計(jì)的板級(jí)跌落試驗(yàn)方法

———37:;

第部分半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的軟錯(cuò)誤試驗(yàn)方法

———38:;

第部分半導(dǎo)體元器件原材料的潮氣擴(kuò)散率和水溶解率測(cè)量

———39:;

第部分采用張力儀的板級(jí)跌落試驗(yàn)方法

———40:;

第部分非易失性存儲(chǔ)器件的可靠性試驗(yàn)方法

———41:;

第部分溫度和濕度貯存

———42:;

第部分集成電路可靠性鑒定方案指南

———43:(IC);

第部分半導(dǎo)體器件的中子束輻照單粒子效應(yīng)試驗(yàn)方法

———44:。

本部分為的第部分

GB/T493713。

本部分按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本部分使用翻譯法等同采用半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第部分

IEC60749-13:2002《13:

鹽霧

》。

與本部分中規(guī)范性引用的國(guó)際文件有一致性對(duì)應(yīng)關(guān)系的我國(guó)文件為

:

半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第部分引出端強(qiáng)度引線牢

———GB/T4937.14—201814:(

固性

)(IEC60749-14:2003,IDT);

電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第部分試驗(yàn)方法試驗(yàn)鹽霧

———GB/T2423.17—20082:Ka:

(IEC60068-2-11:1981,IDT)。

請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別這些專利的責(zé)任

。。

本部分由中華人民共和國(guó)工業(yè)和信息化部提出

。

本部分由全國(guó)半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口

(SAC/TC78)。

本部分起草單位中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十三研究所北京大學(xué)微電子研究院無(wú)錫必創(chuàng)傳感科

:、、

技有限公司

。

本部分主要起草人張艷杰彭浩李樹(shù)杰岳振鵬崔波高金環(huán)裴選張?zhí)旄＿t雷張威陳得民

:、、、、、、、、、、、

周剛

。

Ⅱ

GB/T493713—2018/IEC60749-132002

.:

半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法

第13部分鹽霧

:

1范圍

的本部分規(guī)定了半導(dǎo)體器件的鹽霧試驗(yàn)方法以確定半導(dǎo)體器件耐腐蝕的能力本試

GB/T4937,。

驗(yàn)是模擬嚴(yán)酷的海邊大氣對(duì)器件暴露表面影響的加速試驗(yàn)適用于工作在海上和沿海地區(qū)的器件

。。

本試驗(yàn)是破壞性試驗(yàn)

。

本試驗(yàn)總體上符合但鑒于半導(dǎo)體器件的特殊要求采用本部分的條款

IEC60068-2-11,,。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第部分引出端強(qiáng)度引線牢固性

IEC60749-1414:()[Semi-

conductordevices—Mechanicalandclimatictestmethods—Part14:Robustnessofterminations(Iead

integrity)]

環(huán)境試驗(yàn)第部分試驗(yàn)方法試驗(yàn)鹽霧

IEC60068-2-112:Ka:(Environmentaltesting—Part

2:Tests—TestKa:Saltmist)

3試驗(yàn)設(shè)備

鹽霧試驗(yàn)所用設(shè)備應(yīng)包括

:

帶有耐腐蝕的支撐器件夾具的溫控試驗(yàn)箱

a);

鹽溶液槽所用的鹽應(yīng)為無(wú)水氯化鈉其碘化鈉的質(zhì)量分?jǐn)?shù)不超過(guò)且總雜質(zhì)的含量不超

b):,0.1%,

過(guò)蒸餾水或使用的其他水的雜質(zhì)含量不超過(guò)-6應(yīng)通過(guò)過(guò)濾以控制溶液的

0.3%,()200×10,

雜質(zhì)含量為了達(dá)到第章所要求的沉降率去離子水或蒸餾水鹽溶液的鹽濃度應(yīng)為

,4,

質(zhì)量百分比

0.5%~3%();

使鹽液霧化的裝置包括合適的噴嘴和壓縮空氣源

c),;

高于箱內(nèi)溫度的某溫度下保持空氣潮濕的裝置

d),;

倍倍倍倍的放大鏡

e)1~3、10~20