半導體物理學期末復習試題及答案一

選擇題與絕緣體相比，半導體的價帶電子激發(fā)到導帶所需要的能量〔B〕。A.比絕緣體的大B.比絕緣體的小C.和絕緣體的一樣受主雜質電離后向半導體提供〔B〕，施主雜質電離后向半導體提供〔C〕，本征激發(fā)向半導體提供〔A〕。A.電子和空穴B.空穴C.電子對于一定的N型半導體材料，在溫度一定時，減小摻雜濃度，費米能級會〔B〕。A.上移B.下移C.不變在熱平衡狀態(tài)時，P型半導體中的電子濃度和空穴濃度的乘積為常數(shù)，它和〔B〕有關A.雜質濃度和溫度B.溫度和禁帶寬度C.雜質濃度和禁帶寬度D.雜質類型和溫度MIS構造發(fā)生多子積累時，外表的導電類型與體材料的類型〔B〕。A.一樣B.不同C.無關空穴是(B)。A.帶正電的質量為正的粒子B.帶正電的質量為正的準粒子C.帶正電的質量為負的準粒子D.帶負電的質量為負的準粒子砷化稼的能帶構造是〔A〕能隙構造。A.直接B.間接將Si摻雜入GaAs中，假設Si取代Ga則起〔A〕雜質作用，假設Si取代As則起〔B〕雜質作用。A.施主B.受主C.陷阱D.復合中心在熱力學溫度零度時，能量比小的量子態(tài)被電子占據(jù)的概率為〔D〕，當溫度大于熱力學溫度零度時，能量比小的量子態(tài)被電子占據(jù)的概率為〔A〕。A.大于1/2B.小于1/2C.等于1/2D.等于1E.如下圖的P型半導體MIS構造的C-V特性圖中，AB段代表〔A〕，CD段代表〔B〕。A.多子積累B.多子耗盡C.少子反型D.平帶狀態(tài)P型半導體發(fā)生強反型的條件〔B〕。A.B.C.D.金屬和半導體接觸分為：〔B〕。A.整流的肖特基接觸和整流的歐姆接觸B.整流的肖特基接觸和非整流的歐姆接觸C.非整流的肖特基接觸和整流的歐姆接觸D.非整流的肖特基接觸和非整流的歐姆接觸一塊半導體材料，光照在材料中會產生非平衡載流子，假設光照突然停頓后，其中非平衡載流子將衰減為原來的〔A〕。A.1/eB.1/2C.0D.載流子的漂移運動是由〔A〕引起的，反映擴散運動強弱的物理量是〔B〕。A.電場B.濃度差C.熱運動D.E.F.對摻雜的硅等原子半導體，主要散射機構是：〔B〕。A.聲學波散射和光學波散射B.聲學波散射和電離雜質散射C.光學波散射和電離雜質散射D.光學波散射證明題對于某n型半導體，試證明其費米能級在其本征半導體的費米能級之上。即EFn>Ei。計算畫圖題三塊半導體Si室溫下電子濃度分布為，,〔NC=3*1019cm-3，NV=1*1019cm-3，ni=1010cmln1000＝6.9〕則〔1〕、計算三塊半導體的空穴濃度〔2〕、畫出三塊半導體的能帶圖〔3〕、計算出三塊半導體的費米能級相對與的位置〔要求n型半導體求EC－EF，p型半導體求EF－Ev〕〔15分〕室溫下，本征鍺的電阻率為47，試求本征載流子濃度。假設鍺原子的濃度為，摻入施主雜質，使每個鍺原子中有一個雜質原子，計算室溫下電子濃度和空穴濃度(設雜質全部電離)。試求該摻雜鍺材料的電阻率。設，且認為不隨摻雜而變化。假設流過樣品的電流密度為，求所加的電場強度。畫出金屬和N型半導體接觸能帶圖〔，且忽略間隙〕，并分別寫出金屬一邊的勢壘高度和半導體一邊的勢壘高度表達式。如下圖，為P型半導體MIS構造形成的能帶圖，畫出對應的電荷分布圖