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文檔簡介

基本拓撲電路上一般沒有吸收緩沖電路,實際電路上一般有吸收緩沖電路,吸收與緩沖是工程需要,不是拓撲需要。吸收與緩沖的功效:1.防止器件損壞,吸收防止電壓擊穿,緩沖防止電流擊穿。2.使功率器件遠離危險工作區(qū),從而提高可靠性。3.降低(開關)器件損耗,或者實現(xiàn)某種程度的軟開關。4.降低di/dt和dv/dt,降低振鈴,改善EMI品質(zhì)。5.提高效率(提高效率是可能的,但弄不好也可能降低效率)。也就是說,防止器件損壞只是吸收與緩沖的功效之一,其他功效也是很有價值的。吸收:吸收是對電壓尖峰而言。電壓尖峰的成因:1.電壓尖峰是電感續(xù)流引起的。2.引起電壓尖峰的電感可能是:變壓器漏感、線路分布電感、器件等效模型中的感性成分等。3.引起電壓尖峰的電流可能是:拓撲電流、二極管反向恢復電流、不恰當?shù)闹C振電流等。減少電壓尖峰的主要措施是:1.減少可能引起電壓尖峰的電感,比如漏感、布線電感等2.減少可能引起電壓尖峰的電流,比如二極管反向恢復電流等3.如果可能的話,將上述電感能量轉(zhuǎn)移到別處。4.采取上述措施后電壓尖峰仍然不能接受,最后才考慮吸收。吸收是不得已的技術措施.拓撲吸將開關管Q1、拓撲續(xù)流二極管D1和一個無損的拓撲電容C2組成一個在布線上盡可能簡短的吸收回路。拓撲吸收的特點:1.同時將Q1、D1的電壓尖峰、振鈴減少到最低程度。2.拓撲吸收是無損吸收,效率較高。3.吸收電容C2可以在大范圍內(nèi)取值。4.拓撲吸收是硬開關,因為拓撲是硬開關。體二極管反向恢復吸收開關器件的體二極管的反向恢復特性,在關斷電壓的上升沿發(fā)揮作用,有降低電壓尖峰的吸收效應。RC吸收對RC吸收的理解1.RC吸收的本質(zhì)是阻尼吸收。2.有人認為R是限流作用,C是吸收。實際情況剛好相反。3.電阻R的最重要作用是產(chǎn)生阻尼,吸收電壓尖峰的諧振能量,是功率器件。4.電容C的作用也并不是電壓吸收,而是為R阻尼提供能量通道。5.RC吸收并聯(lián)于諧振回路上,C提供諧振能量通道,C的大小決定吸收程度,最終目的是使R形成功率吸收。6.對應一個特定的吸收環(huán)境和一個特定大小的電容C,有一個最合適大小的電阻R,形成最大的阻尼、獲得最低的電壓尖峰。7.RC吸收是無方向吸收,因此RC吸收既可以用于單向電路的吸收,也可用于雙向或者對稱電路的吸收。RC吸收設計1.RC吸收的設計方法的難點在于:吸收與太多因素有關,比如漏感、繞組結(jié)構(gòu)、分布電感電容、器件等效電感電容、電流、電壓、功率等級、di/dt、dv/dt、頻率、二極管反向恢復特性等等。而且其中某些因素是很難獲得準確的設計參數(shù)的。2.比如對二極管反壓的吸收,即使其他情況完全相同,使用不同的二極管型號需要的RC吸收參數(shù)就可能有很大差距。很難推導出一個通用的計算公式出來。3.R的損耗功率可大致按下式估算:Ps=FCU2其中U為吸收回路拓撲反射電壓。4.工程上一般應該在通過計算或者仿真獲得初步參數(shù)后,還必須根據(jù)實際布線在板調(diào)試,才能獲得最終設計參數(shù)。RCD吸收特點:1.RCD吸收不是阻尼吸收,而是靠非線性開關D直接破壞形成電壓尖峰的諧振條件,把電壓尖峰控制在任何需要的水平。2.C的大小決定吸收效果(電壓尖峰),同時決定了吸收功率(即R的熱功率)。3.R的作用只是把吸收能量以熱的形式消耗掉。其電阻的最小值應該滿足開關管的電流限制,最大值應該滿足PWM逆程RC放電周期需要,在此范圍內(nèi)取值對吸收效果影響甚微。4.RCD吸收會在被保護的開關器件上實現(xiàn)某種程度的軟關斷,這是因為關斷瞬間開關器件上的電壓即吸收電容C上的電壓等于0,關斷動作會在C上形成一個充電過程,延緩電壓恢復,降低dv/dt,實現(xiàn)軟關斷。不適應性:1.RCD吸收一般不適合反激拓撲的吸收,這是因為RCD吸收可能與反激拓撲相沖突。2.RCD吸收一般不適合對二極管反壓尖峰的吸收,因為RCD吸收動作有可能加劇二極管反向恢復電流。鉗位吸收RCD鉗位1.盡管RCD鉗位與RCD吸收電路可以完全相同,但元件參數(shù)和工況完全不同。RCD吸收RC時間常數(shù)遠小于PWM周期,而RCD鉗位的RC時間常數(shù)遠大于PWM周期。2.與RCD吸收電容的全充全放工況不同,RCD鉗位的電容可以看成是電壓源,其RC充放電幅度的谷值應不小于拓撲反射電壓,峰值即鉗位電壓。3.由于RCD鉗位在PWM電壓的上升沿和下降沿都不會動作,只在電壓尖峰出現(xiàn)時動作,因此RCD鉗位是高效率的吸收。齊納鉗位1.齊納鉗位的幾種形式。2.齊納鉗位也是在電壓尖峰才起作用,也是高效率吸收。3.某些場合,齊納鉗位需要考慮齊納二極管的反向恢復特性對電路的影響。4.齊納吸收需注意吸收功率匹配,必要時可用有源功率器件組成大功率等效電路.無損吸收無損吸收的條件1.吸收網(wǎng)絡不得使用電阻。2.不得形成LD電流回路。3.吸收回路不得成為拓撲電流路徑。4.吸收能量必須轉(zhuǎn)移到輸入側(cè)或者輸出側(cè)。5.盡量減少吸收回路二極管反向恢復電流的影響。無損吸收是強力吸收,不僅能夠吸收電壓尖峰,甚至能夠吸收拓撲反射電壓,比如:緩沖緩沖是對沖擊尖峰電流而言1.引起電流尖峰第一種情況是二極管(包括體二極管)反向恢復電流。2.引起電流尖峰第二種情況是對電容的充放電電流。這些電容可能是:電路分布電容、變壓器繞組等效分布電容、設計不恰當?shù)奈针娙荨⒃O計不恰當?shù)闹C振電容、器件的等效模型中的電容成分等等。緩沖的基本方法:在沖擊電流尖峰的路徑上串入某種類型的電感,可以是以下類型:緩沖的特性:1.由于緩沖電感的串入會顯著增加吸收的工作量,因此緩沖電路一般需要與吸收電路配合使用。2.緩沖電路延緩了導通電流沖擊,可實現(xiàn)某種程度的軟開通(ZIS)。3.變壓器漏感也可以充當緩沖電感。LD緩沖特點:1.可不需要吸收電路配合。2.緩沖釋能二極管與拓撲續(xù)流二極管電流應力相當甚至更大。3.緩沖釋能二極管的損耗可以簡單理解為開關管減少的損耗。4.適當?shù)木彌_電感(L3)參數(shù)可以大幅度減少開關管損耗,實現(xiàn)高效率。LR緩沖特點:1.需要吸收電路配合以轉(zhuǎn)移電感剩余能量。2.緩沖釋能電阻R的損耗較大,可簡單理解為是從開關管轉(zhuǎn)移出來的損耗。3.R、L參數(shù)必須實現(xiàn)最佳配合,參數(shù)設計調(diào)試比較難以掌握。4.只要參數(shù)適當仍然能夠?qū)崿F(xiàn)高效率。飽和電感緩沖對飽和電感的描述1.飽和電感的電氣性能表現(xiàn)為對di/dt敏感。2.在一個沖擊電流的上升沿,開始呈現(xiàn)較大的阻抗,隨著電流的升高逐漸進入飽和,從而延緩和削弱了沖擊電流尖峰,即實現(xiàn)軟開通。3.在電流達到一定程度后,飽和電感因為飽和而呈現(xiàn)很低的阻抗,這有利于高效率地傳輸功率。4.在電流關斷時,電感逐漸退出飽和狀態(tài),一方面,由于之前的飽和狀態(tài)的飽和電感量非常小,即儲能和需要的釋能較小。另一方面,退出時電感量的恢復可以減緩電壓的上升速度,有利于實現(xiàn)軟關斷。5.以Ls2為例,5u表示磁路截面積5mm2,大致相當于1顆PC40材質(zhì)4*4*2的小磁芯。飽和電感特性熱特性:飽和電感是功率器件,通過進入和退出飽和過程的磁滯損耗(而不是渦流損耗或者銅損)吸收電流尖峰能量,主要熱功率來自于磁芯。這一方面要求磁芯應該是高頻材料,另一方面要求磁芯溫度在任何情況下不得超過居里溫度。這意味著飽和電感的磁芯應該具有最有利的散熱特性和結(jié)構(gòu),即:更高的居里溫度、更高的導熱系數(shù)、更大的散熱面積、更短的熱傳導路徑。飽和特性:顯然飽和電感一般不必考慮使用氣隙或者不易飽和的低導磁率材料。初始電感等效特性:在其他條件相同情況下,較低導磁率的磁芯配合較多匝數(shù)、與較高導磁率的磁芯配合較少匝數(shù)的飽和電感初始電感相當,緩沖效果大致相當。這意味著直接采用1匝的穿心電感總是可能的,因為任何多匝的電感總可以找到更高導磁率的磁芯配合1匝等效之。這還意味著磁芯最高導磁率受到限制,如果一個適合的磁芯配合1匝的飽和電感,將沒有使用更高導磁率的磁芯配合更少匝數(shù)的可能。磁芯體積等效特性:在其他條件相同情況下,相同體積的磁芯的飽和電感緩沖效果大致相當。既然如此,磁芯可以按照最有利于散熱的磁路進行設計。比如細長的管狀磁芯比環(huán)狀磁芯、多個小磁芯比集中一個大磁芯、穿心電感比多匝電感顯然具有更大的散熱表面積。組合特性有時候,單一材質(zhì)的磁芯并不能達到工程上需要的緩沖效果,采用多種材質(zhì)的磁芯相互配合或許才能能夠滿足工程需要。無源無損緩沖吸收無損緩沖:1.如果緩沖電感本身是無損的(非飽和電感),而其電感儲能又是經(jīng)過無損吸收的方式處理的,即構(gòu)成無源無損緩沖吸收電路,實際上這也是無源軟開關電路。2,緩沖電感的存在延遲和削弱的開通沖擊電流,實現(xiàn)了一定程度的軟開通。3.無損吸收電路的存在延遲和降低了關斷電壓的dv/dt,實現(xiàn)了一定程度的軟關斷。4.實現(xiàn)無源軟開關的條件與無損吸收大致相同。并不是所有拓撲都能夠搭建出一個無源軟開關電路。因此除了經(jīng)典的電路外,很多無源軟開關電路都是被專利的熱門。5.無源無損軟開關電路效率明顯高于其他緩沖吸收方式,與有源軟開關電路效率相差無幾。因此只要能夠?qū)崿F(xiàn)無源軟開關的電路,可不必采用有源軟開關。吸收緩沖電路性能濾波緩1.電路中的電解電容一般具有較大的ESR(典型值是百毫歐姆數(shù)量級),這引起兩方面問題:一是濾波效果大打折扣;二是紋波電流在ESR上產(chǎn)生較大損耗,這不僅降低效率,而且由于電解電容發(fā)熱直接導致的可靠性和壽命問題。2.一般方法是在電解電容上并聯(lián)高頻無損電容,而事實上,這一方法并不能使上述問題獲得根本的改變,這是由于高頻無損電容在開關電源常用頻率范圍內(nèi)仍然存在較大的阻抗的緣故。3.提出的辦法是:用電感將電解和CBB分開,CBB位于高頻紋波電流側(cè),電解位于直流(工頻)側(cè),各自承擔對應的濾波任務。4.設計原則:Π形濾波網(wǎng)絡的諧振頻率Fn應該錯開PWM頻率Fp。可取Fp=(1.5~2)Fn。5.這一設計思想可以延伸到直流母線濾波的雙向緩沖,或者其他有較大濾波應力的電路結(jié)構(gòu)。振鈴振鈴的危害:1.MEI測試在振鈴頻率容易超標。2.振鈴將引起振鈴回路的損耗,造成器件發(fā)熱和降低效率。3.振鈴電壓幅度超過臨界值將引起振鈴電流,破環(huán)電路正常工況,效率大幅度降低。振鈴的成因:1.振鈴多半是由結(jié)電容和某個等效電感的諧振產(chǎn)生的。對于一個特定頻率的振鈴,總可以找到原因。電容和電感可以確定一個頻率,而頻率可以觀察獲得。電容多半是某個器件的結(jié)電容,電感則可能是漏感。2.振鈴最容易在無損(無電阻的)回路發(fā)生。比如:副邊二極管結(jié)電容與副邊漏感的諧振、雜散電感與器件結(jié)電容的諧振、吸收回路電感與器件結(jié)電容的諧振等等。振鈴的抑制:1.磁珠吸收,只要磁珠在振鈴頻率表現(xiàn)為電阻,即可大幅度吸收振鈴能量,但是不恰當?shù)拇胖橐部赡茉黾诱疋彙?.RC吸收,其中C可與振鈴(結(jié)

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