1+X集成電路理論知識(shí)模擬試題含答案

1+X集成電路理論知識(shí)模擬試題含答案

1、工作臺(tái)整理干凈后，根據(jù)物流提供的（）到待檢查品貨架上領(lǐng)取待外檢

的芯片。

A、芯片測(cè)試隨件單

B、晶圓測(cè)試隨件單

C、中轉(zhuǎn)箱號(hào)

D、芯片名稱

答案：C

工作臺(tái)整理干凈后，根據(jù)物流提供的中轉(zhuǎn)箱號(hào)到待檢查品貨架上領(lǐng)取待外

檢的芯片。

2、SOP封裝的芯片一般采用（）形式進(jìn)行包裝。

A、卷盤

B、編帶

C、料管

D、料盤

答案：B

SOP封裝因其體積小等特點(diǎn)，一般采用編帶包裝形式。

3、銅電鍍之前，需要沿著側(cè)壁和底部，淀積一層連續(xù)的薄種子層，若種子

層不連續(xù)可能導(dǎo)致電鍍的銅產(chǎn)生。

A、空洞

B、尖刺

C、電遷移

D、肖特基現(xiàn)象

答案：A

如果種子層不連續(xù)，就可能在電鍍的銅中產(chǎn)生空洞

4、用平移式分選機(jī)設(shè)備進(jìn)行芯片檢測(cè)的第二個(gè)環(huán)節(jié)是（）。

A、分選

B、上料

C、測(cè)試

D、外觀檢查

答案：C

平移式分選機(jī)設(shè)備芯片檢測(cè)工藝的操作步驟一般為：上料一測(cè)試一分選一

外觀檢查一真空包裝。

5、摻雜結(jié)束后，要對(duì)硅片進(jìn)行質(zhì)量檢測(cè)，造成硅片表面有顆粒污染的原因

可能是（）。

A、離子束中混入電子

B、注入機(jī)未清洗干凈

C、注入過(guò)程中晶圓的傾斜角度不合適

D、離子束電流檢測(cè)不夠精確

答案：B

離子束中混入電子、離子束電流檢測(cè)不夠精確導(dǎo)致的是摻雜劑量不合適。

注入過(guò)程中晶圓的傾斜角度不合適導(dǎo)致雜質(zhì)再分布。

6、使用重力式分選機(jī)設(shè)備進(jìn)行芯片檢測(cè)時(shí)，第一環(huán)節(jié)需進(jìn)行()操作。

A、上料

B、分選

C、編帶

D、外檢

答案：A

重力式分選機(jī)設(shè)備芯片檢測(cè)工藝流程：上料一測(cè)試f分選一編帶(SOP)一

外觀檢查一真空包裝。

7、CMP是實(shí)現(xiàn)()的一種技術(shù)。

A、平滑處理

B、部分平坦化

C、局部平坦化

D、全局平坦化

答案：D

化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)是通過(guò)比去除低處圖形快的速度去除高處圖形來(lái)獲得均

勻表面,利用化學(xué)腐蝕和機(jī)械研磨加工硅片和其他襯底材料的凸出部分,實(shí)現(xiàn)全

局平坦化的一種技術(shù)。

8、芯片檢測(cè)工藝通常在()無(wú)塵車間內(nèi)進(jìn)行。

A、百級(jí)

B、千級(jí)

C、十萬(wàn)級(jí)

D、三十萬(wàn)級(jí)

答案：B

芯片檢測(cè)工藝是對(duì)完成封裝的芯片進(jìn)行電性測(cè)試，其芯片為非裸露狀態(tài)，

通常在常規(guī)千級(jí)無(wú)塵車間內(nèi)進(jìn)行，其溫度為22±3℃,濕度為55±10%o

9、在如下方波輸出控制程序中，占空比計(jì)算公式為()oVoid

PWM_Init(){PWMO->TBPRD=400；PWM1->TBCTL=0；PW1-

>TBCTL_b.HSPCLKDIV=1；PWMl->TBCTL_b.CLKDIV=4；PWMb>TBCTL_b.PRDLD

=1；PWMO->TBCTL_b.CTRMODE=2；PWMO->AQCTLA_b.CAU=1；PWMO-

>AQCTLA_b.CAD=2；PWMO->CMPA=200；PWM_START；}

A、PWMO->AQCTLA_b.CAU/PWO->AQCTLA_b.CAD=50%

B、PWO->TBCTL_b.CTRMODE/PWM1->TBCTL_b.CLKDIV=50%

C、PWl->TBCTL_b.HSPCLKDIV/PWM1->TBCTL_b.CLKDIV=25%

D、PWM0->CMPA/PW0->TBPRD=50%

答案：D

10、轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)設(shè)備測(cè)試環(huán)節(jié)的流程是：（）。

A、測(cè)前光檢一測(cè)后光檢一測(cè)試一芯片分選

B、芯片分選一測(cè)前光檢一測(cè)后光檢一測(cè)試

C、測(cè)前光檢一測(cè)試一測(cè)后光檢一芯片分選

D、測(cè)前光檢一測(cè)后光檢一芯片分選一測(cè)試

答案：C

轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)設(shè)備測(cè)試環(huán)節(jié)的流程是：測(cè)前光檢f測(cè)試一測(cè)后光檢f芯片

分選。

11、封裝工藝中，將塑封后的芯片放到溫度為175±5℃的高溫烘箱內(nèi)的作

用是（）o

A、消除內(nèi)部應(yīng)力，保護(hù)芯片

B、測(cè)試產(chǎn)品耐高溫效果

C、改變塑封外形

D、剔除塑封虛封的產(chǎn)品

答案：A

12、重力式分選機(jī)進(jìn)行自動(dòng)上料時(shí)，進(jìn)入上料架，上料夾具準(zhǔn)備夾取的料

管中的芯片位置（）要求：（）。

A、有；芯片印章在上面

B、有；芯片印章在下面

C、無(wú)；需要等待料管篩選

D、無(wú)；進(jìn)入上料的芯片位置沒(méi)有要求

答案：A

重力式分選機(jī)進(jìn)行上料時(shí)，進(jìn)入上料架，上料夾具準(zhǔn)備夾取的料管中的芯

片位置要求芯片印章朝上，便于后期操作。

13、晶圓切割后的光檢中對(duì)于不良廢品，需要做（）處理。

A、剔除

B、修復(fù)

C、標(biāo)記

D、降檔

答案：A

略

14、離子注入過(guò)程中需要遵守三大方向，其中一個(gè)是摻雜物類型是由。

材料決定的。

A、離子電流

B、離子源材料

C、離子轟擊注入的能量

D、離子電流與注入時(shí)間相乘

答案：B

15、重力式分選機(jī)進(jìn)行芯片檢測(cè)時(shí)，測(cè)試機(jī)對(duì)芯片測(cè)試完畢后，將檢測(cè)結(jié)

果通過(guò)。把結(jié)果傳回分選機(jī)。

A、GPIB

B、數(shù)據(jù)線

C、串口

D、VGA

答案：A

16、在電子電路方案設(shè)計(jì)中最簡(jiǎn)單的顯示平臺(tái)是()o

A、OLED

B、LCD

C、LED

D、數(shù)碼管

答案：C

17、平移式分選機(jī)進(jìn)行料盤上料時(shí)，在上料架旁的紅色指示燈亮的含義是

()。

A、上料機(jī)構(gòu)故障

B、上料架上有料盤

C、上料架上有空料盤

D、上料架上沒(méi)有料盤

答案：B

平移式分選機(jī)進(jìn)行料盤上料時(shí)，上料架上是否有料盤可以通過(guò)上料架旁的

傳感器進(jìn)行檢測(cè)。當(dāng)傳感器指示燈為紅色時(shí)，表明上料架上還有料盤，可以繼

續(xù)進(jìn)行上料，當(dāng)傳感器指示燈為綠色時(shí)，表明上料架上無(wú)料盤，停止上料。

18、利用全自動(dòng)探針臺(tái)進(jìn)行扎針測(cè)試時(shí)，關(guān)于上片的步驟，下列所述正確

的是()。

A、打開(kāi)蓋子一花籃放置一花籃下降一花籃到位一花籃固定一合上蓋子

B、打開(kāi)蓋子->花籃放置一花籃到位一花籃下降花籃固定一合上蓋子

C、打開(kāi)蓋子一花籃放置一花籃下降一花籃固定一花籃到位一合上蓋子

D、打開(kāi)蓋子一花籃放置一花籃固定一花籃下降一花籃到位一合上蓋子

答案：D

19、如果焊接面上有（）,不能生成兩種金屬材料的合金層。

A、阻隔浸潤(rùn)的污垢

B、氧化層

C、沒(méi)有充分融化的焊料

D、以上都是

答案：D

20、一般來(lái)說(shuō)，（）封裝形式會(huì)采用轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)進(jìn)行測(cè)試。

A、LGA/T0

B、LGA/S0P

C、DIP/S0P

D、QFP/QFN

答案：A

一般來(lái)說(shuō)，LGA/T0會(huì)采用轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)進(jìn)行測(cè)試，DIP/S0P會(huì)采用重力式

分選機(jī)進(jìn)行測(cè)試，QFP/QFN會(huì)采用平移式分選機(jī)進(jìn)行測(cè)試。

21、最大不失真輸出電壓測(cè)試，輸入信號(hào)步進(jìn)值（），但測(cè)試時(shí)間會(huì)隨輸

入電壓步進(jìn)值（）。

A、越小越好、增加而增加

B、越大越好、增加而減小

C、越小越好、減小而增加

D、越大越好，減小而減小

答案：C

22、芯片粘接過(guò)程中點(diǎn)銀漿之后進(jìn)入（）步驟。

A、框架上料

B、芯片拾取

C、框架收料

D、銀漿固化

答案：B

芯片粘接流程為：放置引線框架和晶圓一參數(shù)設(shè)置一框架上料f點(diǎn)銀漿f

芯片拾取一框架收料f銀漿固化（烘烤箱內(nèi)進(jìn)行）。

23、切割完的晶圓取出后先用氣槍將晶圓表面的（）和硅粉塵進(jìn)行初步的

清理。

A、晶圓碎片

不良晶粒

C、去離子水

D、切割時(shí)產(chǎn)生的火花

答案：C

略

24、在電子產(chǎn)品測(cè)試中需保證測(cè)試環(huán)境穩(wěn)定，其中使用環(huán)境穩(wěn)定是指（）o

A、硬件的工作參數(shù)穩(wěn)定

B、軟件的工作參數(shù)穩(wěn)定

C、模擬真實(shí)用戶使用時(shí)的場(chǎng)景

D、使用人員操作得當(dāng)

答案：C

25、晶圓檢測(cè)工藝中，在進(jìn)行打點(diǎn)工序以后，需要進(jìn)行的工序是（）。

A、扎針調(diào)試

B、扎針測(cè)試

C、烘烤

D、外觀檢查

答案：C

26、利用編帶機(jī)進(jìn)行編帶的過(guò)程中，在完成熱封處理后，需要進(jìn)入（）環(huán)

節(jié)。

A、將芯片放入載帶中

B、密封

C、編帶收料

D、光檢

答案：C

27、使用轉(zhuǎn)塔式分選設(shè)備進(jìn)行芯片測(cè)試時(shí)，其測(cè)試環(huán)節(jié)的流程正確的是

（）0

A、測(cè)前光檢一測(cè)后光檢~測(cè)試一芯片分選

B、芯片分選一測(cè)前光檢~測(cè)后光檢一測(cè)試

C、測(cè)前光檢一測(cè)試一測(cè)后光檢一芯片分選

D、測(cè)前光檢一測(cè)后光檢f芯片分選一測(cè)試

答案：C

28、晶圓檢測(cè)工藝中，在進(jìn)行真空入庫(kù)之前，需要進(jìn)行的操作是（）。

A、烘烤

B、打點(diǎn)

C、外檢

D、扎針測(cè)試

答案：C

晶圓檢測(cè)工藝流程：導(dǎo)片一上片一加溫、扎針調(diào)試一扎針測(cè)試一打點(diǎn)一烘

烤->外檢一真空入庫(kù)。

29、該圖是()的版圖。

A、D觸發(fā)器

B、一位全加器

C^傳輸門

D、與非門

答案：A

30、利用平移式分選設(shè)備進(jìn)行芯片檢測(cè)時(shí)，芯片在該區(qū)域的操作完成后會(huì)

進(jìn)入()區(qū)域。

A、上料

B、待測(cè)

C、測(cè)試

D、分選

答案：D

31、封裝按材料分一般可分為塑料封裝、。和陶瓷封裝等。

A、金屬封裝

B、橡膠封裝

C、泡沫封裝

D、DIP封裝

答案：A

略

32、雙極型與單極型集成電路在性能上的主要差別是()o

A、雙極型器件工作頻率高、功耗大、溫度特性好、輸入電阻大，而單極

型器件正好相反

B、雙極型器件工作頻率高、功耗大、溫度特性差、輸入電阻小，而單極

型器件正好相反

C、雙極型器件工作頻率高、功耗低、溫度特性好、輸入電阻小，而單極

型器件正好相反

D、雙極型器件工作頻率低、功耗大、溫度特性好、輸入電阻小，而單極

型器件正好相反

答案：B

33、引線鍵合機(jī)內(nèi)完成鍵合的框架送至出料口的引線框架盒內(nèi)，引線框架

盒每接收完一個(gè)引線框架會(huì)（）o

A、保持不動(dòng)

B、自動(dòng)上移一定位置

C、自動(dòng)下移一定位置

D、自動(dòng)后移一定位置

答案：C

完成引線鍵合的框架由傳輸裝置送進(jìn)出料口的引線框架盒內(nèi)?？蚣芎忻拷?/p>

收完一個(gè)引線框架，自動(dòng)下移一定位置，等待接收下一個(gè)引線框架。

34、晶圓檢測(cè)工藝中，在進(jìn)行外檢之前，需要進(jìn)行的操作是（）。

A、扎針測(cè)試

B、烘烤

C、打點(diǎn)

D、真空入庫(kù)

答案：B

晶圓檢測(cè)工藝流程：導(dǎo)片一上片加溫、扎針調(diào)試一扎針測(cè)試一打點(diǎn)一烘

烤f外檢f真空入庫(kù)。

35、切割完的晶圓取出后先用氣槍將晶圓表面的（）和硅粉塵進(jìn)行初步的

清理。

A、晶圓碎片

B、不良晶粒

C、去離子水

D、切割時(shí)產(chǎn)生的火花

答案：C

36、裝有晶圓的花籃需要放在氮?dú)夤裰袃?chǔ)存的主要目的是（）。

A、防氧化

B、合理利用生產(chǎn)車間的空間

C、作為生產(chǎn)工藝的中轉(zhuǎn)站

D、防塵

答案：A

氮?dú)夤裰饕抢玫獨(dú)鈦?lái)降低濕度和氧含量。將裝有晶圓的花籃放在氮?dú)?/p>

柜中的主要目的是防氧化。

37、轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)設(shè)備進(jìn)行編帶后，進(jìn)入（）環(huán)節(jié)。

A、上料

B、測(cè)試

C、外觀檢查

D、真空包裝

答案：C

轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)設(shè)備芯片檢測(cè)工藝的操作步驟一般為：上料一測(cè)試一編帶一

外觀檢查一真空包裝。

38、封裝工藝中，激光打標(biāo)的文本內(nèi)容和格式設(shè)置完成后，需要（）。

A、選擇打標(biāo)文檔

B、點(diǎn)擊保存按鈕保存設(shè)置情況

C、點(diǎn)擊開(kāi)始打標(biāo)按鈕

D、調(diào)整光具位置

答案：B

39、從安全上看，四氯化硅氫還原法、三氯氫硅氫還原法、硅烷熱分解法

的安全性從小到大排列的順序?yàn)椋海ǎ?/p>

A、硅烷熱分解法〈四氯化硅氫還原法V三氯化硅氫還原法

B、四氯化硅氫還原法V硅烷熱分解法V三氯化硅氫還原法

C、三氯化硅氫還原法〈硅烷熱分解法〈四氯化硅氫還原法

D、硅烷熱分解法〈三氯化硅氫還原法〈四氯化硅氫還原法

答案：D

從安全上看，硅烷最危險(xiǎn)，最容易爆炸，三氯氫硅次之，也容易爆炸，四

氯化硅最安全，根本不會(huì)發(fā)生爆炸。

40、清洗是晶圓制程中不可缺少的環(huán)節(jié)，使用DHF清洗液進(jìn)行清洗時(shí)，可

以去除的物質(zhì)是（）o

A、光刻膠

B、顆粒

C、金屬

D、自然氧化物

答案：D

41、若使用串口助手下載程序到單片機(jī)，則需要keil軟件生成（）文件。

A、Inp

B、Dsp

C>Hex

D、Crf

答案：c

42、窄間距小外形封裝的英文簡(jiǎn)稱為（）0

A、SIP

B、SOP

C、SSOP

D、QFP

答案：C

SIP-單列直插式封裝；SOP-小外形封裝；SSOP-窄間距小外形封裝；QFP-四

側(cè)引腳扁平封裝。

43、Cadence中庫(kù)管理由高到低分別是。。

A、庫(kù)-單元-視圖

B、庫(kù)-視圖-單元

C、單元-庫(kù)-視圖

D、單元-視圖-庫(kù)

答案：A

44、電子組裝業(yè)中最通用最廣泛的文件格式是（）o

A、BOM

B、PCB

C、ICT

D、Gerber

答案：D

45、料盤外觀檢查的步驟正確的是（）。

A、查詢零頭（若有）一零頭檢查一檢查外觀一電路拼零一零頭儲(chǔ)存

B、檢查外觀一查詢零頭（若有）一零頭檢查一電路拼零一零頭儲(chǔ)存

C、查詢零頭（若有）一零頭檢查一電路拼零一零頭儲(chǔ)存一檢查外觀

D、檢查外觀一零頭儲(chǔ)存一查詢零頭（若有）一零頭檢查一電路拼零

答案：B

料盤外觀檢查的步驟：檢查外觀一查詢零頭（若有）一零頭檢查一電路拼

零一零頭儲(chǔ)存。

46、濕度卡的作用是（）。

A、去潮濕物質(zhì)中的水分

B、可以防止靜電

C、起到防水的作用

D、顯示密封空間的濕度狀況

答案：D

濕度卡是用來(lái)顯示密封空間濕度狀況的卡片。

47、對(duì)準(zhǔn)和曝光過(guò)程中，套準(zhǔn)精度是指形成的圖形層與前層的最大相對(duì)位

移大約是關(guān)鍵尺寸的（）o

A、二分之一

B、三分之一

C、四分之一

D、五分之一

答案：B

版圖套準(zhǔn)過(guò)程有了對(duì)準(zhǔn)規(guī)范，也就是常說(shuō)的套準(zhǔn)容差或套準(zhǔn)精度。具體是

指要形成的圖形層與前層的最大相對(duì)位移。一般而言大約是關(guān)鍵尺寸的三分之

0

48、｛在扎針測(cè)試時(shí)，需要記錄測(cè)試結(jié)果，根據(jù)以下入庫(kù)晶圓測(cè)試隨件單的

信息，如果剛測(cè)完片號(hào)為5的晶圓，那么下列說(shuō)法正確的是：（）。｝

A、T0TAL=5968,PASS=5788

B、T0TAL=6000,PASS=5820

C、T0TAL=5820,FAIL=180

D、T0TAL=5788,FAIL=212

答案：B

入庫(kù)晶圓測(cè)試隨件單中的合格數(shù)指的是除去測(cè)試不合格及外觀不合格的合

格數(shù)量，因此，總數(shù)TOTAL="合格數(shù)”+“測(cè)試不良數(shù)”+“外觀剔除數(shù)”，測(cè)

試合格數(shù)PASS="合格數(shù)”+“外觀剔除數(shù)”，測(cè)試不合格數(shù)FAIL="測(cè)試不良

數(shù)”。所以對(duì)于片號(hào)為5的晶圓,T0TAL=6000,PASS=5820,FAIL=180o

49、料盤進(jìn)行真空包裝時(shí)，一般會(huì)在內(nèi)盒側(cè)面的空白處貼。個(gè)標(biāo)簽。

A、1

B、2

C、3

D、4

答案：A

50、晶圓檢測(cè)工藝中，在進(jìn)行打點(diǎn)之后，需要進(jìn)行的操作是（）。

A、加溫、扎針調(diào)試

B、扎針測(cè)試

C、烘烤

D、外檢

答案：C

晶圓檢測(cè)工藝流程：導(dǎo)片f上片f加溫、扎針調(diào)試f扎針測(cè)試f打點(diǎn)f烘

烤f外檢f真空入庫(kù)。

51、4英寸的單晶硅錠的切割方式為：（）。

A、外圓切割

B、內(nèi)圓切割

C、線鋸切割

D、以上均可

答案：B

直徑＜300mm時(shí)采用內(nèi)圓切割，直徑2300mm時(shí)采用外圓切割、線鋸切割。

4英寸的單晶硅錠直徑為100mm,切割方式為內(nèi)圓切割。

52、管裝芯片外觀檢查步驟錯(cuò)誤的是（）。

A、①取一捆待檢查電路，平整地排放于桌面，使定位標(biāo)記朝左，打印面朝

操作者；②以一邊為支點(diǎn)，將料管斜起45度左右后放回桌面（使電路排緊密）；

B、①將料管旋轉(zhuǎn)90度，②重復(fù)步驟1,使電路兩邊方向管腳均按步驟1

進(jìn)行檢查。

C、逐根翻轉(zhuǎn)料管90度，使打印面朝上，平鋪。

D、將檢查合格的電路用牛皮筋捆扎好。

答案：B

53、管裝裝內(nèi)盒時(shí)，在內(nèi)盒上貼有（）種標(biāo)簽。

A、1

B、2

C、3

D、4

答案：B

管裝內(nèi)盒上的標(biāo)簽有合格標(biāo)簽和含芯片信息的標(biāo)簽。

54、先進(jìn)的平坦化技術(shù)有（）。

A、反刻法

B、高溫回流法

C、旋涂玻璃法

D、化學(xué)機(jī)械拋光法

答案：D

反刻法、高溫回流法、旋涂玻璃法屬于傳統(tǒng)平坦化技術(shù)，化學(xué)機(jī)械拋光法屬

于先進(jìn)平坦化技術(shù)。

55、利用平移式分選設(shè)備進(jìn)行芯片測(cè)試時(shí)，設(shè)備在測(cè)試區(qū)完成測(cè)試后，會(huì)

進(jìn)入（）環(huán)節(jié)。

A、上料

B、分選

C、外觀檢查

D、真空包裝

答案：B

56、若防靜電點(diǎn)檢未通過(guò)則需要()o

A、重新啟動(dòng)檢測(cè)儀器，再次檢測(cè)

B、請(qǐng)其他員工檢測(cè)，門開(kāi)啟后一同進(jìn)入

C、找管理部門手動(dòng)打開(kāi)

D、檢查著裝并消除靜電，重新檢測(cè)

答案：D

防靜電點(diǎn)檢未通過(guò)時(shí)，應(yīng)該檢查自身著裝并消除靜電，然后重新檢測(cè)。不

可隨其他檢測(cè)通過(guò)的人員一起進(jìn)入，否則自身超標(biāo)的靜電會(huì)對(duì)對(duì)車間內(nèi)的芯片

造成損害。

57、芯片完成編帶并進(jìn)行清料后，會(huì)將完成編帶的芯片放在()上。

A、已檢查品貨架

B、待檢查品貨架

C、待外檢貨架

D、合格品貨架

答案：B

芯片完成編帶并進(jìn)行清料后，將將編帶盤、隨件單放入對(duì)應(yīng)的中轉(zhuǎn)箱中，

并將中轉(zhuǎn)箱放在待檢查品貨架上等待外觀檢查。

58、晶圓進(jìn)行扎針測(cè)試時(shí)，完成晶圓信息的輸入后，需要核對(duì)()上的信

息，確保三者的信息一致。

A、MAP圖、測(cè)試機(jī)操作界面、晶圓測(cè)試隨件單

B、MAP圖、探針臺(tái)界面、晶圓測(cè)試隨件單

C、MAP圖、軟件檢測(cè)程序、晶圓測(cè)試隨件單

D、MAP圖、軟件版本、晶圓測(cè)試隨件單

答案：A

59、單晶爐加熱過(guò)程中爐體冷卻水中斷或流量不足，提示水流量低報(bào)警，

該故障是()o

A、斷水

B、液面過(guò)低

C、電極故障

D、打火

答案：A

60>PE板函數(shù)：_set_drvpin（）函數(shù)原形：void_set_drvpin（char

*logic,unsignedintPin,...）；函數(shù)功能：設(shè)置輸出（驅(qū)動(dòng)）管腳的邏輯

狀態(tài)；參數(shù)說(shuō)明：*logic——邏輯標(biāo)志（,H：高電平，L：低

電平,pin,...——管腳序列（1,2,3,…64）,管腳序列要以0結(jié)尾；現(xiàn)

設(shè)定PIN1,3,5輸出高電平，實(shí)例代碼為：（）。

A、_sel_drv_pin"H"L3,5,0；

B、_sel_drv_pin"H"1,5,3,0；

C、_sel_drv_pin"L"1,3,5,1；

D、_sel_drv_pin"L”1,5,3,1；

答案：A

61、芯片的耐壓度是指（），主要取決于絕緣間隙和絕緣材料的性能以及絕

緣結(jié)構(gòu)。

A、所能承受的最大應(yīng)力

B、承受電壓的能力

C、所能承受的最大壓強(qiáng)

D、所能承受的極限載荷

答案：B

耐壓度是承受電壓的能力，主要取決于絕緣間隙和絕緣材料的性能以及絕

緣結(jié)構(gòu)。

62、SOP封裝的芯片因其體積小等特點(diǎn)，一般采用（）。

A、料盤包裝

B、編帶包裝

C、料管包裝

D、散裝

答案：B

SOP封裝的芯片因其體積小等特點(diǎn)，一般采用編帶包裝。

63、用重力式選機(jī)設(shè)備進(jìn)行芯片檢測(cè)的第二個(gè)環(huán)節(jié)是（）。

A、分選

B、測(cè)試

C、上料

D、外觀檢查

答案：B

重力式分選機(jī)設(shè)備芯片檢測(cè)工藝的操作步驟一般為：上料一測(cè)試一分選f

編帶（SOP）-外觀檢查一真空包裝。

64、薄膜淀積完成后，需要進(jìn)行質(zhì)量評(píng)估。其中()是檢測(cè)薄膜質(zhì)量、組

分及純度的有效參數(shù)，可以用橢偏儀測(cè)量。

A、厚度

B、折射率

C、臺(tái)階覆蓋率

D、均勻性

答案：B

65、減薄工藝的正確流程是()0

A、清洗一上蠟粘片一原始厚度測(cè)量一壓片二次厚度測(cè)量一拋光一減薄

一去蠟一清洗

B、清洗一壓片一原始厚度測(cè)量一上蠟粘片一二次厚度測(cè)量一減薄一拋光

一去蠟一清洗

C、清洗一壓片一原始厚度測(cè)量一上蠟粘片一二次厚度測(cè)量一拋光->減薄

->去蠟->清洗

D、清洗一原始厚度測(cè)量一上蠟粘片一壓片一二次厚度測(cè)量一減薄一拋光

一去蠟一清洗

答案：D

66、防靜電點(diǎn)檢的目的是。。

A、檢測(cè)進(jìn)入車間人員的體重與身體狀況

B、指紋檢測(cè)

C、檢測(cè)人體帶有的靜電是否超出進(jìn)入車間的標(biāo)準(zhǔn)

D、防止灰塵或靜電的產(chǎn)生

答案：C

:防靜電點(diǎn)檢的目的是檢測(cè)人體帶有的靜電是否超出進(jìn)入車間的標(biāo)準(zhǔn)，沒(méi)有

A、B、D選項(xiàng)所述的功能；規(guī)范著裝的目的是防止人體灰塵的散落或靜電的產(chǎn)

生。

67、口罩和發(fā)罩。。

A、需要定期清洗

B、不得重復(fù)使用

C、一周必須更換一次

D、每天下班時(shí)放入消毒柜，下次對(duì)應(yīng)取用

答案：B

口罩和發(fā)罩不得重復(fù)使用，每天需穿戴全新的口罩和發(fā)罩。

68、點(diǎn)銀漿時(shí)，銀漿的覆蓋范圍需要。。

A、小于50%

B、大于50%

C、大于75%

D、不小于90%

答案：C

引線框架被推至點(diǎn)銀漿指定位置后，點(diǎn)膠頭在晶粒座預(yù)定粘著晶粒的位置

點(diǎn)上定量的銀漿（銀漿覆蓋范圍＞75Q。

69、晶圓貼膜過(guò)程中，需要外加一個(gè)（），它起到支撐的作用。

A、晶圓基底圓片

B、晶圓貼片環(huán)

C、藍(lán)膜支撐架

D、固定掛鉤

答案：B

在貼膜過(guò)程中，需要外加一個(gè)厚度與晶圓一致但環(huán)內(nèi)徑比晶圓直徑大的金

屬環(huán)，也就是晶圓貼片環(huán)。它起到支撐的作用，可以使切割后的晶圓保持原來(lái)

的形狀，避免晶粒相互碰撞，便于搬運(yùn)。

70、下列選項(xiàng)中不屬于芯片外觀不良的是（）。

A、管腳壓傷

B、印章不良

C、塑封體開(kāi)裂

D、電源電流過(guò)大

答案：D

71、當(dāng)（）時(shí)，可以確定花籃位置放置正確，花籃的卡槽與承重臺(tái)密貼。

A、探針臺(tái)前的紅色指示燈亮

B、探針臺(tái)前的綠色指示燈亮

C、探針臺(tái)上的位置指示燈亮

D、探針臺(tái)前的紅色指示燈滅

答案：C

當(dāng)花籃的卡槽與承重臺(tái)密貼時(shí)，探針臺(tái)上的位置指示燈亮。探針臺(tái)前的紅

色指示燈表示下降，綠色指示燈表示上升。

72、打點(diǎn)時(shí)，合格的墨點(diǎn)必須控制在管芯面積的（）大小。

A、1/4~1/3

B、1/3~1/2

C、1/41/2

D、1/5~1/3

答案：A

打點(diǎn)時(shí)，合格的墨點(diǎn)必須控制在管芯面積的1/41/3大小，旦墨點(diǎn)不能覆

蓋PAD點(diǎn)。

73、轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)常見(jiàn)故障不包括（）。

A、真空吸嘴無(wú)芯片

B、測(cè)試卡與測(cè)試機(jī)調(diào)用的測(cè)試程序錯(cuò)誤

C、料軌堵塞

D、IC定位錯(cuò)誤

答案：D

74、利用高能粒子撞擊具有高純度靶材料表面，撞擊出的原子最后淀積在

硅片上的物理過(guò)程是（）。

A、電阻加熱蒸發(fā)

B、電子束蒸發(fā)

C、濺射

D、電鍍

答案：C

濺射是在高真空下，利用高能粒子撞擊具有高純度靶材料表面，撞擊出的

原子最后淀積在硅片上的物理過(guò)程。

75、在目檢過(guò)程中，篩選后出現(xiàn)嚴(yán)重失效或篩選淘汰率超過(guò)規(guī)范值，經(jīng)分

析屬于批次性質(zhì)量問(wèn)題的，應(yīng)（）。

A、淘汰超過(guò)規(guī)范值的部分，同時(shí)附上分析報(bào)告

B、整批淘汰，同時(shí)附上分析報(bào)告

C、留下該批次中的合格品

D、不做處理

答案：B

在目檢過(guò)程中，篩選后出現(xiàn)嚴(yán)重失效或篩選淘汰率超過(guò)規(guī)范值，經(jīng)分析屬

于批次性質(zhì)量問(wèn)題的，應(yīng)整批淘汰，同時(shí)附上分析報(bào)告。

76、電子產(chǎn)品的幾何測(cè)試的主要用到的工具是（）。

A、鍍層測(cè)厚儀

B、千分尺

C^量規(guī)

D、以上都是

答案：D

77、通過(guò)監(jiān)控某一特定譜峰或波長(zhǎng)，在預(yù)期的刻蝕終點(diǎn)可探測(cè)到對(duì)應(yīng)的數(shù)

據(jù)的方法是（）o

A、發(fā)射光譜法

B、干涉測(cè)量法

C、質(zhì)譜分析法

D、橢圓偏振法

答案：A

發(fā)射光譜法是通過(guò)監(jiān)控來(lái)自等離子體反應(yīng)中一種反應(yīng)物的某一特定發(fā)射光

譜峰或波長(zhǎng)，在預(yù)期的刻蝕終點(diǎn)可探測(cè)到發(fā)射光譜的改變，從而來(lái)推斷刻蝕過(guò)

程及終點(diǎn)。

78、對(duì)薄膜淀積設(shè)備進(jìn)行日常維護(hù)時(shí)，尾氣排風(fēng)管。之內(nèi)必須檢查、清

洗一次管路。

A、一天

B、一周

C、一月

D、■—個(gè)季度

答案：B

79、分選機(jī)選擇依據(jù)是（）。

A、芯片的管腳數(shù)量

B、芯片封裝類型

C、芯片的電氣特性

D、芯片的應(yīng)用等級(jí)

答案：B

80、芯片檢測(cè)工藝中，管裝裝內(nèi)盒時(shí)，在內(nèi)盒上貼有（）種類型的標(biāo)簽。

A、1

B、2

C、3

D、4

答案：B

81、用比色法進(jìn)行氧化層厚度的檢測(cè)時(shí)，看到的色彩是（）色彩。

A、反射

B、干涉

C、衍射

D、二氧化硅膜本身的

答案：B

硅片表面生成的二氧化硅本身是無(wú)色透明的膜，當(dāng)有白光照射時(shí)，二氧化

硅表面與硅-二氧化硅界面的反射光相干涉生成干涉色彩。不同的氧化層厚度的

干涉色彩不同，因此可以利用干涉色彩來(lái)估計(jì)氧化層的厚度。

82、晶圓烘烤時(shí)，溫度一般設(shè)置在（）℃。

A、110

B、120

C、130

D、140

答案：B

晶圓烘烤時(shí)，溫度一般設(shè)置在120℃。

83、在版圖設(shè)計(jì)過(guò)程中，NMOS管的源極接（）,漏極接（）,PMOS管的源

極接（），漏極接（）。

A、地、高電位、GND、低電位

B、電源、高電位、GND、低電位

C、地、高電位、GND、高電位

D、地、高電位、電源、低電位

答案：A

84、8英寸的晶圓直徑大小為：（）。

A、125mm

B、150mm

C、200mm

D、300mm

答案：c

5英寸：125mm,6英寸：150mm,8英寸：200mm,12英寸：300mmo

85、在原理圖編輯器內(nèi)，執(zhí)行ToolsfFootprintManager命令，顯示（）。

A、Messages窗口

B、工程變更命令對(duì)話框

C、封裝管理器檢查對(duì)話框

D、Navigator面板

答案：C

86、使用平移式分選設(shè)備進(jìn)行芯片檢測(cè)時(shí)，測(cè)試環(huán)節(jié)的流程是：（）。

A、吸取、搬運(yùn)芯片一入料梭轉(zhuǎn)移芯片一壓測(cè)一記錄測(cè)試結(jié)果一搬運(yùn)、吹

放芯片

B、入料梭轉(zhuǎn)移芯片一吸取、搬運(yùn)芯片一壓測(cè)一記錄測(cè)試結(jié)果一搬運(yùn)、吹

放芯片

C、入料梭轉(zhuǎn)移芯片一搬運(yùn)、吹放芯片一壓測(cè)一記錄測(cè)試結(jié)果f吸取、搬

運(yùn)芯片

D、搬運(yùn)、吹放芯片一入料梭轉(zhuǎn)移芯片一吸取、搬運(yùn)芯片一壓測(cè)一記錄測(cè)

試結(jié)果

答案：B

87、風(fēng)淋室在運(yùn)行時(shí)，風(fēng)淋噴嘴可以噴出（）的潔凈強(qiáng)風(fēng)。

A、高溫烘烤

B、車間內(nèi)部

C、低溫處理

D、高效過(guò)濾

答案：D

風(fēng)淋是為了吹出人體表面的灰塵，故其噴出的風(fēng)必須是經(jīng)過(guò)高效過(guò)濾，除

掉掉微塵的潔凈風(fēng)。

88、封裝工藝的電鍍工序中，完成前期的清洗后，下一步操作是（）。

A、裝料

B、高溫退火

C、電鍍

D、后期清洗

答案：C

89、（）即方形扁平無(wú)引腳封裝，表面貼裝型封裝之一?，F(xiàn)在多稱為L(zhǎng)CC。

封裝四側(cè)配置有電極觸點(diǎn)。

A、QFN

B、QFP

C、LGA

D、DIP

答案：A

QFN即方形扁平無(wú)引腳封裝，表面貼裝型封裝之一?，F(xiàn)在多稱為L(zhǎng)CC。封裝

四側(cè)配置有電極觸點(diǎn)，由于無(wú)引腳，貼裝占有面積比QFP小，高度比QFP低。

90、在一個(gè)花籃中有片號(hào)10/15/20/25的晶圓，其中片號(hào)為15的晶圓需放

在花籃編號(hào)為（）的溝槽內(nèi)。

A、10

B、15

C、20

D、25

答案：B

導(dǎo)片時(shí)需保證晶圓片號(hào)與花籃編號(hào)一致。因此，片號(hào)為15的晶圓需放置在

花籃編號(hào)為15的溝槽內(nèi)。

91、切筋成型工序中，設(shè)備在完成模具內(nèi)的切筋與成型步驟后，下一步是

（）。

A、人工目檢

B、核對(duì)數(shù)量

C、裝料

D、下料

答案：D

92、通常情況下，一個(gè)編帶盤中芯片的數(shù)量是（）。

A、1000

B、2000

C、4000

D、8000

答案：C

略

93、在刻蝕工藝中，有幾個(gè)非常重要的參數(shù)，其中（）定義為當(dāng)刻蝕線條

時(shí)，刻蝕的深度V與一邊的橫向增加量AX的比值V/AX,比值越大，說(shuō)明橫

向刻蝕速率小，刻蝕圖形的保真度好。

A、刻蝕因子

B、刻蝕速率

C、選擇比

D、均勻性

答案：A