數(shù)字集成電路-電路、系統(tǒng)與設(shè)計(第二版)復(fù)習(xí)資料

數(shù)字集成電路介紹第一個晶體管，Bell實驗室，1947第一個集成電路，JackKilby，德州儀器，1958摩爾定律：1965年，GordonMoore預(yù)言單個芯片上晶體管的數(shù)目每18到24個月翻一番。(隨時間呈指數(shù)增長)抽象層次：器件、電路、門、功能模塊和系統(tǒng)抽象即在每一個設(shè)計層次上，一個復(fù)雜模塊的內(nèi)部細節(jié)可以被抽象化并用一個黑匣子或模型來代替。這一模型含有用來在下一層次上處理這一模塊所需要的所有信息。固定本錢〔非重復(fù)性費用〕與銷售量無關(guān)；設(shè)計所花費的時間和人工；受設(shè)計復(fù)雜性、設(shè)計技術(shù)難度以及設(shè)計人員產(chǎn)出率的影響；對于小批量產(chǎn)品，起主導(dǎo)作用?？勺儽惧X〔重復(fù)性費用〕與產(chǎn)品的產(chǎn)量成正比；直接用于制造產(chǎn)品的費用；包括產(chǎn)品所用部件的本錢、組裝費用以及測試費用。每個集成電路的本錢=每個集成電路的可變本錢+固定本錢/產(chǎn)量?？勺儽惧X=〔芯片本錢+芯片測試本錢+封裝本錢〕/最終測試的成品率。一個門對噪聲的靈敏度是由噪聲容限NML〔低電平噪聲容限〕和NMH〔高電平噪聲容限〕來度量的。為使一個數(shù)字電路能工作，噪聲容限應(yīng)當大于零，并且越大越好。NMH=VOH-VIHNML=VIL-VOL再生性保證一個受干擾的信號在通過假設(shè)干邏輯級后逐漸收斂回到額定電平中的一個。一個門的VTC應(yīng)當具有一個增益絕對值大于1的過渡區(qū)(即不確定區(qū))，該過渡區(qū)以兩個有效的區(qū)域為界，合法區(qū)域的增益應(yīng)當小于1。理想數(shù)字門特性：在過渡區(qū)有無限大的增益；門的閾值位于邏輯擺幅的中點；高電平和低電平噪聲容限均等于這一擺幅的一半；輸入和輸出阻抗分別為無窮大和零。傳播延時、上升和下降時間的定義傳播延時tp定義了它對輸入端信號變化的響應(yīng)有多快。它表示一個信號通過一個門時所經(jīng)歷的延時，定義為輸入和輸出波形的50%翻轉(zhuǎn)點之間的時間。上升和下降時間定義為在波形的10%和90%之間。對于給定的工藝和門的拓撲結(jié)構(gòu)，功耗和延時的乘積一般為一常數(shù)。功耗-延時積(PDP)----門的每次開關(guān)事件所消耗的能量。一個理想的門應(yīng)當快速且?guī)缀醪幌哪芰浚宰詈蟮馁|(zhì)量評價為。能量-延時積(EDP)=功耗-延時積2。第三章、第四章CMOS器件手工分析模型寄生簡化：當導(dǎo)線很短，導(dǎo)線的截面很大時或當所采用的互連材料電阻率很低時，電感的影響可以忽略：如果導(dǎo)線的電阻很大(例如截面很小的長鋁導(dǎo)線的情形)；外加信號的上升和下降時間很慢。當導(dǎo)線很短，導(dǎo)線的截面很大時或當所采用的互連材料電阻率很低時，采用只含電容的模型。當相鄰導(dǎo)線間的間距很大時或當導(dǎo)線只在一段很短的距離上靠近在一起時：導(dǎo)線相互間的電容可以被忽略，并且所有的寄生電容都可以模擬成接地電容。平行板電容：導(dǎo)線的寬度明顯大于絕緣材料的厚度。邊緣場電容：這一模型把導(dǎo)線電容分成兩局部：一個平板電容以及一個邊緣電容，后者模擬成一條圓柱形導(dǎo)線，其直徑等于該導(dǎo)線的厚度。多層互連結(jié)構(gòu)：每條導(dǎo)線并不只是與接地的襯底耦合〔接地電容〕，而且也與處在同一層及處在相鄰層上的鄰近導(dǎo)線耦合〔連線間電容〕。總之，再多層互連結(jié)構(gòu)中導(dǎo)線間的電容已成為主要因素。這一效應(yīng)對于在較高互連層中的導(dǎo)線尤為顯著，因為這些導(dǎo)線離襯底更遠。例4.5與4.8表格電壓范圍集總RC網(wǎng)絡(luò)分布RC網(wǎng)絡(luò)050%(tp)0.69RC0.38RC063%()RC0.5RC10%90%(tr)2.2RC0.9RC090%2.3RC1.0RC例4.1金屬導(dǎo)線電容考慮一條布置在第一層鋁上的10cm長，1平面(平行板)電容：(0.1×106m2)×30aF/m2=3pF邊緣電容：2×(0.1×106m)×40aF/m=8pF總電容：11pF現(xiàn)假設(shè)第二條導(dǎo)線布置在第一條旁邊，它們之間只相隔最小允許的距離，計算其耦合電容。耦合電容：C材料選擇：對于長互連線，鋁是優(yōu)先考慮的材料；多晶應(yīng)當只用于局部互連；防止采用擴散導(dǎo)線；先進的工藝也提供硅化的多晶和擴散層接觸電阻：布線層之間的轉(zhuǎn)接將給導(dǎo)線帶來額外的電阻。布線策略：盡可能地使信號線保持在同一層上并防止過多的接觸或通孔；使接觸孔較大可以降低接觸電阻(電流集聚在實際中將限制接觸孔的最大尺寸)。采電流集聚限制RC,(最小尺寸)：金屬或多晶至n+、p+以及金屬至多晶為5~20；通孔(金屬至金屬接觸)為1~5。例4.2金屬線的電阻考慮一條布置在第一層鋁上的10cm長，1m寬的鋁線。假設(shè)鋁層的薄層電阻為0.075Ω/Rwire＝0.075Ω/□(0.1106m)/(1m)例4.5導(dǎo)線的集總電容模型假設(shè)電源內(nèi)阻為10kΩ的一個驅(qū)動器，用來驅(qū)動一條10cm長，1m寬的電壓范圍集總RC網(wǎng)絡(luò)分布RC網(wǎng)絡(luò)050%(tp)0.69RC0.38RC063%()RC0.5RC10%90%(tr)2.2RC0.9RC090%2.3RC1.0RC使用集總電容模型，源電阻RDriver＝10k，總的集總電容Clumped＝11pFt50%=0.6910k11pF=76nst90%=2.210k11pF=242ns例4.6樹結(jié)構(gòu)網(wǎng)絡(luò)的RC延時節(jié)點i的Elmore延時：Di=R1C1+R1C2+(R1+R3)C3+(R1+R3)C4+(R1+R3+Ri)例4.7電阻-電容導(dǎo)線的時間常數(shù)總長為L的導(dǎo)線被分隔成完全相同的N段，每段的長度為L/N。因此每段的電阻和電容分別為rL/N和cL/NR(=rL)和C(=cL)是這條導(dǎo)線總的集總電阻和電容結(jié)論：當N值很大時，該模型趨于分布式rc線;一條導(dǎo)線的延時是它長度L的二次函數(shù);分布rc線的延時是按集總RC模型預(yù)測的延時的一半.例4.8鋁線的RC延時.考慮長10cm寬、1m的Al1導(dǎo)線,使用分布RC模型，c=110aF/m和r=0.075/tp=0.38RC=0.38(0.075/m)(110aF/m)(105m)Poly：tp=0.38(150/m)(88+254aF/m)(105m)2=112Al5：tp=0.38(0.0375/m)(5.2+212aF/m)(105m)例4.9RC與集總C假設(shè)驅(qū)動門被模擬成一個電壓源，它具有一定大小的電源內(nèi)阻Rs。應(yīng)用Elmore公式，總傳播延時：D=RsCw+(RwCw)/2=RsCw+0.5rwcwL2及tp=0.69RsCw+0.38RwCw其中，Rw=rwL，Cw=cwL假設(shè)一個電源內(nèi)阻為1k的驅(qū)動器驅(qū)動一條1m寬的Al1導(dǎo)線，此時Lcrit第五章CMOS反相器靜態(tài)CMOS的重要特性：電壓擺幅等于電源電壓高噪聲容限。邏輯電平與器件的相對尺寸無關(guān)晶體管可以采用最小尺寸無比邏輯。穩(wěn)態(tài)時在輸出和Vdd或GND之間總存在一條具有有限電阻的通路低輸出阻抗(k)。輸入阻抗較高(MOS管的柵實際上是一個完全的絕緣體)穩(wěn)態(tài)輸入電流幾乎為0。在穩(wěn)態(tài)工作情況下電源線和地線之間沒有直接的通路(即此時輸入和輸出保持不變)沒有靜態(tài)功率。傳播延時是晶體管負載電容和電阻的函數(shù)。門的響應(yīng)時間是由通過電阻Rp充電電容CL(電阻Rn放電電容CL)所需要的時間決定的。開關(guān)閾值VM定義為Vin=Vout的點(在此區(qū)域由于VDS=VGS，PMOS和NMOS總是飽和的)r是什么：開關(guān)閾值取決于比值r，它是PMOS和NMOS管相對驅(qū)動強度的比一般希望VM=VDD/2(可以使上下噪聲容限具有相近的值)，為此要求r1例5.1CMOS反相器的開關(guān)閾值通用0.25mCMOS工藝實現(xiàn)的一個CMOS反相器的開關(guān)閾值處于電源電壓的中點處。所用工藝參數(shù)見表3.2。假設(shè)VDD=2.5V，最小尺寸器件的寬長比(W/L)n分析：VM對于器件比值的變化相對來說是不敏感的。將比值設(shè)為3、2.5和2，產(chǎn)生的VM分別為1.22V、1.18V和1.13V，因此使PMOS管的寬度小于完全對稱所要求的值是可以接受的。增加PMOS或NMOS寬度使VM移向VDD或GND。不對稱的傳輸特性實際上在某些設(shè)計中是所希望的。噪聲容限：根據(jù)定義，VIH和VIL是dVout/dVin=-1(=增益)時反相器的工作點逐段線性近似VIH=VM-VM/gVIL=VM+(VDD-VM)/g過渡區(qū)可以近似為一段直線，其增益等于在開關(guān)閾值VM處的增益g。它與VOH及VOL線的交點用來定義VIH和VIL。點。例5.2CMOS反相器的電壓傳輸特性和噪聲容限假設(shè)設(shè)計一個通用0.25mCMOS工藝的反相器，PMOS對NMOS的比為3.4，其中NMOS晶體管的最小尺寸為(W=0.375m，g=-27.5VIL=1.2V,VIH=1.3VNML=NMH=1.2確切值：VIL=1.03V,VIH=1.45VNML=1.03V&NMH=1.05V輸出電阻低輸出=2.4k高輸出=3.3k在飽和區(qū)，增益與電流的斜率關(guān)系很大(Vin=VM)g(1+r)/(VM-VTn-VDSATn/2)(n-p)分析：公式5.10過高估計了增益；最大的偏差是對于VTC的逐段線性近似造成的動態(tài)特性：分析此圖柵漏電容Cgd12擴散電容Cdb1和Cdb2連線電容Cw扇出的柵電容Cg3和Cg4電容表達式值(fF)(HL)值(fF)(LH)CGD12ConWn0.230.23CGD22CopWp0.610.61CDB1KeqbpnADnCj+KeqswnPDnCjsw0.660.90CDB2KeqbppADpCj+KeqswpPDpCjsw1.51.15CG3(2Con)Wn+CoxWnLn0.760.76CG4(2Cop)Wp+CoxWpLp2.282.28Cw提取參數(shù)0.120.12CL6.16.0例5.5一個0.25VDD=2.5V0.25mW/Ln=1.5W/Lp=4.5Reqn=13k(1.5)Reqp=31k(tpHL=36psectpLH=29psec得到：tp=32.5psec設(shè)計技術(shù)----減小一個門的傳播延時減小CL:門本身的內(nèi)部擴散電容.漏擴散區(qū)的面積越小越好:互連線電容;扇出電容.增加晶體管的W/L比:設(shè)計者手中最有力和最有效的性能優(yōu)化工具:注意自載效應(yīng)!–一旦本征電容(即擴散電容)開始超過由連線和扇出形成的外部負載，增加門的尺寸就不再對減少延時有幫助，只是加大了門的面積.提高VDD:用能量損耗來換取性能;增加電源電壓超過一定程度后改善就會非常有限;對可靠性的考慮迫使在DSM工藝中對VDD要規(guī)定嚴格的上限.NMOS與PMOS的比使PMOS管較寬，以使它的電阻與下拉的NMOS管匹配。這通常要求PMOS和NMOS的寬度比在3~3.5之間。對稱VTC，由高至低與由低至高的傳播延時相等如果對稱性和噪聲容限不是主要的考慮因素，那么實際上有可能通過減少PMOS器件的寬度來加快反相器的速度。使PMOS較寬因充電電流的增加而改善了反相器的tpLH，但它也由于產(chǎn)生較大的寄生電容而使tpHL變差=(W/L)p/(W/L)nr=Reqp/Reqn(代表尺寸完全相同的PMOS和NMOS晶體管的電阻比)opt=r(當導(dǎo)線電容可以忽略時)例5.7考慮性能時的器件尺寸確定S=5時性能得到了大局部的改善，而尺寸大于10時幾乎得不到任何額外的增益(而且顯著地浪費了面積)確定反相器鏈的尺寸每一個反相器的最優(yōu)尺寸是與它相鄰的前后兩個反相器尺寸的幾何平均數(shù)－這意味著每個反相器的尺寸都相對于它前面反相器的尺寸放大相同的倍數(shù)f，即每個反相器都具有相同的等效扇出，因而也就具有相同的延時其中F代表該電路的總等效扇出，F(xiàn)=CL/Cg,1以及通過該反相器鏈的最小延時：當只存在一級時，tp和F是線性關(guān)系。參加第二級那么變?yōu)槠椒礁P(guān)系思考題5.5確定反相器網(wǎng)絡(luò)的尺寸確定電路中反相器的尺寸，使在節(jié)點Out和In之間的延時最小。假設(shè)CL=64Cg,1求門確實切尺寸Cg,3=2.52Cg,2=6.35Cg,1選擇一個反相器鏈的正確級數(shù)對于給定的F(=fN)，選擇級數(shù)時需要綜合考慮.當級數(shù)太大時，反相器級的本征延時將占主導(dǎo)地位.當級數(shù)太小時，每一級的有效扇出將占主導(dǎo)地位通過求最小延時表達式對級數(shù)的導(dǎo)數(shù)并令它為0，可以求得最優(yōu)值:對于=0(忽略自載)時的解，最優(yōu)級數(shù)N=ln(F)，且每一級的等效扇出為f=e=2.71828對于=1(典型情況)時的解，最優(yōu)有效扇出(錐形系數(shù))將接近于3.6輸入信號的上升-下降時間實際上，輸入信號是逐漸變化的，而且PMOS和NMOS管會暫時同時導(dǎo)通一段時間。這會影響所得到的充(放)電總電流，從而影響傳播延時。一旦ts>tp，ts隨輸入斜率的增加而(近似地)線性增加。ts源于前一級門的有限驅(qū)動能力。功耗、能量和能量延時功耗分類：動態(tài)功耗〔包括由充放電電容引起的動態(tài)功耗、直流通路電流引起的功耗〕；靜態(tài)功耗。直流通路電流引起的功耗：輸入信號不為無窮大的斜率造成了開關(guān)過程中VDD和GND之間在短期內(nèi)出現(xiàn)一條直接通路。負載電容對短路電流的影響：大電容負載，輸出的下降時間明顯大于輸入的上升時間；小電容負載,輸出的下降時間明顯小于輸入的上升時間。能量-延時積PDP：它衡量了開關(guān)這個門所需要的能量。對于一個給定的結(jié)構(gòu)這個數(shù)字可以通過降低電源電壓而任意縮小。一個更適宜的指標應(yīng)當把性能和能量的度量放在一起考慮。最優(yōu)電源電壓：VDDopt=3/2VTE。第六章CMOS組合邏輯單元在構(gòu)成PUN和PDN網(wǎng)絡(luò)時應(yīng)當記住以下幾點：晶體管可以看成是由其柵信號控制的開關(guān);PDN由NMOS器件構(gòu)成，而PUN由PMOS器件構(gòu)成。理由是NMOS管產(chǎn)生“強零”而PMOS管產(chǎn)生“強1”;NMOS邏輯規(guī)那么：串聯(lián)器件實現(xiàn)AND操作，并聯(lián)器件實現(xiàn)OR操作;PMOS邏輯規(guī)那么：串聯(lián)器件實現(xiàn)NOR操作，并聯(lián)器件實現(xiàn)NAND操作;PUN和PDN是對偶網(wǎng)絡(luò);互補門在本質(zhì)上是反相的(NAND,NOR,XNOR);實現(xiàn)一個具有N個輸入的邏輯門所需要的晶體管數(shù)目為2N;例6.1兩輸入NAND門ABF001011101110例6.2CMOS復(fù)合門的綜合互補CMOS門的靜態(tài)特性DC電壓傳輸特性與數(shù)據(jù)輸入模式有關(guān)一個兩輸入NAND門的VTC與數(shù)據(jù)有關(guān)。思考題6.1確定互補CMOS門中晶體管的尺寸確定NAND和NOR門中晶體管的尺寸利用NAND實現(xiàn)比用NOR實現(xiàn)更好互補CMOS的缺點：晶體管數(shù)目為2N，明顯增加了它的實現(xiàn)面積；互補CMOS門的傳播延時隨扇入數(shù)迅速增加。大扇入時的設(shè)計技術(shù)：1.調(diào)整晶體管尺寸。留神“自載效應(yīng)”，只有當負載以扇出為主時放大尺寸才起作用。2.逐級加大晶體管尺寸。降低了起主要作用的電阻，同時使得電容的增加保持在一定的范圍內(nèi)，缺點：幅員復(fù)雜。3.重新安排輸入。關(guān)鍵信號和關(guān)鍵路徑的概念，把關(guān)鍵路徑上的晶體管靠近門的輸出端可以提高速度。4.重組邏輯結(jié)構(gòu)?？赡芙档蛯ι热氲囊螅瑥亩鴾p少門的延時。g稱為邏輯努力：表示一個門與一個反相器提供相同的輸出電流時它所表現(xiàn)出的輸入電容比反相器大多少例6.5復(fù)合門的邏輯努力gNAND=3/4，gNOR＝5/3例6.6確定組合邏輯延時最小時的尺寸等效扇出：F=CL/Cg1=5路徑邏輯努力：G=1x5/3x5/3x1=25/9路徑分支努力：B=1(無分支)總路徑努力：H=GFB=125/9,于是最優(yōu)的每個門的努力h=4H=1.9根據(jù)門的類型，扇出系數(shù)：f1=1.93,f2=1.93x3/5=1.16,f3=1.16,f4=1.93門的尺寸：a=f1g1/g2=1.16，b=f1f2g1/g3=1.34，c=f1思考題6.2確定反相器電路的尺寸F=64G=1*1*1B=4*4*1=16H=64*1*16=1024H=3√1024=10.079f1g1=f2g2=f3g3=10.079f1=f2=f3=10.079Cint1=Cg1Cint2=t1/b1·cint=2.52Cg1Cint3=t2/b2·t1/bCMOS邏輯門中的功耗器件尺寸——影響實際電容輸入和輸出上升下降時間——決定了短路功耗器件閾值和溫度——影響漏電功耗開關(guān)活動性：靜態(tài)局部〔只與邏輯電路拓撲結(jié)構(gòu)有關(guān)〕邏輯功能、信號統(tǒng)計特性；動態(tài)局部〔電路時序特性引起的〕動態(tài)或虛假翻轉(zhuǎn)。降低開關(guān)活動性的設(shè)計技術(shù)：邏輯重組、輸入排序、分時復(fù)用資源、通過均衡信號路徑來減少毛刺。思考題6.4靜態(tài)邏輯門的功耗對于根本邏輯門(AND,OR,XOR)推導(dǎo)出0→1的輸出翻轉(zhuǎn)概率。P01=Pout=0Pout=1NOR(1-(1-PA)(1-PB))(1-PA)(1-PB)OR(1-PA)(1-PB)(1-(1-PA)(1-PB))NANDPAPB(1-PAPB)AND(1-PAPB)PAPBaXOR(1-(PA+PB-2PAPB))(PA+PB-2PAPB)ForC:P01=P0P1=(1-PA)PA=0.50.5=0.25

ForZ:P01=P0P1=(1-PCPB)PCPB=(1–(0.50.5))(0.50.5)=3/16降低開關(guān)活動性的設(shè)計技術(shù)：1、邏輯重組。改變邏輯電路的拓撲結(jié)構(gòu)可以降低它的功耗。結(jié)論：對于隨機輸入，鏈形實現(xiàn)比樹形實現(xiàn)總體上具有較低的開關(guān)活動性〔忽略毛刺〕2、輸入排序。結(jié)論：推遲輸入具有較高翻轉(zhuǎn)率的信號(即信號概率接近0.5的信號)3、分時復(fù)用資源。結(jié)論：防止對具有獨特數(shù)據(jù)特性的數(shù)據(jù)流采用分時復(fù)用4、通過均衡信號路徑來減少毛刺。電路中產(chǎn)生毛刺主要是由于在電路中路徑長度失配引起的，信號時序上的這一不失配一般都是由于相對于電路的原始輸入信號路徑的長度不同而引起的。結(jié)論：使信號路徑長度匹配可以減少毛刺。有比邏輯：有比邏輯試圖減少實現(xiàn)一個給定邏輯功能所需要的晶體管數(shù)目，但它經(jīng)常以降低穩(wěn)定性和付出額外功耗為代價。由一個實現(xiàn)邏輯功能的NMOS下拉網(wǎng)絡(luò)和一個簡單的負載器件組成。有比電路：由于輸出端的電壓擺幅及門的總體功能取決于NMOS和PMOS的尺寸比，所以此電路稱為有比電路。傳輸管邏輯根本概念：通過允許原始輸入驅(qū)動?xùn)哦撕驮?漏端來減少實現(xiàn)邏輯所需要的晶體管數(shù)目優(yōu)點：需要較少的晶體管來實現(xiàn)給定的功能。減少器件的數(shù)目也有降低電容的額外有點。缺點：當傳輸管上拉一個節(jié)點至高點平時，輸出只充點至VDD-VTn。串聯(lián)NMOS的PT傳輸管門不應(yīng)當象上圖這么串聯(lián)，下列圖的邏輯防止了靜態(tài)功耗，減小了噪聲容限。y=VDD-VTn1-VTn2y=VDD-VTn1穩(wěn)定有效的傳輸管設(shè)計方法1：電平恢復(fù)：節(jié)點x可上拉到VDD(由于電平恢復(fù))，這就消除了反相器中的任何靜態(tài)功耗；在電平恢復(fù)器和傳輸管中沒有靜態(tài)電流路徑存在，因為恢復(fù)器只有在A為高電平時才有效；為使這個電路正確工作，必須仔細確定晶體管的尺寸(有比)。方法2：多種閾值晶體管：工藝上解決：使用零閾值器件的NMOS傳輸管可以消除大局部閾值損失(體效應(yīng)仍然會阻止全擺幅到達VDD)；對功耗有負面影響，這是由于即使VGS低于VT，也仍然會有亞閾值電流流過傳輸管。方法3：傳輸門邏輯：最廣泛使用的方法；由柵信號C控制的全擺幅雙向開關(guān)。當C=1時，A=B；雖然傳輸門需要2個晶體管和較多的控制信號，但它能得到從電源軌線至軌線電壓的擺幅。解決長延時問題最常用的方法是每隔m個傳輸門開關(guān)切斷串聯(lián)鏈并插入一個緩沖器動態(tài)CMOS設(shè)計動態(tài)邏輯，既能減少晶體管的數(shù)目，又能防止靜態(tài)功耗通過增加一個時鐘輸入，它可以相繼完成預(yù)充電和條件求值兩個階段輸出的情況：一旦動態(tài)門的輸出放電就不可能再充電，直到進行下一次預(yù)充電；門的輸入在求值期間最多只能有一次變化；在求值期間如果下拉網(wǎng)絡(luò)關(guān)斷，那么輸出有可能處于高阻抗狀態(tài)，狀態(tài)保存在CL。動態(tài)邏輯門的重要特性：邏輯功能由NMOS下拉網(wǎng)絡(luò)實現(xiàn)；晶體管的數(shù)目明顯少于靜態(tài)情況：為N+2而不是2N；無比的邏輯門；只有動態(tài)功耗；具有較快的開關(guān)速度。設(shè)計考慮：用對偶的方法來實現(xiàn)另一形態(tài)的動態(tài)邏輯；p型動態(tài)門的缺點是比n型動態(tài)門慢。例6.16動態(tài)邏輯的活動性估計A.靜態(tài)NOR門B.n型動態(tài)NOR門ABOUT001010100110C.真值表思考題6.8活動性計算？？計算四輸入動態(tài)NAND門的活動性因子，假設(shè)各輸入是獨立的并且PA=1=0.2；PB=1=0.3；PC=1=0.5和PD=1=0.4信號完整性問題：包括電荷泄漏、電荷分享、電容耦合、時鐘饋通串聯(lián)動態(tài)門只要在求值期間輸入只能進行單個的0→1翻轉(zhuǎn)就能保證正確工作多米諾邏輯根本概念：一個n型動態(tài)邏輯塊后面接一個靜態(tài)反相器構(gòu)成多米諾邏輯的名字來歷:有如一條崩塌的多米諾骨牌線!多米諾CMOS的特點：只能實現(xiàn)非反相邏輯，可以到達非常高的速度：只存在上升沿的延時，而tpHL等于0。第七章CMOS時序邏輯單元時序電路的時鐘參數(shù)建立時間：在時鐘翻轉(zhuǎn)之前數(shù)據(jù)輸入必須有效的時間保持時間：在時鐘邊沿之后數(shù)據(jù)輸入必須仍然有效的時間傳播延時：相對于時鐘邊沿，最壞情況下，數(shù)據(jù)被復(fù)制到輸出端的時間兩個約束條件：最小時鐘周期Ttc-q+tplogic+tsu；對存放器維持時間的要求tcdregister+tcdlogicthold。存儲單元的分類：前臺存儲器和后臺存儲器。嵌入在邏輯中的存儲器/大量的集中存儲內(nèi)核。靜態(tài)存儲器和動態(tài)存儲器。正反應(yīng)或再生原理/在與MOS器件相關(guān)的寄生電容上暫時存儲電荷，用于存放器在較長時間內(nèi)不被更新時/用于要求較高性能水平和采用周期時鐘控制的數(shù)據(jù)通路電路中。鎖存器和存放器。電平敏感/邊沿觸發(fā)。不同類型存儲元件的定義：一個邊沿觸發(fā)的存儲元件稱為存放器。鎖存器是一個電平敏感的器件。由交叉耦合的門構(gòu)成的任何雙穩(wěn)態(tài)元件稱為觸發(fā)器(flip-flop)。雙穩(wěn)態(tài)原理交叉耦合的兩個反相器形成了雙穩(wěn)態(tài)電路(即一個電路具有2個穩(wěn)定狀態(tài)，每一個對應(yīng)一個邏輯狀態(tài))。當翻轉(zhuǎn)區(qū)中反相器的增益大于1時，只有A和B是穩(wěn)定的工作點，而C是一個亞穩(wěn)態(tài)工作點。改變電路狀態(tài)的方法：切斷反應(yīng)環(huán)路(多路開關(guān)型鎖存器)。觸發(fā)強度超過反應(yīng)環(huán)(實現(xiàn)靜態(tài)后臺存儲器的主要方法)。主從邊沿觸發(fā)存放器工作原理：在時鐘的低電平階段，主級是透明的，輸入D被傳送到主級的輸出端QM。在此期間，從級處于維持狀態(tài)，通過