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文檔簡介
年有所下滑,。中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會預(yù)測,年中國封裝市場規(guī)模預(yù)計達到億元,同比增長預(yù)測的全球水平,但年有望維持溫和復(fù)蘇,分別同比增長、封裝位于集成電路制造末端,封測企業(yè)營收與半導(dǎo)體銷售額強相關(guān),半導(dǎo)體市場復(fù)蘇將帶動封裝行業(yè)復(fù)蘇。刺激下,先進封裝迎來發(fā)展機遇隨著AI越多應(yīng)用場景以及芯片對高算力、高帶寬、低延遲、低功耗、更多內(nèi)存以及系統(tǒng)集成提出了要求全球先進封裝市場規(guī)模2022-2028達到9預(yù)測全球先進封裝市場規(guī)模有望從年的億美元,。對于不同的封裝技術(shù),從市場份額看,、和將成為主要的先進封裝,封裝的增速最快,預(yù)計將從億美元增長至年的億美元,復(fù)合年增長率達。從出貨量看,、封裝則在出貨量上處于領(lǐng)先地位年全球封裝市場中先進,明顯低于全球水平,也意味著中國市場中先進封裝更具成長空間。投資建議基于半導(dǎo)體市場回暖預(yù)期、后摩爾時代封裝的投資機遇、)長電科技(,國內(nèi)封裝龍頭,規(guī)模大、技術(shù)全、服務(wù)范圍通富微電(Z,封測行業(yè)領(lǐng)軍企業(yè),與AMD深度合作。甬矽電子(,封裝新銳,業(yè)務(wù)聚焦以P為主的先進封裝。同時也建議關(guān)注具有存儲芯片封測業(yè)務(wù)的太極實業(yè)()和深科技(.Z。風(fēng)險提示:半導(dǎo)體市場反彈不及預(yù)期制程芯片供應(yīng)鏈帶來的風(fēng)險內(nèi)容目錄封裝介紹 5封裝簡介 5封裝工藝 5封裝發(fā)展趨勢 6主要先進封裝技術(shù)介紹 8單芯片密度提升 8多芯片集成 行業(yè)現(xiàn)狀 行業(yè)集中度高 主要分布于亞太地區(qū) 向上下游發(fā)展 投資邏輯 16半導(dǎo)體市場迎來復(fù)蘇 2.1.12023年觸底反彈 2.1.22024年預(yù)期增長 2.1.3半導(dǎo)體復(fù)蘇帶動封裝增長 HPC/AI加速先進封裝發(fā)展 重點公司 21長電科技 通富微電 甬矽電子 風(fēng)險提示 25圖表目錄圖1:集成電路生產(chǎn)流程 5圖2:塑料封裝組裝工藝 6圖3:封裝的主要作用 6圖4:成品芯片示意圖 6圖5:摩爾定律放緩 7圖6:摩爾定律止步于28nm 7圖7:半導(dǎo)體封裝技術(shù)的發(fā)展趨勢 7圖8:BGA示意圖(宏觀) 9圖9:BGA示意圖(微觀) 9圖10:引線鍵合與倒片封裝 9圖倒片封裝示意圖 9圖12:傳統(tǒng)封裝與晶圓級封裝對比 10圖13:扇入型晶圓級芯片封裝(FIWLCSP) 10圖14:扇出型晶圓級芯片封裝(FOWLCSP) 10圖15:硅通孔封裝工藝流程圖 圖16:2D與封裝差異 12圖示意圖 13圖示意圖 13圖與SoC之比 13圖20:2022年全球前大封測玩家營收(百萬美元) 14圖21:封測廠與上下游交叉 15圖22:2022年先進封裝廠市場份額 16圖23:頭部企業(yè)2022年資本開支預(yù)測 16圖24:2022年封裝資本開支結(jié)構(gòu) 16圖25:全球半導(dǎo)體年度銷售額(10億美元) 17圖26:全球半導(dǎo)體月度銷售額(10億美元) 17圖27:中國半導(dǎo)體年度銷售額(10億美元) 17圖28:中國半導(dǎo)體月度銷售額(10億美元) 17圖29:全球封裝市場規(guī)模(億美元) 19圖30:中國封裝市場規(guī)模(億元) 19圖31:先進封裝發(fā)展機遇與應(yīng)用場景 19圖32:全球封裝市場結(jié)構(gòu) 20圖33:中國封裝市場結(jié)構(gòu) 20圖34:封裝市場增長情況與行業(yè)差異 20圖35:2022-2028年全球先進封裝市場規(guī)模(十億美元) 21圖36:長電科技營收及同比增速 22圖37:長電科技歸母凈利潤及同比增速 22圖38:長電科技海外營收占比 22圖39:長電科技固定資產(chǎn)及同比增速 22圖40:長電科技毛利率、凈利率 22圖41:長電科技銷售、管理、研發(fā)及財務(wù)費用率 22圖42:通富微電營收及同比增速 23圖43:通富微電歸母凈利潤及同比增速 23圖44:通富微電海外營收占比 23圖45:通富微電固定資產(chǎn)及同比增速 23圖46:通富微電毛利率、凈利率情況 24圖47:通富微電銷售、管理、研發(fā)及財務(wù)費用率 24圖48:甬矽電子營收及同比增速 24圖49:甬矽電子歸母凈利潤及同比增速 24圖50:甬矽電子營收產(chǎn)品分布 25圖51:甬矽電子固定資產(chǎn)及同比增速 25圖52:甬矽電子毛利率、凈利率 25圖53:甬矽電子銷售、管理、研發(fā)及財務(wù)費用率 25表1:集成電路封裝發(fā)展階段 8表2:2022年全球封測企業(yè)前十強 14表3:各機構(gòu)半導(dǎo)體市場增速預(yù)測 17表4:WSTS對半導(dǎo)體市場預(yù)測(億美元) 18封裝介紹封裝簡介封裝工藝2090封裝環(huán)節(jié)處于集成電路生產(chǎn)的末端,裸片在通過封裝測試后便得到成品芯片。DIPSOPQFPFC、、2.5D/3D等封裝。圖1:集成電路生產(chǎn)流程資料來源:甬矽電子招股說明書,財信證券2所示為塑料封裝在引線框架封裝和基板封裝中的工藝流程首先要經(jīng)過背面研磨ckgrndng,以達到所需厚度;2)然后進行晶圓切割(frSwng3)選擇質(zhì)量良好的芯片,通過芯片貼裝ettch)工藝將芯片連接到引線框架或基板上;4)之后通過引線鍵合的方式實現(xiàn)芯片與基板之間的電氣連接;圖2:塑料封裝組裝工藝資料來源:海力士,財信證券將芯片和器件密封在環(huán)氧樹脂模塑料(EMC)等封裝材料中,保護它們免受物理性和化學(xué)性損壞。機械連接,電氣連將半導(dǎo)體芯片和器件產(chǎn)生的熱量迅速散發(fā)出去,防止晶體管升溫過快而無法工作。圖3:封裝的主要作用 圖4:成品芯片示意圖 資料來源:海力士,財信證券 資料來源:CFM,財信證券封裝發(fā)展趨勢摩爾定律放緩,先進封裝作用顯現(xiàn)。18-242023年S1.6證實了晶體管成本縮放規(guī)(0.7x28nm已經(jīng)停滯,晶體管成本在后續(xù)技術(shù)迭代中保持平穩(wěn)。后摩爾時代“morethanMoore”高速信號傳輸、散熱、小型化、低成本、高可靠性、堆疊等成為封裝的發(fā)展趨勢。圖5:摩爾定律放緩 圖6:摩爾定律止步于28nm資料來源:ThePlatform,財信證券 資料來源:IEDM23SC1.6,SemiDigest,財信證券圖7:半導(dǎo)體封裝技術(shù)的發(fā)展趨勢資料來源:海力士,財信證券SiP2.5D/3D等先進封裝逐漸成為主流。全球集成電路封裝技術(shù)一共經(jīng)歷了五個發(fā)展階段。第一階段為20世紀70年代以前,采用通孔插20世紀80、芯片級封裝SP)為主的第三階段,并在逐步向3(SP(FumpngTSFn-utFn-n當前全球封裝行業(yè)的主流技術(shù)處于以為主的第三階段(Si((uming為代表的第四階段和第五階段封裝技術(shù)邁進。階段 時間 封裝技階段 時間 封裝技術(shù) 具體典型的封裝形式第一階段
年代以前
通孔插裝型封裝 晶體管封裝(TO、陶瓷雙列直插封裝(CDIP塑料雙列直插封裝PDP塑料有引線片式載體封(PCC塑料四邊引線扁平封(PQFP小外形第二階段第三階段
年代以后年代
表面貼裝型封裝球柵陣列封裝(BGA)芯片級封裝(CSP)
(OP(PQFN(OT雙邊扁平無引腳封裝(DFN)塑料焊球陣列封裝(PBGA(CBGA列封裝(BGA、倒裝芯片焊球陣列封裝(FC-BGA)晶圓級封裝(WLP)引線框架CSP封裝、柔性插入板CSP封裝、剛性插入板CSP封裝、圓片級CSP封裝第四階段第五階段
世紀末開始世紀前10年開始
多芯片組封裝 多層陶瓷基(MCMC多層薄膜基(MCM-D多層印制(MCM-)系統(tǒng)級封裝(SiP)三維立體封裝(3D)芯片上制作凸點(Bumping)微電子機械系統(tǒng)封裝(MEMS)晶圓級系統(tǒng)封裝-硅通孔(TSV)倒裝焊封裝(FC)表面活化室溫連接(SAB)扇出型集成電路封裝(Fan-Out)扇入型集成電路封裝(Fan-in)資料來源:甬矽電子招股說明書,財信證券主要先進封裝技術(shù)介紹根據(jù)技術(shù)與功能差異,可大致將先進封裝技術(shù)分為單芯片密度提升、多芯片系統(tǒng)集CSP、FC、2.5D/3D、。單芯片密度提升(allgidaay一種用于集成電路表面貼裝的封裝技術(shù)。A是PGA(引腳柵格陣列)的后代,BGA中的引腳被封裝底部的焊盤所取代。高密度,封裝中引腳可以在整個底部分布,而不僅僅是周邊,可以提供比雙列直插式或扁平封裝更多的引熱傳導(dǎo),PCB低電感引線,封裝和PCBCSP(芯片尺寸封裝,chipsizepackage)是BGA進一步向小型化、薄型化方向發(fā)展形成的一種封裝技術(shù)。CSP要求芯片占封裝面積的比例大于80%。圖8:示意圖(宏觀) 圖9:示意圖(微觀)資料來源:wikipedia,財信證券 資料來源:TI,財信證券(liphi一種將芯片貼裝到封裝載體上的電氣連接方式在引線鍵合1-5mm15-35um。在封裝中,(的導(dǎo)電金屬60-10080-125(CuP)凸塊的高度通常為40μm,并有錫銀焊帽。倒片封裝能夠縮小互連長度,增加信號密度,縮小芯片尺寸以及縮小封裝面積。芯片貼裝和底部填充步驟是倒裝芯片互連的關(guān)鍵1目前常見的FC封/(98.2%1.8%銀焊料。底部填充。除貼裝與底部填充外,其余封裝結(jié)構(gòu)可以采用多種格式,例如FCBGA、FCCSP。圖10:引線鍵合與倒片封裝 圖11:倒片封裝示意圖 資料來源:SK財信證券 資料來源:Amkor,財信證券WPaferevelakage是對晶圓進行封裝測試后再切割得到單個成品芯片的技術(shù)。(FI)的引線、重布層封裝(RDL)的焊盤、倒片封裝(FC)的凸點。WLP的主要優(yōu)勢:晶圓級封裝提升了封裝效率、減小了封裝尺寸、提高了封裝可靠性,擁有更小的封裝尺寸,更快的信號傳輸速度。圖12:傳統(tǒng)封裝與晶圓級封裝對比資料來源:cadence,財信證券WP可分為IW(扇入型晶圓級封裝OW(扇出型晶圓級封裝FIPI/OI/O數(shù)量的要求不斷提升,是在芯片的范圍之外利用5G、醫(yī)療器件處理器等低耗高頻高速的設(shè)備中。圖13:扇入型晶圓級芯片封裝圖14:扇出型晶圓級芯片封裝(FOWLCSP)資料來源:海力士,財信證券 資料來源:海力士,財信證券TS(硅通孔圖15:硅通孔封裝工藝流程圖資料來源:海力士,財信證券2.5D/3D2.5D與3D封裝兩者的主要區(qū)別在于電封封裝的芯片倒扣在中介層之上,通過一系列的微凸塊和硅通孔實現(xiàn)不同功能裸片和基底之間3DTSV多層垂直堆疊直接實現(xiàn)高密度互連,提高了IC的性能;同時因為它允許更加緊湊的布線設(shè)計,減少了信號傳輸?shù)淖枇Γ档土薎C的功耗。圖16:2D與3D封裝差異資料來源:芯路電子,財信證券多芯片集成目前電路集成化的實現(xiàn)主要有系統(tǒng)級封裝(SysteminPackage,SiP)和系統(tǒng)級芯片(SystemonaChip,SoC)兩條技術(shù)路徑。SoCSoC一顆芯片即為一個等。SIP是將單顆功能復(fù)雜的SoChpt再采用interposerSystm-n-pckgSystmI,In-Package意味著構(gòu)成芯片的、SoM(Systemon)SIP相似。的關(guān)鍵技術(shù),通過對系統(tǒng)級芯片的復(fù)雜功能進行分解,將IP模塊芯片化,得到一個標準化功能的小芯片,便稱為技術(shù)通過調(diào)整不同功能模塊的制程工藝降低制造成本,通過降低面積提高良率。圖17:Chiplet示意圖資料來源:AMD,財信證券圖18:SiP示意圖 圖19:SiP與之比資料來源:Octavo,財信證券 資料來源:Octavo,財信證券行業(yè)現(xiàn)狀行業(yè)集中度高重資產(chǎn)疊加規(guī)模經(jīng)濟,行業(yè)集中度高。30大(通過封測業(yè)務(wù)53481049284%圖20:2022年全球前30大封測玩家營收(百萬美元)140001200014000120001000080006000400020000資料來源:YOLE,財信證券主要分布于亞太地區(qū)集成電路封測產(chǎn)業(yè)集中于亞太地區(qū)。2022年全球營收前十的5424.5%114.1%。相較于芯片的設(shè)計與制造,大陸企業(yè)在封測領(lǐng)域的競爭力相對更強。表2:2022年全球封測企業(yè)前十強21排名22排名公司所屬地區(qū)21營收22營收年增長21市占率22市占率11日月光ASE中國臺灣77285510.7%26.9%27.1%22安靠Amkor美國38644415.0%13.4%14.1%33長電科技JCET中國大陸30533810.7%10.6%10.7%54通富微電TFME中國大陸15820529.8%5.5%6.5%45力成科技PTI中國臺灣18919319.1%6.6%6.1%66華天科技HUATIAN中國大陸1211210.3%4.2%3.9%77智路封測WiseRoad中國大陸9111019.9%3.2%3.5%88京元電子KYEC中國臺灣78848.5%2.7%2.7%109頎邦Chipbond中國臺灣6255-11.7%2.2%1.8%910南茂ChipMOS中國臺灣6354-14.6%2.2%1.7%前十大公司合計2227245910.4%77.6%78.0%全球合計287131549.8%100.0%100.0%中國臺灣116512416.5%40.6%39.4%中國大陸67677414.6%23.5%24.5%美國38644415.0%13.4%14.1%資料來源:ChipInsights,財信證券向上下游發(fā)展IDM、Foundry廠商重IC向上游晶圓廠發(fā)展。上完成重布線并通過晶圓凸點工藝形成與外部互聯(lián)的金屬凸點。包含在晶圓上制造凸點(umpng(TS)(Fn-out)向下游模組廠發(fā)展PCB板上的多種功能芯片,包括處理器、存儲器等功能芯片以及電容、電阻等元器件集成為一顆芯片,壓縮模塊體SiPFC技術(shù)的系統(tǒng)級封裝產(chǎn)品部分與模組廠交叉。圖21:封測廠與上下游交叉資料來源:甬矽電子招股說明書,財信證券先進封裝仍以O(shè)STIouny提供更多高性能封裝22E統(tǒng)2022委外封測廠)65.1%,F(xiàn)oundry(晶圓代工廠12.3%,IDM1025%12.4%,JCET8.8%FoundryIDM企業(yè),TSMC12.3%、Samsung9.4%6.7%Sony6.5%提供更多高性能封裝。企業(yè)正加大封裝投入2022年頭部企業(yè)資本開支的預(yù)測foundryTSMCSamsung2022年均顯著增加了資本開支;PTIJCET212022年封裝資本開支占比中ntl占比28%TSC25%、Samsung、、JCET、PTI、Tongfu、合計占比33%,IDM、Foundry在封裝上的資本投入遠高于OSAT。圖22:2022年先進封裝廠市場份額資料來源:YOLE,財信證券圖23:頭部企業(yè)2022年資本開支預(yù)測 圖24:2022年封裝資本開支結(jié)構(gòu)資料來源:YOLE,財信證券 資料來源:YOLE,財信證券投資邏輯半導(dǎo)體市場迎來復(fù)蘇2023年觸底反彈2023年半導(dǎo)體銷售額同比下滑20232從全球范圍看,1-469913%392021從中國范圍看,136421%3至21中國半導(dǎo)體市場正在經(jīng)歷與全球相似幅度更大的波動,未來有望迎來有力反彈。圖25:全球半導(dǎo)體年度銷售額(10億美元) 圖26:全球半導(dǎo)體月度銷售額(10億美元)0
全球銷售額 同比
30% 6025%20% 5015%10% 405%0% 30-5%-10% 20-15%-20% 100
全球銷售額 同比
40.0%30.0%20.0%10.0%0.0%-10.0%-20.0%-30.0%2016-012017-012018-012019-012020-012021-012022-012023-01資料來源:SIA,財信證券 資料來源:SIA,財信證券圖27:中國半導(dǎo)體年度銷售額(10億美元) 圖28:中國半導(dǎo)體月度銷售額(10億美元)806040200
中國銷售額 同比
2030% 1820% 1610% 140% 1210-10%8-20% 6-30% 420
中國銷售額 同比
40.0%30.0%20.0%10.0%0.0%-10.0%-20.0%-30.0%-40.0%2016-012017-012018-012019-012020-012021-012022-012023-01資料來源:SIA,財信證券 資料來源:SIA,財信證券2024年預(yù)期增長223年行業(yè)經(jīng)歷衰退后已逐漸復(fù)蘇2024年有望迎來反彈根據(jù)各機構(gòu)發(fā)布數(shù)據(jù),2024年半導(dǎo)體市場有望在衰退過后實現(xiàn)較大反彈。各大機構(gòu)對2024年的反彈力度預(yù)期Insights9.6%;STS13.1%2024年全球半導(dǎo)體市場有望出現(xiàn)較為樂觀的增長。表3:各機構(gòu)半導(dǎo)體市場增速預(yù)測機構(gòu)2023E2024FWSTS-9.4%13.1%SC-IQ-9.5%16.0%IDC-12.0%20.0%TechInsights-9.5%9.6%Gartner-10.9%16.8%資料來源:WSTS,SC-IQ,IDC,TechInsights,Gartner,財信證券WSTS20232024588413.1%16225954934.4%317512%。美洲及亞太地區(qū)貢獻了主要的增長,歐洲及日本整體規(guī)模更小、增長偏緩。從產(chǎn)品看,反彈以集成電路為主。WSTS預(yù)計,2024年集成電路市場規(guī)模有望達到48753754332014.2%1.7%3.7%80%,2024年成為推動半導(dǎo)體市場增長的關(guān)鍵動力。STS2024年全球模擬電路8413.7%8191917129844.8%2022、2023年連續(xù)出現(xiàn)較大跌幅。表4:WSTS對半導(dǎo)體市場預(yù)測(億美元)市場規(guī)模(億美元)同比增速(%)分地區(qū)2022A2023E2024F2022A2023E2024F美洲14111325162216.2-6.122.3歐洲53957059512.85.94.3日本48247249310.2-24.4亞太330928333175-3.5-14.412全球合計5741520158843.3-9.413.1分產(chǎn)品2022A2023E2024F2022A2023E2024F分立器件340360375125.84.2光電子4394264331.2-31.7傳感器21819420113.7-10.93.7集成電路4744422248752.5-1115.5模擬電路89081184120.1-8.93.7微電路791766819-1.4-3.27邏輯電路17661749191714-0.99.6存儲芯片12988961298-15.6-3144.8產(chǎn)品合計5741520158843.3-9.413.1資料來源:WSTS,財信證券半導(dǎo)體復(fù)蘇帶動封裝增長半導(dǎo)體市場復(fù)蘇帶動封裝增長2024年有望迎來反彈根據(jù)據(jù),20248999.4%2025、20264.9%1.9%年中國封裝28913.0%預(yù)測的全球水平,但2025、20265.0%、7.0%。圖29:全球封裝市場規(guī)模(億美元) 圖30:中國封裝市場規(guī)模(億元)市場規(guī)模 同比增速 市場規(guī)模 同比增速120010000
20192020202120222023E2024E2025E2026E
25.0%20.0%15.0%10.0%5.0%0.0%
3500300025002000150010000
20192020202120222023E2024E2025E2026E
12.0%10.0%8.0%6.0%4.0%2.0%0.0%-2.0%-4.0%-6.0%-8.0%資料來源:YOLE,集微咨詢,財信證券 資料來源:中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會,財信證券加速先進封裝發(fā)展高速發(fā)展,先進封裝迎發(fā)展機遇。近年來先進封裝占比正不斷提升,中國目前顯著落后于世界水平。預(yù)測,2023年全球封裝市場中先進封裝占比為48.8%比例在近年來不斷提高,但仍明顯低于全球水平,也意味著中國市場中先進封裝更具成長空間。圖31:先進封裝發(fā)展機遇與應(yīng)用場景資料來源:YOLE,財信證券圖32:全球封裝市場結(jié)構(gòu) 圖33:中國封裝市場結(jié)構(gòu)100%20142015201420152016201720182019202020212022E2023E2024E2025E2026E
傳統(tǒng)封裝 先進封裝
傳統(tǒng)封裝 先進封裝100%80%60%40%20%0%資料來源集微咨詢,財信證券 資料來源:集微咨詢,財信證券封裝技術(shù)革新正溫和進行年443年先進封裝市場份額78658%電信基礎(chǔ)設(shè)施和汽車電子為先進封裝主要E202270%20%6%61%27%、9%3%電信基礎(chǔ)設(shè)施及汽車電子領(lǐng)域封裝價值量占比出現(xiàn)大幅增長先進封裝增長主戰(zhàn)場。圖34:封裝市場增長情況與行業(yè)差異資料來源:YOLE,財信證券全球先進封裝市場規(guī)模2022-2028達到9%預(yù)測全球先進封裝市場20224292028786億美元,2022-2028將9%對于不同的封裝技術(shù),從市場份額看,F(xiàn)CCSP2.5D/3D202294億美元增長至202822515.6%從出貨量看,F(xiàn)CCSP封裝則在出貨量上處于領(lǐng)先地位。圖35:2022-2028年全球先進封裝市場規(guī)模(十億美元)資料來源:YOLE,財信證券3重點公司主要推薦理由總結(jié):1封裝行業(yè)景氣度與半導(dǎo)體銷售額高度相關(guān),2024年半導(dǎo)體銷售額做出了樂觀預(yù)期。后摩爾時代,先進封裝迎來發(fā)展機遇。等熱點發(fā)酵有望帶來更多先后摩爾時代更有發(fā)展先進封裝的必要性。封裝是中國在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)上的優(yōu)勢環(huán)節(jié)3.1長電科技長電科技是全球20因此公司營收與下游需求基本面相關(guān)性高23Q1-Q320417.6%9.760.3%13.9%4.1個百分4.8%5.1個百分點。海外營收占比高,為80.6%2022年以來,公司海外營收占比持續(xù)升高,202171.2%,23H1達到80.6%。從固定資產(chǎn)看,長電科技近年來固定資產(chǎn)穩(wěn)定增長。圖36:長電科技營收及同比增速 圖37:長電科技歸母凈利潤及同比增速總營收 同比增速 歸母凈利潤 同比500
2019 2020 2021 2022 2023Q1-Q3
20%15%10%5%0%-5%-10%-15%-20%
353025201510502019 2020 2021 2022 2023Q1-Q3
1600%1400%1200%1000%800%600%400%200%0%-200%資料來源:iFinD,財信證券 資料來源:iFinD,財信證券圖38:長電科技海外營收占比 圖39:長電科技固定資產(chǎn)及同比增速海外營收占比 固定資產(chǎn) 同比增長82%80%78%76%74%72%70%68%66%
2019 2020 2021 2022 2023H1
500
2018 2019 2020 2021
12%10%8%6%4%2%0%-2%資料來源:iFinD,財信證券 資料來源:iFinD,財信證券圖40:長電科技毛利率、凈利率 圖41:長電科技銷售、管理、研發(fā)及財務(wù)費用率銷售毛利率 銷售凈利率201816141210864202019 2020 2021 2022 2023Q1-Q3
6.0%5.0%4.0%3.0%2.0%1.0%0.0%
銷售費用率 管理費用率研發(fā)費用率 財務(wù)費用率2019 2020 2021 2022 2023Q1-Q3資料來源:iFinD,財信證券 資料來源:iFinD,財信證券通富微電封測行業(yè)領(lǐng)軍企業(yè),攜手共同成長。201629億元、3950%20231593.8%-0.6413%海外營收占比高,為74%74%,圖42:通富微電營收及同比增速 圖43:通富微電歸母凈利潤及同比增速總營收 同比增速 歸母凈利潤 同比500
2019 2020 2021 2022 2023Q1-Q3
50%45%40%35%30%25%20%15%10%5%0%
121086420(2)
1800%2019202020192020202120222023Q1-Q31400%1200%1000%800%600%400%200%0%-200%-400%資料來源:iFinD,財信證券 資料來源:iFinD,財信證券圖44:通富微電海外營收占比 圖45:通富微電固定資產(chǎn)及同比增速海外營收占比 固定資產(chǎn) 同比增長82%80%78%76%74%72%70%68%66%64%62%60%
2019 2020 2021 2022 2023H1
806040200
2018 2019 2020 2021
50%45%40%35%3
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