2024年衛(wèi)生資格(中初級)-口腔醫(yī)學技術(shù)(主管技師)筆試歷年真題薈萃含答案

2024年衛(wèi)生資格(中初級)-口腔醫(yī)學技術(shù)(主管技師)筆試歷年真題薈萃含答案（圖片大小可自由調(diào)整）答案解析附后卷I一.參考題庫(共25題)1.下列哪項一般不會引起全口義齒基托折裂（）A、力不平衡B、基托較薄C、牙槽骨又繼續(xù)吸收D、基托和黏膜不貼合E、垂直距離恢復得不夠2.患者，男，55歲，上頜缺失，可摘局部義齒修復，上頜作基牙，模型要畫導線。選擇就位道時，模型在觀測臺上如何放置（）A、向前傾斜B、向右傾斜C、向左傾斜D、向后傾斜E、平放3.心臟病患者拔牙的禁忌癥，除外（）A、心肌梗死患者治療好轉(zhuǎn)兩個月B、不穩(wěn)定性心絞痛C、阿斯綜合征D、心臟病合并高血壓、血壓維持在22.7～12.7kpa（170／95mmHg）E、雙室傳導阻滯4.在以下情況中，不需檢查患牙有無叩痛的是（）A、深齲B、急性牙髓炎C、慢性牙髓炎D、慢性根尖炎E、齦乳頭炎5.齲病是牙體硬組織發(fā)生的哪種變化（）A、慢性間歇性破壞B、慢性進行性破壞C、急性進行性破壞D、急性間歇性破壞E、以上都對6.哪顆牙齒面發(fā)育溝近似"王"字形（）A、上頜第一磨牙B、上頜第二磨牙C、下頜第一磨牙D、下頜第二磨牙E、第三磨牙7.兩中切牙近中鄰接點的定位依據(jù)是（）A、面中線B、口角線C、牙槽嵴頂線D、笑線E、堤平面8.高熔合金內(nèi)層包埋料中，正硅酸乙酯水解液與純石英粉調(diào)和比為（）A、1：1B、1：2C、1.3：3D、1.3：4E、2：59.如果該患者的前牙采用個性法排列，下列不正確的是（）A、人工牙切角較銳B、人工牙顏色稍黃C、人工牙的排列宜整齊、對稱D、人工牙唇面形態(tài)方而平E、人工牙的排列要適當加大近遠中向和唇舌向的傾斜10.畸形中央尖以哪牙最為常見（）A、下頜第一磨牙B、下頜第二磨牙C、下頜第二前磨牙D、下頜第一前磨牙E、上頜第二磨牙11.楔狀缺損好發(fā)于（）A、下前牙B、上前牙C、上下頜尖牙和雙尖牙D、上頜磨牙E、下頜磨牙12.牙列擁擠分三度，其中Ⅱ度擁擠是（）A、間隙相差2～4mmB、間隙相差4～8mmC、間隙相差8mm以上D、間隙相差3～5mmE、間隙相差3mm以內(nèi)13.代型根部應形成的光滑圓柱體高度為（）A、2mmB、25～0.3mmC、5～2.0mmD、5～1.0mmE、4mm14.在乳磨牙中，患齲率最高的牙是（）A、下頜第一磨牙B、下頜第二乳磨牙C、上頜第一乳磨牙D、上頒第二乳磨牙E、乳上頜前牙15.牙齒面的三角嵴是由（）A、位于面的由一個牙尖的近中和遠中兩個斜面組成B、位于面的由兩個牙尖的近中和遠中兩個斜面組成C、位于面的由三個牙尖的斜面共同組成D、牙冠的兩個軸面相交而成E、牙冠的三個軸面相交而成16.瓊脂印膜材由凝膠變?yōu)槿苣z的溫度是（）A、80℃B、60℃C、40℃D、20℃E、0℃17.在部分瓷覆蓋的金屬烤瓷橋中，橋體的金-瓷交界線位于（）A、頰側(cè)無接觸部位B、舌側(cè)無接觸部位C、頰側(cè)邊緣嵴D、舌側(cè)邊緣嵴E、接觸部位18.FR矯治器頰屏的上頜部分與上牙槽間應有多大的間隙才利于消除頰肌對上頜側(cè)方的力（）A、4mmB、2.5mmC、3.5mmD、3mmE、4.5mm19.支托窩與基牙長軸成多少度時，力順牙長軸方向傳遞（）A、20°B、30°C、45°D、60°E、90°20.固位體的力主要通過哪個部分傳遞到頜骨上（）A、固位體B、基牙C、橋體D、連接體E、黏膜21.Begg技術(shù)關(guān)閉拔牙間隙時用（）A、Ⅰ類牽引B、尖牙遠中結(jié)扎C、Ⅱ類牽引D、尖牙近中結(jié)扎E、Ⅲ類牽引22.男性，患者，52歲，缺失，近中部分缺損，訴曾有夜間痛史，有楔狀缺損，舌側(cè)骨尖，余留牙牙石（++），氟斑牙。 為該患者選擇基牙，應是（） A、AB、BC、CD、DE、E23.卡環(huán)、支托折斷的常見原因，不包括（）A、支托及隙卡溝預備不夠B、拾支托及隙卡過薄C、材質(zhì)差D、鑄造內(nèi)部缺陷E、使用方法不當24.當合金呈現(xiàn)何狀態(tài)時，是鑄造的合適時機（）A、呈鏡面狀態(tài)B、呈球狀滾動C、熔金沸騰D、四處噴射E、發(fā)出炸裂聲25.使用activator治療時下頜每前移1mm可以產(chǎn)生（）A、50g力B、100g力C、200g力D、150g力E、300g力卷II一.參考題庫(共25題)1.下面哪一項不符合全口義齒的排牙要求（）A、人工牙盡可能排在牙槽嵴頂B、按一定規(guī)律排列，形成合適的補償曲線、橫曲線C、為確保美觀，必要時前牙可排成深覆D、人工牙應排在原來自然牙所在的部位E、要達到平衡2.以下哪項是可摘義齒固位體中直接固位體的作用（）A、防止義齒向齦舌向脫位B、防止義齒向齦方脫位C、防止義齒向齦頰向脫位D、防止義齒向方脫位E、防止義齒向齦頰舌向脫位3.金屬基底冠常規(guī)厚度是（）A、0.1～0.2mmB、0.3～0.5mmC、0.5～1.0mmD、至少2.0mmE、1.5～2.0mm4.從牙尖頂端分別斜向近、遠中的嵴為（）A、斜嵴B、橫嵴C、三角嵴D、邊緣嵴E、牙尖嵴5.下頜第一磨牙近中頰尖咬在上頜第一，磨牙的近中頰溝屬于（）A、個別正常B、理想正常C、錯D、近中錯E、遠中錯6.殘髓炎與一般慢性牙髓炎不同的診斷指標是（）A、熱測敏感B、做過牙髓治療C、自發(fā)性疼痛D、根尖陰影E、叩診（+）7.治療TMD不可取的方法為（）A、第三磨牙伸長B、保守治療C、關(guān)節(jié)內(nèi)注射硬化劑D、夜磨牙E、手術(shù)治療8.患者戴用全口義齒兩天后，自述口內(nèi)兩處疼痛，義齒易松動，檢查發(fā)現(xiàn)舌系帶及上頜結(jié)節(jié)頰側(cè)有紅色壓痕。疼痛可能的原因為（）A、局部緩沖不夠B、咬合力過大C、義齒性口炎D、咬合早接觸E、以上都不是9.患病率最高的牙（）A、下頜第一磨牙B、下頜第一前磨牙C、上頜側(cè)切牙D、下頜側(cè)切牙E、上頜尖牙10.患者，女，55歲，缺失，頰向傾斜，余牙正常，設(shè)計鑄造支架修復。 鑄造支架設(shè)計范圍應到（） A、AB、BC、CD、DE、E11.單側(cè)下第二乳磨牙缺失，第一恒磨牙未萌采用哪種間隙保持器（）A、遠中導板間隙保持器B、帶環(huán)絲圈式間隙保持器C、全冠絲圈式間隙保持器D、舌弓式間隙保持器E、可摘功能性間隙保持器12.以下主要用來焊接高熔合金的焊接方法是（）A、點焊B、電阻釬焊C、銀焊D、微束等離子焊E、錫焊13.上頜第一磨牙牙尖中最小的是（）A、近中舌尖B、遠中舌尖C、近中頰尖D、遠中頰尖E、第五牙尖14.鑄造金屬全冠預備時，軸面正常聚合角為（）A、0°B、2°～5°C、5°～10°D、10°～15°E、無要求15.現(xiàn)代口腔種植發(fā)展過程中曾出現(xiàn)過多種不同的種植方式，目前應用最多并受到認可的種植方式是（）A、骨內(nèi)種植B、骨膜下種植C、根管內(nèi)種植D、穿骨種植E、下頜支種植16.王某，男，35歲，口腔衛(wèi)生良好，無齲齒及牙周疾患。第一磨牙中性關(guān)系，頰向，上頜可用間隙92mm，必需間隙95mm，下頜牙列平齊，余正常。如果采用鄰面去釉的方法，那么每個牙去除釉質(zhì)的厚度最多是（）A、0.5mmB、0.75mmC、0.25mmD、0mmE、0.45mm17.需做模型處理，以增加義齒固位的是（）A、主承托區(qū)B、副承托區(qū)C、緩沖區(qū)D、邊緣封閉區(qū)E、后堤區(qū)18.前牙3／4冠的鄰面溝位于（）A、鄰面片切面的中1／3B、鄰面片切面的唇1／3C、鄰面片切面的舌1／3D、鄰面片切面的中1／3與唇1／3的交界處E、鄰面片切面的中1／3與舌1／3的交界處19.乳牙列中，患齲率最高的牙是（）A、下頜第二乳磨牙B、上頜第二乳磨牙C、下頜第一乳磨牙D、乳上頜前牙E、乳下頜前牙20.齲病初期的臨床特征中不包括（）A、牙釉質(zhì)是白堊色B、牙齒的透明度下降C、牙體硬組織脫礦D、牙釉質(zhì)出現(xiàn)齲壞E、腔衛(wèi)生極差21.患者，男，48歲，右下543和左下67缺失，余牙正常，設(shè)計純鈦整體鑄造支架的可摘局部義齒，戴6個月后支架部分折斷。檢查：左下3、4區(qū)金屬舌桿折斷，舌桿厚1.5mm，折斷面金屬有縮孔，采用焊接金屬舌桿。焊接該舌桿理想的焊接方法是（）A、點焊B、激光焊C、汽油吹管火焰焊D、錫焊E、銀焊22.患者根尖部的齦黏膜呈半球形隆起，不紅，時有乒乒球感，富有彈性，穿刺內(nèi)容呈黃色透明液體。診斷為（）A、根尖肉牙腫B、慢性根尖膿腫C、根尖囊腫D、下頜骨造軸細胞瘤E、始基囊腫23.金屬與瓷之間熔融結(jié)合后，會產(chǎn)生緊密貼合后的分子間的引力，即（）A、化學結(jié)合力B、機械結(jié)合力C、范德華力D、殘余應力E、壓縮結(jié)合力24.關(guān)于下頜弓明顯寬于上頜弓的排牙方法錯誤的是（）A、后牙排成反B、首選無尖牙C、A區(qū)和D區(qū)互換D、B區(qū)和C區(qū)互換E、A區(qū)和C區(qū)互換25.Andresen矯治器不適用于（）A、安氏Ⅱ類1分類錯B、安氏Ⅱ類2分類錯C、安氏Ⅲ類錯D、安氏Ⅰ類擁擠錯E、開合畸形卷III一.參考題庫(共25題)1.替牙時期是指（）A、2.5～4.0歲B、4.0～6.0歲C、6.0～7.0歲D、8.0～9.0歲E、6.0～12.0歲2.患者，女，50歲，全口義齒修復1年，發(fā)現(xiàn)基托縱裂。檢查：上半口義齒基托縱裂從雙側(cè)中切牙處開始向后延伸。前牙成淺覆，但腭隆突處黏膜充血、壓痛，兩側(cè)咬合力感覺相等。上半口義齒固位良好。基托折斷修理時，裂縫兩邊的塑料應磨成的最佳形狀是（）A、直線形B、曲線形C、斜坡形D、淺凹形E、倒凹形3.牙槽骨的吸收程度為Ⅱ度表示（）A、牙槽骨吸收在牙根的頸1/3以內(nèi)B、牙槽骨吸收在牙根的頸1/2以內(nèi)C、牙槽骨吸收占根長2/3以上D、牙槽骨吸收達根長的1／2E、牙槽骨吸收達根長的1／34.齲病按發(fā)情況及進展速度，將病變進展快、顏色淺、質(zhì)地軟而濕的稱為（）A、繼發(fā)齲B、深齲C、面窩溝齲D、干性齲E、濕性齲5.RPI卡環(huán)采用近中支托的主要目的是（）A、防止基托下沉B、減少牙槽嵴受力C、減少基牙所受扭力D、增強義齒穩(wěn)定E、防止食物嵌塞6.患者，72歲，無牙頜，全口義齒修復10年，上頜義齒尚可，下頜義齒穩(wěn)定性差，本次就診要求"能戴穩(wěn)假牙，能吃東西"。臨床檢查發(fā)現(xiàn)下牙槽嵴低平，舊義齒固位不良，人工牙面不均勻磨耗，面下1/3低。對該患者哪種修復方法最為理想（）A、上、下頜各6個種植體固位的全口固定義齒B、上、下頜各2個種植體固位的可摘全口義齒C、上頜全口義齒，下頜2個種植體固位的可摘全口義齒D、重做一副全口義齒E、舊義齒重襯7.前牙的舌面近中遠中邊緣處和后牙的面與軸面相交處的嵴為（）A、斜嵴B、橫嵴C、三角嵴D、邊緣嵴E、牙尖嵴8.FR0-Ⅲ矯治器的頰屏厚度（）A、不超過4mmB、4.5mmC、3mmD、2.5mmE、2mm9.烤瓷合金中不屬于貴金屬合金的是（）A、金B(yǎng)、白金C、鉑D、鈀E、銀鈀10.咬關(guān)系不好可致（）A、氣泡B、裂紋C、色澤不佳D、牙體層附著不良E、金瓷冠口內(nèi)崩瓷11.患者，女，50歲，缺失，余牙正常，口底至舌側(cè)牙齦距離為10mm，設(shè)計鑄造可摘局部義齒修復。設(shè)計RPI卡環(huán)組。 基牙預備時應制備出（）A、近遠中支托窩B、近中支托窩，舌側(cè)導平面C、遠中支托窩，舌側(cè)導平面D、近中支托窩，遠中導平面E、遠中支托窩，遠中導平面12.整鑄支架可摘局部義齒金屬基托的厚度約為（）A、0.5mmB、2.0mmC、2.5mmD、1.5mmE、3.0mm13.Ⅱ度開是指上下前牙切端垂直向間隙在（）A、0～3mmB、3～5mmC、5～8mmD、5mm以上E、8mm以上14.去除印模中的唾液血和食物殘渣可以用以下哪種方法（）A、流水沖洗B、工具刮除C、用3%H2O2浸泡D、氣槍吹除E、軟毛刷刷凈15.以下哪個選項不是瓷貼面的禁忌證（）A、牙冠大部分缺損前牙B、青少年恒牙少部分缺損，且為活髓牙者C、前牙擁擠D、反或?qū)θ蠩、缺乏可粘結(jié)的釉質(zhì)16.第一恒磨牙發(fā)生時間（）A、胚胎2個月B、胚胎4個月C、胚胎5～6個月D、新生兒2個月E、新生兒5～6個月17.雙側(cè)上頜乳磨牙缺失采用哪種間隙保持器（）A、遠中導板間隙保持器B、帶環(huán)絲圈式間隙保持器C、全冠絲圈式間隙保持器D、舌弓式間隙保持器E、可摘功能性間隙保持器18.由近中支托、鄰面板和圓環(huán)形卡環(huán)三部分組成聯(lián)合式鑄造卡環(huán)，即（）A、RPI卡環(huán)B、RPL卡環(huán)C、RPA卡環(huán)D、RPT卡環(huán)E、以上均是19.選擇上前牙的長短主要參考（）A、面中線B、口角線C、牙槽嵴頂線D、笑線E、堤平面20.用于孤立前磨牙和磨牙（）A、圈形卡環(huán)B、回力卡環(huán)C、對半卡環(huán)D、延伸卡環(huán)E、聯(lián)合卡環(huán)21.患者，男，60歲，缺失，行可摘局部義齒修復。選擇就位道時模型應在觀測臺上應（）A、向前傾斜B、向后傾斜C、向右傾斜D、向左傾斜E、平放22.根據(jù)六類分類法，某患者右側(cè)上頜骨切除，屬于哪一類缺損（）A、Ⅰ類B、Ⅱ類C、Ⅲ類D、Ⅳ類E、Ⅴ類23.開面冠的頸環(huán)寬度為（）A、2mmB、25～0.3mmC、5～2.0mmD、5～1.0mmE、4mm24.下列哪一項是鑄件產(chǎn)生偏折的原因（）A、合金過熔B、鑄道設(shè)置不當C、包埋料與鑄造合金匹配性差D、用離心鑄造方法在合金成分比重差較大時易產(chǎn)生E、鑄造后鑄型冷卻過慢25.鑄造金合金鑄造后線收縮率為（）A、2％～0.5％B、43％C、24％～1.26％D、8％～2.10％E、13％～2.24％卷I參考答案一.參考題庫1.參考答案:E2.參考答案:E3.參考答案:B4.參考答案:E5.參考答案:B6.參考答案:C7.參考答案:A8.參考答案:D9.參考答案:C1