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文檔簡介
第33講物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)綜合題突破
[復(fù)習(xí)目標(biāo)]1.明確物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)綜合題的題型特點(diǎn)和常考熱點(diǎn)。2.掌握解答物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性
質(zhì)綜合題的思維模式,提升綜合運(yùn)用物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)知識(shí)分析問題的能力。
Il命題研究
物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)綜合題中的各小題之間相對(duì)獨(dú)立,主要考查原子結(jié)構(gòu)與性質(zhì)、分子結(jié)構(gòu)與性
質(zhì)、晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì),具體考查角度如下:
(1)以原子或離子結(jié)構(gòu)為主線的考查角度
1-S(球形)η
,出現(xiàn)概率星詠_p(啞鈴形)一還
原子核外電子云Ld(花瓣形)_
(離子)運(yùn)動(dòng)特征I能量高低
能層一原子軌道
離核遠(yuǎn)近
I-①電子排布式------
電負(fù)性大小1考查一②軌道表示式------
電高能大小」結(jié)構(gòu)遍性質(zhì)
一③電子的成對(duì)情況一
L④洪特規(guī)則特例一
(2)以分子結(jié)構(gòu)為主線的考查角度
電負(fù)性差.通常形成??疾殡x子鍵的
大于1.7'離子鍵"強(qiáng)弱比較
孤電G對(duì)配位鍵
成及空軌道
鍵
、共用電子.極性鍵與
原共價(jià)
子對(duì)偏移——非極性鍵
「鍵的-
分類原子間共用單鏈、雙
電子對(duì)數(shù)鍵、三鍵
電負(fù)性差通常形成
小于L7’共價(jià)鍵原子軌道
σ鍵與Tr鍵
重疊方式
常
原子雜2-SP、SP2、,分子
L化軌道?Sp3-空間
類型結(jié)構(gòu)
?孤電子對(duì)一
(3)以晶體結(jié)構(gòu)為主線的考查角度
分子分子晶體
分子間作用力”及性質(zhì)
廣晶胞參數(shù)、密度
?一微粒間的距離
陰、陽離子離子晶體f
A及性質(zhì)舁L空間利用率
離子鍵
晶
晶胞中
體原子共價(jià)晶體f原子坐標(biāo)
A及性質(zhì)微粒
共價(jià)錠_投441.影IJA圖ps↑
空間匚空隙問題
金屬原子金屬晶體位置
金屬鍵及性質(zhì)
L跟蹤訓(xùn)練
1.(2022?西安模擬)硒(Se)是一種有重要作用的元素,可以形成多種化合物。
(1)基態(tài)硒原子的核外電子排布式為O
(2)H2SeO3的中心原子雜化類型是,Seog的空間結(jié)構(gòu)是。
(3)H2Se屬于(填“極性”或“非極性”)分子。
(4)硒化鋅(ZnSe)是一種重要的半導(dǎo)體材料,其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示,該晶胞中硒原子的配位數(shù)
為;若該晶胞密度為pgem-,硒化鋅的摩爾質(zhì)量為Mg.mol」,NA代表阿伏加德羅
常數(shù)的值,則晶胞參數(shù)α為pm.
OZnOSe
2.(2022?四川南充模擬)乙酰丙酮是“一種有酯氣味的無色透明液體,常用作溶劑、有機(jī)合成
中間體、金屬絡(luò)合劑等。它有兩種主要互變異構(gòu)體A、B,與Be?+、Mg2?Cu2+.Zr?+等形
成配合物C?;卮鹣铝杏嘘P(guān)問題:
(1)基態(tài)C#+的價(jià)電子排布式為,Be和Mg第一電離能較大的是原子。
(2)A中C原子雜化軌道類型為;按VSEPR理論預(yù)測B中ZHCC約為、
(填角度)。B在堿性條件下斷裂極性最大的鍵是。具有分子內(nèi)氫鍵的是
(填“A”或"B”)。
(3)C中σ鍵與π鍵數(shù)目之比為o
(4)乙酰丙酮易溶于醵、氯仿、丙酮等多數(shù)有機(jī)溶劑,理由是。
(5)金屬銅的某些參數(shù)如下:
金屬堆積類型密度/(g?cm3)相對(duì)原子質(zhì)量
*F>
O
CuOOOP64
,d7'
S-
根據(jù)上述數(shù)據(jù),計(jì)算CU的原子半徑為pm(列出計(jì)算表達(dá)式,設(shè)NA是阿伏加德羅常
數(shù)的值)。
3.(2022.山西臨汾模擬)國產(chǎn)大飛機(jī)C919的制造使用了較多含硼材料(如硼纖維、氮化硼等),
多項(xiàng)技術(shù)打破了國外壟斷。
(1)原子的能量由核電荷數(shù)、電子數(shù)、_______________________________________三個(gè)因素共
同決定;基態(tài)B原子的核外電子填充在個(gè)軌道中。
(2)耐高溫材料立方BN制備流程中用到NH3、BCl3和觸媒劑Ca3B2N4o
①Ca、B、N三種元素電負(fù)性從大到小的順序?yàn)閛
②BCb中B原子的軌道與Cl原子的軌道形成σ鍵;形成BCb過程中基態(tài)B原
子價(jià)電子層上的電子先激發(fā),再雜化,激發(fā)后B原子的價(jià)電子軌道表示式為=
③BCb在四氯化碳中的溶解度遠(yuǎn)大于NH3,原因是o
(3)硼砂是非常重要的含硼礦物。一種硼砂陰離子的結(jié)構(gòu)如圖I所示,則1mol該陰離子存在
的配位鍵的物質(zhì)的量為n=___________
OH
O-B-O
/I\
HO-BOB-OH
?I/
O-B-O
OH
圖
(4)制造硼合金的原料硼化鈣(CaB6)晶胞結(jié)構(gòu)如圖2所示,硼原子全部組成Bs正八面體,各個(gè)
頂點(diǎn)通過B-B互相連接成三維骨架。已知該晶體晶胞參數(shù)為“pm,B6八面體中B-B的鍵
長為dpm>,1,0)。
圖2
真題演練明確考向
1.(2022?全國乙卷,35)鹵素單質(zhì)及其化合物在科研和工農(nóng)業(yè)生產(chǎn)中有著廣泛的應(yīng)用。回答下
列問題:
(1)氟原子激發(fā)態(tài)的電子排布式有,其中能量較高的是。(填標(biāo)號(hào))
a.ls22s22p43slb.ls22s22p43d2
c.ls?s12p5d.ls22s22p33p2
⑵①一氯乙烯(C2H3CI)分子中,C的一個(gè)雜化軌道與Cl的3p.r軌道形成
C-Cl鍵,并且Cl的3p:軌道與C的2p:軌道形成3中心4電子的大π鍵(口守)。
②一氯乙烷(C2H5。)、一氯乙烯(C2H3CI)、一氯乙煥(CzHCl)分子中,C-Cl鍵長的順序是
,理由:(i)C的雜化軌道中S成分越多,形成的C—Cl越強(qiáng);
(ii)。
⑶鹵化物CSICl2受熱發(fā)生非氧化還原反應(yīng),生成無色晶體X和紅棕色液體Y。X為
。解釋X的熔點(diǎn)比Y高的原因_____________________________。
(4)α-AgI晶體中「作體心立方堆積(如圖所示),Ag+主要分布在由「構(gòu)成的四面體、八面體等
空隙中。在電場作用下,Ag+不需要克服太大的阻力即可發(fā)生遷移。因此,a-Agl晶體在電池
中可作為.
已知阿伏加德羅常數(shù)的值為NA,則a-Agl晶體的摩爾體積Vm=m3?moL(列
出算式)。
2.(2022?廣東,20)硒(Se)是人體必需微量元素之一,含硒化合物在材料和藥物領(lǐng)域具有重要
應(yīng)用。自我國科學(xué)家發(fā)現(xiàn)聚集誘導(dǎo)發(fā)光(AIE)效應(yīng)以來,AIE在發(fā)光材料、生物醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域引
起廣泛關(guān)注。一種含Se的新型AIE分子IV的合成路線如下:
(I)Se與S同族,基態(tài)硒原子價(jià)電子排布式為。
(2)H2Se的沸點(diǎn)低于H2
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