材料測(cè)試方法智慧樹(shù)知到期末考試答案2024年

材料測(cè)試方法智慧樹(shù)知到期末考試答案2024年材料測(cè)試方法電子衍射的衍射花樣有別于X射線衍射的主要原因是（

）。

A:散射能力高B:反射求半徑很大C:衍射角很小D:光源采用電子波答案:衍射角很小SEM鏡筒中聚光鏡及物鏡均為（）。

A:投影鏡B:中間鏡C:分光鏡D:電磁透鏡答案:電磁透鏡利用背散射電子成像，不僅反映了形貌襯度，還體現(xiàn)了（）襯度。

A:取向B:結(jié)構(gòu)C:價(jià)電子D:成分答案:成分衍射儀法中的試樣形狀是

A:塊狀粉末多晶B:任意形狀C:絲狀粉末多晶D:塊狀單晶答案:塊狀粉末多晶用來(lái)進(jìn)行晶體結(jié)構(gòu)分析的X射線學(xué)分支是

A:X射線光譜學(xué)B:X射線衍射學(xué)C:其他D:X射線透射學(xué)答案:X射線衍射學(xué)關(guān)于襯度的說(shuō)法錯(cuò)誤的是（

）

A:衍射襯度是樣品中不同位向晶體的衍射條件不同造成的B:襯度是顯微圖像中不同區(qū)域的明暗差別C:衍射襯度是利用某一衍射束成像產(chǎn)生的。D:襯度受到試樣散射能力的影響答案:衍射襯度是利用某一衍射束成像產(chǎn)生的。在SEM中，二次電子像襯度最亮的區(qū)域是（）。

A:和電子束成30°的表面B:和電子束成60°的表面C:與電子束垂直的表面D:和電子束成45°的表面答案:和電子束成60°的表面零層倒易面上的各倒易矢量ghkl的方向和正空間中相應(yīng)晶面的法向之間的關(guān)系是

。

A:平行B:重合C:垂直D:交叉答案:平行零層倒易面的法線和正空間中的晶帶軸[uvw]是（

）關(guān)系。

A:相交B:垂直C:平行D:重合答案:重合當(dāng)電子把所有能量都轉(zhuǎn)換為X射線時(shí)，該X射線波長(zhǎng)稱

A:吸收限B:激發(fā)限λkC:特征X射線D:短波限λswl答案:短波限λswl材料的內(nèi)應(yīng)力分為三類，X射線衍射方法可以測(cè)定

A:第一類應(yīng)力（宏觀應(yīng)力）B:D.A+B+CC:第二類應(yīng)力（微觀應(yīng)力）D:第三類應(yīng)力答案:第一類應(yīng)力（宏觀應(yīng)力）用以實(shí)現(xiàn)透射電鏡成像操作和電子衍射操作的轉(zhuǎn)換的是

。

A:物鏡B:中間鏡C:投影鏡D:聚光鏡答案:中間鏡SEM及TEM中配備的成分分析附件中最常見(jiàn)的儀器是（）。

A:俄歇電子譜儀B:波譜儀C:特征電子能量損失譜D:能譜儀答案:能譜儀利用（

）的可變倍率可以控制電子顯微鏡的總放大倍數(shù)。

A:投影鏡B:物鏡C:聚光鏡D:中間鏡答案:中間鏡體心立方晶體的衍射條件和消光條件分別是

和

。

A:（H+K）偶數(shù)B:（H+K+L）偶數(shù)C:（H+K+L）奇數(shù)D:H、K、L同性數(shù)答案:（H+K+L）偶數(shù)###（H+K+L）奇數(shù)二次電子產(chǎn)額主要影響因素有（）。

A:二次電子能譜特性B:入射電子能量C:樣品傾斜角度D:樣品原子序數(shù)答案:二次電子能譜特性;入射電子能量;樣品傾斜角度關(guān)于選區(qū)電子衍射，以下說(shuō)法正確的是（

）。

A:在物鏡的像平面上插入選區(qū)光闌實(shí)現(xiàn)。B:電鏡在獲得顯微圖像之后需要切換為電子衍射模式獲得衍射花樣C:需要現(xiàn)在成像模式獲得放大的顯微圖像D:可以實(shí)現(xiàn)晶體結(jié)構(gòu)分析，但是不能實(shí)現(xiàn)組織形貌觀察答案:在物鏡的像平面上插入選區(qū)光闌實(shí)現(xiàn)。;需要現(xiàn)在成像模式獲得放大的顯微圖像;電鏡在獲得顯微圖像之后需要切換為電子衍射模式獲得衍射花樣德拜相機(jī)底片安裝方法有哪些？

A:正裝法B:反裝法C:斜裝法D:偏裝法答案:偏裝法###反裝法###正裝法波譜儀與能譜儀相比，能譜儀優(yōu)點(diǎn)有（）。

A:檢測(cè)效率高B:對(duì)樣品表面沒(méi)有特殊要求C:分析速度快D:沒(méi)有機(jī)械傳動(dòng)部件答案:沒(méi)有機(jī)械傳動(dòng)部件下列哪些信號(hào)可通過(guò)電子束與固體物質(zhì)作用產(chǎn)生？

A:俄歇電子B:二次電子C:特征X射線D:背散射電子答案:二次電子###俄歇電子###特征X射線###背散射電子關(guān)于超點(diǎn)陣斑點(diǎn)，以下說(shuō)法正確的是（

）。

A:會(huì)給分析和標(biāo)定帶來(lái)方便B:可能會(huì)改變?cè)芯w的衍射花樣C:可以提供更多的結(jié)構(gòu)信息D:在一定條件下才能產(chǎn)生答案:可以提供更多的結(jié)構(gòu)信息###可能會(huì)改變?cè)芯w的衍射花樣###在一定條件下才能產(chǎn)生關(guān)于消像散器的說(shuō)法正確的是（

）。

A:是正圓形的矯正磁場(chǎng)B:一般是由6個(gè)電磁體組成C:一般安裝在透鏡的上下極靴之間D:矯正磁場(chǎng)強(qiáng)度與透鏡像散場(chǎng)強(qiáng)度相等、方向相反答案:像散X射線衍射儀常規(guī)測(cè)量中衍射強(qiáng)度的測(cè)量方法有哪些？

A:快速掃描B:間歇掃描C:步進(jìn)掃描D:連續(xù)掃描答案:步進(jìn)掃描###連續(xù)掃描以下哪些是倒易陣點(diǎn)指數(shù)的約束條件（

）。

A:滿足布拉格方程B:不滿足晶帶定理C:非結(jié)構(gòu)消光D:滿足晶帶定理答案:滿足晶帶定理;非結(jié)構(gòu)消光未知晶體結(jié)構(gòu)衍射花樣標(biāo)定時(shí)，應(yīng)該在幾個(gè)不同的方位攝取衍射花樣，測(cè)低指數(shù)斑點(diǎn)的R值。

A:錯(cuò)誤B:正確答案:正確一般情況下，憑借某一個(gè)晶帶的衍射斑點(diǎn)，可以確定晶體的基本結(jié)構(gòu)。

A:正確B:錯(cuò)誤答案:錯(cuò)誤布拉格方程的一般形式是2dsin2θ=λ。

A:正確B:錯(cuò)誤答案:錯(cuò)誤物鏡和投影鏡一樣，都是短焦距、強(qiáng)勵(lì)磁透鏡。

A:錯(cuò)誤B:正確答案:正確X射線衍射法測(cè)定結(jié)晶度是通過(guò)測(cè)定樣品中晶相與非晶相的衍射方位來(lái)實(shí)現(xiàn)的

A:正確B:錯(cuò)誤答案:錯(cuò)誤調(diào)節(jié)中間鏡使中間鏡的物平面和物鏡的像平面重合，實(shí)現(xiàn)電子衍射操作。

A:錯(cuò)誤B:正確答案:錯(cuò)誤EBSD技術(shù)可廣泛應(yīng)用于顯微組織及織構(gòu)分析，其中織構(gòu)可采用極圖、反極圖及取向分布函數(shù)描述。

A:錯(cuò)B:對(duì)答案:錯(cuò)波譜儀是逐一接收元素的特征波長(zhǎng)進(jìn)行成分分析；能譜儀是同時(shí)接收所有元素的特征X射線進(jìn)行成分分析的。

A:正確B:錯(cuò)誤答案:正確對(duì)一定的吸收體，X射線的波長(zhǎng)越短，穿透能力越強(qiáng)，表現(xiàn)為吸收系數(shù)的下降。

A:錯(cuò)誤B:正確答案:正確盡管物質(zhì)的種類有千千萬(wàn)萬(wàn)，但卻沒(méi)有兩種衍射花樣完全相同的物質(zhì)。

A:正確B:錯(cuò)誤答案:正確當(dāng)晶體內(nèi)部的原子或離子產(chǎn)生有規(guī)律的位移或不同原子產(chǎn)生有序排列時(shí)，有可能使本來(lái)消光的斑點(diǎn)出現(xiàn)，衍射花樣中也將出現(xiàn)相應(yīng)的額外斑點(diǎn)。

A:錯(cuò)B:對(duì)答案:對(duì)消像散器形成的矯正磁場(chǎng)在強(qiáng)度上可調(diào)，在方位上不可調(diào)。

A:正確B:錯(cuò)誤答案:錯(cuò)誤入射束與試樣內(nèi)各晶面相對(duì)位向不同不會(huì)造成衍射強(qiáng)度的明顯差異。

A:錯(cuò)B:對(duì)答案:對(duì)電子束作用于樣品產(chǎn)生散射實(shí)際上是受到電子和原子核的庫(kù)侖力作用而發(fā)生偏轉(zhuǎn)。

A:錯(cuò)誤B:正確答案:正確零層倒易面的法線和正空間中的晶帶軸[uvw]是垂直的關(guān)系。

A:錯(cuò)誤B:正確答案:錯(cuò)誤測(cè)量衍射斑點(diǎn)間距時(shí)，應(yīng)該測(cè)量靠近中心斑點(diǎn)的幾個(gè)衍射斑點(diǎn)至中心斑點(diǎn)的距離。

A:錯(cuò)誤B:正確答案:正確襯度是顯微圖像中不同區(qū)域的明暗差別

A:對(duì)B:錯(cuò)答案:對(duì)通過(guò)倒易原點(diǎn)的倒易平面只有一個(gè)。

A:錯(cuò)B:對(duì)答案:錯(cuò)物鏡光闌通常安裝在物鏡的背焦面上。

A:錯(cuò)誤B:正確答案:錯(cuò)誤連續(xù)掃描使計(jì)數(shù)器與計(jì)數(shù)率計(jì)連接，常用于物相定性分析。

A:錯(cuò)誤B:正確答案:錯(cuò)誤電子衍射的衍射角一般為多少？

A:π/2B:πC:5°以下D:rad答案:AI參考:正確答案是C:5°以下。\n電子衍射的衍射角通常是指電子在空間衍射過(guò)程中所產(chǎn)生的角，一般來(lái)說(shuō)，這個(gè)角比較小，通常在5°以下。因此，答案為C。'電子束沿晶帶軸[uvw]方向入射，通過(guò)倒易原點(diǎn)O*的倒易平面只有1個(gè)——(uvw)*0，稱為

。

答案:"AI參考:正確選項(xiàng)為：“正交面”根據(jù)題目描述，電子束沿晶帶軸uvw方向入射，通過(guò)倒易原點(diǎn)O*的倒易平面只有一個(gè)，即uvw*0。由于只提到了晶帶軸方向，沒(méi)有提到具體面心或柱面，因此可以推斷該平面為正交面。正交面是晶體學(xué)中一個(gè)重要的概念，指的是垂直于晶帶軸的倒易平面。"透射電子顯微鏡的核心是

系統(tǒng)。

答案:"AI參考