電子技術基礎(模擬部分)第五版-第5章-康華光

第五章

場效應管放大電路耗盡型：場效應管沒有加偏置電壓時，就有導電溝道存在增強型：場效應管沒有加偏置電壓時，沒有導電溝道P溝道耗盡型P溝道P溝道N溝道增強型N溝道N溝道（耗盡型）FET場效應管JFET結型MOSFET絕緣柵型(IGFET)場效應管的分類：場效應管

場效應晶體三極管是由一種載流子導電的、用輸入電壓控制輸出電流的半導體器件。從參與導電的載流子來劃分，它有自由電子導電的N溝道器件和空穴導電的P溝道器件。

按照場效應三極管的結構劃分，有結型場效應管和絕緣柵型場效應管兩大類。金屬-氧化物-半導體場效應管

絕緣柵型場效應管MetalOxideSemiconductor——MOSFET

分為增強型

N溝道、P溝道

耗盡型

N溝道、P溝道增強型：沒有導電溝道，耗盡型：存在導電溝道，N溝道P溝道增強型N溝道P溝道耗盡型5.1金屬-氧化物-半導體（MOS）場效應管5.1.1N溝道增強型MOSFET5.1.5MOSFET的主要參數(shù)5.1.2N溝道耗盡型MOSFET5.1.3P溝道MOSFET5.1.4溝道長度調制效應5.1.1N溝道增強型MOSFET1.結構（N溝道）L：溝道長度W：溝道寬度tox

：絕緣層厚度通常W>L5.1.1N溝道增強型MOSFET剖面圖1.結構（N溝道）符號N溝道增強型場效應管動畫演示mosfet場效應管結構N溝道增強型場效應管的工作原理（1）柵源電壓VGS的控制作用

當VGS=0V時，因為漏源之間被兩個背靠背的PN結隔離，因此，即使在D、S之間加上電壓,在D、S間也不可能形成電流。

當0＜VGS＜VT(開啟電壓)時，通過柵極和襯底間的電容作用，將柵極下方P型襯底表層的空穴向下排斥，同時，使兩個N區(qū)和襯底中的自由電子吸向襯底表層，并與空穴復合而消失，結果在襯底表面形成一薄層負離子的耗盡層。漏源間仍無載流子的通道。管子仍不能導通，處于截止狀態(tài)。1.

柵源電壓VGS的控制作用

當VGS＞VT時，襯底中的電子進一步被吸至柵極下方的P型襯底表層，使襯底表層中的自由電子數(shù)量大于空穴數(shù)量，該薄層轉換為N型半導體，稱此為反型層。ID

形成N源區(qū)到N漏區(qū)的N型溝道。把開始形成反型層的VGS值稱為該管的開啟電壓VT。這時，若在漏源間加電壓VDS，就能產(chǎn)生漏極電流

ID，即管子開啟。

VGS值越大，溝道內自由電子越多，溝道電阻越小，在同樣VDS

電壓作用下，ID

越大。這樣，就實現(xiàn)了輸入電壓VGS

對輸出電流ID

的控制。1.

柵源電壓VGS的控制作用2.漏源電壓VDS對溝道導電能力的影響

當VGS＞VT且固定為某值的情況下，若給漏源間加正電壓VDS則源區(qū)的自由電子將沿著溝道漂移到漏區(qū)，形成漏極電流ID，當ID從D

S流過溝道時，沿途會產(chǎn)生壓降，進而導致沿著溝道長度上柵極與溝道間的電壓分布不均勻。源極端電壓最大，為VGS

，由此感生的溝道最深；離開源極端，越向漏極端靠近，則柵—溝間的電壓線性下降，由它們感生的溝道越來越淺；

直到漏極端，柵漏間電壓最小，其值為：

VGD=VGS-VDS

,由此感生的溝道也最淺?？梢姡赩DS作用下導電溝道的深度是不均勻的，溝道呈錐形分布。若VDS進一步增大，直至VGD=VT，即VGS-VDS=VT或VDS=VGS-VT時，則漏端溝道消失，出現(xiàn)預夾斷點。A2.漏源電壓VDS對溝道導電能力的影響

當VDS為0或較小時，VGD＞VT，此時VDS

基本均勻降落在溝道中，溝道呈斜線分布。2.漏源電壓VDS對溝道導電能力的影響

當VDS增加到使VGD=VT時，漏極處溝道將縮減到剛剛開啟的情況，稱為預夾斷。源區(qū)的自由電子在VDS電場力的作用下，仍能沿著溝道向漏端漂移，一旦到達預夾斷區(qū)的邊界處，就能被預夾斷區(qū)內的電場力掃至漏區(qū)，形成漏極電流。2.漏源電壓VDS對溝道導電能力的影響

當VDS增加到使VGD

VT時，預夾斷點向源極端延伸成小的夾斷區(qū)。由于預夾斷區(qū)呈現(xiàn)高阻，而未夾斷溝道部分為低阻，因此，VDS增加的部分基本上降落在該夾斷區(qū)內，而溝道中的電場力基本不變，漂移電流基本不變，所以，從漏端溝道出現(xiàn)預夾斷點開始，ID基本不隨VDS增加而變化。2.漏源電壓VDS對溝道導電能力的影響柵源電壓VGS對漏極電流ID的控制作用動畫演示mosfet場效應管工作原理3.

V-I特性曲線及大信號特性方程（1）輸出特性及大信號特性方程①截止區(qū)當vGS＜VT時，導電溝道尚未形成，iD＝0，為截止工作狀態(tài)。3.

V-I特性曲線及大信號特性方程（1）輸出特性及大信號特性方程②可變電阻區(qū)

vDS≤（vGS－VT）由于vDS較小，可近似為rdso是一個受vGS控制的可變電阻3.

V-I特性曲線及大信號特性方程（1）輸出特性及大信號特性方程②可變電阻區(qū)

n：反型層中電子遷移率Cox：柵極（與襯底間）氧化層單位面積電容本征電導因子其中Kn為電導常數(shù)，單位：mA/V23.

V-I特性曲線及大信號特性方程（1）輸出特性及大信號特性方程③飽和區(qū)（恒流區(qū)又稱放大區(qū)）vGS>VT

，且vDS≥（vGS－VT）是vGS＝2VT時的iDV-I特性：3.

V-I特性曲線及大信號特性方程（2）轉移特性MOSFET的特性曲線1.漏極輸出特性曲線2.轉移特性曲線—VGS對ID的控制特性

轉移特性曲線的斜率

gm的大小反映了柵源電壓對漏極電流的控制作用。其量綱為mA/V，稱gm為跨導。

gm=

ID/

VGS

Q

（mS)

ID=f(VGS)

VDS=常數(shù)增強型MOS管特性小結絕緣柵場效應管N溝道增強型P溝道增強型耗盡型MOSFET

N溝道耗盡型MOS管，它是在柵極下方的SiO2絕緣層中摻入了大量的金屬正離子，在管子制造過程中，這些正離子已經(jīng)在漏源之間的襯底表面感應出反型層，形成了導電溝道。因此，使用時無須加開啟電壓（VGS=0），只要加漏源電壓，就會有漏極電流。當VGS＞0時，將使ID進一步增加。VGS＜0時，隨著VGS的減小ID逐漸減小，直至ID=0。對應ID=0的VGS值為夾斷電壓VP

。5.1.2N溝道耗盡型MOSFET1.結構和工作原理（N溝道）二氧化硅絕緣層中摻有大量的正離子可以在正或負的柵源電壓下工作，而且基本上無柵流5.1.2N溝道耗盡型MOSFET2.V-I特性曲線及大信號特性方程

（N溝道增強型）5.1.3P溝道MOSFET耗盡型MOSFET的特性曲線絕緣柵場效應管

N溝道耗盡型P溝道耗盡型5.1.5MOSFET的主要參數(shù)一、直流參數(shù)NMOS增強型1.開啟電壓VT

（增強型參數(shù)）2.夾斷電壓VP

（耗盡型參數(shù)）3.飽和漏電流IDSS

（耗盡型參數(shù)）4.直流輸入電阻RGS

（109Ω～1015Ω

）二、交流參數(shù)1.輸出電阻rds

當不考慮溝道調制效應時，

＝0，rds→∞

5.1.5MOSFET的主要參數(shù)2.低頻互導gm

二、交流參數(shù)考慮到則其中5.1.5MOSFET的主要參數(shù)end三、極限參數(shù)1.最大漏極電流IDM

2.最大耗散功率PDM

3.最大漏源電壓V（BR）DS

4.最大柵源電壓V（BR）GS

各種場效應管所加偏壓極性小結FET放大電路組成原則及分析方法(1)靜態(tài)：適當?shù)撵o態(tài)工作點，使場效應管工作在恒流區(qū)，F(xiàn)ET的偏置電路相對簡單。(2)動態(tài)：能為交流信號提供通路。組成原則：靜態(tài)分析：估算法、圖解法。動態(tài)分析：小信號等效電路法。分析方法：5.2MOSFET放大電路由FET組成的放大電路和BJT一樣,要建立合適的靜態(tài)工作點。所不同的是,FET是電壓控制器件,因此它需要有合適的柵極-源極電壓?，F(xiàn)在以N溝道增強型MOSFET為例說明如下:(1)簡單的共源極放大電路若計算出來的若計算出來的則說明NMOS管工作在飽和區(qū)則說明NMOS管工作于可變電阻區(qū)(2)帶源極電阻的NMOS共源極放大電路P溝道MOS管電路的分析與N溝道類似,但要注意其電源極性與電流方向不同。場效應管（FET）放大電路FET放大電路的直流偏置及靜態(tài)分析1.直流偏置電路FET為電壓控制器件，因此用FET組成放大電路，需要設置合適的柵極電壓（簡稱柵壓，為Q點電壓）。工程中常用的FET放大電路的偏置方式有兩種，現(xiàn)以N溝道耗盡型MOSFET為例介紹如下：

（1）自給偏壓電路如圖2-28a所示。因為在FET的源極接入了Rs，所以即使uGS=0，也有漏源電流ID流過Rs，而柵極經(jīng)RG接地，UG=0V，故在靜態(tài)時負柵壓UGS=UG-US=0V-IDRS?？梢娫撾娐返闹绷髌珘菏强勘旧碓礃O電阻Rs上的壓降設置的，故名自給偏壓式電路。另電路種Cs對Rs起交流旁路作用，Cs為源極旁路電容。a）自給偏壓式電路+-Ui

RG

RD

RL+-Uo+C2+C1+VDD

RS+

CSGSDVT+-Ui

RG

RD

RL+-Uo+C2+C1+VDD

RS+

CSGSDVT

RG2

RG1b）分壓式偏置電路

（2）分壓式偏置電路這種直流偏置電路類同于自舉式射極輸出器的偏置電路，見圖2-28b。電源電壓VDD經(jīng)RG1、RG2分壓后，經(jīng)RG提供柵壓同時ID在Rs上也產(chǎn)生直流壓降Us=IDRs。因而FET的柵—源電壓為2.Q點的確定

（1）估算法對于圖示自給偏壓式FET放大電路，聯(lián)立求解以下兩式，便可確定該電路的Q點兩式中IDSS、UGS(off)和Rs為已知，iD、uGS為未知，兩個方程式兩個未知數(shù)，可聯(lián)立求出。對于圖示分壓式偏置FET放大電路，則可聯(lián)立以下兩式來估算Q點

例（1）圖電路，設RG=10MΩ，Rs=2kΩ，RD=18kΩ，VDD=20V，N溝道耗盡型MOSFET輸出特性如圖2-29b所示，試用圖解法確定該電路的Q點；（2）圖電路，設RG1=2MΩ，RG2=47kΩ，RG=10MΩ，RD=30kΩ，Rs=2kΩ，VDD=18V，F(xiàn)ET的UGS(off)=-1V，IDSS=0.5mA。試用估算法確定Q點。

（2）圖解法

下面用例題來說明圖解法確定FET放大電路的Q點。解：（1）圖解法步驟如下：1）在輸出特性上作直流負載線由原電路圖輸出回路有根據(jù)此方程就可在輸出特性上作直流負載線MN，如圖所示。2）在iD

~uGS坐標系中作負載轉移特性見圖，由直流負載線MN與各支輸出特性曲線之交點a、b、c、d和e相應的iD、uGS值，在iD~uGS坐標平面上分別得到a、b、c、d和e各點，連接這些點，就可得到負載轉移特性iD=f（uGS），這是求出Q點所要用的曲線①。3）仍在iD~uGS坐標系中作源極負載線對應圖示自給偏壓放大電路，iD、uGS還需滿足式（2-47），即

這是一個在iD~uGS坐標系上過原點的直線方程，作出該直線段OL：iD=-uGS/Rs，由于其斜率為-1/Rs，所以稱之為源極負載線（見圖中曲線②）。4）確定Q點源極負載線OL與負載轉移特性曲線之交點，即曲線②與曲線①之交點，就是靜態(tài)工作點Q。5）截出Q點的電壓、電流值UGS≈-0.75V，ID≈0.37mA，UDS≈12.5V。整理以上方程式，可得將uGS式代入iD式中，并整理得解之得iD=（0.95±0.64）mA。因IDSS=0.5mA，iD=ID應小于IDSS，故取ID=0.31mA，從而UGS=0.4-2ID=-0.22V，UDS=VDD-ID（RD+RS）≈8.1V。

（2）

對于圖2-28b放大電路，將FET轉移特性式與式聯(lián)立，有§5.2FET放大電路的動態(tài)分析1.FET的交流低頻小信號模型

與BJT的H參數(shù)模型的建立過程相類同，將FET看作是一個雙口網(wǎng)絡，如圖所示。因FET的柵極電流iG=0，故應為iD與uGS、uDS成函數(shù)關系，即+-uGS+-uDSGSDVTiDa）共源接法時的雙口網(wǎng)絡圖2-30場效應管的微變等效電路對上式求全微分，得令和在低頻小信號條件下，F(xiàn)ET在Q點附近小范圍內，可以直代曲，即可認為此時特性曲線線性，gm及rds為常數(shù)，并且式中各微變量也可用有限的正弦有效值表示，即式可表示為UgsrdsgmUgsUds+-+-SDGIdb）低頻小信號模型圖2-30場效應管的微變等效電路據(jù)此式，可畫出2-30b的FET低頻小信號模型。因FETIg=0，故輸入端可開路表達。gm是跨導，由式定義，gmUgs表示壓控電流源；輸出電阻rds由式定義，它與BJT的rce意義相同。2.應用微變等效電路分析FET放大電路（1）共源電路

例2.8FET共源放大電路如圖所示，現(xiàn)重畫于下方，試導出其Au、Ri和Ro的計算式。+-Ui

RG

RD

RL+-Uo+C2+C1+VDD

RS+

CSGSDVTa）電路圖解：畫出該放大電路的微變等效電路，如圖b所示。圖中rds未畫出，是因為rds//RD，而rds>>RD,，故可將rds開路處理。UiRDgmUgsUo+-+-SDGIdRGUgs+-RLRL′b）微變等效電路圖圖2-31自給偏壓式電路1）電壓放大倍數(shù)Au

由圖寫出式中RL=RD//RL，負號說明共源電路的Uo與Ui反相。2）輸入電阻Ri

由圖得出3）輸出電阻Ro

根據(jù)求Ro的定義（2-55）（2）共漏放大電路（源極輸出器）

例圖為FET共漏放大電路。因為其分壓式偏置電路與圖電路一樣，所以這里不再贅述。試用微變等效電路法對這一共漏電路作出動態(tài)分析。+-Ui

RG

RL+-Uo+C2+C1+VDD

RSGSDVT

RG2

RG1a）電路圖IoUiRSgmUgsUo+-+-SDGRGUgs+-RL′RiRG1RG2IRSRob）微變等效電路圖2-32場效應管共漏放大電路解：1）電壓放大倍數(shù)先畫出如圖b所示的微變等效電路圖，由圖可推導出式中RL=RS//RL。因gmRL>>1，故Au≈1，且Uo與Ui同相，Uo≈Ui，故其又名源極跟隨器，與射極跟隨器特性相仿。所以3）輸出電阻

將Ui短路，RL開路，則Ugs=-Uo，且圖中顯然，共漏放大電路的Ro比共源放大電路的要小一些。2）輸入電阻由圖2-32b可知，因柵極開路，故4.4FET的交流參數(shù)和小信號模型

4.4.1

FET的主要交流參數(shù)

1）

低頻跨導gm：低頻跨導反映了vGS對iD的控制作用。gm可以在轉移特性曲線上求得，單位是mS(毫西門子)。2）漏極內阻rds：很大，可忽略。

4.4.2

FET的小信號模型GSDuGSiDuDSSGDugsgmugsudsSGDrDSugsgmugsuds場效應管放大電路小結(1)場效應管放大器輸入電阻很大。(2)場效應管共源極放大器(漏極輸出)輸入輸出反相，電壓放大倍數(shù)大于1；輸出電阻=RD。(3)場效應管源極跟隨器輸入輸出同相，電壓放大倍數(shù)小于1且約等于1；輸出電阻小。輸出電阻：

三種基本放大電路的性能比較BJTFET輸入電阻：CE：CC：CB：CS：CD：CG：CE：CC：CB：CS：CD：CG：

三種基本放大電路的性能比較組態(tài)對應關系：CEBJTFETCSCCCDCBCGBJTFET電壓增益：CE：CC：CB：CS：CD：CG：結型場效應管1.結構2.工作原理

N溝道PN結N溝道場效應管工作時，在柵極與源極之間加負電壓，柵極與溝道之間的PN結為反偏。

在漏極、源極之間加一定正電壓，使N溝道中的多數(shù)載流子(電子)由源極向漏極漂移，形成iD。iD的大小受VGS的控制。P溝道場效應管工作時，極性相反，溝道中的多子為空穴。①柵源電壓VGS對iD的控制作用

當VGS＜0時，PN結反偏，耗盡層變厚，溝道變窄，溝道電阻變大，ID減??；VGS更負，溝道更窄，ID更??；直至溝道被耗盡層全部覆蓋，溝道被夾斷，ID≈0。這時所對應的柵源電壓VGS稱為夾斷電壓VP。②漏源電壓VDS對iD的影響

在柵源間加電壓VGS＞VP，漏源間加電壓VDS。則因漏端耗盡層所受的反偏電壓為VGD=VGS-VDS，比源端耗盡層所受的反偏電壓VGS大,(如:VGS=-2V,VDS=3V,VP=-9V,則漏端耗盡層受反偏電壓為-5V，源端耗盡層受反偏電壓為-2V),使靠近漏端的耗盡層比源端厚，溝道比源端窄，故VDS對溝道的影響是不均勻的，使溝道呈楔形。當VDS增加到使VGD=VGS-VDS=VP

時，在緊靠漏極處出現(xiàn)預夾斷點，

隨VDS增大，這種不均勻性越明顯。當VDS繼續(xù)增加時，預夾斷點向源極方向伸長為預夾斷區(qū)。由于預夾斷區(qū)電阻很大，使主要VDS降落在該區(qū)，由此產(chǎn)生的強電場力能把未夾斷區(qū)漂移到其邊界上的載流子都掃至漏極，形成漏極飽和電流。JFET工作原理

（動畫2-9)（動畫2-6）(3)伏安特性曲線①輸出特性曲線恒流區(qū)：(又稱飽和區(qū)或放大區(qū)）特點:(1)受控性：

輸入電壓vGS控制輸出電流(2)恒流性：輸出電流iD

基本上不受輸出電壓vDS的影響。用途:可做放大器和恒流源。條件:(1)源端溝道未夾斷

(2)源端溝道予夾斷

可變電阻區(qū)特點:(1)當vGS為定值時,iD是

vDS的線性函數(shù)，管子的漏源間呈現(xiàn)為線性電阻，且其阻值受

vGS控制。

（2）管壓降vDS很小。用途：做壓控線性電阻和無觸點的、閉合狀態(tài)的電子開關。條件：源端與漏端溝道都不夾斷

夾斷區(qū)

用途：做無觸點的、接通狀態(tài)的電子開關。條件：整個溝道都夾斷

擊穿區(qū)

當漏源電壓增大到

時，漏端PN結發(fā)生雪崩擊穿，使iD

劇增的區(qū)域。其值一般為（20—50）V之間。由于VGD=VGS-VDS,故vGS越負，對應的VP就越小。管子不能在擊穿區(qū)工作。特點：②轉移特性曲線輸入電壓VGS對輸出漏極電流ID的控制結型場效應管的特性小結結型場效應管

N溝道耗盡型P溝道耗盡型場效應三極管的參數(shù)和型號一、場效應三極管的參數(shù)

1.

開啟電壓VT

開啟電壓是MOS增強型管的參數(shù)，柵源電壓小于開啟電壓的絕對值,場效應管不能導通。

2.夾斷電壓VP

夾斷電壓是耗盡型FET的參數(shù)，當VGS=VP時,漏極電流為零。3.飽和漏極電流IDSS

耗盡型場效應三極管,當VGS=0時所對應的漏極電流。4.

輸入電阻RGS

結型場效應三極管，反偏時RGS約大于107Ω；絕緣柵型場效應三極管,RGS約是109～1015Ω。

5.低頻跨導gm

低頻跨導反映了柵壓對漏極電流的控制作用，

gm可以在轉移特性曲線上求取，單位是mS

(毫西門子)。

6.最大漏極功耗PDM

最大漏極功耗可由PDM=VDSID決定，與雙極型三極管的PCM相當。(2)場效應三極管的型號

場效應三極管的型號,現(xiàn)行有兩種命名方法。其一是與雙極型三極管相同，第三位字母J代表結型場效應管，O代表絕緣柵場效應管。第二位字母代表材料，D是P型硅，反型層是N溝道；C是N型硅P溝道。如,3DJ6D是結型N溝道場效應三極管，3DO6C是絕緣柵型N溝道場效應三極管。

第二種命名方法是CS××#，CS代表場效應管，××以數(shù)字代表型號的序號，#用字母代表同一型號中的不同規(guī)格。例如CS14A、CS45G等。幾種常用場效應三極管的主要參數(shù)雙極型三極管與場效應三極管的比較

雙極型三極管場效應三極管結構與分類NPN型結型N溝道P溝道絕緣柵增強型N溝道

P溝道PNP型絕緣柵耗盡型

N溝道

P溝道C與E一般不可倒置使用D與S有的型號可倒置使用載流子多子擴散少子漂移多子漂移

輸入量電流輸入電壓輸入控制電流控制電流源電壓控制電流源噪聲較大較小溫度特性受溫度影響較大較小，且有零溫度系數(shù)點輸入電阻幾十到幾千歐姆幾兆歐姆以上靜電影響不受靜電影響易受靜電影響集成工藝不易大規(guī)模集成適宜大規(guī)模和超大規(guī)模集成絕緣柵增強型N溝道P溝道絕緣柵耗盡型

N溝道P溝道場效應管放大電路（1）偏置電路及靜態(tài)分析分壓式自偏壓電路直流通道VG=VDDRg2/(Rg1+Rg2)VGS=VG－VS=VG－IDRID=IDSS[1－(VGS/VP)]2VDS=VDD－ID(R+Rd

)

由此可以解出VGS、ID和VDS。(1)直流分析小信號分析法低頻模型高頻模型(2)交流分析小信號等效電路①電壓放大倍數(shù)②輸入電阻

③輸出電阻常用元器件電阻電容半導體器件電阻電阻是最常用、最基本的電子元件之一。其在電路中的主要用途是：分壓、限流和充當負載。電阻的分類繞線電阻（RX）:用電阻絲繞成，誤差小、精度高、功率大。但分布電感大，不易獲得高阻值。薄膜電阻：在陶瓷管表面覆以電阻薄膜。敏感電阻碳膜電阻（RT）：穩(wěn)定性好；阻值范圍寬，造價低。金屬膜電阻（RJ）：體積小，穩(wěn)定性好。電位器電阻的參數(shù)電阻最主要的參數(shù)是阻值和額定功率。額定功率為電阻在電路中允許消耗的最大功率（P＝UI）一個電阻，它所標稱的阻值稱為標稱阻值，單位為Ω。標稱值嚴格按照國際或國家標準標注。按不同的誤差大小，其標稱值在1～10之間的數(shù)量也不一樣。誤差為±5％時，1～10之間有標稱值24個。（E24系列）誤差為±10％時，1～10之間有標稱值12個。（E12系列）誤差為±20％時，1～10之間有標稱值6個。（E6系列）阻值標示方法直接法：用數(shù)字和單位直接標示阻值的方法，通常Ω可省略。如4.7K。文字符號法：用數(shù)字與特殊符號組合，常見符號有M、K、R。如4K7，1R9。數(shù)字表示法：常見于貼片電阻，用3～4位整數(shù)表示阻值，單位為Ω。（前2～3位表示有效值，末位表示倍率）如102＝1000Ω，1001＝1000Ω色環(huán)表示法：用不同顏色的色環(huán)在電阻表面上標志出電阻主要參數(shù)的方法。5位色環(huán)在讀色環(huán)電阻時，應正確識別第一色環(huán)，一般第一色環(huán)距電阻頭較近。17510-1

±1％4位色環(huán)27103

±5％如果只有3條色環(huán)，則代表此電阻的允許誤差為±20％電容電容也是最常用、最基本的電子元件之一。電容在電路中，可用于隔直流、通交流，濾波、旁路或與電感線圈組成振蕩回路。電容的分類根據(jù)介質的不同，分為陶瓷、云母、紙質、薄膜、電解電容幾種。陶瓷電容：體積小，自體電感小。云母電容：性能優(yōu)良，高穩(wěn)定，高精密。紙質電容：價格低，容量大。薄膜電容：體積小，但損耗大，不穩(wěn)定。電解電容：容量大，穩(wěn)定性差。（使用時應注意極性）電容的參數(shù)識別和選用主要參數(shù)是容量和耐壓值。常用的容量單位有μF（10-6F）、nF（10-9F）和PF（10-12F），標注方法與電阻相同。電容的選用應考慮使用頻率、耐壓。電解電容還應注意極性，使+極接到直流高電位，還應考慮使用溫度。當標注中省略單位時，默認單位應為PF電容大小的表示方法（一）標有單位的直接表示法：有的電容的表面上直接標志了其特性參數(shù)，如在電解電容上經(jīng)常按如下的方法進行標志：4.7u/16V，表示此電容的標稱容量為4.7uF，耐壓16V。不標單位的數(shù)字表示法：許多電容受體積的限制，其表面經(jīng)常不標注單位。但都遵循一定的識別規(guī)則。當數(shù)字小于1時，默認單位為微法,當數(shù)字大于等于1時，默認單位為皮法。電容大小的表示方法（二）p、n、u、m法：此時標識在數(shù)字中的字母：p、n、u、m即是量綱，又表示小數(shù)點位置。如某電容標注為4n7表示此電容標稱容量為4.7×10-9F=4700pF。色環(huán)(點)表示法：該法同電阻的色環(huán)表示法,單位為pF。半導體器件半導體器件是電子元器件中功能和品種最為復雜的一類器件。由于歷史發(fā)展的原因，各國對其功能分類及命名的方法各不相同。二極管三極管基本元件的安裝與使用

下面將就以上介紹的基本元件在實際電路中的安裝進行一些介紹。元件的安裝固定方式

根據(jù)外殼大小、數(shù)量等可分為直立式和橫臥式兩種，可按照要求排列。下圖也是各種不同的元件固定形式一般來說，元件安裝時要與線路板留出一

定距離，避免出現(xiàn)問題。比較幾種元件的安裝3瓦以上電阻的安裝正確不正確正確不正確普通電阻的安裝電容的安裝高度不齊不規(guī)范未成型且管腳高度高

元器件命名法1、國產(chǎn)半導體分立元件標準（國標）2、國產(chǎn)半導體集成電路標準（國標）1、國產(chǎn)半導體分立元件標準（國標）

中國國家標準（GB—249—74）規(guī)定的中國半導體器件型號命名方法中國半導體器件命名法第一部分：用數(shù)字表示器件的電極數(shù)目第二部分：用漢語拼音字母表示材料和極性第三部分：用漢語拼音字母表示器件的

類型第四部分：用數(shù)字表示器件序號第五部分：用漢語拼音字母表示規(guī)格號第一部分用數(shù)字表示器件的電極數(shù)目符號和意義2二極管3三極管第二部分用漢語拼音字母表示材料和極性第二部分（二極管）

AN型鍺材料BP型鍺材料CN型硅材料DP型硅材料第二部分（三極管）APNP型鍺材料BNPN型鍺材料CPNP型硅材料DNPN型硅材料E化合物材料第三部分用漢語拼音字母表示器件的類型P普通管V微波管W穩(wěn)壓管C參量管第三部分用漢語拼音字母表示器件的類型Z整流管L整流堆S隧道管N阻尼管U光電器件K開關管第三部分X低頻小功率管（f

<3MHz,Pc<1W）G高頻小功率管（f

≥3MHz,Pc<1W）D低頻大功率管（f

<3MHz,Pc≥1W）A高頻大功率管（f

≥3MHz,Pc≥1W）第三部分T閘流管（可控整流器）Y體效應器件B雪崩管J階躍恢復管CS場效應管BT特殊器件FH復合管PINPIN型管JG激光器件第三部分注：有些半導體器件（如場效應管、特殊器件、復合管、PIN型管、激光器件等）的型號第三部分只有其中的三、四、五部分第四部分用數(shù)字表示器件序號第五部分用漢語拼音字母表示規(guī)格號示例鍺PNP型高頻小功率三極管

3AG11C

規(guī)格號序號高頻小功率

PNP型鍺材料

三極管

示例CS2B

規(guī)格號

序號場效應器件日本半導體型號標準日本工業(yè)標準（JIS-C-7012）規(guī)定的日本半導體分立器件型號命名方法由五個基本部分組成，這五個基本部分的符號及意義見實驗講義。示例

2SA495

JEIA登記號

PNP高頻管

JEIA注冊產(chǎn)品三極管示例2SC502A

2SC502改進型

JEIA登記號

NPN高頻管

JEIA注冊產(chǎn)品

三極管歐洲半導體器件型號命名法歐洲各國（德國、法國、意大利、荷蘭等和匈牙利、羅馬尼亞、波蘭等國家），大都是用國際電子聯(lián)合會的標準半導體分立器件型號命名法。這種命名法由四個基本部分組成，各部分的符號及意義見實驗講義。示例

BTX64—200

最大反向峰值電壓200伏

專用器件登記號

大功率可控硅

硅材料

美國半導體型號命名方法美國電子工業(yè)協(xié)會(EIA)的半導體分立器件型號命名方法規(guī)定，半導體分立器件型號由五部分組成。第一部分為前綴，第五部分為后綴，中間三部分為型號的基本部分。這五部分的符號及其意義見實驗講義。示例JAN2N3553

登記號

注冊標志

三極管

軍用品示例2N1050C2N1050的C檔

EIA登記號

EIA注冊標志非軍用品

2、國產(chǎn)半導體集成電路標準

第一部分：用字母表示器件符號（國標）

第二部分：用字母表示器件類型

第三部分：用阿拉伯數(shù)字表示器件系列和品種代號

第四部分：用字母表示器件的工作溫度范圍

第五部分：用字母表示器件的封裝

第一部分

C（中國制造）

第二部分

用字母表示器件類型TTTLHHTLEECLCCMOS第二部分（續(xù)）F線性放大器D音響電視電路W穩(wěn)壓器J接口電路B非線性電路M存儲器μ微機電路

第三部分第三部分：用阿拉伯數(shù)字表示器件系列第四部分用字母表示器件的工作溫度范圍C0～70oC

E－40～85oC

R－55～85oC

M－55～125oC

第五部分

用字母表示器件的封裝

W陶管扁平

B塑料扁平

F全密封扁平

D陶瓷直插

P塑料直插

J黑陶瓷直插

K金屬菱形

T金屬圓形

------------

實例CF0741CT線性通用運放

0～70oC

金屬圓形封裝實例

CC14512MF

CMOS8選一數(shù)據(jù)選擇器－55～125oC

全密封扁平封裝

歐洲集成電路型號命名法歐洲各國生產(chǎn)的集成電路絕大部分按歐洲電子聯(lián)盟規(guī)定命名。歐洲集成電路型號基本規(guī)律型號由三部分組成。第一部分由三個字母組成，第一個字母表示無線電類；第二個字母表示使用范圍，如表示0~70℃，表示—55~125℃，表示

—25~70℃。第三個字符沒有特殊規(guī)定。第二部分由阿拉伯數(shù)字組成，表示器件的序號及類型。第三部分是尾標，表示封裝形式。通常有兩種：一種是用一個字母表示。如：表示圓柱型；表示塑料雙列；表示陶瓷雙列；表示四列引線；表示扁平；表示芯片。

另一種用兩個字母表示，第一個字母表示封裝形式，如表示柱行；表示雙列引線；表示功率雙列引線；表示扁平雙列引線；表示扁平四列引線；表示菱形；表示多重引線；表示帶散熱片國率性四列引線；表示三列引線。第二個字母表示封裝材料，如：C表示金屬—陶瓷；P表示塑料；G表示玻璃—陶瓷。實例TDA0161DP

塑料雙列封裝(第三部分)

感應開關集成電路(第二部分)

法國湯姆遜公司生產(chǎn)(第一部分)

國外廠家型號

美國仙童公司μA、F

美國國民半導體公司LF、LM、LH

美國模擬器件公司AD

日本松下AH

日本東